「multilayer- structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The layer circuit board 1 is a printed circuit board of multilayer structure where the bonding lands 12 of circuit boards 10A and 10B are bonded to each other by a conductive material 13, and a plurality of wiring patterns 11 are electrically bonded together.例文帳に追加

積層回路基板１は、基板１０Ａおよび基板１０Ｂの接合ランド１２同士が導電材料１３により接合され、複数の配線パターン１１が電気的に結合された多層構造のプリント配線基板である。 - 特許庁

The plastic film is produced by simultaneously or successively casting a plurality of layers of a polyarylate having a specified structure and a glass transition temperature of 250°C or above and has a multilayer comprising at least two layers.例文帳に追加

特定の構造を有するガラス転移温度２５０℃以上のポリアリレートを複数層共流延または複数層逐次流延のいずれかの方法で製膜してなる、２層以上の多層構造を有することを特徴とするプラスチックフィルム。 - 特許庁

Integrated circuit elements are installed on one or two surface layers of a circuit module, and the multilayer structure is divided into three matching regions: inner interconnection matching region, basic driven element matching region, and high frequency driven element matching region.例文帳に追加

集積回路素子を回路モジュールの一層或いは二層の表層に取り付け、その多層構造を内部配線整合領域、基本従動素子整合領域及び高周波従動素子整合領域の三種類の整合領域に分ける。 - 特許庁

To provide iron oxide powder for forming a substrate of a coating type magnetic recording medium with a multilayer structure which has excellent dispersibility, can form a substrate whose surface is flat, has suitable light transmittance and satisfactory electric conductivity, and has magnetism.例文帳に追加

分散性に優れ、表面が平滑な下地層を形成でき、好適な光透過率及び良導電性で、磁性を有する、重層構造を有する塗布型磁気記録媒体の下地層形成用酸化鉄粉末を提供すること。 - 特許庁

To establish a method for efficiently recovering dimethyl terephthalate and ethylene glycol usable as raw materials of a polyethylene terephthalate and containing no nitrogen component from a polyethylene terephthalate molded article having a multilayer structure or the like including a gas barrier polymer.例文帳に追加

ガスバリアー性ポリマーを含む多層構造などのポリエチレンテレフタレート成形品から、ポリエチレンテレフタレートの原料として使用可能な窒素成分を含有しないテレフタル酸ジメチルとエチレングリコールを効率よく回収する手法を確立すること。 - 特許庁

The IC device 1 has an integrally formed coil 3, and a conductor forming the coil 3 is of a multilayer structure having either a metal sputtered layer or a metal deposition layer 6 and a metal plating layer 7.例文帳に追加

ＩＣ素子１としては、コイル３が一体形成されたＩＣ素子であって、コイル３を構成する導体が、金属スパッタ層又は金属蒸着層６と金属めっき層７とを有する多層構造からなるものを用いる。 - 特許庁

By providing the hybrid diffusion plate having a multilayer structure with different transmittances, the number of optical sheets can be reduced, and generation of dark lines by a light source can be decreased to increase the luminance.例文帳に追加

これによって、互いに異なる透過率の多層構造を有するハイブリッド拡散板を提供することで、光学シートの数を減少させることができ、光源による暗線の発生を減少させかつ、輝度を増加させることができる。 - 特許庁

The self-supporting porous sheet material comprises the inorganic or organic particles and the thermoplastic resin and has ≤500 μm thickness and has a multilayer structure in which the thermoplastic resin layers and the air layers are alternately piled.例文帳に追加

無機あるいは有機の粒子と熱可塑性樹脂からなり厚みが５００μｍ以下である自立性多孔質シート材料であって、熱可塑性樹脂層と空気層が交互に重なった多層構造を有する多孔質シート材料。 - 特許庁

To prevent occurrence of interfacial delamination of a hydrophobic membrane to be used for interlayer dielectrics and a hydrophilic membrane to be used for a liner membrane or a barrier membrane in a multilayer wiring structure using the hydrophobic membrane like a low-k membrane.例文帳に追加

