「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

A conductive composition contains silver powder, glass powder without lead and bismuth which contains B_2O_3, ZnO, and alkaline earth metal oxide, and vehicle of organic substance, to form an electrode 13 which penetrates a silicon nitride layer 11 to be conductive to an n-type semiconductor layer 12 formed under the layer 11.例文帳に追加

導電性組成物は、銀粉末と、Ｂ_2Ｏ_3，ＺｎＯ及びアルカリ土類金属酸化物を含んだ無鉛でかつ無ビスマスのガラス粉末と、有機物からなるビヒクルとを含み、窒化ケイ素層１１を貫通してこの層１１の下に形成されたｎ型半導体層１２と導通する電極１３を形成する。 - 特許庁

Further, the semiconductor device manufacturing method comprises a process of injecting a p-type impurity into the semiconductor layer by using the oxide film on the surface of the n-type semiconductor region as a mask to selectively form a p-type semiconductor region having a p-type impurity concentration higher than that of the semiconductor layer on the semiconductor layer.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、ｎ形半導体領域の表面上の酸化膜をマスクにして、半導体層にｐ形不純物を注入し、半導体層に半導体層よりもｐ形不純物濃度が高いｐ形半導体領域を選択的に形成する工程を有する。 - 特許庁

The foam laminate for an electric or electronic device has a polyolefin adhesive layer containing polyolefin on at least one side of a foam layer, the 180° peel force (tension rate: 0.3 m/min) with respect to an acrylic plate of the polyolefin adhesive layer is 0.1-2.5 N/20 mm.例文帳に追加

本発明の電気又は電子機器用の発泡積層体は、発泡体層の少なくとも片面側にポリオレフィンを含むポリオレフィン系粘着剤層を有し、該ポリオレフィン粘着剤層のアクリル板に対する１８０°剥離力（引張速度：０．３ｍ／ｍｉｎ）が０．１Ｎ／２０ｍｍ以上２．５Ｎ／２０ｍｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A center region of a semiconductor device 10 includes a p-type surface layer portion semiconductor region 38 provided at a surface layer portion of an n-type semiconductor substrate 20 and electrically connected to an emitter electrode 42, and a carrier shield region 52 provided partially in the surface layer portion semiconductor region 38.例文帳に追加

半導体装置１０の中心領域は、ｎ型の半導体基板２０の表層部に設けられているとともにエミッタ電極４２に電気的に接続されているｐ型の表層部半導体領域３８と、その表層部半導体領域３８内に部分的に設けられているキャリア遮蔽領域５２を備えている。 - 特許庁

An N type semiconductor layer 22 having a low impurity concentration is epitaxially grown on an N semiconductor substrate 21, a desired pattern of oxide film is formed thereon, and the substrate is subjected to ion implantation with use of the pattern as its mask to form an active region edge 28 and a guard ring region 24.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板２１上に不純物濃度が低いＮ型の半導体層２２をエピタキシャル成長させ、その表面に所望のパターンの酸化膜を形成し、それをマスクとしてイオン注入により活性領域エッジ部２８およびガードリング領域２４を形成する。 - 特許庁

On the n^--type semiconductor substrate 1, an accumulation layer 7 is formed on the side of a second principal surface 1b of the n^--type semiconductor substrate 1, and irregular unevenness 10 is formed in regions of a first principal surface 1a and the second principal surface 1b which are opposed to the pn junction.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１には、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a gate electrode 105 formed above an N-well 101 via an insulating film 103 and has a counter impurity layer 108 formed by introducing a p-type impurity into the surface region of the n-well 101 which is present under the gate electrode 105.例文帳に追加

半導体装置は、Ｎウェル１０１上に絶縁膜１０３を介して形成されたゲート電極１０５と、ゲート電極１０５の下のＮウェル１０１の表面領域にＰ型不純物を導入することによって形成したカウンター不純物層１０８とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor laser diode comprises a resonator having an n-type distributed Bragg reflector, a p-type distributed Bragg reflector and an active layer disposed between the n-type distributed Bragg reflector and the p-type distributed Bragg reflector; and a concavo-convex pattern provided on an outer circumference of a side of the resonator.例文帳に追加

