「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(251ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory device with a simple fabrication process, in which an ohmic contact is formed between a drain region of a vertical transistor and a buried bit line, and a method for fabricating the same.例文帳に追加

垂直型トランジスタのドレイン領域と埋め込みビットラインとの間に抵抗接点（ohmic contact）を形成しつつも、その製造工程が簡単な半導体メモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a data transfer apparatus which transfers data at a high speed even for data having a large size on memory, a data receiver, a data transfer method and a data transfer program.例文帳に追加

メモリ上の大きなサイズのデータを転送する場合であっても、高速にデータ転送を行うことが可能なデータ転送装置、データ受信装置、データ転送方法、及びデータ転送プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a recording and playback apparatus, which do not overlook a scene which is not in a memory, even if a viewer falls asleep during viewing, quickly search the scene, and can play back it, and to provide a method of controlling the same.例文帳に追加

視聴者が放送番組の視聴中に居眠りをしても、記憶にないシーンを見逃さず、かつ該シーンを素早く検索して再生できる記録再生装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a system for finite element analysis for calculating a solution with a comparatively little computational complexity or memory capacity while using a concentrated mass matrix even when a higher-order element is used.例文帳に追加

高次要素を用いた場合でも、集中質量行列を用いて比較的少ない計算量あるいはメモリ量で解を算出する有限要素解析方法およびシステムを与える。 - 特許庁

To provide a regenerative memory and a file access method, which install only a content permitted to install by automating a plurality of installation processes and calling a shared function (installation) for executing the content when these installation processes are executed.例文帳に追加

インストール処理を自動化し、これらの処理を実行する際に実行中のコンテンツは共通した機能（インストール）を呼び出すことにより、許可されたインストール対象のコンテンツのみをインストールする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory and its manufacturing method that eliminate fluctuation in characteristics caused by the fluctuations in the manufacture of the gate length, and can easily reduce cell size.例文帳に追加

ゲート長の製造ばらつきに起因する特性ばらつきをなくし、容易にセル縮小化を行うことのできる不揮発性半導体メモリ及び不揮発性半導体メモリの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an image processor capable of executing processing using user information even when a large-capacity memory fails, an access control method by the image processor, and an access control program.例文帳に追加

大容量メモリが故障した場合でも、ユーザ情報を用いた処理の実行が可能な画像処理装置、画像処理装置によるアクセス制御方法、アクセス制御プログラムを提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a device and method for storing data to improve the performance of the data storage device by investigating a command queue, and executing data transfer to a memory in the device before the completion of the preceding command.例文帳に追加

データ記憶装置の性能を改善するためのデータ記憶装置および方法は、コマンド待ち行列を審査し、先行コマンドが完了する前に装置内のメモリへのデータ転送を実行する。 - 特許庁

To provide a switching power supply with little variation in voltage at starting of a load, a switching power system, an image forming device, a control method of the switching power system, a program, and a memory medium.例文帳に追加

負荷の起動時の電圧変動の少ない、スイッチング電源装置，スイッチング電源システム，画像形成装置，スイッチング電源システムにおける制御方法，プログラム，記憶媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which controls consumption power while effectively controlling the generation of incorrect set operation at the time of set operation and which is highly reliable, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

セット動作時において誤セット動作が生じることを効果的に抑制しつつ消費電力を抑制し、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a drawing device which efficiently detects errors in the drawing device causing defects even if a memory has a small limited capacity, and also to provide an error detection method of the drawing device.例文帳に追加

メモリが有限の小さな容量を有していても、効率的に欠陥の原因となる描画装置内のエラーを検出することのできる描画装置、及び描画装置のエラー検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic apparatus and a program update method capable of updating a program which is used in a plurality of apparatuses in a short time, without preparing a plurality of memory mediums in which an update program is stored.例文帳に追加

更新プログラムが格納された記憶媒体を複数用意することなく、短時間で複数の機器で用いられるプログラムを更新することができる電子機器及びプログラム更新方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a p-channel MOS transistor having high performance and a high breakdown voltage with a surface channel structure is formed on the same substrate as a memory cell, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

メモリセルと同一の基板上に、表面チャネル構造を有する高性能な高耐圧のｐチャネル型ＭＯＳトランジスタが形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crosslinked polyethylene pipe, capable of easily manufacturing the crosslinked polyethylene pipe with shape memory of a straight state, regardless of presence of a heat insulating material, and a cross-linking treatment device used for the manufacturing method.例文帳に追加

