「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(250ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a portable terminal, a travel path recording method, and a program, each of which enables sure recording of travel paths during a trip, or the like, while reducing a waste of power in a battery, without requiring a large capacity memory.例文帳に追加

膨大なバッテリ及び大容量のメモリを必要とせずに、旅行中などの移動経路を確実に記録することができる携帯端末装置、移動経路記録方法、およびプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a firmware integration method for shortening the integration time of firmware by starting a device by storing firmware loaded from the outside in a volatile memory in an executable format.例文帳に追加

外部からロードしたファームウェアを揮発性メモリに実行可能な形式で格納して装置を起動させることで、ファームウェアの組み込み時間を短縮する、ファームウェア組込方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectrics capacitor wherein the electrode of a wiring layer formed on the ferroelectrics capacitor is prevented from being oxidized, as well as its manufacturing method and a ferroelectrics memory.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上に形成する配線層の電極の酸化を防ぐことができる強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに強誘電体メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a malware handling system, method, and program, detecting malware even with a small memory capacity and restricting device operations which may be damaged by the malware when the malware is detected.例文帳に追加

少ないメモリ容量でもマルウェアの検出を可能にすると共に、マルウェアを検出した場合は該マルウェアによる被害を及ぼす装置動作を制限できるマルウェア対処システム、方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁

A reception weight vector calculator 308 calculates weight vectors sequentially based on the least square error method, using W (0) and P (0) in the initial value memory 309.例文帳に追加

受信ウエイトベクトル計算機３０８は、初期値メモリ３０９内のＷ（０）及びＰ（０）を用いて、最小２乗誤差法に基づいて、現在の受信フレームにおけるウエイトベクトルを逐次的に計算する。 - 特許庁

To provide a method and a structure for a non-volatile magnetic random access memory (MRAM) device having a stationary magnetic electrode, an oxide layer adjacent to the stationary magnetic electrode, and a free magnetic electrode.例文帳に追加

固定磁気電極、固定磁気電極に隣接した酸化物層、および自由磁気電極を有する不揮発性磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）デバイスのための方法および構造が提供される。 - 特許庁

To provide a method for testing many word lines of a semiconductor memory assembly in a multiple WL wafer test in which a multiple wafer test can be performed quickly without needing much cost.例文帳に追加

迅速に、そして多大の費用を伴わずにマルチプルＷＬウエハテストを実施できるような、マルチプルＷＬウエハテストにおける半導体メモリーアッセンブリーの多数のワード線のテスト方法を提供する。 - 特許庁

A printer 6 is equipped with an ink cartridge which can load any one of two or more ink ribbons of different kind and a memory 652 for memorizing a printing method established for each kind of two or more ink ribbons.例文帳に追加

プリンタ６は、種類の異なる複数のインクリボンのうちのいずれか１つを装填可能なインクカートリッジと、複数のインクリボンの種類ごとに設定された印刷方法を記憶するメモリ６５２とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a memory cell capable of increasing the capacity of a capacitor and operating normally even if made to have a fine structure, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

この発明は、キャパシタの容量を増大させ、例え微細化されたとしても、正常に動作することができるメモリセルを有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the memory device, the upper electrode having the chip faced to the lower electrode is formed by forming a conductive film on a phase conversion film having a dent faced to the lower electrode.例文帳に追加

この記憶素子の製造方法は、下部電極に向かうデントを有する相変換膜上に導電膜を形成することによって下部電極に向かうチップを有する上部電極を形成する。 - 特許庁

To provide a method and system for avoiding the duplicate storage and transfer of multimedia data in a playback device, thereby increasing system bandwidth and available playback memory.例文帳に追加

再生装置内にマルチメディア・データを重複して格納したり転送することを回避することで、システムの帯域幅および利用可能な再生メモリを増大させる方法およびシステムが提供される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic ferroelectric capacitor that can be driven by a low voltage by using an organic ferroelectric material, and to provide the organic ferroelectric capacitor and an organic ferroelectric memory.例文帳に追加

有機強誘電体材料を用い、低電圧駆動化を図ることができる有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、および有機強誘電体メモリを提供すること。 - 特許庁

To provide an internal voltage generator of a semiconductor memory device which can drop quickly an internal voltage level exceeding a prescribed value and a precise control method of internal voltage.例文帳に追加

所定の値を超えた内部電圧レベルを迅速に降下させることができる半導体記憶素子における内部電圧発生器及び及び内部電圧の精密制御方法を提供すること。 - 特許庁

When coded audio data stored in a memory medium are temporarily stored in a storage medium, dummy data and coding method switching information are inserted between coded audio data having different coding methods.例文帳に追加

記憶媒体に記憶された符号化音声データを格納媒体に一時的に格納する際、異なる符号化方法の符号化音声データの間にダミーデータ及び符号化方法切換情報を挿入する。 - 特許庁

The disclosed system and method detects frames with incorrectly determined data rates and performs frame erasure processing and/or memory state clean up to prevent propagation of distortion across multiple frames.例文帳に追加

