| 例文 |
phase diffusionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 272件
The semiconductor device comprises a pillar transistor Tr1, and a polysilicon layer 10a which supplies a signal or power to a diffusion layer 7a underlying the pillar transistor Tr1, and controls the channel length d1 of the pillar transistor Tr1 by the thickness by forming the underlying diffusion layer 7a through solid phase diffusion from the polysilicon layer 10a.例文帳に追加
ピラートランジスタTr1と、前記ピラートランジスタTr1の下部拡散層7aへ信号または電源を供給するとともに、ポリシリコン層10aからの固相拡散し、下部拡散層7aを形成することにより、前記ピラートランジスタTr1のチャネル長d1を厚みにより制御する前記ポリシリコン層10aと、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a welding joint having an excellent tensile strength characteristics by applying a liquid-phase diffusion welding to a heat-resistant steel or a stainless steel in an oxidizing atmosphere, and to provide a method for welding the joint.例文帳に追加
耐熱鋼、ステンレス鋼に対し酸化雰囲気中の液相拡散接合により優れた引張強度特性を有する接合継手とその継手の接合方法を提供する。 - 特許庁
To provide a steel structure produced by butt-jointing hollow steels such as steel pipes or the like or a hollow steel and a steel having a given shape to each other by the liquid-phase diffusion welding, and a production method therefor.例文帳に追加
鋼管等の中空鋼同士または中空鋼と任意の形状を有する鋼を液相拡散接合で突き合わせ接合した鋼構造体とその製造方法を提供する。 - 特許庁
This method is also adapted to a case in which the advancing state of the liquid phase diffusion joining due to an insert material 12 is monitored, when the insert material is inserted in the gap between the metal materials to control joining quality.例文帳に追加
また、インサート材が介挿されているときに、そのインサート材による液相拡散接合の進行状況をモニタリングし、接合品質を管理するものにも適用される。 - 特許庁
To provide an epitaxial crystal that can be manufactured utilizing an organic metal vapor phase growth method, and has a modulation doped structure with less Zn diffusion into an adjacent layer, and to provide a light-receiving element.例文帳に追加
有機金属気相成長法を利用して製造可能で、隣接層へのZn拡散の少ない変調ドープ構造を有するエピタキシャル結晶及び受光素子を提供する。 - 特許庁
To continuously manufacture metallic products with high yield by joining one end part of cylindrical or columnar metallic parts to the flat part of the metallic parts by a liquid phase diffusion joining method.例文帳に追加
液相拡散接合法により、円筒状又は円柱状の金属部品の片端部を、金属部品の平面部に接合して、連続的に歩留まり高く金属製品を製造する。 - 特許庁
To provide a mechanism appropriately promoting diffusion of a solar light use apparatus by resolving or reducing obstacles in an information phase obstructing the introduction of the solar light use apparatus.例文帳に追加
太陽光利用装置の導入を妨げる情報面における障害を解消もしくは軽減することで、太陽光利用装置の普及を適正に促す仕組みを提供する。 - 特許庁
The high viscous ground improvement agent 3 and the low viscous ground improvement agent 4 are substituted for the ground water in the ground 7 by vanishing ethanol in a liquid phase through an advective diffusion phenomenon.例文帳に追加
高粘性地盤改良材3、低粘性地盤改良材4は、液相中のエタノールが移流拡散現象によって消失し、地盤7中の地下水に置換される。 - 特許庁
Both masks are defined based on a region (a diffusion region, for example) in a different layer of the integrated circuit layout than the structure (the gate, for example) being created with the phase shifting process.例文帳に追加
これらのマスクはともに、集積回路レイアウトの、位相シフト処理で作成している構造(例えばゲート)とは異なる層中の領域(例えば拡散領域)に基づいて区画される。 - 特許庁
To provide a magnetic recording medium having hard magnetism without increasing transformation temperature by preventing diffusion of an element e.g. Si, etc., which lowers magnetic characteristics when a regular phase is obtained.例文帳に追加
規則相を得る際にSi等の磁気特性を低下させる元素の拡散を防ぐことで、変態温度を上昇させる事無く硬磁性を有する磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁
The diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductor containing Ga indispensably as a group III element is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加
