「phase structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a signal distribution phase switching circuit for preventing reduction in the flexibility of a null beam pattern, while maintaining an effect of a tree structure as it is.例文帳に追加

本発明の目的は、ツリー構造の効果は維持したまま、ヌルビームパターンの自由度の減少を防ぐ信号分配位相切り換え回路を提供することである。 - 特許庁

A film forming technique of a honeycomb porous thin film using waterdrops as a casting mold is used as a fundamental technique and a phase separation and thermal transfer method are combined with this technique to obtain the structure having a cyclicity other than a honeycomb structure, that is, a structure having the microring or microrod pattern by the degree of a heating temperature or the structure having this pattern.例文帳に追加

水滴を鋳型とするハニカム多孔質薄膜の製膜技術を基礎として、これに相分離および熱転写法を組み合わせることによって、ハニカム構造以外の周期性を有する構造、すなわち、加熱温度の高低によって、マイクロリングあるいはマイクロドットパターンないしはこのパターンを有する構造体を得るのに成功した。 - 特許庁

The thermoplastic semiconductive material consists of a continuous phase composed of a thermoplastic polymer composition containing a thermoplastic polymer which has a hydrophilic segment in the molecular structure, and of which equilibrium moisture absorptivity at 23°C and 65% RH is 0.40-2.5% by mass, and a disperse phase which is dispersed in the continuous phase and is composed of a rubber composition having conductive property.例文帳に追加

分子構造中に親水性セグメントを有し、２３℃、６５％ＲＨにおける平衡吸湿率が０．４０〜２．５質量％である熱可塑性ポリマーを含有する熱可塑性ポリマー組成物からなる連続相と、前記連続相中に分散した、導電性を有するゴム組成物からなる分散相とからなる熱可塑性半導電材料。 - 特許庁

A polyarylene based copolymer can enhance oxidation resistance because the sulfonic acid group is separated from the main chain, and furthermore the sulfonic acid groups gather and form one phase by forming a micro phase separation structure, an ion exchange amount is improved by the phase, and it becomes the polymer electrolyte film 2 having superior proton conductivity.例文帳に追加

ポリアリーレン系共重合体は、スルホン酸基が主鎖から離れているため、耐酸化性を高めることができ、またミクロ相分離構造を形成することによりスルホン酸基同志が集まって１つの相を形成することになり、該相によりイオン交換量を向上させ、優れたプロトン伝導性を有する固体高分子電解質膜２となる。 - 特許庁

Thus, the ferroelectric film having a specific crystal orientation can be formed, phase transited to a ferroelectric phase without changing the crystal structure by heat treating at a higher temperature than the film forming temperature or the Curie temperature and treating once to a paraelectric phase, and the ferroelectric film in which spontaneous polarization bearing of each domain can be obtained.例文帳に追加

特定の結晶配向を有する強誘電体膜が成膜でき、成膜温度あるいはキュリー温度よりも高温で熱処理して一旦常誘電相とする処理を行うことにより、結晶構造を変えることなく強誘電相へ相転移され、各ドメインの自発分極方位が揃った強誘電体膜を得ることができる。 - 特許庁

The almost cylindrical plug material constitutes a center electrode of an ignition plug and includes a boundary phase of a first metal and a cell phase of a second metal partitioned from the boundary phase in its sectional structure.例文帳に追加

本発明は、点火プラグの中心電極を構成する略円柱形状のプラグ材料であって、その断面構造において、第１の金属からなる境界相と、前記境界相により区分された第２の金属からセル相からなり、前記第１の金属と前記第２の金属とは、耐火花消耗性の異なる金属であるプラグ材料である。 - 特許庁

A base layer 1 of the endless belt for electrophotographic equipment comprises a sea-island structure formed by forming a coating film of fluid dispersion prepared by dispersing and containing a solution of a resin B or rubber showing no phase compatibility with resin A in a solution of the resin A, the resin A being a sea phase and the resin B or rubber being an island phase.例文帳に追加

電子写真機器用無端ベルトの基層１が、樹脂Ａの溶液中に、上記樹脂Ａに対し非相溶性を示す樹脂Ｂもしくはゴムの溶液を分散含有させた分散液を塗膜化してなる、上記樹脂Ａを海相とし上記樹脂Ｂもしくはゴムを島相とする海−島構造体によって形成されている。 - 特許庁

