「multilayer- structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

The polyarylene ether having a dioxin structure unit (for example: the polyarylene ether obtained from polycondensation of perfluorobiphenyl and 5,5',6,6'-tetrahydroxy-3,3,3',3'-tetramethyl-1,1'-spirobisindene) and the insulation films for an electronic device and for a multilayer wiring board obtained therefrom, are provided.例文帳に追加

ジオキシン構造に基づく繰り返し単位を含有するポリアリーレンエーテル（例えば、ペルフルオロビフェニルと５，５’，６，６’−テトラヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビスインダンとを縮合重合したポリアリーレンエーテル）及びそれからなる電子デバイス用絶縁膜及び多層配線板用絶縁膜。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a multilayer structure with a plurality of semiconductor chips stacked on a substrate, wherein the length of wiring for connecting the substrate and the semiconductor chips can be reduced in the stacking direction of the semiconductor chips, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

基板上に複数の半導体チップが積層された多段積層構造を有する半導体装置において、基板と半導体チップとを接続する配線について半導体チップの積層方向における短縮化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a structure in which a multilayer wiring layer is further formed on a peripheral circuit formed on a semiconductor substrate, such that a defect of the peripheral circuit is analyzed without changing characteristics of elements constituting the peripheral circuit.例文帳に追加

半導体基板上に形成された周辺回路上にさらに多層配線層が形成された構造の半導体装置において、周辺回路を構成する素子の特性を変化させずに周辺回路の不良解析を行うことができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator that enables collective processing in a wafer state while ensuring the flexibility in designing a wiring pattern provided inside a multilayer structure, thereby improving the efficiency of manufacture, to provide a method of manufacturing the piezoelectric vibrator, and to provide an oscillator.例文帳に追加

本発明は、多層構造の内部に設けられる配線パターンの設計の自由度を確保しつつ、ウエーハ状態での一括処理を行うことができ、従って製造効率を向上させることができる圧電振動子及びその製造方法並びに発振器を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a thermoformable multilayer structure comprising a polyester and a nylon laminated into a flexible film, which offers an attractive packaging material to protect a product from an exterior contamination or rough handling and serves for a commercial product as a foodstuff or pharmaceutical packaging.例文帳に追加

軟質フィルムに積層成形されたポリエステル及びナイロンから成る熱成形多層構造体は、食料品や医薬品の包装用として、外部からの汚染や雑な取り扱いから商品を保護するため、及び最終的に販売する商品のための魅力的な包装材を提供する。 - 特許庁

In the packaging method and the structure of the conduction cooled package laser 200, the method includes a step of welding a semiconductor laser element 210 to a first heat spreader 230, and a step of fixing the first heat spreader 230 to a second heat spreader 250 with an aluminum-nickel multilayer thin film composite material 240.例文帳に追加

伝導冷却パッケージレーザー２００のパッケージ方法及び構造であって、半導体レーザー素子２１０を第１のヒートスプレッダ２３０に溶接するステップと、アルミニウムニッケル多層薄膜複合材料２４０によって第１のヒートスプレッダ２３０を第２のヒートスプレッダ２５０に固定するステップとを含む。 - 特許庁

The carbon nanotube-containing resin composite is a resin composite in which a monolayer and/or a multilayer carbon nanotube coated with a conjugated polymer is dispersed in a resin with a side chain structure, wherein a percentage composition of a carbon nanotube to the resin is from 0.01 wt% to 1 wt%.例文帳に追加

側鎖構造を有する樹脂中に共役系重合体で被覆された単層および／または多層カーボンナノチューブが分散した樹脂コンポジットであって、カーボンナノチューブの前記樹脂に対する組成分率が０．０１重量％以上、１重量％以下であるカーボンナノチューブ含有樹脂コンポジット。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving coverage property and shorten the time of data processing of a wiring pattern even when a via hole whose aspect ratio exceeds 1 is formed in an insulating film and a film for flattening on an insulating film in a multilayer film wiring structure.例文帳に追加