システムおよび方法は、不正確に決定されたデータレートを有するフレームを検出し、フレーム消去処理および／またはメモリ状態クリーンアップを実行し、歪みが複数のフレームに伝搬するのを防止する。 - 特許庁

To provide a resistance memory element, provided with a resistive layer including a metal oxide and a metal ion dopant, which can be formed at low temperatures and has superior electrical properties, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低温形成が可能であり、かつ優秀な電気的特性を有する、金属酸化物及び金属イオンドーパントを含めた抵抗層を備えた抵抗メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Area linkage metadata to be stored using shape graphs requests that area based memory management be performed and only one area is allocated to a method for each object to be provided.例文帳に追加

形状グラフによって格納される領域関連づけメタデータは、領域ベースのメモリ管理を行わせ、渡される各オブジェクトに対するメソッドに１つの領域のみが渡されることを要求する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric nonvolatile semiconductor memory having a structure without lowering reliability even by oxidation heat treatment at a high temperature in the case of forming a ferroelectric layer.例文帳に追加

強誘電体層を形成する際の高温での酸化熱処理によっても信頼性が低下することのない構造を有する強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a voltage generation circuit and a use voltage supply method for a semiconductor memory device, by which the necessary voltage can be generated by using external power supply voltages different in level.例文帳に追加

相異なるレベルの外部電源電圧を用いて必要な電圧を生成することができる半導体メモリ装置の電圧発生回路及び使用電圧供給方法を提供することにある。 - 特許庁

To prevent the oxidation of a contact plug for coupling a ferroelectric capacitor directly with the source-drain region of a transistor surely at the time of oxygen annealing in a method for manufacturing a stacked ferroelectric memory.例文帳に追加

スタック型の強誘電体メモリの製造方法において、酸素アニール時に、強誘電体キャパシタとトランジスタのソースドレイン領域とを直結するコンタクトプラグが酸化することを、確実に防止する。 - 特許庁

By carrying out the training of listening to the foreign language sentence spoken at high speed under the acceleration/deceleration listening method, the memory efficiency is enhanced since the concentration and information processing ability of human brain is enhanced.例文帳に追加

加減速リスニング法により高速度で発音される外国語文を聞き取る訓練を行うと、人間の脳は、集中力及び情報処理能力を高めるので、記憶効率が高まる。 - 特許庁

To provide a method and a device for accessing DVD data, which can improve access efficiency by reducing memory quantity needed to access the DVD data and selectively performing re-decoding.例文帳に追加

ＤＶＤデータへのアクセスに必要なメモリの量を削減し、再復号を選択的に行うことによりアクセス効率を高めることができる、ＤＶＤデータへのアクセス方法および装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a turbo coder/decoder capable of parallelizing the decoding processing of a turbo code without being mounted with a memory which stores interleave sequences, a turbo coding/decoding method, and a communication system.例文帳に追加

インタリーブ系列を格納するメモリを実装することなく、ターボ符号の復号処理を並列化することができるターボ符号復号装置、ターボ符号復号方法及び通信システムを得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for treating neurodegenerative disease, nervous disorder, memory disorder or psychiatric disorder involving administering an effective amount of acetylcholine esterase inhibitor without titration.例文帳に追加

本発明は、タイトレーション無しに、有効量のアセチルコリンエステラーゼ阻害剤を投与することを含む神経変性疾患、神経障害、記憶障害、または精神疾患の治療方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate electrode in a nonvolatile memory device which can prevent an undercut from being formed in a control gate in a gate electrode etching process for defining the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極を定義するためのゲート電極エッチング工程の際にコントロールゲートにアンダーカットが形成されることを防止することが可能な不揮発性メモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes looking up for the memory address space identifier to find a translation of the virtual address in the given address space used in the DMA request to a physical page frame.例文帳に追加

この方法はさらに、ＤＭＡ要求で使用される所与のアドレス・スペース内の仮想アドレスの、物理ページ・フレームへの変換を見つけるために、メモリ・アドレス・スペース識別子を探索するステップも含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a charge accumulation layer formed below a gate electrode separately in a channel direction and mutually separated between adjacent memory cells, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ゲート電極下にチャネル方向で分離して形成され、且つ隣接するメモリセル間で互いに分離する電荷蓄積層を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a control unit for a vehicle capable of accurately providing the most desirable information for diagnosing engine startability even under a restricted memory requirement and a method of controlling the control unit.例文帳に追加

制約されたメモリ要件の下でも、エンジン始動性能を診断する上で最も望ましい情報を確実に得ることができる車両用制御ユニット及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

The method includes: generating a statistically unique root key value; storing the root key value in a one-time programmable memory of the device; and isolating firmware in the device from access to the root key value.例文帳に追加

統計学的にユニークなルート鍵値を発生するステップと、デバイスのうちのワンタイム・プログラマブル・メモリ内にルート鍵値を記憶するステップと、ルート鍵値へのアクセスからデバイス内のファームウェアをアイソレートするステップを含む。 - 特許庁

In relation to this device for mobile communication and its operation method, the mobile communication device includes a microprocessor, a memory having an instruction database and an image database, a touch panel, a message module, and a communication module.例文帳に追加