また、発光層部24の上に、III族元素としてGaを必須とするIII−V族化合物半導体よりなる電流拡散層7をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁
A rake combining means 117 performs rake processing of transmission path estimation, phase amplitude correction, and back diffusion processing for each signal corresponding to each path, and combines a plurality of signals whose rake processing has been performed.例文帳に追加
レイク合成手段117が、各パスに対応する信号ごとに伝送路推定、位相振幅補償、逆拡散処理のレイク処理を行い、レイク処理された複数の信号を合成する。 - 特許庁
To provide a high-temperature member with a coating applied thereon, which can suppress mutual diffusion of elements occurring through a base material/alloy phase boundary even at high temperature of ≥1,100°C.例文帳に追加
1100℃あるいはこれを超えるような高温でも基材/合金相界面を通して起こる元素の相互拡散を抑制できるコーティングを施した高温部材の提供。 - 特許庁
To provide a method for inexpensively manufacturing a metal precision mechanical component which is assembled and formed by liquid phase diffusion welding by simplified manufacturing processes and a metal precision mechanical component.例文帳に追加
液相拡散接合により組み立て成型した金属製精密機械部品を簡素化された製造工程で、低コストで製造可能な金属製精密機械部品を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting device capable of forming end surface window structure by Zn solid phase diffusion which can be performed in low temperature and short time, furthermore is independent of thickness.例文帳に追加
本発明は、低温、短時間、膜厚に依存しないZn固相拡散により端面窓構造を形成できる半導体発光素子の製造方法を提供するものである。 - 特許庁
To correctly infer a phase modulation series by effectively detecting the reverse diffusion synchronous timing from direct spread spectrum signal, even when the S/N ratio is small caused by poor state of radio waves.例文帳に追加
電波の状態が悪くS/N比が小さい場合であっても、直接スペクトル拡散信号から逆拡散の同期タイミングを効率よく検出し、位相変調系列を正しく推定する。 - 特許庁
The carrier search part 1000 separates the received signal into an in-phase channel signal and an orthogonal channel signal, and it performs a real fast Fourier transform operation after it performs a spectrum back-diffusion processing operation.例文帳に追加
キャリアサーチ部1000は、受信信号を同相チャネル信号と直交チャネル信号に分離し、スペクトル逆拡散処理を行なった後に、実高速フーリエ変換を行なう。 - 特許庁
This semiconductor device is provided with a circuit 6 for phase compensation which uses an MOS capacitance of a structure, having an insulating film between a gate electrode formed on a semiconductor substrate and a diffusion layer, wherein the circuit for phase compensation consists of first and second MOS capacitances 14, 15.例文帳に追加
半導体基板上に形成されたゲート電極と拡散層間に絶縁膜を有する構造のMOS容量を用いた位相補償用回路6を備え、位相補償用回路は第1および第2のMOS容量14、15により構成される。 - 特許庁
To provide a catalyst electrode forming a three phase interface which does not damage reaction gas permeability in a gas diffusion electrode of a polymer electrolyte fuel cell, and capable of stably supplying reaction gas to the three phase interface during power generation.例文帳に追加
固体高分子型燃料電池のガス拡散電極における反応ガス透過性を損なうことがない三相界面を形成させ、発電時に安定した反応ガス供給を三相界面に対して行うことができる触媒電極を提供する。 - 特許庁
A laminate is preparedin which a gas diffusion layer 14b is arranged on an electrolyte via a catalyst; a press machine 52 is used which has an uneven shape in a phase opposite to a prescribed uneven shape in a press face; and the laminate is pressed from a face of the gas diffusion layer 14b side.例文帳に追加
電解質上に触媒を介してガス拡散層14bを配置した積層体を用意し、プレス面に前記所定の凹凸形状と逆位相の凹凸形状を有するプレス機52を用いて、前記積層体を前記ガス拡散層14b側の面から押圧する。 - 特許庁
The time to reduce the metallic element content within a metallic element diffusion treatment layer to 3-5 wt.% is predicted in a plane analysis by utilizing a behavior of an increase in the ratio of an area occupied by an island-shaped low metallic element concentration phase distributed within the metallic element diffusion treatment layer.例文帳に追加
面分析により、金属元素の拡散処理層内にて島状に分布する低金属元素濃度相が占める面積率の増加挙動を利用してこの金属元素拡散処理層内の金属元素含有率が3〜5重量%にまで低下する時期を予測する。 - 特許庁
