「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the application of a drain operating voltage to a part of a thin gate insulator by avoiding the formation of a big overlapped area between a gate and an N-epi layer in a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴにおける、ゲートとＮ−エピ層との間に大きな重なり領域の形成を避けることによって、薄いゲート絶縁体の一部にドレイン動作電圧を作用させない。 - 特許庁

On the first electrode 2, a photoelectric conversion film layer 3 is formed in laminate by film-forming, for example, semiconductors of p-type, i-type, and n-type in series by a CVD method or the like.例文帳に追加

第１電極２の上には、例えばｐ型、ｉ型、ｎ型の半導体を順次、ＣＶＤ法などで成膜することにより、光電変換膜層３が積層状に形成される。 - 特許庁

Fixing time is sequred long which is necessary for sufficient heating of toner as an image developing material on a protective layer surface of the optical disk D by providing the nip width N.例文帳に追加

このニップ幅Ｎを持たせることにより、光ディスクＤの保護層面の顕像化物質であるトナーを十分に加熱するために必要な定着時間を長く確保することができる。 - 特許庁

A p impurity region 3 defining an nMOS region 202 is provided from an upper surface of the n^- semiconductor layer 2 to an interface with the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ^-半導体層の内部には、ｎ^-半導体層２の上面からｐ^-半導体基板１との界面にかけて、ｎＭＯＳ領域２０２を区分するｐ不純物領域３が設けられている。 - 特許庁

Further, an antireflection film 9 covers from a part of the upper side of the gate electrode 7 to a whole upper side of a first n-type diffusion layer 3 of photoelectric region.例文帳に追加

さらに、ゲート電極７の上方の一部から光電変換領域である第１のｎ型拡散層３の上方全体までをシリコン窒化膜からなる反射防止膜９が覆っている。 - 特許庁

Then, after nitriding the HfSiO film 13 in the part located in the N-type MISFET region 2 to form an HfSiON modified layer 19, a polysilicon film 20 is formed.例文帳に追加

その後、Ｎ型ＭＩＳＦＥＴ領域２に位置する部分のＨｆＳｉＯ膜１３を窒化してＨｆＳｉＯＮ改質層１９を形成した後、ポリシリコン膜２０を形成する。 - 特許庁

By using the first emitter electrode 61 as a mask, formation of the n-type emitter layer 4 outside the first emitter elect rode 61 is prevented.例文帳に追加

ｎ型エミッタ層４は第１エミッタ電極６_1 をマスクに用いてウエットエッチングにより形成することによって、ｎ型エミッタ層４が第１エミッタ電極６_1 の外側に形成されないようにする。 - 特許庁

A base body 2 comprises a substrate 11 of p-type single- crystalline silicon wafer and an epitaxial layer 12 of n-type single-crystalline silicon formed on a surface of the substrate 11.例文帳に追加

基体２は、ｐ型単結晶シリコンウエハからなる基板１１と、その基板１１の表面に形成されたｎ型単結晶シリコンからなるエピタキシャル層１２とから構成されている。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge storage layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加

半導体基板1Subの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁

An Mg film 13 is formed to cover the n^--GaN layer 11 and the photoresist mask 12, and on the Mg film 13, a metal film 14 of Ni/Pt is formed (figure 1b).例文帳に追加

次に、ｎ^- −ＧａＮ層１１およびフォトレジストマスク１２を覆うようにＭｇ膜１３を形成し、さらにＭｇ膜１３上にＮｉ／Ｐｔからなる金属膜１４を形成する（図１ｂ）。 - 特許庁

On a part of the top surface of the semiconductor layer 26 within the switching device regions 12 and 16, n-type semiconductor regions 32 and 36 are formed to be connected with electrodes 31 and 35, respectively.例文帳に追加

スイッチング素子領域１２、１６内の半導体層２６の表面部の一部に、電極３１、３５に接続するｎ型の半導体領域３２、３６が形成されている。 - 特許庁

An n-type gallium nitride system semiconductor drift layer 15 is provided on the first surface 13a of the substrate 13, and has a carrier concentration N_15 of 1×10^17 cm^-3 or smaller.例文帳に追加

ｎ型窒化ガリウム系半導体ドリフト層１５は、基板１３の第１の面１３ａ上に設けられており、また１×１０^１７ｃｍ^−３以下のキャリア濃度Ｎ_１５を有する。 - 特許庁