ｌｏｗ−ｋ膜のような疎水性膜を使用した多層配線構造において、層間絶縁膜に使用する疎水性膜とライナー膜又はバリア膜として使用する親水性膜との界面剥離の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of multilayer wiring structure in which the height or shape of solder bumps can be prevented from becoming uneven, and to provide its manufacturing process and an electronic apparatus employing it.例文帳に追加

多層配線構造の半導体装置において、はんだバンプの高さや形状が不均一になるのを防ぐことができる半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which connection reliability and stability are improved when a bonding wire is bonded to a bonding pad in a semiconductor device with a multilayer wiring structure using a copper wire, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

銅配線を用いた多層配線構造を備える半導体装置において、ボンディングワイヤをボンディングパッドにボンディングするにあたり、接続の信頼性及び安定性が向上された半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To prevent problems such as peeling of an interlayer adhesive layer when connecting a multilayer flexible wiring board having a structure where a plurality of circuit boards are stuck with an interlayer adhesive to another circuit board via an anisotropic conductive film.例文帳に追加

複数枚の回路基板を層間接着剤で貼り合わせた構造をもつ多層フレキシブル配線基板を、異方性導電膜を介して他の回路基板に接続するに際し、層間接着剤層の剥離等の問題を防止する。 - 特許庁

To enhance the adhesive strength of first and second resin layers and a barrier layer in a multilayer resin structure constituted by bonding first and second resin layers comprising mutually different resins on both surfaces of a barrier layer by an adhesive.例文帳に追加

バリア層の両面に互いに異なる樹脂からなる第１、第２樹脂層が接着剤によって接着されてなる多層樹脂構造体において、第１、第２樹脂層とバリア層との各接着強度を向上させる。 - 特許庁

A multilayer board 1 is a laminated structure of dielectric layers 11a-11f, having at least a polyvinylbenzyl ether compound, a composite dielectric layer 14, having the polyvinylbenzy ether compound with dielectric power dispersed in this compound and a conductor.例文帳に追加

少なくともポリビニルベンジルエーテル化合物を有する誘電体層１１ａ〜１１ｆと、ポリビニルベンジルエーテル化合物に誘電体粉末が分散されている複合誘電体層１４と、導体との積層構造でなる多層基板１からなる。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser element comprising an active layer and a diffraction grating formed thereon in a multilayer structure provided on an n-type semiconductor substrate and having low threshold current and element resistance.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上に設けられた積層構造内に活性層及び活性層上に設けられた回折格子を有し、しきい値電流及び素子抵抗の双方が小さい分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a mounting structure which retains deformation small in the region between a semiconductor chip and a stiffener in a multilayer circuit wiring board which is constituted by laminating through an adhesion layer a plurality of insulating films having a conductive layer.例文帳に追加

導体層を有する複数の絶縁フィルムが接着層を介して積層してなる多層回路配線板において，半導体チップとスティフナーの間の領域における変形を小さく保つ実装構造を提供する。 - 特許庁

A multilayer pellet is composed of a sheath layer containing a thermoplastic resin (A1) and a core layer containing a modified thermoplastic resin (A2) having a structure derived from at least one compound (B) having at least one unsaturated group (a).例文帳に追加

熱可塑性樹脂（Ａ１）を含有する鞘層と、少なくとも一種の不飽和基（ａ）を有する少なくとも一種の化合物（Ｂ）に由来する構造を有する変性熱可塑性樹脂（Ａ２）を含有する芯層とからなる多層ペレット。 - 特許庁

The electrostatic charge image developing toner obtained by agglomerating colored particles, is characterized in that the colored particles have a multilayer structure and the molecular weight of a resin forming a release agent-containing layer is largest.例文帳に追加

着色粒子を凝集してなる静電荷像現像用トナーにおいて、該着色粒子は多層構造を有し、離型剤を有する層の樹脂の分子量が最も大きいことを特徴とする静電荷像現像用トナー。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a multilayer wiring structure, that has high reliability, high manufacturing yield, and small restriction of designing, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、多層配線構造を有する半導体装置及びその製造方法に関し、信頼性や製造歩留りが高く、設計的な制約の小さい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The multilayer structure includes a plurality of second layers including nitride semiconductor containing Al and a first layer including nitride semiconductor provided between the plurality of second layers and having a lower Al composition ratio than that in the second layer.例文帳に追加