A simplified structure and lower cost in phase change memory can be achieved by arranging an intermediate layer 20, which contains silicon and at least one kind of element constituting a phase change material, between a recording layer 18 comprising the phase change material and an n^+ type polysilicon film 15 and reducing a contact resistance between the recording layer 18 and the n^+ type polysilicon film 15.例文帳に追加

相変化材料からなる記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との間に、相変化材料を構成する元素の少なくとも一種とシリコンとを含有する中間層２０を配置し、記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との接触抵抗を低減することにより、相変化メモリの構造の簡素化と低コスト化を実現する。 - 特許庁

In this cosmetic composition containing at least one fatty phase, a dispersion of particles of at least one polymer dispersed in the fatty phase and a semi-crystalline polymer having at least one organic structure whose melting point is ≥30°C, the fatty phase contains at least one volatile oil in an amount of <50 wt.%.例文帳に追加

少なくとも1種の脂肪相、前記脂肪相に分散させた少なくとも1種の重合体の粒子の分散体、および融点が30℃以上の少なくとも1種の有機構造の半結晶性重合体を含む化粧品用組成物であって、前記脂肪相が少なくとも1種の揮発性油を50重量%未満含むことを特徴とする化粧品用組成物。 - 特許庁

In the cast laminate for the magnetostriction material of a rare earth element-iron based alloy, the thickness is 0.1 to 2 mm, the structure in the cross-section consists mainly of an RT2 phase (R represents a rare earth element and T represents Fe or one or more kinds selected from transition elements including Fe) as the main phase, and a phase rich in R compared with the RT2.例文帳に追加

希土類元素−鉄系合金の超磁歪材用鋳造薄片で、その薄片の厚さは０．１〜２ｍｍであり、薄片の断面の組織が主として主相、ＲＴ２相（Ｒは希土類元素、ＴはＦｅまたはＦｅを含む遷移元素の１種以上）とＲＴ２よりもＲリッチな相からなる鋳造薄片である。 - 特許庁

The composite material is produced by (A) introducing one or a plurality of elements other than the constituting elements of the zeolite into the zeolite by a solid phase reaction, liquid phase reaction, gas phase reaction or simultaneous use of them and (B) calcinating the obtained reaction product at a temperature of collapsing the crystal structure of the zeolite and also forming the ceramic crystalline fine particles.例文帳に追加

これは、（A）ゼオライトの構成元素以外の１または複数の元素を、固相反応、液相反応、気相反応またはこれらの併用によりゼオライトに導入すること；（B）得られた反応生成物を、ゼオライトの結晶構造が崩壊しかつセラミックスの結晶微粒子が形成する温度で焼成することにより製造される。 - 特許庁

In a typical embodiment, the semiconductor structure includes: a quaternary material layer using a BAlGaN material system with a first conductivity type formed approximately without phase separation; a quaternary material active layer using a BAlGaN material system approximately without phase separation, and another quaternary material layer using a BAlGaN material system with a reverse conductivity type formed approximately without phase separation.例文帳に追加

典型的な実施形態では、半導体構造は、ほぼ相分離なく形成された第１導電型のBAlGaN材料系を用いた４元材料層と、ほぼ相分離のないBAlGaN材料系を用いた４元材料活性層と、ほぼ相分離なく形成された逆導電型のBAlGaN材料系を用いた別の４元材料層を備えている。 - 特許庁

The pitch of spirals of the molecular structure in the phase difference layer 12 is controlled in such a manner that the selective reflection wavelengths of the selective reflected light caused by the molecular structure is present in a different range from the wavelengths of the incident light entering the phase difference layer (that is, in the range where the selective reflection wavelengths are smaller or larger than the wavelengths of the incident light).例文帳に追加

位相差層１２は、分子構造に起因した選択反射光の選択反射波長が、位相差層１２に入射する入射光の波長と異なる範囲（選択反射波長が入射光の波長よりも小さくなるか又は大きくなる範囲）に存在するように分子構造の螺旋ピッチが調整されている。 - 特許庁