断熱材の有無にかかわらず、真っ直ぐな状態を形状記憶した架橋ポリエチレン管を容易に製造することができる架橋ポリエチレン管の製造方法及びこの製造方法に用いる架橋処理装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device which is excellent in performance is constituted by building the buried channel MOSFET optimized in channel surface concentration profile by a manufacturing method using a new gate oxide film forming method and, at the same time, mounting a nonvolatile memory on the circuit device.例文帳に追加

チャネル表面濃度プロファイルを最適化した埋め込みチャネル型ＭＯＳＦＥＴを新しいゲート酸化膜形成方法を用いた製造方法で構築し、同時に不揮発性メモリーを搭載し、パフォーマンスに優れた半導体集積回路装置を構成するものである。 - 特許庁

To provide an executing method for program verification operation, an executing method for erasing verification operation, and a detection time control circuit in which erroneous trial of program verification operation is prevented while speed of a flash memory device is not adversely affected.例文帳に追加

プログラム検証動作が誤って試行されるのを防止すると共に、フラッシュメモリデバイスの速度に悪影響を及ぼさないようにすることが可能なプログラム検証動作の実施方法、消去検証動作の実施方法、および検出時間制御回路の提供を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus employed for a ferrorelectric memory device having a ferroelectric film which is thin in film thickness, while having a long-term data storage characteristic, a method of manufacturing the semiconductor apparatus, a device for manufacturing the semiconductor apparatus, the ferroelectric film, and a method of manufacturing the ferroelectric film.例文帳に追加

強誘電体膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導体装置、その製造方法、その製造装置、強誘電体膜及び強誘電体膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for ferroelectric capacitor for controlling deterioration of characteristics of a ferroelectric film, and for enabling consolidation on a fine CMOS circuit, and to provide a ferroelectric memory including the ferroelectric capacitor, and to provide the manufacturing method of the same.例文帳に追加

強誘電体膜の特性の劣化を抑制させることができ、且つ、微細なＣＭＯＳ回路に混載することができる強誘電体キャパシタの製造方法と、該強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリおよびその製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing it, and more specifically, a flash memory device and a method of manufacturing it, in which, even if time passes once it data are inputted, that state is maintained and electrical input and output of the data are made possible.例文帳に追加

本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、より詳細には一度データを入力すると時間が経ってもその状態を保持し、電気的にデータの入力と出力が可能なフラッシュメモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When encoding by a second compression coding method is performed in the encoder 104, intermediate information is read out of the intermediate information storing memory 105 and then is processed into a usable format which is to be used for encoding by a second compression coding method.例文帳に追加

エンコーダ１０４において第２の圧縮符号化方式で符号化を行う際には、前記中間情報を中間情報格納メモリ１０５から読み出し、利用可能な形式に加工して、第２の圧縮符号化方式で符号化するときに利用する。 - 特許庁

A method for detecting Alzheimer's disease, or memory and/or cognitive impairment with inactivation of STAT3 protein as an index using a human biological sample in vitro, and a method for screening therapeutic drugs for such diseases with activation of STAT3 protein as an index are provided.例文帳に追加

ヒトの生物学的試料を用いてSTAT3蛋白質の不活性化を指標にしてアルツハイマー病、或いは記憶及び/又は認知障害、をインビトロで検出する方法、並びにSTAT3蛋白質の活性化を指標にして前記疾患の治療薬をスクリーニングする方法。 - 特許庁

To provide an image restoring device and a method to be executed by an iteration method, capable of restoring a deteriorated image, without searching the inverse matrix of a large-scaled matrix, and realizing the reduction of memory consumption and the shortening of a calculating time at image restoration.例文帳に追加

大規模行列の逆行列を求めないでも劣化画像を復元でき、しかも、画像復元でのメモリ消費量の低減および計算時間の短縮化を図ることができる、反復法による画像復元装置及び復元方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an automatic wiring design method capable of effectively mitigating a degree of wiring congestion of a wiring channel region surrounding a memory cell, by calculating an optimum wiring path of a functional inter-block wiring in the form of taking in a degree of freedom in a method for taking a line connection position.例文帳に追加

結線位置の取り方の自由度を取り込んだ形で機能ブロック間配線の最適な配線経路の計算をできる様にすることで、効果的にメモリセル周辺の配線チャネル領域の配線混雑度を緩和できる自動配線設計方法を得る。 - 特許庁

