「memory block」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The high level voltage is switched to the first or second high voltage only in word control circuit corresponding to the memory block of which the access state changes.例文帳に追加

高レベル電圧は、アクセス状態が変化するメモリブロックに対応するワード制御回路でのみ第１または第２高電圧に切り替えられる。 - 特許庁

A cutoff circuit (16) cuts off supply of power source voltage (VDD1) to a nonvolatile memory block (14) from a voltage supply circuit (11).例文帳に追加

遮断回路（１６）は、電圧供給回路（１１）から不揮発性のメモリブロック（１４）への電源電圧（ＶＤＤ１）の供給を遮断する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which rewriting with a block unit can be performed and the number of times of substantial rewriting can be increased.例文帳に追加

ブロック単位での書き換えを可能にするとともに実質的な書き換え回数を増加させることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When the video decoder 24 is turned into blanking period, the audio decoder 23 simultaneously performs the processing most requiring the memory band width, namely, block switching processing.例文帳に追加

ビデオデコーダ２４がブランキング期間に入ると、オーディオデコーダ２３は最もメモリバンド幅を要求する処理、即ちブロックスイッチング処理をまとめて行う。 - 特許庁

It's easy to forget to free the allocated memory block when taking this premature exit, especially when it is added later to the code.例文帳に追加

この途中での終了が起きるとき、確保されたメモリブロックは解放し忘れやすいのです。 コードが後で追加された場合には特にそうです。 - Python

One DSP is selected on a DSP selection picture (step 101) and a file setting picture is displayed for each memory block of that DSP.例文帳に追加

ＤＳＰ選択画面上で１つのＤＳＰを選択（ステップ１０１）してそのＤＳＰのメモリブロックごとのファイル設定画面を表示する。 - 特許庁

To provide a memory cell capable of reducing a writing current, to provide a storage circuit block, and to provide a method for writing data.例文帳に追加

本発明は、書き込み電流を減少させることが可能なメモリセル、記憶回路ブロック及びデータの書き込み方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a column repair circuit of a semiconductor memory unit which can perform column-repair at the time of row-repair using an adjacent block, and a column repair method.例文帳に追加

隣接ブロックを使用したローリペア時にカラムリペア可能な半導体メモリ装置のカラムリペア回路及びカラムリペア方法を提供すること。 - 特許庁

Based upon the edge intensity data, a removal flag specifying a block to be filtered is calculated and stored in a removal flag map memory 104.例文帳に追加

このエッジ強度データに基づいて、フィルタリング対象のブロックを特定する除去フラグを算出して除去フラグマップメモリ１０４に記憶する。 - 特許庁

Images of a medium 1 are stored in an image memory 19, then blocked by an integrating part 21, and an average density of each block is calculated.例文帳に追加

媒体１の画像イメージは、画像メモリ１９に格納された後、積分部２１でブロック化されて各ブロック毎の平均濃度が算出される。 - 特許庁

The semiconductor memory device is equipped with: a memory block including a plurality of word lines, a plurality of bit lines and a plurality of memory cells; an oscillation circuit with a delay speed adjustment circuit to be controlled based on a test signal added thereto; and an access control circuit for sequentially accessing the plurality of memory cells based on an output of the oscillation circuit in refresh mode.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のワード線と、複数のビット線と、複数のメモリセルとを含むメモリブロックと、テスト信号に基づいて制御される遅延速度調整回路が付加された発振回路と、リフレッシュモード時、発振回路の出力に基づいて複数のメモリセルを順次アクセスするアクセス制御回路と、を備える。 - 特許庁

In this dynamic memory managing method for performing the memory allocation and release of the data in accordance with the command from a processor, the pointer information in an address management area recording the pointer information to a memory block of the actual memory data area storing the data, is returned to a demander program for the processing of the data, as a return value.例文帳に追加

プロセッサからの指令に応じてデータのメモリ割付と解放を行う動的メモリ管理方法であって、データの処理の要求元プログラムに対して、このデータを記憶する実メモリデータ領域のメモリブロックへのポインタ情報を記録するアドレス管理領域における当該ポインタ情報を戻り値として返す。 - 特許庁