The optical member comprises a substrate having a curved face in at least a part thereof, and on the substrate a layer of single aluminum or a compound containing aluminum formed in a vapor phase and subjected to a hydrothermal treatment to form a concavo-convex structure on the outermost surface; and the optical member includes a dielectric layer between the substrate and the concavo-convex structure, the dielectric layer formed by vapor phase film formation.例文帳に追加

少なくとも一部に曲面を有する基材と、該基材上に、アルミニウム単体、及びアルミニウムを含む化合物の少なくともいずれかを気相成膜した層を水熱処理して最表面に凹凸構造を有してなり、前記基材と前記凹凸構造の間に、気相成膜により形成された誘電体層を有する光学部材である。 - 特許庁

This stress-luminescent material comprises an oxide of a tetragonal phase structure represented by general formula CaM^1Al_3O_7 (M^1 is Y, La and Gd), a luminescence center of Eu^2+, and furthermore, an impurity phase formed from a raw material of the oxide and a crystal of the oxide with a lattice defect structure wherein an atom represented by M^1 is deleted.例文帳に追加

一般式ＣａＭ^１Ａｌ_３Ｏ_７で表される正方相構造の酸化物（Ｍ^１は、Ｙ、ＬａまたはＧｄ）と、発光中心であるＥｕ^２＋とを含み、さらに上記酸化物の原料から形成される不純物相及びＭ^１で表される原子が欠損している格子欠陥構造である上記酸化物の結晶を含む応力発光材料。 - 特許庁

The optical modulation element comprises: a first area ratio variation structure in which the ratio of occupied areas in a phase modulation area in one unit region varies along a first direction; and a second area ratio variation structure in which the ratio of occupied areas in a phase modulation area in a unit region varies along a second direction different from the first direction.例文帳に追加

光変調素子は、単位領域内における位相変調領域の占有面積の比率が第１方向に沿って変化する第１面積率変化構造と、単位領域における位相変調領域の占有面積の比率が第１方向とは異なる第２方向に沿って変化する第２面積率変化構造とを有する。 - 特許庁

The iron based rare earth magnetic material includes Th_2Zn_17 type crystal structure or a ferromagnetic phase having Th_2Ni_17 type crystal structure wherein the ferromagnetic phase contains 0.5-10 atm% of element M (M is at least one kind selected from a group of P, As, Se and Bi).例文帳に追加

本発明の鉄基希土類磁性材料は、Ｔｈ_2Ｚｎ_17型結晶構造またはＴｈ_2Ｎｉ_17型結晶構造を有する強磁性相を含む鉄基希土類磁性材料であって、前記強磁性相が０．５原子％超１０原子％以下の元素Ｍ（Ｍは、Ｐ、Ａｓ、Ｓｅ、およびＢｉからなる群から選択された少なくとも１種）を含んでいる。 - 特許庁

The optical element changes the phase of transmission light by spatially modulating the height of at least a part of structures 2, has a finer structure than the wavelength of usage light and, therefore, attains the phase modulation of transmission light by using a fine structure having a narrower period than incident wavelength with different heights.例文帳に追加

本発明の光学素子は、少なくとも一部の構造体２の高さを空間的に変調させることにより透過光の位相を変化せしめるものであり、使用する光の波長よりも微細な構造を有するので、高さの異なる入射波長よりも周期の狭い微細構造により、透過光の位相変調を実現することができる。 - 特許庁

Also, the objective lens is formed with a phase difference adding structure for giving a phase difference to at least one of the luminous fluxes of the wavelengths λ1, λ2 are formed, and is provided with a concentric central area including the optical axis and a peripheral area covering this central area.例文帳に追加

また、波長λ１と波長λ２の光束の少なくとも一方に対して位相差を付与する位相差付与構造が形成されると共に、光軸を含む同心円状の中央領域と、この中央領域の周囲を覆う周辺領域とを備える。 - 特許庁

A phased array antenna 1 is obtained as a multi-layer structure in which plural radiating elements 15, phase shifting units 16 for changing the phase of a high frequency signal transmitted and received by each radiating element, and a distributing and synthesizing part 14 are formed in different layers so that inter-element intervals can be reduced.例文帳に追加