多層膜配線構造において絶縁層および絶縁層上の平坦化用の膜にアスペクト比が１を超えるビアホールを形成する場合であってもカバレッジ性の向上を図ることができ、配線パターンのデータ処理の時間を短縮化することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To materialize an organic mold with multilayer structure which can be easily and repeatedly lifted off from a substrate without irreversible adhesion or generation of defects, has a modulus high enough for forming submicro-patterns on other resin layers and has excellent chemical and dimensional stabilities.例文帳に追加

不可逆的な接着や欠陥が発生することなく、基板から容易かつ反復的に離型され、他の樹脂層にサブミクロンのパターンを形成するのに十分高いモジュラス、優れた化学安定性および寸法安定性を有する多層構造の有機モールドを実現できるようにする。 - 特許庁

The method of forming a suitable multilayer film structure 10 on a semiconductor device includes the step of forming a germanium layer 12 over a silicon substrate 11, forming a germanium tin mixed crystal layer 13 over the germanium layer, and forming a tensile-strained germanium layer 14 over the germanium tin mixed crystal layer.例文帳に追加

半導体装置に好適な多層膜構造体１０の形成方法として、シリコン基板１１の上方にゲルマニウム層１２を形成する工程と、その上方にゲルマニウム錫混晶層１３を形成する工程と、その上方に伸張歪ゲルマニウム層１４を形成する工程とを含む。 - 特許庁

A high frequency module comprises: a microstrip line 10 as a first waveguide for propagating electromagnetic waves in the TEM mode; and a waveguide 20 having a multilayer structure as a second waveguide connected to the first waveguide for propagating electromagnetic waves in another mode different from the TEM mode.例文帳に追加

ＴＥＭモードの電磁波を伝搬する第１の導波路としてのマイクロストリップ線路１０と、この第１の導波路に結合され、ＴＥＭモードとは異なる他のモードの電磁波を伝搬する第２の導波路としての多層構造の導波管型導波路２０とを備えている。 - 特許庁

The resin board for the pinball game machine is composed of a transparent resin laminate sheet having a coating layer composed of a methacrylic resin containing multilayer structure particles composed of acrylic rubber and a polycarbonate resin, and an acetone insoluble part of rubber components in the coating layer is 15 to 50 wt.%.例文帳に追加

アクリル系ゴムからなる多層構造粒子を含むメタクリル樹脂からなる皮膜層及びポリカーボネート樹脂からなる基材層を有する透明樹脂積層シートからなり、該皮膜層中のゴム成分のアセトン不溶部が１５〜５０重量％であることを特徴とする弾球遊技機用樹脂基盤。 - 特許庁

In this electronic circuit board, a three terminal type multilayer capacitor which has a structure, where an upper and a lower sides of a penetrating inner electrode to be connected with a power line of an LSI are sandwiched by two inner electrodes which are connected with a ground line via dielectric layers is used as the decoupling capacitor.例文帳に追加

本発明の電子回路基板は、ＬＳＩの電源ラインに接続される貫通内部電極の上下を誘電体層を介して接地ラインに接続される２つの内部電極で挟んだ構造を有する３端子型の積層コンデンサをデカップリングコンデンサとして用いたものである。 - 特許庁

The position to dispose the layer A(7) in the multilayer structure (51) is not particularly limited but it is preferable to dispose the layer A(7) between the pair of electrodes and it is more preferable to dispose the layer A(7) between the piezoelectric layer (2) and at least one electrode layer.例文帳に追加

多層構造（５１）における層Ａ（７）を配置する位置は特に限定されないが、なかでも上記一対の電極間に層Ａ（７）が配置されていることが好ましく、層Ａ（７）が圧電層（２）と少なくとも一方の電極層との間に配置されることがより好ましい。 - 特許庁

In the method for manufacturing the multilayer pellet, the thermoplastic resin (A1) is supplied to a cross head die by at least one extruder, the thermoplastic resin (A2) is supplied to the cross head die from at least one other extruder, and a structure comprising the sheath layer and the core layer is formed in the cross head die.例文帳に追加