モバイル通信のためのデバイス及びその操作方法であり、モバイル通信デバイスは、マイクロプロセッサ、命令データベース及び画像データベースを有するメモリ、タッチパネル、メッセージモジュール、及び通信モジュールを含む。 - 特許庁

To provide a system and a method for controlling disk with which the cache memory of a disk controller can be effectively used and read processing of data can be speedily performed.例文帳に追加

ディスク制御装置のキャッシュメモリを有効に使用することができるとともに、データの読み込み処理を迅速に行うことができるディスク制御システムおよびその制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an information processing device, its method, and a computer-readable memory allowing middleware to accurately grasp the information on the generation/deletion of tasks managed by a kernel and capable of improving the stability of a system.例文帳に追加

ミドルウェアがカーネルで管理されるタスクの生成／削除の情報を正確に把握でき、システムの安定性を向上することができる情報処理装置及びその方法、コンピュータ可読メモリを提供する。 - 特許庁

To provide wiring structure and its making method having wiring passable region corresponding to the maximum numbers of pass wiring by calculating the maximum numbers of wiring passing the upper part of a memory-macro.例文帳に追加

メモリマクロの上方通過配線の最大本数を算出し、その通過配線の最大本数に見合った配線通過可能領域を有する配線構造とその作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper-base alloy having shape memory characteristics and superelasticity and also having high yield stress even if crystal grains are so coarsened that bamboo structure is developed and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

バンブー構造が発生するほど結晶粒を粗大化させても，高い降伏応力を有する，形状記憶特性及び超弾性を有する銅系合金及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

CONTROL METHOD FOR REWRITE-IN OPERATION OF MEMORY CELL IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH THE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND ELECTRONIC EQUIPMENT USING THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体集積回路におけるメモリセルの再書き込み動作の制御方法、半導体集積回路、その半導体集積回路を多数備えた半導体装置、及びその半導体装置を用いた電子機器 - 特許庁

To provide a technology by which a signal is supplied by using a self-measuring method and a sense amplifier is turned on, and multi-memory cells in a duplication column are made approximately the same capacitance as a reference bit line.例文帳に追加

自己計測方法を使って信号を供給し、センス増幅器をオンにする技術を取り入れ、重複列内の多数メモリセルを標準ビット線と略同等なキャパシタンスにする技術を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which is provided with a spin injection type magnetoresistance effect element and can improve the reliability of a barrier layer and output S/N ratio, and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

スピン注入型の磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、バリア層の信頼性及び出力のＳ／Ｎ比を向上しうる磁気メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a print control method, a print controller and an imaging apparatus in which a large capacity print data of AO size can be dealt with without requiring an enormous memory capacity and cost reduction can be realized.例文帳に追加

膨大なメモリ容量を必要とせずＡＯ版等の大容量の印刷データに対応でき、コストの低下を実現できる印刷制御方法、印刷制御装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

This method performs programming and erasing by applying composite pulses of DC pulses contributing to programming or erasing and AC perturbations pulses promoting re-coupling and relocating of charges to a nonvolatile memory element.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子にプログラムや消去に寄与するＤＣパルスと電荷の再結合や再配置を促進するＡＣ摂動パルスとの複合パルスを印加してプログラムや消去を行う作動方法である。 - 特許庁

To reduce the influence caused by memory effects of an amplifier by the amplifier with a predistortion type compensation distortion function which compensates the distortion generated in the amplifier for amplifying an input signal by a predistortion method.例文帳に追加

入力信号を増幅する増幅器で発生する歪をプリディストーション方式により補償するプリディストーション方式歪補償機能付き増幅器で、増幅器のメモリ効果による影響を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the characteristic of a memory cell region, that of a logic circuit region and that of the other circuit region are made optimal respectively, so as to be mixed and mounted on the same substrate, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

メモリセル領域と論理回路領域と他の回路領域の特性がそれぞれ最適化されて、同一基板上に混載された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate of a flash memory element which improves a ratio of a gate width between a control gate and a floating gate to elevates a characteristic of a device, making a gate etching process in the same chamber.例文帳に追加

ゲートエッチング工程を同一のチャンバ内で行い、コントロールゲートとフローティングゲート間のゲート幅比を改善してデバイスの特性を向上させるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which an area required for arrangement of a memory cell array and circuit design is easy to carry out, by avoiding congestion of wirings on an upper wiring layer, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

上位の配線層の配線の混雑を回避し、メモリセルアレイの配置領域を大きくでき、回路設計が容易な半導体集積回路及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an IC card having a plurality of applications loaded in a unrewritable memory (e.g. ROM), the IC card enabling command tables to easily be set by the application, and a command executing method.例文帳に追加

書き換え不可能なメモリ（例えばＲＯＭ）に複数のアプリケーションを実装したＩＣカードにおいて、アプリケーションごとにコマンドテーブルを容易に設定できるＩＣカードおよびコマンド実行方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable non-volatile semiconductor memory device and a producing method therefor by suppressing a contact failure by preventing the form change of a contact hole and improving embedding property.例文帳に追加

コンタクトホールの形状変化の防止、及び埋め込み性を向上させることにより、コンタクト不良を抑制し、高信頼性の不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