多層構造体は、Ａｌを含む窒化物半導体を含む複数の第２層と、複数の第２層の間に設けられ第２層におけるＡｌ組成比よりも低いＡｌ組成比を有する窒化物半導体を含む第１層と、を含む。 - 特許庁

The transfer electrode VE is constituted of a polysilicon film 13, and the electrode wiring VEL has the multilayer film structure of the polysilicon film 13 as a main electrode layer serving also as the transfer electrode VE, a tungsten nitride film 15, and a tungsten film 16.例文帳に追加

転送電極ＶＥは、ポリシリコン膜１３により構成され、電極配線ＶＥＬは、転送電極ＶＥを兼ねる主電極層としてのポリシリコン膜１３と、タングステン窒化膜１５と、タングステン膜１６の多層膜構造を有する。 - 特許庁

In a semiconductor device in which a semiconductor chip 1 is mounted on a wiring board 10 through a solder bump 8, which is sealed up with a sealing resin 9, the sealing resin 9 is added with particles of a multilayer structure having a siloxane skeleton.例文帳に追加

配線基板10上にはんだバンプ8を介して半導体チップ1が搭載され、封止樹脂9により封止されている半導体装置において、封止樹脂9にはシロキサン骨格を有する多層構造の粒子が添加されている。 - 特許庁

This multilayer structure of tungsten silicide is constituted by forming a first tungsten-silicide layer on a semiconductor substrate, a first intermediate layer on the first tungsten-silicide layer, and a second tungsten- silicide layer on the first intermediate layer.例文帳に追加

該半導体基板上に第１のタングステンシリコン層を、該第１のタングステンシリコン層上に第１の中間層を、該第１の中間層上に第２のタングステンシリコン層を形成することにより、タングステンシリコン多層構造が構成される。 - 特許庁

The multilayer ceramic capacitor 1 has a structure such that a pair of external electrodes 5 are formed on a ceramic laminate 2 including internal electrodes 4 laminated alternately through a dielectric ceramic 3 constituted principally of titanic acid barium.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサ１は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体セラミックス３を介して内部電極４が交互に積み重ねられているセラミック積層体２に一対の外部電極５が形成された構造を有する。 - 特許庁

The wiring patterns respectively connected to the memory circuit 10 are wired at random in a multilayer wiring structure formed on each circuit block to make the wiring of the wiring patterns longer than the wiring to be formed on the shortest path.例文帳に追加

そしてメモリ回路１０のそれぞれに接続される配線パターンが、回路ブロック上に形成される多層配線構造においてランダムに配線されることにより、配線パターンの配線長が最短経路よりも長く形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 1000 having a multilayer wiring structure and including bonding pads 40a further includes a dummy line forming region 35 including dummy lines 30, and a dummy line prohibition region 15 where no dummy line is formed.例文帳に追加

本発明の半導体装置１０００は、多層配線構造を有し、ボンディングパッド４０ａを含み、さらに、ダミー配線３０を含むダミー配線形成領域３５と、ダミー配線が形成されないダミー配線禁止領域１５とを含む。 - 特許庁

One of illumination diaphragms 107a-107c is selected as an illumination diaphragm having the shape of an aperture suitable for observation of an object layer when observing the optional layer constituting the retina having the multilayer structure.例文帳に追加

多層構造を有する網膜を構成する任意の層の観察を行う際に、目的とする層の観察に適した開口の形状を有する照明絞りとして照明絞り１０７ａ〜１０７ｃの何れかが選択される。 - 特許庁

A first capacitor 140 is built-in this multilayer wiring structure, so that opposing areas of a first lower electrode 141 and a first upper electrode 142 disposed on both surfaces of the dielectric layer 43 become a prescribed area.例文帳に追加

第１コンデンサ１４０は、その多層配線構造に内蔵され、誘電体層４３の両面に配置された第１下部電極１４１と第１上部電極１４２との対向面積が所定面積となるように形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a semiconductor device having improved reliability in the semiconductor device by improving adhesion between a zirconium boronitride film and an underlayer film in a multilayer interconnection structure.例文帳に追加