The redundant memory cell array selection circuit 140 selects, during erasure operation, a redundant memory cell array according to a priority of a block unit obtained by dividing an erasure unit among a plurality of redundant memory cell arrays determined in the erasure unit on the basis of input address information and defective memory information.例文帳に追加

冗長メモリーセルアレイ選択回路１４０は、消去動作時において、入力アドレス情報と不良メモリー情報とに基づいて消去単位で決定される複数の冗長メモリーセルアレイの中から、消去単位を分割したブロック単位の優先順位に従って冗長メモリーセルアレイを選択する。 - 特許庁

An image memory storing an image from which block noise is removed by a deblocking filter is used as a short-term reference memory for a frame not including a partial image, and a memory area corresponding to a first frame including a partial image is assigned as a long-term reference memory for a first frame including a partial image.例文帳に追加

デブロッキングフィルタでブロックノイズを除去された後の画像を蓄積する画像メモリにおいて、部分画像を含まないフレームに対しては短期間参照（short-term reference）メモリとして使用し、部分画像を含むフレームに対しては部分画像を含む最初のフレームに相当するメモリ領域を長期間参照（long-term reference）メモリとして割り当てる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory including a memory cell in which data are stored in a plurality of pages included in the prescribed block by voltage applied to the prescribed memory cell, and an apparatus and a method which can judge surely validity of imperfect data being causable by interruption of power source supply during write-in/erasion operation by the nonvolatile memory.例文帳に追加

所定メモリセルに印加される電圧によって所定ブロックに含まれた複数のページにデータを格納するメモリセルを含む不揮発性メモリ、その不揮発性メモリで書き込み／削除動作中に電源供給の中断により発生しうる不完全なデータの有効性を正確に判断できる装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, differing from conventional methods, since one file does not use a particular memory area continually so that the early exhaust of a particular block lifetime in a flash memory is prevented, the whole memory area is equally used so that lifetimes of all blocks in the flash memory are kept in the same levels.例文帳に追加

よって、 従来の方法とは異なって、一つのファイルが特定のメモリ領域を継続的に用いないことから、フラッシュメモリ内の特定のブロックの寿命が他のブロックより早く尽きることを防止でき、メモリ領域の全体を均一に用いることから、フラッシュメモリ内の全てのブロックの寿命を同一に保持できる。 - 特許庁

A memory cell area MCA in the nonvolatile memory 10 is divided into two areas of 1st and 2nd memory cell areas MCA1 and MCA2 to provide a separately controllable mode and a simultaneously controllable mode so that contents of two blocks equal or different in the block number of a memory cell can be simultaneously updated.例文帳に追加

不揮発性メモリ１０内のメモリセル領域ＭＣＡを、第１及び第２のメモリセル領域ＭＣＡ１とＭＣＡ２の２つの領域に分割し、２つのメモリセルのブロック番号が同じ又は異なるブロックの内容を同時に更新できるように、別々に制御可能なモードと同時に制御するモードを設ける。 - 特許庁

When the erasing operation for selectively erasing at least one sub-block in a memory block is carried out, a first voltage is applied to a bit line and a source line and a second voltage smaller than the first voltage is applied to a word line in the selected first sub-block.例文帳に追加

メモリブロック中の少なくとも１つのサブブロックを選択的に消去する消去動作を実行する際、選択された第１のサブブロックにおいては、ビット線及びソース線に第１電圧を印加する一方、ワード線には第１電圧よりも小さい第２電圧を印加する。 - 特許庁

When a deletion command and an address are issued from a host system 300 and it is detected that the address designates a boot block, the boot block flash memory control circuit 303 outputs the address of the boot block and a deletion command for deleting a plurality of boot blocks.例文帳に追加

ブートブロックフラッシュメモリ制御回路３０３は、ホストシステム３００から消去コマンドおよびアドレスが発行されたときに、そのアドレスがブートブロックを指定していることを検出すると、複数のブートブロックの消去を行うためにブートブロックのアドレスおよび消去コマンドを出力する。 - 特許庁

When this inkjet recording head is mounted, the recording apparatus reads out the block number corresponding to respective nozzles from the memory, and based on the number, a block selective signal to the respective nozzle is changed, and the changed block selective signal is transmitted to the inkjet recording head to perform driving.例文帳に追加