また、少なくとも１機の押出機から熱可塑性樹脂（Ａ１）をクロスヘッドダイに供給し、少なくとも１機の他の押出機から熱可塑性樹脂（Ａ２）を前記クロスヘッドダイに供給し、前記クロスヘッドダイで鞘層と芯層とからなる構造を形成させる多層ペレットの製造方法。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring structure in which even if an insulating film on a lower layer side of a wiring layer is not partially completely removed or particularly thinned, a large step caused by an intersection part between the wirings does not occur on an upper layer side, a semiconductor device, an electrooptical device and an electronic apparatus.例文帳に追加

配線層の下層側の絶縁膜を部分的に完全除去、あるいは著しく薄くしなくても、配線同士の交差部分に起因する大きな段差が上層側に発生しない多層配線構造、半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

On a substrate 1, the multilayer structure comprises a surface layer 3 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom is laminated via a buried layer 2 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom on the substrate is substituted, and its work function ϕ is set at 3 eV or less.例文帳に追加

金属基板１上に、基板表面の金属原子をアルカリ金属原子で一原子層以上置換した埋込み層２を介して、前記アルカリ金属原子が１原子層以上積層された表面層３を備えて、仕事関数φを３ｅＶ以下とした多層構造体。 - 特許庁

This circulating cooling pad for a shoe with a multilayer structure has a path 2 for circulating a refrigerant in at least one layer of the pad, an inlet 3 for supplying the refrigerant to the path, and an outlet 4 for discharging the refrigerant circulated in the path.例文帳に追加

多層構造を有する靴用冷却パッドであって、該パッドの少なくとも一層に冷媒を循環させる経路２、該経路に冷媒を供給する導入口３及び該経路を循環した冷媒を排出する排出口４を設けたことを特徴とする循環させる靴用冷却パッドである。 - 特許庁

By forming a dielectric film A which suppresses the reflection and allows the transmission of the target light on an incident face and on at least a side face, which could be a passage of surface current, of the multilayer structure, surface current can be easily and effectively suppressed.例文帳に追加

該積層構造のうちの入射面および少なくとも表面電流の経路となり得る側面に、該受光対象光の反射を抑制しかつ透過させる誘電体膜Ａを設けることによって、表面電流を容易にかつ効果的に抑制することが可能になる。 - 特許庁

A multilayer wiring structure has: a laminate part where a conductor layer and an insulating layer are laminated by turns; and a plurality of contacts which reach conductor layers formed of an insulating layer as a top layer, respectively, and have flanks formed through the conductor layers and insulating films.例文帳に追加

本発明の積層配線構造体は、導電体層と絶縁層とが交互に積層された積層部と、最上層の絶縁層から形成され導電体層それぞれに達し、側面が導電体層と絶縁膜を介して形成された複数のコンタクトと、を有している。 - 特許庁

To provide a menu display method or the like for reserving a display region of a lowermost layer as wider as possible with respect to its superordinate layer and properly displaying characters of items to be displayed on the superordinate layer within a range of the display region assigned to the superordinate layer in the case of displaying an OSD menu of a multilayer structure.例文帳に追加

多層構造のＯＳＤメニュを表示する際に、最下層の表示領域をその上位層に対し極力広く確保すると同時に、その上位層に表示するべき項目の文字をその上位層に割当てられた表示領域の範囲内で適切に表示する。 - 特許庁

The III nitride semiconductor layer 2 has a multilayer structure laminating an n-type contact layer 21, a multiple quantum well (MQW) layer 22 as a light-emitting layer (active layer), an AlGaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 sequentially from the AlN substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＡｌＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層（活性層）としての多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）層２２、ＡｌＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

The IC-mounted board 1 has a structure in which a multilayer printed wiring board 2 formed, by having a plurality of insulating layers 20 made of an insulating material (PTFE) and a wiring pattern 10 formed on the insulating layer 20 laminated on a copper plate 30a; and an IC bare chip 3 are electrically connected to one another.例文帳に追加