The molding die for glass has such a layered structure that an electrically conductive layer deposited by a vapor phase method, a metal-plated layer formed by electroplating and a diffusion preventing layer for preventing the diffusion of lower-layer constituent components at the least are layered in this order on the surface of the base material part of the molding die.例文帳に追加
型基材部表面に、気相法により形成された導電層と、電気めっきにより形成された金属めっき層と、少なくとも下層構成成分の拡散を防止する拡散防止層とがこの順に積層された積層構造を有するガラス成形型とする。 - 特許庁
The Ag paste for liquid phase diffusion bonding, which is used when performing liquid phase diffusion bonding of the metal members made from aluminum or aluminum alloy, includes a metal powder component containing Ag and Cu, a resin, and a solvent, and a mass ratio Cu/Ag of Ag and Cu in the metal powder component is set up within a range of 1/9≤Cu/Ag≤4/6.例文帳に追加
アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材を液相拡散接合する際に使用される液相拡散接合用Agペーストであって、AgおよびCuを含む金属粉末成分と、樹脂と、溶剤と、を含み、前記金属粉末成分におけるAgおよびCuの質量比Cu/Agが、1/9≦Cu/Ag≦4/6の範囲内に設定されていることを特徴とする。 - 特許庁
To provide an improved optical analysis system for enhancing the response speed and sensitivity by increasing a surface area of a solid phase, reducing the diffusion length and reinforcing optical coupling to an excitation light source between the solid phases and coupling between the solid phase and a detected object.例文帳に追加
固相の表面積の増加、拡散距離の低下、および固相間の励起光源に対する光学的結合ならびに固相と検出物との結合の強化により反応速度および感度が向上した改善された光学的分析システムを提供するものである。 - 特許庁
To provide an improved optical analytical system of enhanced reaction rate and sensitivity, by increasing a surface area of a solid phase, by reducing a diffusion distance, and by making firm optical coupling to an excitation light source between the solid phases, and coupling between the solid phase and a detected object.例文帳に追加
固相の表面積の増加、拡散距離の低下、および固相間の励起光源に対する光学的結合ならびに固相と検出物との結合の強化により反応速度および感度が向上した改善された光学的分析システムを提供するものである。 - 特許庁
The light emission layer portion 24 is formed by metal organic chemical vapor deposition, and the current diffusion layer 7 whose conductivity type is n-type is formed on the light emission layer portion 24 by hydride vapor-phase deposition.例文帳に追加
発光層部24は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部24の上に導電型がn型とされる電流拡散層7をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁
A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained.例文帳に追加
この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は450℃〜650℃程度であり、半導体膜9内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。 - 特許庁
To provide a method and a device for liquid phase diffusion bonding capable of enhancing the bonding efficiency for efficiently bonding ends of two tubes to be bonded to both ends of the other tubes to be bonded, shortening the bonding time, and enhancing the bonding uniformity.例文帳に追加
被接合管材の両端部に他の2つの被接合管材の端部をそれぞれ接合する接合の作業効率を向上させ接合時間を短縮し接合均一性を向上させる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a metal precision mechanical component by liquid phase diffusion welding in assembling the mechanical component internally having complicated and precise pipe lines for carrying liquid and lightening weight.例文帳に追加
内部に複雑かつ精密な流体搬送用、重量軽減用の管路を有する機械部品の組み立て時の液相拡散接合による金属製精密機械部品の製造方法を提供する。 - 特許庁
Co group alloy 13 having ball-shaped or granular eutectic carbide is liquid-phase-diffusion-bonded to the region having the sealing function of an intake and exhaust valve 5 and a valve seat 6 for the cylinder 10 of the engine.例文帳に追加
エンジンのシリンダ10に対する給排気バルブ5とバルブシート6のシール機能を有する部位に、球状又は粒状の共晶炭化物を有するCo基合金13を液相拡散接合した。 - 特許庁
To provide a liquid phase diffusion welding method by which the positioning of mutual welding end parts is easily performed with high accuracy without generating excessive tensile stress on piping to be obtained.例文帳に追加