半導体レーザ・ダイオードであって、ｎ型分散ブラッグ反射器と、ｐ型分散ブラッグ反射器と、前記ｎ型分散ブラッグ反射器とｐ型分散ブラッグ反射器との間に配置される活性層とを含む共振器と、前記共振器の側面の外周囲に備わる凹凸パターンとを有する。 - 特許庁

Gettering sites 31 absorbing crystal defects 30 generated in a drift region 20 are arranged at part positions except the drift region 20 as an operation region on the main surface side of the N-type semiconductor layer 1 between the P-type well region 4 and an N+ type drain region 2.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４とｎ^^^+形ドレイン領域２との間におけるｎ形半導体層１の主表面側の動作領域たるドリフト領域２０以外の部位に、ドリフト領域２０に発生した結晶欠陥３０を吸収するゲッタリングサイト３１が設けられている。 - 特許庁

The support frame 112 is electrically connected to the primary plane electrode 106a' and is insulated from the N-th plane electrode 106b', thus forming a primary capacitor, having the insulating adhesion layer 110 as a capacitance between the support frame 112 and the N-th plane electrode 106b'.例文帳に追加

サポートフレーム１１２は、第１のプレーン電極１０６ａ’と電気的に接続されるとともに第Ｎのプレーン電極１０６ｂ’と絶縁され、サポートフレーム１１２と第Ｎのプレーン電極１０６ｂ’との間で絶縁性接着層１１０を容量膜とする第１のキャパシタを形成する。 - 特許庁

A poly(arylene ether) containing a structure of formula 1 [wherein, (n) is 5-10,000; and monovalent Ar_1 and divalent Ar_2 are each selected from the group of specific heteroaromatic compounds obtained by introducing O, N, Se, S or Te, or a combination of these elements] is used as a low k dielectric layer in an electronic use.例文帳に追加

エレクトロニクス用途において低ｋ誘電体層として使用されるポリ（アリーレンエーテル）と、構造：［ｎ＝５〜１００００；一価のＡｒ_１及び二価のＡｒ_２は、Ｏ、Ｎ、Ｓｅ、Ｓ、若しくはＴｅまたは前述の元素の組合せを取り入れた特定の複素芳香族化合物の群から選択される。 - 特許庁

Also, a hard coat film having a blushing angle of 30° or higher in a bending test using a mandrel of 2 mm diameter is obtained by laminating the hard coat layer having a Martens hardness of 350 N/mm^2 or higher on a resin substrate film having a Martens hardness of 90 N/mm^2 or higher.例文帳に追加

また、マルテンス硬度が９０Ｎ／ｍｍ^2以上である樹脂基材フィルム上に、マルテンス硬度が３５０Ｎ／ｍｍ^2以上であるハードコート層を積層し、直径２ｍｍのマンドレルを用いた折り曲げ試験における白化角度が３０°以上であるハードコートフィルムとする。 - 特許庁

After a sidewall 604 is formed on both side surfaces of the gate electrode 602, an N-type impurity is applied thereto through ion implantation by using the gate electrode 602 and sidewall 604 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加

ゲート電極６０２の両側面にサイドウォール６０４を形成した後、ゲート電極６０２及びサイドウォール６０４をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入し、その後、熱処理を行なうことによりＮ型の第１の不純物拡散層６０５を形成する。 - 特許庁

In this incineration method, organic waste is burnt interposing particles of iron-based microscopic metallic material coated with a metal oxide layer, where an average particle diameter is 0.01-5.0 μm and an average valence n+ of iron in the particles satisfies 0<n<2.5.例文帳に追加

平均粒径０．０１〜５．０μｍの、鉄を主体とした微細金属材料が金属酸化物層で被覆されている粒子であり、粒子の鉄の平均価数ｎ＋が０＜ｎ＜２．５である粒子を介在させ、有機系廃棄物を焼却することを特徴とする焼却方法。 - 特許庁

The conductive thin film layer has a p-type organic semiconductor thin film containing a p-type semiconductor and an acceptor, and a n-type semiconductor thin film provided on the anode side with respect to the p-type organic semiconductor thin film while containing a N-type semiconductor and a donor such as alkaline metal or alkaline earth metal.例文帳に追加

導電体薄膜層は、Ｐ型半導体とアクセプタとを含むｐ型有機半導体薄膜と、ｐ型有機半導体薄膜よりも陽極側に設けられ、Ｎ型半導体と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属などのドナーとを含むｎ型有機半導体薄膜とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a body region 22 of an N^- type, a drain region 23a and a source region 23b of a P^+ type, and a body contact region 24 of an N^+ type disposed on the side of the source region 23b in the view from the body region 22 are formed inside the silicon layer 13 of the SOI substrate 10.例文帳に追加