To provide an SBD which uses an inexpensive n-type heavily doped semiconductor substrate without epitaxial layer to lower a forward voltage and can keep breakdown voltage while keeping the forward voltage lower.例文帳に追加

順方向電圧を低くするためにエピタキシャル層のない安価なＮ型高濃度半導体基板を用い、順方向電圧を低くしたまま耐圧を維持可能なＳＢＤを提供する。 - 特許庁

Then, a first groove 17A, a second groove 17B and a third groove 17C are formed on the midway in the direction of thickness of the N- type semiconductor layer 11 from the insulating film 13.例文帳に追加

その後、絶縁膜１３からＮ−型半導体層１１の厚さ方向の途中に至る複数の溝、即ち第１の溝１７Ａ、第２の溝１７Ｂ、第３の溝１７Ｃを形成する。 - 特許庁

A continuous linear isolation trench S is then formed deeper by about 50-70 μm than the exposed surface of an n layer 2 through irradiation with a laser beam having a beam diameter of about 10 μm (Fig. (b)).例文帳に追加

次に、ビーム径約１０μｍのレーザービームを照射して、ｎ層２の露出面より更に約５０μｍ〜７０μｍ程度深い連続線状の分離溝Ｓを形成した（図４（ｂ））。 - 特許庁

The mixed doped GaN layer 6a has GaN doped with a p-type impurity and an n-type impurity at the same time, and concentrations thereof are each ≥1×10^19 cm^-3.例文帳に追加

混合ドープＧａＮ層６ａは、ＧａＮに、ｐ型不純物とｎ型不純物とが同時にドーピングされており、その濃度はいずれも１×１０^１９ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁

The conductive substrate 1 is an n-type [0001] plane direction SiC substrate, and the donor-doped nitride semiconductor film layer 10 is an AIN added with Si of a concentration of 5×10^21 cm^-3.例文帳に追加

導電性基板１はｎ型{０００１}面方位ＳｉＣ基板、ドナー添加窒化物半導体膜層１０は濃度５×１０^21ｃｍ^-3のＳｉを添加したＡｌＮである。 - 特許庁

The n-type layer 2 is made ≤1 μm thick and then the frequency of cracking during the formation is decreased to improve the productivity of the GaN-based compound semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

ｎ型層２の厚さを１μｍ以下にすることにより、形成時にクラックが発生する頻度を下げてＧａＮ系化合物半導体発光素子の生産性を向上させる。 - 特許庁

Thus, a separation width between a p-type embedding area 29 and a p-type epitaxial layer 22 of photodiode can be taken widely, so that separation property is improved without increasing the concentration of the n-wells.例文帳に追加

これにより、フォトダイオードのｐ型埋め込み領域２９とｐ型エピタキシャル層２２との分離幅を十分大きくとれ、ｎウェルの濃度を増やすことなく分離特性が改善する。 - 特許庁

A stacked matter S, which contains a p-n junction structure via a buffer layer 2 (or directly) and is formed of a GaN material is grown on a crystal substrate 1, and a light reception element is obtained.例文帳に追加

結晶基板１上に、バッファ層２を介して（または直接的に）ｐｎ接合構造を含みＧａＮ系材料からなる積層体Ｓを成長させて受光素子とする。 - 特許庁

The elastic cleaning layer preferably has a hardness of 20 to 50 (N/314 cm^2), a thickness of 10 to 100 μm and a density of 50 to 85 kg/m^3 which are specified by JIS K 6400-2.例文帳に追加

該弾性クリーニング層は、ＪＩＳ Ｋ６４００−２で規定する硬度２０〜５０（Ｎ／３１４ｃｍ^2）、厚み１０〜１００μｍ、密度５０〜８５ｋｇ／ｍ^3であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a magnetic record medium that has low magnetic exchange coupling force in the inward direction of a recording layer, reduces transition noise, and can reproduce information with high S/N, and to provide a manufacturing method of the magnetic record medium.例文帳に追加

記録層の面内方向の磁気的交換結合力が低く、遷移ノイズが低減され、高Ｓ／Ｎで情報を再生できる磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A space charge zone 10 is expanded vertically to the region 3 of the second conductivity type, and laterally to an epitaxial layer 2 in a p/n junction 11 as well as to the region 3.例文帳に追加