多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜と下地膜との間の密着性を向上させることにより半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The resonator of the surface emitting laser 100 is provided with a lens layer 115 formed of a semiconductor having a lens shape and a multilayer reflection film 119 arranged above the lens layer 115, which become structure elements.例文帳に追加

面発光レーザ１００の共振器の構成要素となるものであって、レンズ形状を有する半導体からなるレンズ層１１５と、レンズ層１１５の上層に配置されている多層反射膜１１９とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The separator is manufactured by formation of the resin layers with the multilayer structure, which are formed more than once on the metal substrates by the electrodeposition using an electrodeposition liquid in which the conductive material is dispersed in an electrodepositable resin.例文帳に追加

このようなセパレータは、電着性を有する樹脂中に導電材料を分散させた電着液を用いて、金属基体上に電着にて樹脂層を複数回形成して多層構造の樹脂層を形成することにより製造する。 - 特許庁

To provide a nonmagnetic ferrite with high insulation resistance capable of suppressing precipitation of ZnO and CuO at grain boundaries, improving characteristics and stabilizing its crystal structure, and a multilayer electronic component using it.例文帳に追加

従来、高い絶縁抵抗を得るために非磁性フェライト中の酸化鉄の組成を低減すると、ＺｎＯ，ＣｕＯの析出量が増大し、還元雰囲気にさらされた場合に低抵抗相が析出し、絶縁不良の危険性が増大する。 - 特許庁

To realize a high performance CMOS transistor which uses a multilayer substrate having a structure laminated by an SiGe layer and an Si layer on the surface of an Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板の表面にＳｉＧｅ層とＳｉ層とが積層されてなる構造の積層基板を用いたＣＭＯＳトランジスタにおいて、より高性能化を図ることができるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To obtain a woven/knit fabric with lightweight feeling, stretchability and high resilience by using helical multifilament yarns with longitudinal multilayer hollow structure thereinside.例文帳に追加

マルチフィラメント複合糸によって空洞状の２層中空構造を形成し、螺旋状集合体の伸縮性によってストレッチ性、軽量感、ソフト感、ふくらみを兼ね備えた２層中空構造体糸条からなる織編物を提供する。 - 特許庁

The multilayer electrical double layer capacitor has such a structure that a plurality of combinations of an intermediate conductive high molecular material composite electrode 6 and a separator 5 are disposed in layers between a pair of end-part conductive high molecular material composite electrodes 3 and 3.例文帳に追加

積層型電気二重層キャパシタは、一対の端部導電性高分子物質複合極3,3 の間に中間部導電性高分子物質複合極6 とセパレータ5 との組み合わせが複数個積層状に配されたものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including a multilayer structure of an insulation layer and metal layers in which the peeling of the insulation layer and the metal layer is prevented, and to provide a highly reliable semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層と金属層との積層体を含む半導体装置の製造方法において、絶縁層と金属層との間において剥がれの生じ難い製造方法を提供し、もって信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for alternately stacking electrode sheets and separators easily without bringing the electrode sheets into contact with each other due to a shift, in a multilayer structure of the electrode sheets and the separators in an electric double layer capacitor having such a structure that the electrode sheets and the separators are alternately stacked.例文帳に追加

電極シートとセパレータが交互に積層されてなる構成を備えた電気二重層キャパシタにおいて、電極シートとセパレータの積層構造のずれによる電極シート同士の接触が生じることなく、また容易に電極シートとセパレータを交互に積層させることが可能な手段等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low-temperature-baked multilayer ceramic wiring board, capable of increasing the degrees of freedom of a design of the wiring circuit board and a layer structure of an insulating layer with hardly constraints about the layer structure of the several insulating layers, having a different pattern shape of the wiring circuit layer arranged on the layer body and contraction behaviour.例文帳に追加

積層体に配された配線回路層のパターン形状の違いや収縮挙動の異なる数種類からなる絶縁層の層構成にほとんど制約がなく、配線回路層の設計や絶縁層の層構成の自由度を高くできる低温焼成多層セラミック配線基板の製法を提供する。 - 特許庁

To provide a terminal structure of multilayer substrate for surely maintaining a gap between the terminals and its forming method, further to provide a structure in which a plurality of terminals can be formed more densely, while maintaining the gaps of the terminals, and a short phenomenon can be prevented from occurring.例文帳に追加