半導体装置１においては、ＳＯＩ基板１０のシリコン層１３内に、Ｎ^−型のボディ領域２２、Ｐ^＋型のドレイン領域２３ａ及びソース領域２３ｂ、ボディ領域２２から見てソース領域２３ｂ側に配置されたＮ^＋型のボディコンタクト領域２４が形成されている。 - 特許庁

In the gas barrier film, the gas barrier layer has a composition composed of, by atom, ≤42% Si, ≥31% N, ≤27% O and ≤2% C (wherein, the total of the respective contents of Si, N, O and C is controlled to 100 atomic%).例文帳に追加

本発明のガスバリア性フィルムは、ガスバリア層の組成を、Ｓｉを４２原子％以下、Ｎを３１原子％以上、Ｏを２７原子％以下、Ｃを２原子％以下とする（但し、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、Ｃそれぞれの含有率を合計すると１００原子％となる）ことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The SiC field effect transistor 1 has a vertical MIS transistor structure wherein an N^+-type source area 15 and an N^--type drift area 14 are arranged apart with a P-type body area 13 in-between, in the vertical direction perpendicular to the surface 12 (main surface) of an epitaxial layer 11.例文帳に追加

ＳｉＣ電界効果トランジスタ１は、Ｎ^＋型ソース領域１５とＮ^−型ドリフト領域１４とがエピタキシャル層１１の表面１２（主面）に垂直な縦方向にＰ型ボディ領域１３を介して離間して配置された、縦型ＭＩＳトランジスタ構造を有する。 - 特許庁

As a result, accumulation of the ammonia (NH_3) in the ultrahigh vacuum container is alleviated, so that the concentration of nitrogen (N) in a crystal growth layer on the ZnO substrate can be set to a desired concentration, and in addition the concentration of nitrogen (N) can be formed uniformly from the surface along the depth direction.例文帳に追加

その結果、超高真空容器内におけるアンモニア（ＮＨ_３）の蓄積が緩和されて、ＺｎＯ基板上の結晶成長層内の窒素（Ｎ）の濃度を所望する濃度に設定し、且つ表面から深さ方向に対して窒素（Ｎ）の濃度を均一に形成することが可能となった。 - 特許庁

A p^+ region 89 is formed within a source neighborhood p-type region 83 in an n-well 33 and then arsenic is injected into a shallow substrate surface in the p^+ region 89 by applying an ion implantation method using a ring-shaped gate electrode 35 as a mask to form a surface n^+ layer 90.例文帳に追加

ｎウェル３３中のソース近傍ｐ型領域８３内にｐ^+領域８９を形成した後、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ｐ^+領域８９中の浅い基板表面にひ素を注入して、表面ｎ^+層９０を形成する。 - 特許庁

The mask blank is obtained by forming, on a substrate 11 made of synthetic quartz, a light-shielding layer 12 comprising TaN (with 84.0 atom% of Ta and 16.0 atom% of N in terms of a film composition ratio) to a film thickness of 43 nm by DC magnetron sputtering in a mixture gas atmosphere of xenon (Xe) and nitrogen (N) using Ta as a sputtering target.例文帳に追加

合成石英からなる基板１１上に、スパッタリングターゲットにＴａを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ）の混合ガス雰囲気で、ＤＣマグネトロンスパッタにより、ＴａＮ（膜組成比 Ｔａ：８４．０原子％，Ｎ：１６．０原子％）からなる遮光層１２を４３ｎｍの膜厚で成膜する。 - 特許庁

Although, a parasitic diode is formed in the IGBT by PN junction of a p^+ collector region 1 and the n^+ type buffer layer 2, the n^+ type buffer layers 2 floating in an actual device are connected through the resistor 13.例文帳に追加

すなわち、ＩＧＢＴにはｐ^+型コレクタ領域１とｎ^+型バッファ層２とによるＰＮ接合によって寄生ダイオードが形成されることになるが、この寄生ダイオードのうち実際のデバイスではフローティング状態となる各ｎ^+型バッファ層２が抵抗１３を介して接続された構成とする。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 7 is formed on a surface of the n^--type substrate 1, and through contact holes 7a and 7b, a cathode electrode 8 is electrically connected to the n^+-type doped Poly-Si 5 and an anode electrode 9 is electrically connected to the p^+-type impurity layer 2.例文帳に追加