Hence, a method in which a refresh period corresponding to temperature is set by a mode register and a method in which a refresh period is adjusted in a self-control manner based on temperature of the semiconductor memory device can be shared without any trouble and productivity is improved.例文帳に追加

したがって、モードレジスタによって温度に対応したリフレッシュ周期を設定する方法と、半導体記憶装置の温度に基づいてリフレッシュ周期を自己制御的に調整する方法とを問題なく共用することができ、生産性が向上する。 - 特許庁

To provide a high-purity ruthenium sputtering target which does not produce a crack when the sputtering target is upsized with a melting method, and inhibits formation of particles during formation of a film for forming a capacitor electrode or the like in a semiconductor memory, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを熔解法によって大型化する際にクラックを発生させず、しかも半導体メモリーのキャパシタ用電極等を形成するための製膜時にパーティクルの発生を抑えることができる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of acquiring a partner's nickname that changes with a change in human relations or the passage of time from a communication terminal without a complicated operation performed by a user and updating the memory dial of communication terminals, and to provide a communication terminal capable of achieving the above method.例文帳に追加

人間関係の変化や時間の経過によって変化する相手のニックネームを、利用者の煩雑な操作をすることなく通信端末から取得し、通信端末のメモリダイヤルを更新する方法と、その方法を実現する通信端末を提供する。 - 特許庁

The processor-based method comprises aligning the execution point of duplicate copies of the user program executed in a first and second processor by copying only data of memory stores performed by the user program in the first processor from a memory of the first processor to a memory of the second processor, and copying the register state of the user program from the first processor for use by the second processor.例文帳に追加

本発明にかかるプロセッサベースの方法は、第１のプロセッサ及び第２のプロセッサで実行されるユーザプログラムの複製コピーの実行ポイントをアラインメントすることであって、第１のプロセッサにおいてユーザプログラムにより実行されるメモリストアのデータのみを、第１のプロセッサのメモリから第２のプロセッサのメモリへコピーすること、及び第１のプロセッサからのユーザプログラムのレジスタ状態を、第２のプロセッサによる使用のためにコピーすること、によってアラインメントすることを含む。 - 特許庁

In a memory management method, program code information or data loaded in virtual memory are encrypted to form data inaccessible to a CPU, and upon a code fetch or data access to an encrypted area, an access to a management unit of a memory manager 0100 including the area is allowed to decrypt it by interrupt.例文帳に追加

本発明はかかる実情に鑑みて、仮想メモリ上に展開されているプログラムのコード情報あるいはデータをＣＰＵにとって暗号化されてかつアクセス不可能なデータとしておいて、暗号化された領域をコードフェッチあるいはデータアクセスした場合に割込処理により前記領域を含むメモリ管理装置の管理単位に対するアクセス不可能状態をアクセス可能状態に変更して復号化するメモリ管理方法を提案するものである。 - 特許庁

The method for processing the computer graphics data to reduce the external memory access time in the perfragment unit includes a step for executing a depth test with respect to a present fragment of the computer graphics data using the perfragment unit, and a step for pre-fetching a color value of the present fragment from the external memory unit to a cache memory while the depth test of the present fragment is executed.例文帳に追加

パーフラグメントユニット（ＰｅｒＦｒａｇｍｅｎｔ ｕｎｉｔ）の外部メモリアクセス時間を短縮するためのコンピュータグラフィックスデータの処理方法であって、前記コンピュータグラフィックスデータの現在のフラグメントに対する深さ（ｄｅｐｔｈ）テストを前記パーフラグメントユニットを用いて実行する段階と、前記現在のフラグメントに対する前記深さテストが実行される間、前記現在のフラグメントのカラー値を外部メモリ装置からキャッシュメモリにプリフェッチする段階とを有する。 - 特許庁

A direct access memory device has an instructing means for instructing a transfer method to apply byte transfer or word transfer to the first and last data of data and to apply word transfer to all remaining data when an instruction for data transfer is received, and a transferring means for performing data transfer from a data transfer source to a data transfer destination through direct memory access by a transfer method based on the instruction.例文帳に追加