本発明は多層基板の端子構造及びその形成方法に関するもので、より詳しくはパッケージに複数個の端子を形成する際、各端子間に所定の離隔距離を維持しながら端子形成工程を簡単にする多層基板の端子構造及びその形成方法に関するものである。 - 特許庁

The relay chip 50F has a plurality of second and third bonding pads 51, and the plurality of bonding pads 51 are connected to each other in a wiring pattern 52F having a single-layer wiring structure or a multilayer wiring structure, changing the arrangement of the bonding pads 41 at the side of the semiconductor chips 40A-1 and 40A-2 into a different orientation.例文帳に追加

中継チップ５０Ｆは、複数個の第２、第３のボンディングパッド５１を有し、この複数個のボンディングパッド５１が、単層配線構造又は多層配線構造の配線パターン５２Ｆによって相互に接続され、半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２側のボンディングパッド４１の配置を異なる方向に変換する。 - 特許庁

The oxygen absorbing gas barrier multilayer structure, obtained by molding the oxygen absorbing gas barrier resin composition comprising a cyclized product of conjugated diene polymer and an ethylene-vinyl alcohol copolymer having a specific oxygen permeation rate, has a layer of an oxygen absorbing gas barrier structure and a sealing material layer.例文帳に追加

共役ジエン重合体環化物と特定の酸素透過速度を有するエチレン−ビニルアルコール共重合体とを含有してなる酸素吸収性ガスバリアー樹脂組成物を成形してなる酸素吸収性ガスバリアー構造体の層と密封材層とを有してなる酸素吸収性ガスバリアー多層構造体。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer structure made of semiconducting materials which includes an active layer, a support layer, and an electrically insulating layer between the active layer and the support layer, the method including modifying the density of carrier traps and/or the electrical charge within the electrically insulating layer in order to minimize electrical losses in the structure support layer.例文帳に追加

能動層と、支持層と、能動層と支持層の間の電気絶縁層とを備える、半導体材料製の多層構造を製造するための方法であって、構造支持層内の電気的損失を最小限に抑えるために、キャリア・トラップの密度および／または電気絶縁層内の電荷を修正する方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer film for packaging is manufactured by a method wherein a layer (A) of a resin composition containing a liquid hydrocarbon compound of 3-50 pts.wt. to 100 pts.wt. of an alicyclic-structure-containing polymeric resin and a layer (B) constituted of a resin other than the alicyclic- structure-containing polymeric resin are laminated by one layer, at least, respectively.例文帳に追加

脂環式構造含有重合体樹脂１００重量部に対し、液状炭化水素化合物を３〜５０重量部含有してなる樹脂組成物の層（Ａ）、及び脂環式構造含有重合体樹脂以外の樹脂からなる層（Ｂ）をそれぞれ少なくとも１層ずつ積層して包装用多層フィルムを製造する。 - 特許庁

To provide a method for uniting a method for enhancing light extraction efficiency by roughening the surface of the semiconductor multilayer structure of a light-emitting diode, and to provide a method for avoiding adverse effects due to an inexpensive electrode pad ((1) by forming a current dispersion layer by a transparent conductive film of metal or oxide and (2) by forming a flip-chip structure).例文帳に追加

ＬＥＤ構造の表面を荒らして光取出し効率を高める方法と、低コストな電極パッドの悪影響を回避する方法（（１）金属又は酸化物の透明導電膜による電流分散層を形成する、（２）フリップ・チップ構造を形成する）を、両立させる方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 1 includes: a light emitting laser structure portion 2 composed of an n-type clad layer 6, an active layer 7 and a p-type clad layer 8; a semiconductor multilayer film 3 having a structure formed by alternately laminating the first semiconductor film and second semiconductor film, differing in refractive index from each other; and a pair of electrodes 4 and 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子１は、ｎ型クラッド層６、活性層７及びｐ型クラッド層８からなる発光レーザ構造部２と、互いに屈折率の異なる第１の半導体膜と第２の半導体膜とを交互に積層した構造を有する半導体多層膜３と、一対の電極４，５とを有する。 - 特許庁