また、ｎ^-型基板１の表面に、層間絶縁膜７を形成し、コンタクトホール７ａ、７ｂを通じて、ｎ^+型ドープトＰｏｌｙ−Ｓｉ５と電気的に接続されるようにカソード電極８を備えると共に、ｐ^+型不純物層２と電気的に接続されるようにアノード電極９を備える。 - 特許庁

The surface part 3 of an n-type semiconductor substrate 2, including an overflow barrier layer 4, is removed at least by the thickness of an impurity contamination region 31 before formation of a high resistance semiconductor region 5, after the removal of an implanted oxide film 30 of the surface part 3 of the n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２の表面部３のインプラ酸化膜３０の除去後、高抵抗半導体領域５の形成前に、オーバーフローバリア層４を含むｎ型半導体基板２の表面部３を不純物汚染領域３１の厚さ以上の厚さ除去する。 - 特許庁

The MOS capacitor uses an n-type diffusion region 2 formed on the top face of a p-type silicon substrate 1 as a bottom electrode, a gate insulation film 3 formed above the n-type diffusion region 2 as a dielectric layer, and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3 as a top electrode.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタは、Ｐ型シリコン基板１の上面部に形成されたＮ型拡散領域２を下部電極とし、その上に形成されたゲート絶縁膜３を誘電体層とし、当該ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４を上部電極としている。 - 特許庁

In an optical information recording medium, N information layers (N: an integer of at least 2), which have the recording layer capable of recording information by the phase change of a crystal state and an amorphous state caused by the incidence of light.例文帳に追加

短波長領域でも高透過率を維持でき、３層以上の記録層を設けることが可能であり、オーバーライト特性が優れ、青紫色レーザーを用いた場合でも片面多層記録が可能な大容量の多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法を提供する。 - 特許庁

A heavily doped transparent thin film 6 made of a GZO thin film, AZO thin film, or IZO thin film having carrier concentration higher than that of the n-type ZnO substrate 3 is interposed between the p-type GaN layer 24 and the n-type ZnO substrate 3 at the LED thin-film section 2.例文帳に追加

ＬＥＤ薄膜部２におけるｐ形ＧａＮ層２４とｎ形ＺｎＯ基板３との間にｎ形ＺｎＯ基板３よりもキャリア濃度が高濃度のＧＺＯ薄膜もしくはＡＺＯ薄膜もしくはＩＺＯ薄膜からなる高濃度透明薄膜６を介在させてある。 - 特許庁

At least either of the stator 20 and the rotor 30 is constituted as a laminate structure formed by rotatively laminating a plurality of laminations, and, assuming that the number of stator poles is P and the number of phases is N, the lamination angle of each layer lamination is set at angle excluding multiple angles of 360 degrees/(P/N).例文帳に追加

ステータ（２０）とロータ（３０）のうち少なくとも何れか一方は、複数のラミネーションを回転積層した積層構造として構成され、ステータポール数をＰ、相数をＮとしたとき、各層のラミネーションの積層角度は３６０度／（Ｐ／Ｎ）の倍数角を除く角度に設定されている。 - 特許庁

Grains dispersed into a surface hardened layer formed on the surface of a base material consisting of a high Cr ferrous material containing 10 to 29% Cr and 0.1 to 1.2% Cr, consist of granular Fe-Cr-N having the maximum grain size of ≤10 μm, and the area ratio thereof is 10 to 40%.例文帳に追加

１０〜２９％のCrと０．１〜１．２％のCを含有する高Cｒ鉄系材料からなる母材表面に形成された表面硬化層に分散された粒子が最大粒子径が１０μm以下の粒子状Fe-Cr-Nからなり、その面積率が１０〜４０％である。 - 特許庁

The iron-silicide light emitting element has an n-type low resistance silicon (111) substrate 1, the continuous film 2 of the β-FeSi_2 composed of a continuous layer formed on the n-type low resistance silicon (111), and a p-type silicon film formed on the continuous film of the β-FeSi_2.例文帳に追加