空間電荷ゾーン１０の拡大は、垂直方向では第２の伝導型の領域３へ行い、横方向では領域３だけでなくエピタクシー層２へもｐｎ接合１１で行う。 - 特許庁

On the SOI layer 5 of the SOI substrate 7, an insulating film 13 for the implantation mask which covers a P-type region forming position 9 and has an opening at an N-type region forming position 11 is formed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板７のＳＯＩ層５の上に、Ｐ型領域形成位置９を覆い、Ｎ型領域形成位置１１に開口をもつ注入マスク用絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

In this laminated sheet 1, the peel strength of a pair of the base material layers by the interlaminar destruction of the non-sticky easy destructive layer 2 is preferably 0.02-16 N/5 cm.例文帳に追加

この積層シート１において、非粘着性易破壊層３の層間破壊による一対の基材層２、４の引剥強度としては０．０２Ｎ／５ｃｍ以上１６Ｎ／５ｃｍ以下が好ましい。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 33 of high concentration is formed in a part between the two P-type diffusion layers 34a and 34b so as to prevent it from deteriorating in withstand voltage.例文帳に追加

２つのＰ型拡散層３４ａ，３４ｂの間の耐圧が低下するのを防ぐために、Ｐ型拡散層３４ａ，３４ｂ間に高濃度のＮ型拡散層３３が形成されている。 - 特許庁

The coating layer 15 comprises Al_0.3Ga_0.6Gd_0.1 N as a mixed crystal of a nitride of a group III element (for example, AlGaN) and a nitride of lanthanoid (for example, GdN), and has a thickness of 20 nm.例文帳に追加

被覆層１５は、ＩＩＩ族元素の窒化物（例えば、ＡｌＧａＮ）とランタノイドの窒化物（例えば、ＧｄＮ）との混晶としてのＡｌ_0.3Ｇａ_0.6Ｇｄ_0.1Ｎであり、厚さは２０ｎｍである。 - 特許庁

A range of an In mixed crystal rate of this n-InGaP sub-collector layer 9 is 0.4 to 0.6, and a carrier density thereof is 1×10^18 to 1×10^19 cm^-3, preferably.例文帳に追加

このｎ−ＩｎＧａＰサブコレクタ層９のＩｎ混晶比範囲は０．４から０．６であり、キャリア濃度は１×１０^１８〜１×１０^１９ｃｍ^−３であることが好ましい。 - 特許庁

To provide an inexpensive optical recording medium in which C/N of a reproduced signal is good and weatherability is excellent by developing a recording layer having high reflectance, modulation, and sensitivity.例文帳に追加

高い反射率、モジュレーションおよび感度を有する記録層を開発し、再生信号のＣ／Ｎが良好でありかつ耐候性に優れた光記録媒体を安価に提供すること。 - 特許庁

Subsequently, an n-type region and a p-type region are formed on the first semiconductor layer 30a by using the shield portion 34a as a mask, and then the shield portion 34a is removed.例文帳に追加

その後、シールド部３４ａをマスクとして用いて、第１の半導体層３０ａにｎ型領域及びｐ型領域を形成した後、当該シールド部３４ａを除去する。 - 特許庁

The drain region 45 composed of the n-type diffusion layer is formed to the surface section of the p-type substrate/well 20 on the reverse side to the first storage 41 side of the gate electrode 44.例文帳に追加

このゲート電極４４の第１の蓄積部４１側とは反対側のｐ型基板／ウェル２０の表面部にｎ型拡散層からなるドレイン領域４５が設けられている。 - 特許庁

This floating n-type accumulation layer 2 is formed all over the pixel area including a light-shielding pixel area OB, but not on a CMOS circuit portion side on the periphery of the pixel area.例文帳に追加

このフローテイングＮ型蓄積層２は、遮光画素領域ＯＢを含む画素領域全面に形成されて、画素領域の周辺のＣＭＯＳ回路部側には形成されていない。 - 特許庁

In addition, an insulating film 110 made of a LOCOS oxide film and a gate electrode 109 formed via a gate insulating film 108 are provided over the N-type semiconductor layer 102.例文帳に追加

またＬＯＣＯＳ酸化膜からなる絶縁膜１１０と、ゲート絶縁膜１０８を介して形成されたゲート電極１０９とをＮ型半導体層１０２上に備える構造とする。 - 特許庁

The FD portion 16 is formed in the surface layer of the silicon substrate 40 (Fig. 5(C)) by removing the resist mask R1 and implanting n-type impurity ions (As^+) from above the first conductive film 52.例文帳に追加