ＩＣ搭載基板１は、絶縁材（ＰＴＦＥ等）からなる絶縁層２０、及びその絶縁層２０上に形成された配線パターン１０が銅板３０ａ上に複数積層されてなる多層プリント配線板２と、ＩＣのベアチップ３とが電気的に接続された構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises an n-type first semiconductor layer, a p-type second semiconductor layer, a light-emitting part provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and a multilayer structure provided between the first semiconductor layer and the light-emitting part.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、第１半導体層と発光部との間に設けられた多層構造体と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-receiving element with less dependence on polarization of the light-receiving sensitivity, including a light-receiving portion consisting of a semiconductor multilayer structure, including a lightreceiving layer to allow the incident light to pass through the light receiving layer with a certain inclination to the thickness direction of layer.例文帳に追加

光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過する半導体受光素子において、受光感度の偏光依存性が小さい半導体受光素子を提供することにある。 - 特許庁

A lower electrode 2, a multilayered dielectric layer 3, and an upper electrode 4 are layered in order on a substrate 1, the multilayer structure of the dielectric layer 3 has a dielectric layer 3b as the uppermost layer, of relative permittivity smaller than that of a lower layer 3a, and the thickness of the uppermost layer 3b is formed thinner than the lower layer.例文帳に追加

基板１上に、下部電極２，多層の誘電体層３，上部電極４を順に積層し、誘電体層３は多層構造にして最上層を、下層３ａよりも比誘電率の小さい誘電体層３ｂとし、かつ最上層３ｂの厚さは下層よりも薄く形成する。 - 特許庁

A package 10 has a multilayer structure which is comprised of a section 10a made of metal such as Al or Cu, and a section 10b made of a ceramic material (AlN or the like) with high thermal conductivity; and the metallic section 10a is arranged on the side of a recess 11 wherein an LED chip 1 is mounted.例文帳に追加

パッケージ１０は、ＡｌやＣｕのような金属製の部分１０ａと、高熱伝導率のセラミック材料（例えば、ＡｌＮなど）製の部分１０ｂとの多層構造を有し、金属製の部分１０ａがＬＥＤチップ１の実装される凹所１１側に配置されている。 - 特許庁

The heat-shrinkable film and the heat-shrinkable multilayer film are each composed of a resin component (A) essentially comprising a block copolymer comprising styrene and butadiene and having a compatibility parameter (parameter χ) between a rigid part and a flexible part within a micro phase-separation structure at 23°C of 0.025-0.045.例文帳に追加

ミクロ相分離構造における硬質部と軟質部の２３℃での相溶性パラメーター（χパラメーター）が、０．０２５〜０．０４５であるスチレンとブタジエンからなるブロック共重合体を主成分として含む樹脂成分（Ａ）より構成される熱収縮性フィルム、熱収縮性多層フィルム。 - 特許庁

To provide a printed wiring board preventing inconvenience of circuit operation caused by exfoliation of a land and through-hole plating undergoing thermal stress due to heat of melted solder from a connection pattern in an internal layer of a multilayer printed wiring board, in a through-hole structure of the printed wiring board.例文帳に追加

プリント配線板のスルーホール構造に対し、溶融半田の熱による熱ストレスを受けるランドとスルーホールめっきが、多層プリント配線板の内部層における接続パターンとの間の剥れの発生による回路動作の不具合を防止するプリント配線板を提供する。 - 特許庁

Rear faces 9, 18 side of the first and second sockets 2, 3 are mutually opposed, and arranged on the same face of motherboard 1, and the motherboard is made as a multilayer structure, and via wiring patterns 27, 29 formed in each layer of motherboard 9, respective terminals 7, 8, 20, 21 of the first and second socket are mutually connected.例文帳に追加

第１及び第２ソケット２，３の背面９，１８側を互いに対向させてマザーボード１の同一面に配置し、該マザーボードを多層構造とし、該マザーボードの各層に形成された配線パターン２７，２９を介して前記第１及び第２ソケットの各端子７，８，２０，２１同士を接続させる。 - 特許庁