鉄シリサイド発光素子において、ｎ型低抵抗シリコン（１１１）基板１と、このｎ型低抵抗シリコン（１１１）基板１に形成される連続層から成るβ−ＦｅＳｉ_2 連続膜２と、このβ−ＦｅＳｉ_2 連続膜上に形成されるｐ型シリコン膜とを有する。 - 特許庁

In the method for storing the coating liquid for an intermediate layer of an electrophotographic photoreceptor containing N-alkoxymethylated nylon, the coating liquid containing the N-alkoxymethylated nylon is stored under temperature control in the range of 22±2°C.例文帳に追加

Ｎ−アルコキシメチル化ナイロンを含有する電子写真感光体中間層用塗工液の保存方法において、Ｎ−アルコキシメチル化ナイロンを含有する塗工液を２２±２℃の範囲に温度コントロールして保存することを特徴とする電子写真感光体中間層用塗工液の保存方法。 - 特許庁

A second trench 111 is formed on a surface of the n-type layer 106 in a region opposing a part of the auxiliary electrode 109 with a depth reaching the auxiliary electrode 109, and an n-pad electrode 107 is formed on the auxiliary electrode 109 exposed on a bottom face of the second trench 111.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９の一部と対向する領域に、その補助電極１０９に達する深さの第２の溝１１１が形成され、第２の溝１１１の底面に露出した補助電極１０９上にｎパッド電極１０７が形成されている。 - 特許庁

In a state wherein phosphorus occupying holes of boron is present higher than the atom density of boron occupying holes of phosphorus of boron in the undoped state, n-type impurities of a group IV or VI element to obtain an n-type boron-phosphide based compound semiconductor layer.例文帳に追加

また、アンドープ状態で硼素のリンの空孔を占有する硼素の原子濃度以上に、硼素の空孔を占有するリンが存在する状況下で、更に第ＩＶ族元素または第ＶＩ族元素のｎ形不純物を添加してｎ形のリン化硼素系化合物半導体層を得る。 - 特許庁

Furthermore, when a structure compounding a P-N junction and a Schottky junction is employed by further providing an anode electrode making Schottky connection with the n-type layer 1, such an effect as the voltage can be reduced when the current rises can be attained through Schottky junction.例文帳に追加

さらには、ｎ型層１とショットキー接続されるアノード電極をさらに設けることによって、Ｐ−Ｎ接合とショットキー接合とが複合してなる構造とすることで、ショットキー接合に由来する、電流立ち上がり時の電圧を小さくできるという効果も併せて得ることができる。 - 特許庁

A gate array cell and a clamp diode Dn are formed in a logical section, and the n^+ semiconductor area 13nd of the clamp diode Dn and all or a part of a gate electrode 10B of a n-channel MISFET in the logical section are connected by using a conductive film BLD on the same layer as a bit line BL.例文帳に追加

論理部にゲートアレイセルとクランプダイオードＤｎとを形成し、クランプダイオードＤｎのｎ^+半導体領域１３ｎｄと論理部のｎチャネルＭＩＳＦＥＴのゲート電極１０Ｂの全てまたは一部とをビット線ＢＬと同一層の導体膜ＢＬＤにより接続する。 - 特許庁

When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1.例文帳に追加

入出力パッドＩ／Ｏに接地端子ＧＮＤに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドＩ／ＯからＰ^＋拡散層ＰＤ１−ＮウェルＮＷ１の順方向ダイオードを経由してＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭＯＳのブレークダウン電流Ｉｔｒｉｇが流れる。 - 特許庁

An n-type impurity doped region 1a is formed on an Si substrate 1, and an interface to a GaN layer 2 mainly formed on a part of the Si substrate 1 that has no n-type impurity doped region 1a formed thereon serves as the light-receiving region, so that carriers are separated at this interface.例文帳に追加

Ｓｉ基板１に、ｎ型不純物ドープ領域１ａが形成され、主としてｎ型不純物ドープ領域１ａが形成されていないシリコン基板１上に積層されたＧａＮ層２との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。 - 特許庁

An optical distance D1 of a semiconductor layer 47 satisfies (2×D1)/λ=(1/2π)Φ1+N (N: an integer larger than 0), where Φ1 represents a phase shift amount on an interface formed with an insulating film 46s, and λ represents the center wavelength of incident light H.例文帳に追加