得られる配管に過大な引っ張り応力を生ずることがなく、接合端部同士の位置合わせを高い精度で簡便に行うことを可能にする液相拡散接合方法を提供する。 - 特許庁
To provide a producing method of R-Fe-B based sintered magnet raw material alloy powder free from B enriched phase, which is generated by the local existence of B and has a particle diameter of not less than several ten μm, by the reduction diffusion method.例文帳に追加
還元拡散法によって、Bの局在により生成する粒径数十μm以上のBリッチ相の無いR−Fe−B系焼結磁石原料合金粉末の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a metal precision mechanical component by liquid phase diffusion welding when assembling the mechanical component which internally has complicated and precise pipe lines for carrying liquid and lightening weight.例文帳に追加
内部に複雑かつ精密な流体搬送用、重量軽減用の管路を有する機械部品の組み立て時の液相拡散接合による金属製精密機械部品の製造方法を提供する。 - 特許庁
The gas diffusion electrode is manufactured by a manufacturing method having a process for form a metal or its compound on a part or whole of the surface of the conductive porous body by a gas phase method.例文帳に追加
このガス拡散用電極は、導電性多孔体の表面の一部又は全部に金属又はその化合物を気相法により形成させる工程を備えた製造方法によって製造される。 - 特許庁
The three-dimensional image display screen system includes a hologram screen (or diffusion screen) 12 and a plurality of volume phase type hologram lenses 11 which diffract irradiated light rays into specified directions, respectively.例文帳に追加
3次元像表示用スクリーンシステムは、ホログラムスクリーン(または拡散スクリーン)12と、照射された光線をそれぞれ特定の方向に回折させる複数の体積位相型ホログラムレンズ11とが設けられている。 - 特許庁
A pressure is applied between the opposing electrodes 12 and the wiring pattern 22 to subject the materials of the electrodes 12 and the wiring pattern 22 to solid phase diffusion and to join the electrodes 12 and the wiring pattern 22.例文帳に追加
対向した電極12及び配線パターン22間に圧力を加え、電極12及び配線パターン22の材料を固相拡散させて、電極12及び配線パターン22を接合する。 - 特許庁
To provide a liquid phase diffusion welding method for a steel bar completing an isothermal solidification process in an extremely shorter time than that in the gas pressure welding of a prior art and obtaining a weld joint excellent in bending strength.例文帳に追加
従来のガス圧接よりも極めて短い時間で等温凝固過程を完了し、かつ曲げ強度に優れた接合継手が得られる、棒鋼の液相拡散接合方法を提供する。 - 特許庁
To provide an alloy for liquid-phase diffusion bonding capable of bonding both Ni-based heat resistance alloy material and Fe-based steel material, capable of obtaining sufficient bonding strength, and also having a low melting point.例文帳に追加
Niをベースとした耐熱合金材及びFeをベースとした鋼材のいずれも接合可能であり、十分な接合強度が得られ、かつ低融点の液相拡散接用合金を提供する。 - 特許庁
Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer.例文帳に追加
半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース/ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。 - 特許庁
To provide a metal wiring and a method of manufacturing the same employing liquid phase method for dissolving further a trouble due to diffusion while having flatness, a thin film transistor prevented from the deterioration of characteristics caused by diffusion and the deterioration of the flatness, and an electro-optical device and an electronic apparatus which are equipped with the thin film transistor.例文帳に追加
液相法を用いて形成され、さらに拡散による不都合を解消するとともに、平坦性をも有した金属配線とその製造方法、さらには拡散や平坦性の低下に起因する特性の低下を防止した薄膜トランジスタと、これを備えた電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁
A rich dispersion liquid for the gas diffusion electrode and its manufacturing method are obtained by adding a 3% to 30% non-ion surface- active agent into the dispersion liquid for gas diffusion and by heating up to a temperature higher than a cloud point the dispersion liquid containing the surface-active agent to separate in phase.例文帳に追加
ガス拡散電極用分散液に3%〜30%非イオン界面活性剤を含有させ、該非イオン性界面活性剤含有分散液をその曇点以上の温度に加温し相分離させ、分離した下部を分取して得たことを特徴とする濃厚なガス拡散電極用分散液、及びその製造方法。 - 特許庁