The substrate having the high performance heat ray reflection film is characterized in that the multilayer film is formed on the surface of a transparent substrate by depositing a titanium nitride(TiN) film and ah oxide film sequentially, and the titanium nitride film has a face-centered cubic structure such that the lattice spacing of (111) face is 2.439 to 2.464 Å.例文帳に追加

透明基板表面に、窒化チタン（ＴiＮ）膜、酸化物膜が順次積層された多層膜において、該窒化チタン膜は、（１１１）面の面間隔が２．４３９Å〜２．４６４Åである面心立方構造を有することを特徴とする高性能熱線反射膜付き基板。 - 特許庁

This composite material 9 is obtained by applying a coated layer 8 of a multilayer structure composed of a metal and an oxide ceramic formed by a flame spraying to the surface of an impregnated baked material constituted of ceramic/metal/carbon prepared by providing a C/C composite parent material 1 with a layer 2 made of a Si-SiC material.例文帳に追加

Ｃ／Ｃコンポジット母材１にＳi−ＳiＣ材料から構成される層２を配したセラミックス・金属・炭素からなり、その表面に金属および酸化物セラミックスからなる多層構造を溶射により形成した被覆層８を備える炭素複合材９である。 - 特許庁

The heat resistant and wear resistant member is obtained by forming a HIP (hot isostatic press) treatment layer consisting of one or more selected from the carbide, nitride, oxide, and boride of metal, a high speed steel, and an Ni-B based self-fluxing alloy on a base material consisting of a carbon steel so as to be a multilayer structure.例文帳に追加

炭素鋼からなる母材に、金属の炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物のうちの１種以上と高速度鋼とＮｉ−Ｂ系自溶性合金とからなるＨＩＰ処理層を形成し多層構造としたことを特徴とする耐熱耐摩耗部材及びその製造方法。 - 特許庁

The decorative film for the window glass comprises a pressure sensitive adhesive layer laminated on the glass, and at least one color developable resin layer containing an optical interference material of a multilayer structure having color developability as a function of an optical interference and high transparency and dispersed in the decorative film via the adhesive layer.例文帳に追加

窓ガラスに粘着剤層を介して貼付される装飾フィルムに、光干渉の機能として発色可能でありかつ高い透明性を有する多層構造の光干渉性材料が分散せしめられた少なくとも１層の発色性樹脂層を備える。 - 特許庁

The plastic multilayer structure has a layer constitution wherein a thermoplastic resin layer is disposed as inner and outer layers and a layer of a resin composition prepared by blending an oxygen absorber in a gas-barrier polyglycolic acid is disposed as a core layer, while an adhesive resin layer is disposed between the layers as occasion demands.例文帳に追加

内層及び外層に熱可塑性樹脂層が配置され、芯層にガスバリア性ポリグリコール酸に酸素吸収剤を配合した樹脂組成物からなる層が配置され、必要に応じて各層間に接着性樹脂層が配置された層構成を有するプラスチック多層構造体。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a GaAs substrate 1, an active element, i.e., comb-like gate structure field effect transistor 3A formed on the surface of the GaAs substrate 1, and a plurality of serial resonator circuits 7 formed on a multilayer wiring layer on the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１の表面に形成された能動素子である櫛型ゲート構造電界効果トランジスタ３Ａと、ＧａＡｓ基板１の表面上の多層配線層に形成された複数の直列共振回路７とから構成されている。 - 特許庁

This solid cable 1 includes the conductor 10 of multilayer structure constituted by stranding concentrically a plurality of irregular strands 12 having a sector-shaped cross section, on an outer face of the center strand 11 having a circular cross section, and an insulating layer 21 constituted by winding an insulating material on an outer face of the conductor 10.例文帳に追加

ソリッドケーブル1は、断面円形状の中心素線11の外周に、複数の断面扇状の異形素線12を同心円状に撚り合わせて構成される多層構造の導体10と、この導体10の外周に絶縁材を巻回して構成される絶縁層21とを具える。 - 特許庁

The heating coil is manufactured using a coil conductor with a multilayer strand structure formed by twisting together a plurality of wire assemblies 6 the plurality number of times, the wire assemblies 6 each comprising element wires 7 of a small cross section and element wires 8 of a large cross section intermingled and twisted together.例文帳に追加