半導体層４７の光学的距離Ｄ１が、絶縁膜４６ｓとの界面における位相シフト量Φ１、および、入射する光Ｈの中心波長λとの関係において、（２×Ｄ１）／λ＝（１／２π）Φ１＋Ｎ（Ｎは、０以上の整数）を満たすように形成する。 - 特許庁

The light emitting element 100 has its light extraction efficiency improved as compared with a configuration wherein only fine unevenness 109 is provided since a surface of an n-type layer 106 on the side of n-type electrodes 107 is subjected to unevenness processing in two stages of recessed portions 108 and fine unevenness 109 which differ in depth and width.例文帳に追加

発光素子１００は、ｎ型層１０６のｎ電極１０７側の面に、凹部１０８と微細な凹凸１０９とによる、深さ、幅の異なる２段階の凹凸加工が施されているため、微細な凹凸１０９のみを施した場合に比べて光取り出し効率が向上している。 - 特許庁

In forming pit string patterns, a photosensitive layer is exposed by a first light spot which exposes the pit patterns and a second light spot which exposes grooves partly overlapping the side parts of the pit patterns apart a distance of approximately n/2 (where n is an integer) of the track pitch in the radial direction from the first light spot.例文帳に追加

ピット列パターンを形成するに際し、ピットパターンを露光する第１の光スポットと、第１の光スポットとは半径方向にトラックピッチの略ｎ／２（ただし、ｎは整数である。）の距離を隔てピットパターンの側部に一部重なるグルーブを露光する第２の光スポットとにより感光層を露光する。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 includes P^--type drift layers 7 and N^--type resurf layers 8 that are alternately disposed on the silicon substrate 2, an N-type base region 9 formed on the drift layers 7 and the resurf layers 8, and P^+-type source regions 10 formed in surface portions of the base region 9.例文帳に追加

半導体層３は、シリコン基板２の上に、交互に配列されたＰ^-型のドリフト層７およびＮ^-型のリサーフ層８、ドリフト層７およびリサーフ層８の上に形成されたＮ型のベース領域９、ならびにベース領域９の表層部に形成されたＰ^+型のソース領域１０を含んでいる。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor using a laser having an oscillation wavelength in the range of 380-500 nm as a light source for exposure, an N,N'-bisenamine compound of formula (1) is contained as a charge transfer material 3 in a charge transfer layer 6 on an electrically conductive support 1.例文帳に追加

発振波長が３８０〜５００ｎｍの範囲にあるレーザを露光光源として使用される電子写真感光体において、導電性支持体１上の電荷移動層６に、電荷移動物質３として一般式（１）で示されるＮ，Ｎ’−ビスエナミン化合物を含有させる。 - 特許庁

A recess is formed on the main surface of a single-crystal silicon substrate 101 so as to form a trench, n+ diffusion layers 117 as a pair of counter electrodes are formed by sandwiching the trench in the face direction of the substrate, and an n+ diffusion layer 117 is formed in a direction at right angles to the face direction of the substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０１の主表面に凹部，トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対の対向電極としてのｎ＋拡散層１１７を形成するとともに、基板面方向に直交する方向にｎ＋拡散層１１７を形成する。 - 特許庁

Here, a depletion layer is made at the interface (that is, the P-N junction face) between the n-type silicon substrate 101 and a p-type epitaxial film 102, so the parasitic capacity C8 and C9 in the vicinity of this interface becomes very small, therefore, the composite capacity of the noise propagation passage at large becomes small.例文帳に追加

ここで、Ｎ型シリコン基板１０１とＰ型エピタキシャル薄膜１０２との界面（すなわちＰＮ接合面）には、空乏層が形成されるので、この界面付近の寄生容量Ｃ_8 ，Ｃ_9 は非常に小さくなり、このためノイズ伝搬経路全体の合成容量も小さくなる。 - 特許庁

Then, a first insulating film 2 is deposited on the structure and, after an n+- source area 64 and an n+-drain area 66 are formed by implanting As and P ions into the structure and annealing the structure at 600-1,000°C, a second insulating layer 72 is deposited by the CVD method and the structure is metallized.例文帳に追加

構造体上に第１絶縁層６２を堆積し、Ａｓ、Ｐをイオン注入し６００〜１０００℃で焼鈍してｎ^＋ソース領域６４とｎ^＋ドレイン領域６６を形成した後、ＣＶＤ法で第２絶縁層７２を堆積し、前記構造体を金属化する。 - 特許庁