Source and drain regions of the Fin structure field effect transistor are formed by solid phase diffusion positively using impurity injection after the formation of a contact hole 13 and the ooz-out of impurities from a polysilicon contact plug 14.例文帳に追加
Fin構造電界効果トランジスタのソース及びドレイン領域を、コンタクトホール13形成後の不純物注入とポリシリコンコンタクトプラグ14からの不純物染み出しを積極的に利用し、固相拡散により形成する。 - 特許庁
To provide a method capable of obtaining diffusion aluminide coatings of approximately equal thicknesses by simultaneously vapor-phase aluminizing a nickel base superalloy and a cobalt-base superalloy in a single process chamber by using the same aluminum donor and activator.例文帳に追加
同じアルミニウム供与体と賦活体を用いて単一のプロセスチャンバ内でニッケル基超合金とコバルト基超合金を同時に気相アルミナイズして、ほぼ等しい厚さの拡散アルミニウム化物コーティングを得る方法。 - 特許庁
To provide rare earth-iron-manganese-nitrogen based magnet powder that has a remarkably decreased Fe rich phase, and has an excellent square property, and to provide a method for manufacturing the powder at low cost by a reduction diffusion method.例文帳に追加
Feリッチ相が大幅に減少し、良好な保磁力と優れた角形性を有する希土類−鉄−マンガン−窒素系磁石粉末およびそれを還元拡散法で安価に製造する方法を提供。 - 特許庁
To provide a large area optical element that incorporates various optical functions (such as, antireflection function, polarized light separation function, phase conversion function, light diffusion function) and is manufacturable at low cost, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
複数の光学機能(例えば、反射防止機能、偏光分離機能、位相変換機能、光拡散機能など)を併せ持った、廉価に製造可能な広い面積の光学素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The reflective liquid crystal display device is provided with a polarizing plate 3, a phase difference plate 4, a diffusion plate 5, a color filter 6, a transparent electrode 7, a liquid crystal layer 8 and a reflection electrode 9 between the two glass substrates 1, 2 placed opposite to each other.例文帳に追加
反射型液晶表示器は、2枚の対向するガラス基板1,2間に、偏光板3、位相差板4、拡散板5、カラーフィルタ6、透明電極7、液晶層8、反射電極9を有している。 - 特許庁
A three-phase interface of solid-liquid-gas is formed between with respect to the detection target compound gas moved through an acting electrode 7 by diffusion at the boundary of the acting electrode 7 and an electrolyte 12 and the detection target compound gas is made to react at the three-phase interface to allow a current to flow to the acting electrode 7.例文帳に追加
作用電極7と電解液12との境界では、作用電極7内を拡散で移動した検出対象化合物ガスとの間で、固体−液体−気体の三相界面が形成されており、検出対象化合物は三相界面で反応し、作用電極7に電流が流れる。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method.例文帳に追加
赤外レーザの動作電流の増大、n型クラッド層によるAlGaAs活性層の欠陥の発生、さらに、Znの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのIn拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a recording method utilizing the reaction diffusion, in which a phase change method and/or magneto-optical method as recorded by causing reaction diffusion of a dielectric layer and a recording layer by a laser beam, and to provide a recording medium utilizing this recording method and a recording and reproducing apparatus for recording information on the recording medium and reproducing recorded information.例文帳に追加
レーザービームによって誘電体層と記録層との反応拡散を発生させて相変化方法及び/又は光磁気方法の記録ができる反応拡散を利用する記録方法、この方法を利用する記録媒体及びこの記録媒体に情報を記録し、記録された情報を再生することができる記録再生装置を提供する。 - 特許庁
To provide a gas chamber material of a gas diffusion electrode which is capable of using a shape memory alloy to perform the specified phase transition by the temperature as the gas chamber material, unnecessary for compression during the assembly, easy in assembly when many stacks are laminated, easy to obtain the firm pressing pressure during the operation, and capable of surely achieving the energization between a gas diffusion electrode and a frame.例文帳に追加
温度によって特定の相変態をする形状記憶合金をガス室材として使用して、組立時に圧縮する必要がなく、多くのスタックを重ねる場合も組立てが容易であり、しかも運転時には強固な押し付け圧が得やすく、ガス拡散電極とフレームの間の通電を確実に行えるガス拡散電極のガス室材を提供する。 - 特許庁
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