断面積の小さい素線７と断面積の大きい素線８とを混在させて撚り合わせた集合線６をさらに複数撚り合わせるという撚り合わせを複数回行って構成した多段階重ね撚り構造を有するコイル導線を用いて加熱コイルを作製した。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device, which has a multilayer wiring structure constituted of plural wiring layers and in which a pad 11 is arranged at the periphery of an internal region in the center of a chip surface 10a, is provided with a dummy pattern 13 in a layer, which excludes the inner area and from which a metal layer constituting the pad is removed.例文帳に追加

複数の配線層からなる多層配線構造を有し、チップ表面１０ａ中央部の内部領域の周囲にパッド１１が配置された半導体集積回路装置において、内部領域以外の、パッドを構成する金属層を除いた層にダミーパタン１３を設けた。 - 特許庁

The ring laser of a ridge shape waveguide comprises a multilayer film having an active layer 3, and a semiconductor layer 6 containing Al in an upper part and/or a lower part of the active layer so that the layer 6 of the film is selectively oxidized from its side face to become a current constriction structure.例文帳に追加

多層膜からなるリッジ形状導波路のリングレーザであって、該多層膜は活性層３、及び該活性層の上部及び／又は下部にAlを含む半導体層６を含み、該多層膜の内該半導体層６が選択的に側面から酸化されており、電流狭窄構造となっている。 - 特許庁

An active layer 12 can be formed thin while sustaining crystallinity by selecting a compound semiconductor having good temperature characteristics in the active layer 12 and employing a multilayer structure where high resistance buffer layers 13 and 13 are sandwiched by the active layer 12 and a substrate 11.例文帳に追加

活性層１２に温度特性が良い化合物半導体を選び、活性層１２と基板１１との間に格子定数が近く高抵抗の緩衝層１３，１３を挟んだ多層構造にすることで、活性層１２を、結晶性を保ったまま薄く形成することができる。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device having multilayer wiring which provides the wiring structure having removed the discrepancy of dimensions and film thickness between a groove wiring congested section and an isolated section and also solves the problem of the erosion in chemical mechanical polishing(CMP) of metallic material at the same time.例文帳に追加

溝配線の配線密集部分と孤立部分の寸法・膜厚のズレを無くした配線構造を提供するとともに、金属材料のＣＭＰにおけるエロージョンの問題も同時に解決する多層配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single-sided printed wiring board which is excellent in interlayer connection reliability and suitable for efficiently manufacturing a high-density multilayer printed wiring board of IVH structure in high yield, and a manufacturing method thereof for solving troubles attendant on the formation of a viahole by laser processing.例文帳に追加

レーザ加工によるビアホール形成に伴う問題点を解消し、ＩＶＨ構造の高密度多層プリント配線板を高い歩留りで効率よく製造するのに好適な層間接続信頼性に優れた片面プリント配線板およびその製造方法を提案すること。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a seal ring 6 formed on an outer circumference of an element forming region 50 when seen from the top in a multilayer interconnect structure 3 formed on a silicon layer 4, and dummy metal structures 30a to 30i formed on a further outer circumference of the seal ring 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン層４上に形成された多層配線構造３内で、平面視において素子形成領域５０の外周に形成されたシールリング６と、シールリング６のさらに外周に形成されたダミーメタル構造３０ａ〜ダミーメタル構造３０ｉを含む。 - 特許庁

A high frequency module comprises: a TEM waveguide 10 as a first waveguide for propagating electromagnetic waves in the TEM mode; and a waveguide 20 having a multilayer structure as a second waveguide connected to the first waveguide for propagating electromagnetic waves in another mode different from the TEM mode.例文帳に追加

ＴＥＭモードの電磁波を伝搬する第１の導波路としてのＴＥＭ導波路１０と、この第１の導波路に結合され、ＴＥＭモードとは異なる他のモードの電磁波を伝搬する第２の導波路としての多層構造の導波管型導波路２０とを備えている。 - 特許庁