記録装置はこのインクジェット記録ヘッドを装着すると、メモリから各ノズルに対応したブロック番号を読出し、その番号に基づいて、各ノズルに対するブロック選択信号を変更し、その変更したブロック選択信号をインクジェット記録ヘッドに転送して駆動する。 - 特許庁

Backup data 130 of a main storage memory 135 are divided into storage block units which are identical to the storage block units of a CF145 as a secondary storage device, and when data are written in the CF145, a flag is set in a block including a data writing sector in a backup data 130 area.例文帳に追加

主記憶メモリ１３５のバックアップデータ１３０を二次記憶装置としてのＣＦ１４５の記憶ブロック単位と同一の記憶ブロック単位に分割し、ＣＦ１４５へのデータ書き込み時にはバックアップデータ１３０領域における、データ書き込みセクタを含むブロックにフラグをセットする。 - 特許庁

The multifunction peripheral according to the present invention includes a means of reading image data out of the image reader in predetermined block units and storing them in a memory, and a means of encoding the image data read in the block units to a predetermined format in the block units and sending them out to a network one after another.例文帳に追加

本発明による複合機は、画像読取装置から所定のブロック単位で画像データを読み取りメモリに格納する手段と、ブロック単位で読み取られた画像データを、ブロック単位で所定形式に符号化し、順次ネットワーク外部に送出する手段と、を備える。 - 特許庁

In the memory control device, a logical address (log) assigned to a physical block and a physical address (next_p) of the physical block to which the logical address (log+1) next to the logical address (log) is assigned are stored in a redundant region of the page 1 in each physical block in a flash EEPROM 12.例文帳に追加

フラッシュＥＥＰＲＯＭ１２内の各物理ブロック内のページ１の冗長領域には、当該物理ブロックに割り当てられた論理アドレス（ｌｏｇ）と、当該論理アドレス（ｌｏｇ）の次の論理アドレス（ｌｏｇ＋１）が割り当てられている物理ブロックの物理アドレス（ｎｅｘｔ＿ｐ）とが格納されている。 - 特許庁

At the time, the chip control section 200 gives the first potential to any sector in an erasion block, and gives the second potential updated to residual sectors in the erasion block so that a conduction state does not exist as for memory cells belonging to the erasion block and erasion-verify is performed.例文帳に追加

このときチップコントロール部２００は、消去ブロック内のいずれかのセクタに第１の電位を与え、かつ、消去ブロックに属するメモリセルにおいて導通状態となるものがなくなるように更新した第２の電位を、消去ブロック内の残りのセクタに与えて、消去ベリファイを行なう。 - 特許庁

An image reading apparatus 2 includes a CPU 11, a memory 12A, a ROM 12B, an I/F circuit 13, an LED drive circuit 14, a signal processing circuit 15, an A/D converter 16, an optical block motor drive circuit 17, a CCD drive circuit 18, an optical block 19, and an optical block motor 20.例文帳に追加

画像読み取り装置２は、ＣＰＵ１１と、メモリ１２Ａと、ＲＯＭ１２Ｂと、Ｉ／Ｆ回路１３と、ＬＥＤ駆動回路１４と、信号処理回路１５と、Ａ／Ｄ変換器１６と、光学ブロックモータ駆動回路１７と、ＣＣＤ駆動回路１８と、光学ブロック１９と、光学ブロックモータ２０とを含む。 - 特許庁

Furthermore, a code error correction means rearranges each hamming code block in the unit of bits, preferably a plurality of syndrome registers calculate the error syndrome of the hamming code block and a code error for each hamming code block is corrected by selection of memory planes, based on the arithmetic result.例文帳に追加

また、符号誤り訂正手段を各ハミング符号ブロックに渡ってビット単位で並び換えを行い、好ましくは、複数面のシンドロームレジスタをハミング符号ブロックの誤りシンドロームを演算し、その演算結果に基づき各ハミング符号ブロックの符号誤り訂正を面切換により行う。 - 特許庁

A magnification block 8 and a second reduction block 10 connected in series magnify or reduce an image comprising YUV data transferred from a Bayer interpolation block 5 or read from a memory 3 and transferred via a switch 7 into an image of a target size in response to a requested magnification.例文帳に追加