データ転送の指示を受けると、そのデータのうちの最初及び最後のデータはバイト転送又はワード転送を行い、残りのデータはすべてワード転送を行うように転送方式を指示する指示手段と、その指示による転送方式によりデータ転送元からデータ転送先へのダイレクトメモリアクセスによるデータ転送を行う転送手段とを有するダイレクトメモリアクセス装置が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same capable of suppressing the generation of punch through upon contracting a memory size without adding a photolithographing process on a conventional manufacturing process, in the semiconductor device in which a nonvolatile semiconductor memory element and a high pressure resistant element are mounted on the same semiconductor substrate under a mixed state.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶素子と高耐圧素子とを同一の半導体基板に混載した半導体装置において、従来の製造工程に対して、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、メモリサイズを縮小化したときのパンチスルーの発生を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The programming method performs a first programming operation with respect to a memory cell, recovers original data by performing a recovery read operation after completing the first programming operation, and uses a verification read voltage that is higher than that used during the first programming operation to perform a second programming operation with respect to the memory cell.例文帳に追加

本発明によるプログラム方法は、メモリセルに対する第１プログラム動作を行い、前記第１プログラム動作完了後に回復読み出し動作を行なって原データを回復し、前記第１プログラム動作時に使用される検証読み出し電圧より高いレベルの検証読み出し電圧を使用して前記メモリセルに対する第２プログラム動作を行なう。 - 特許庁

The solid electrolite memory element is provided with an insoluble cathode electrode 210, an eluting anode electrode 240, and a solid electrolyte layer 230 having a defective portion between the above insoluble cathode electrode 210 and the eluting anode electrode 240, wherein its method for manufacturing the solid electrolyte memory element includes a process to form the desired defective portion in the above solid electrolyte matrix.例文帳に追加

不溶性カソード電極２１０、溶出性アノード電極２４０、および、上記不溶性カソード電極２１０と溶出性アノード電極２４０との間の欠陥部位を有する固体電解質層２３０を備える固体電解質メモリー素子の製造方法において、上記固体電解質マトリックスに所望の欠陥部位を形成する工程を含んでいる。 - 特許庁

A voice message data on abnormal state of the unit or a method of recovery from abnormal state corresponding to each phase of abnormal conditions is stored in memory circuits and voice output through voice information process means extracting corresponding voice message data from the memory circuits is obtained when an abnormal condition is detected in each phase of the unit.例文帳に追加

装置の異常発生の状態または異常発生に対する復旧方法を該異常発生のフェーズに対応させた音声メッセージ・データをメモリ回路に格納しておき、装置の各フェーズにおける異常発生を検出したときに、メモリ回路から対応する音声メッセージ・データを抽出し、音声情報処理手段を通して音声での出力を得る。 - 特許庁

To provide a control method of a nonvolatile storage device in which application voltage dependency in a re-writing state of a memory cell can be detected by reading data from a memory cell to be verified by adjusting internal drop voltage output from an internal drop voltage power supply circuit in verify operation, and a nonvolatile storage device.例文帳に追加

ベリファイ動作において、内部降圧電源回路から出力される内部降圧電圧を調整してベリファイ対象のメモリセルからデータを読み出すことにより、メモリセルの書き換え状態の印加電圧依存性を検出することが可能な不揮発性記憶装置の制御方法、および不揮発性記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The method includes steps selecting a communication protocol among the plurality of communication protocols; retrieving, from a first memory, information for accessing the device using the selected communication protocol; and accessing the device using the selected communication protocol and the information retrieved from the first memory.例文帳に追加

その方法は、複数の通信プロトコルの中から通信プロトコルを選択する段階と、選択された通信プロトコルを用いて前記装置にアクセスするための情報を第１メモリから検索する段階と、前記第１メモリから検索された前記情報と前記の選択された通信プロトコルとを用いて前記装置にアクセスする段階とから構成される。 - 特許庁

The method for driving the phase change memory device includes applying a first voltage level to non-selected word lines and a second voltage level to selected word lines in a normal operating mode, and placing the word lines in a floating state in a standby operating mode, and the phase change memory device includes a plurality of word line drive circuits for driving corresponding word lines and a mode selector.例文帳に追加

正常動作モードで非選択のワードラインに第１電圧レベルを印加し、選択されたワードラインに第２電圧レベルを印加し、待機動作モードでワードラインをフローティング状態にする相変化メモリ装置の駆動方法、及び対応するワードラインを駆動する複数のワードライン駆動回路及びモード選択器を備える相変化メモリ装置である。 - 特許庁

To keep a high speed operation cycle by reducing the number of terminals required for command input and the number of terminals required for address input in a method for controlling the operation of a semiconductor memory provided with a plurality of operation modes and in a semiconductor memory provided with a plurality of operation modes.例文帳に追加