レジストマスクＲ１を除去し、第１導電性膜５２上からｎ型不純物イオン（Ａｓ^＋）を注入することにより、シリコン基板４０の表層にＦＤ部１６を形成する（図５（Ｃ））。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体装置において、Ｃｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として、Ｓｉ／Ｎ組成比が０．７５以下のＰ−ＳｉＮ膜１２またはＰ−ＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor transistor which suppresses deterioration of carrier mobility compared with an organic semiconductor transistor having an organic semiconductor layer using 13,6-N-sulfinyl acetamide pentacene.例文帳に追加

１３，６−Ｎ−サルフィニルアセトアミドペンタセンを用いた有機半導体層を備える有機半導体トランジスタに比べ、電荷移動度の低下が抑制された有機半導体トランジスタを提供する。 - 特許庁

The substrate for a liquid crystal display includes a maleimide based resin layer made of an N-substituted maleimide residue unit represented by a general formula (1) on an inorganic glass or polymer film substrate.例文帳に追加

無機ガラスあるいはポリマーフィルム基材上に、一般式（１）で示されるＮ−置換マレイミド残基単位よりなるマレイミド系樹脂層を含むことを特徴とする液晶ディスプレイ用基板。 - 特許庁

In the outermost surface layer of the photoreceptor 1, the Martens hardness value is 175-196 N/mm^2, the elastic deformation rate is 35-48%, and the coefficient of static friction is 0.535 or lower.例文帳に追加

上記感光体１の最表面層は、マルテンス硬さ値が１７５〜１９６Ｎ／ｍｍ^２であり、弾性変形率が３５〜４８％であり、静止摩擦係数が０．５３５以下である。 - 特許庁

In the gate insulation film 8, the film thickness of a part opposing the surface of the N-type epitaxial layer 3 is larger than that at a part opposing the surface of the channel formation region 5.例文帳に追加

ゲート絶縁膜８は、Ｎ型エピタキシャル層３の表面と対向する部分の膜厚が、チャネル形成領域５の表面と対向する部分の膜厚よりも大きく形成されている。 - 特許庁

In addition, the distance between the bottom of this trench 13 and the insulating film 2 on the support substrate 1 is made to be 1 μm or more and 75% or less of the thickness of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

そして、このトレンチ１３の底部と支持基板１上の絶縁膜２との距離が、１μｍ以上、かつ、ｎ型ドリフト層３の厚さの７５％以下になるようにする。 - 特許庁

A back of a first semiconductor substrate 11 is ground, ion implantation is performed for forming an n-type impurity layer 14 on a back side of the substrate 11, and a retaining substrate 15 is stuck on the back.例文帳に追加

第１の半導体基板１１の裏面を研削し、その裏面側にｎ型不純物層１４を形成するために、イオン注入をおこなった後、裏面に支持基板１５を貼り付ける。 - 特許庁

Impurity concentration (Nd(X)) of an n-drift layer 1 is made to be maximum in a position Xp and is made to gently reduce toward an anode electrode 4 or a cathode electrode 5.例文帳に追加

ｎドリフト層１の不純物濃度（Ｎｄ（Ｘ））を、位置Ｘｐで最大として、アノード電極４方向またはカソード電極５方向に向かって、なだらかに減少するようにする。 - 特許庁

Normal process treatment is conducted to a bulk wafer 300 of FZ which contains phosphorus, is n-type, and has high specific resistance to form a p-anode layer 301 and an anode electrode 302 on one surface.例文帳に追加

リンを含むｎ型で高比抵抗のＦＺのバルクウェハ３００にて通常のプロセス処理を行い、一方の表面にｐアノード層３０１、アノード電極３０２を形成する。 - 特許庁

A photo sensitive region includes a semiconductor substrate 40 comprising a P-channel semiconductor and N-channel semiconductor regions 41, 42 and 43 formed on the surface layer of the semiconductor substrate 40.例文帳に追加

光感応領域は、Ｐ型半導体からなる半導体基板４０と、当該半導体基板４０の表層に形成されたＮ型半導体領域４１，４２，４３とを含んでいる。 - 特許庁

An n-type diffusion layer forming composition includes glass powder containing a donor element; a binder having a weight average molecular weight of 5,000 or more and 500,000 or less; and a solvent.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物に、ドナー元素を含むガラス粉末と、重量平均分子量が５０００以上５０００００以下であるバインダーと、溶剤と、を含有せしめる。 - 特許庁