ベイヤ補間ブロック５から転送されたり、メモリ３上から読み出されスイッチ７を介して転送されるＹＵＶデータからなる画像を、直列接続された拡大ブロック８と第２縮小ブロック１０によって、要求されている倍率に応じた目標サイズの画像に拡大又は縮小する。 - 特許庁

A part (Write block) which is frequently overwritten and a part (Read block) which is frequently read without being overwritten coexist in a storage area, so that Read-Write frequency information with respect to a specific block address of the disk drive is held by a cache memory a controller managing the RAID group has.例文帳に追加

記憶領域には、頻繁に書換えが行われる部分（Writeブロック）と、書換えが行われずに読出しされる機会が多い部分（Readブロック）が存在するため、ＲＡＩＤグループを管理するコントローラが持つキャッシュメモリに、ディスクドライブの特定ブロックアドレスに対するRead-Write頻度情報を保持する。 - 特許庁

This memory controller performs management for allocating a physical block group collected with physical blocks wherein addresses included in different flash memories are equal to a logical block, and a reservation of a system block used as the writing destination of the system data for managing or controlling access to the plurality of flash memories.例文帳に追加

メモリコントローラは、異なるフラッシュメモリに含まれるアドレスが同一の物理ブロックを集めた物理ブロック群に対して論理ブロックに割り当てる管理と、複数個のフラッシュメモリに対するアクセスを制御又は管理するためのシステムデータの書き込み先として使用するシステムブロックの予約を行う。 - 特許庁

By a power supply control part 2, a control signal ST is activated with respect to an applicable circuit block prior to the power off of the applicable circuit block made into the standby state or the power off of a whole chip, and an arithmetic result processing data is retreated to a memory part 4 by the circuit block.例文帳に追加

電源制御部２は、待機状態にする該当回路ブロックの電源オフまたはチップ全体の電源オフに先だって該当回路ブロックに対して制御信号ＳＴを活性化し、その回路ブロックがデータを処理した演算結果をメモリ部４に退避させる。 - 特許庁

A write-protect control circuit stores a starting block address and an ending block address in the write region of the non-volatile memory array and selectively activates the write enable signal, in accordance with whether an external address has escaped from the write address region between the starting and ending block addresses.例文帳に追加

書き込み防止制御回路は、不揮発性メモリアレイの書き込み領域の始まりブロックアドレスと終了ブロックアドレスを貯蔵し、外部アドレスが始まりブロックアドレスと終了ブロックアドレスとの間の書き込みアドレス領域を脱したか否かに従って、書き込みイネーブル信号を選択的に活性化させる。 - 特許庁

This technique is also applied to a metablock including one block obtained from respective some different units of a memory array, by directing all pages to be updated to a single unused block in one out of the units.例文帳に追加

この技法は、ユニットのうちの１ユニット内の単一の未使用ブロックに更新されるすべてのページを向けることにより、メモリアレイのいくつかの異なるユニットの各々から得られる１ブロックを含むメタブロックにも適用される。 - 特許庁

As to all of the physical blocks inside a flash memory 111, writing processing times and deletion processing times are measured, and an address of a physical block with a processing time longer than that stored in a threshold value table 109 is stored in a late block table 110.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１１内の全物理ブロックの書き込み・消去の処理時間を測定し、閾値テーブル１０９に記憶される値より処理時間の長い物理ブロックのアドレスをレイトブロックテーブル１１０に記憶しておく。 - 特許庁

A controller 50 governing the operation of the snow melting system renews or holds memory of outside temperature stored data Sg based on a control flow constituted of an outside temperature operation block E and a right and wrong deciding block H.例文帳に追加

融雪装置の動作を司る制御装置５０は、外気温演算ブロックＥと正誤判定ブロックＨとから構成される制御フローに則って外気温格納データＳｇを記憶更新あるいは記憶保持する。 - 特許庁

A reception memory 21 once records data outputted from a tuner section 1, a receiver side control section 5 extracts the data for every prescribed block and discriminates the presence of error in each block while managing the number of the blocks sequentially.例文帳に追加

チューナ部１から出力されたデータは、一旦、受信メモリ２１に記録され、受信機側制御部５で、所定ブロック毎に取り出され、順に番号管理しながら、ブロック内のエラー有無の判定を行う。 - 特許庁