本発明は、複数の動作モードを備えた半導体記憶装置の動作制御方法および複数の動作モードを備えた半導体記憶装置に関し、コマンドの入力に必要な端子数、アドレス入力に必要な端子数を低減すること、および端子数の低減によっても高速な動作サイクルを維持することを目的とする。 - 特許庁

According to a method performing a self-refresh operation in units of memory banks or memory bank groups by receiving an internally generated high power supply voltage without receiving an external high power source voltage in a specific operation mode which is the same as the self-refresh operation, the high power source voltage necessary for operations is constantly applied without lowering the pumping efficiency of a high power supply voltage generator.例文帳に追加

セルフリフレッシュ動作と同一である特定動作モードで外部の高電源電圧を受ける必要なく、内部から生成された高電源電圧を受けてメモリバンク別、またはメモリバンクグループ別にセルフリフレッシュを行う方法によれば、高電源電圧発生器のパンピング効率低下の発生無し、動作に必要な高電源電圧が安定的に印加される。 - 特許庁

To provide an electrical device for storing and saving instructions of various electrical devices in a mobile memory device and displaying the instructions using the display of the electrical device by connecting the mobile memory device to the electrical device as necessary, and provide an instruction supply system including the electrical device and an instruction supply method.例文帳に追加

各種電気機器の使用説明書を移動式メモリ機器に格納して保管し、必要時ごとに移動式メモリ機器を電気機器に連結することによって電気機器のディスプレイ部を通して使用説明書を表示することができる電気機器、それを備えた使用説明書提供システム及び使用説明書提供方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which controls the oxidation of a variable resistance film or the like in a manufacturing process by covering the whole side wall surfaces of an ReRAM cell by a silicon nitride film excellent in oxidation resistance performance and has a high stability and a high data retention nature of a state of the ReRAM cell, and to provide a method of manufacturing the semiconductor memory device.例文帳に追加

耐酸化性能に優れたシリコン窒化膜によってＲｅＲＡＭセルの側壁全面を覆うことによって、製造工程での可変抵抗膜等の酸化を抑制し、ＲｅＲＡＭセルの状態の安定性およびデータ保持性が高い半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an image forming device, a method of controlling the generation of a garbage collection function, a program, and a storage medium capable of improving productivity in an ordinary operation of the image forming device such as copying and printing without an inefficient use of a limited memory area caused by the generation of a garbage collection (GC) function and a burden of memory management applied on a developer.例文帳に追加

ＧＣ機能の発生により有限なメモリ領域の利用が非効率化したり、開発者にメモリ管理の負担を強いたりすることなく、コピーやプリント等の画像形成装置の通常動作の生産性を高めることができる、画像形成装置、ガーベージコレクション機能の発生制御方法、プログラム、および記憶媒体を提供する。 - 特許庁

A system control module of the media processing device decodes copied media data by a signal processing module by a first signal processing method when the media data of a predetermined quantity capable of decoding in a system memory module when copying the media data in the system memory module from an external storage device, and thereafter, performs copy operation of the media data as a background task.例文帳に追加

メディア処理装置のシステム制御モジュールは、外部記憶装置からシステムメモリモジュールにメディアデータをコピーする際、デコード可能な所定量のメディアデータがシステムメモリモジュールにコピーされると、該コピーされたメディアデータを第１信号処理方式によって信号処理モジュールによりデコードさせ、以後はメディアデータのコピー動作をバックグラウンドタスクとして行う。 - 特許庁

To provide a component mounting associated device capable of improving both working efficiency of reading work of identification information and transmission reliability of identification information transmitted from a module side memory to a main-body side memory, an attachment and detachment module of the component mounting associated device, and the information writing method of the component mounting associated device.例文帳に追加

識別情報の読み取り作業の作業性の向上とモジュール側メモリから本体側メモリへ伝送される識別情報の伝送信頼性の向上との両立を図ることができる部品実装関連装置、部品実装関連装置の着脱モジュール及び部品実装関連装置の情報書き込み方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent the erroneous trying of program verification operation and the like and the reduction of the speed of a flash memory device when program verification operation and the like are performed after delay previously set, in an execution method of program verification operation and erasion verification operation, a control circuit for a detecting time, and a flash memory device.例文帳に追加

プログラム検証動作および消去検証動作の実施方法、検出時間制御回路およびフラッシュメモリデバイスに関し、予め設定された遅延後にプログラム検証動作等を実施する場合に、プログラム検証動作等が誤って試行されたりフラッシュメモリデバイスの速度が低下したりするのを防止することを目的とする。 - 特許庁