To reduce an area occupied by selection transistors which are arranged between a main bit line and sub-bit lines to reduce power consumption by reducing excess charges/discharges in a non-selected memory cell block in block erasure.例文帳に追加

ブロック消去時における非選択メモリセルブロックでの余分な充放電を低減し消費電力を少なくするための、主ビット線と副ビット線の間に設ける選択トランジスタの占める領域を縮小する。 - 特許庁

To reduce the number of commands required for loading a new reference macro block, for a section where reference macro blocks are overlapped, they are used again, and only to a section where they are not overlapped, a new reference macro block is loaded from a memory storage.例文帳に追加

新しいリファレンスマクロブロックをローディングするために要求される命令の数を減らすために、リファレンスマクロブロック間で重なる部分は再使用し、重ならない部分だけメモリ貯蔵装置からローディングする。 - 特許庁

The second resetting signal is used for resetting a predetermined block concerning the data path of a semiconductor memory device, and the first resetting signal is used for resetting blocks other than the predetermined block concerning the data path.例文帳に追加

第２リセット信号は半導体メモリ装置のデータ経路に関連した所定のブロックをリセットするのに使われ、第１リセット信号はデータ経路に関連した所定のブロック以外のブロックをリセットするのに使われる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which chip size is not enlarged and a region of a ROM block can be utilized effectively even when the number of times of use of a ROM block which cannot be rewritten freely by a user is increased.例文帳に追加

ユーザーが自由に書き換えられないＲＯＭブロックの使用数を増やした場合でも、チップサイズが大きくならず、しかも、ＲＯＭブロックの領域を有効に活用し得る半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The memory system further includes an arithmetic device 50 determining the first physical address corresponding to a logical address based on the logical address, information stored in the second block 52ba and information stored in the third block 52bb.例文帳に追加

さらに、論理アドレスと、第２ブロック５２ｂａに格納される情報と、第３ブロック５２ｂｂに格納される情報とに基づいて、論理アドレスに対応する第１物理アドレスを求める演算装置５０を、備えている。 - 特許庁

On the other hand, frequency of the encoding mode applied to the plural blocks including the block which is present at the same position as the block to be encoded in the compression-encoded frame is measured by referring to the encoding information memory 110.例文帳に追加

一方、符号化情報メモリ１１０が参照され、圧縮符号化済みのフレーム内の前記符号化対象ブロックと同じ位置にあるブロックを含む複数のブロックに適用された符号化モードの頻度が測定される。 - 特許庁

The controller circuit is configured to store a single block of data from a subset of the overlapping tracks in the non-volatile cache memory circuit, while at least a portion of the data in the shingle block of data is updated.例文帳に追加

コントローラ回路は、重なり合うトラックの部分集合から１個のデータシングルブロックを、当該データシングルブロック内のデータの少なくとも一部が更新される間に、不揮発性キャッシュメモリ回路に格納すべく構成されている。 - 特許庁

The processing block unit calculation section dynamically determines a processing block unit on the basis of a capacity and a magnification / reduction rate of the internal work memory, a display image position, a display image size, and a composite processing image data amount.例文帳に追加

処理ブロック単位計算部は、内部作業用メモリの容量と拡大縮小率、表示画像位置及び表示画像サイズと、合成処理済画像データ量に基づいて動的に処理ブロック単位を決定する。 - 特許庁

In the manufacturing process of semiconductor memories, a semiconductor maker forms a management block 105 for recording a management table capable of managing the addresses of optionally generated initial failure blocks 103 en block on a flash memory.例文帳に追加

半導体メモリメーカがその製造工程において、任意に発生する初期不良ブロック１０３のアドレスを一括管理できる管理テーブルを記録する管理ブロック１０５をフラッシュメモリ１０１上に作成する。 - 特許庁

To transfer data at high speed in encoding or decoding even if a buffer memory for performing block line conversion is configured with small capacity when encoding or decoding the image data in block unit.例文帳に追加

ブロック単位で画像データの符号化あるいは復号を行う際に、ブロックライン変換を行うためのバッファメモリを少容量で構成しても、符号化時あるいは復号時のデータ転送を高速に行えるようにする。 - 特許庁