多数の放射素子１５、各放射素子で送受信される高周波信号の位相を変更する移相ユニット１６、分配合成部１４をそれぞれ異なる層に形成した多層構造で構成することにより、素子間隔の縮小化を図る。 - 特許庁

The easily tearable film is obtained by forming a film-forming raw material comprising a sea-island structure produced by a water-based impregnation polymerization wherein the sea phase is composed of an olefinic polymer and the island phase is composed of an acrylic polymer into a film.例文帳に追加

水系含浸重合法により製造された海島構造体であって、海相がオレフィン系重合体で構成され、島相がアクリル系重合体で構成される海島構造体を含む成膜原料を成膜してなる易引き裂き性フィルム。 - 特許庁

The methods of manufacturing a phase change layer and a memory device include supplying a first precursor on a lower film on which the phase change layer is formed, wherein the first precursor is a bivalent precursor, containing Ge and having a cyclic structure.例文帳に追加

相変化層が形成される下部膜上に第１前駆体を供給する段階を含むが、第１前駆体はＧｅを含み且つ環を有する２価の前駆体であることを特徴とする相変化層の形成方法とその方法を用いたメモリ素子の製造方法。 - 特許庁

To improve a transfer speed performance and reliability for a phase change memory that has a memory array structure in which a plurality of memory bits having a current selector switch and phase change film electrically formed in parallel are electrically arranged in series.例文帳に追加

電流切り替え用スイッチと相変化膜とが電気的に並列に形成されたメモリビットの複数個を電気的に直列に配置したメモリアレイ構造を持つ相変化メモリにおいて、転送速度性能の向上と信頼性の向上とを共に実現する。 - 特許庁

Provided is a method for manufacturing the golf club head 1 with a hollow structure, including: a phase 3; a crown 4; a sole 5; a side 6; and a hosel 7 which is arranged close to a heel side intersection part J among the phase 3, the crown 4, and the side 6, and has a shaft insertion hole.例文帳に追加

フェース部３、クラウン部４、ソール部５、サイド部６、及びフェース部３とクラウン部４とサイド部６とのヒール側の交差部Ｊの近傍に設けられかつシャフト差込孔を有するホーゼル部７を具えた中空構造のゴルフクラブヘッド１を製造する方法である。 - 特許庁

To provide a volume type gas-liquid two-phase flowmeter which is hardly affected by a flow pattern on the occasion of measuring each of flow rates of liquid and gas composing a gas-liquid two-phase flow and which has a compact and durable structure and is designed for precisely measuring a wide flow rate range.例文帳に追加

液体及び気体からなる気液二相流の各流量を計測する際に、フローパターンの影響を受け難く、コンパクト且つ堅牢な構造で、広い流量範囲を精度良く計測するための容積式気液二相流量計を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a structure increasing the current density of a heater unit by reducing the number of steps, in a semiconductor device with a phase-change memory storing information by heating a phase-change material layer by a heater electrode to change a resistance value.例文帳に追加

相変化材料層をヒータ電極で加熱して抵抗値を変化させ、情報の記憶を行う相変化メモリを備える半導体装置において、工程数を削減してヒータ部の電流密度を高くする製造方法並びに構造を提供する。 - 特許庁

Secondly, instead of the quadrature characteristic, to control each output signal by using one another by a desired phase difference>output signal or output signal <90°, selectively superposing any of two fundamental OTA/CCCII-C sub-circuitries benefits the transformation of quadrature to arbitrary-phase-shift characteristic for the sinusoidal oscillator structure.例文帳に追加

次に、直交特性の代わりに、所望の位相差＞または＜90°で出力シグナルを互いに制御し、選択的に２つの基本OTA/CCCＩＩ-C副回路系統を重畳して、有利に正弦波オシレータ構造を直交から任意のフェース・シフト特性に変換する。 - 特許庁

The low thermal conduction phase 30 is composed of a base material 32 consisting of Al and/or Al alloy fine grains with a grain size of ≤1/3 of the cell size of the netlike structure and the second phase grains of Fe, Ni, Zr or the like and pores 34 uniformly dispersed into the inside of the base material 32.例文帳に追加

低熱伝導相３０は、網目構造のセルサイズの１／３以下であるＡｌ及び／又はＡｌ合金微粒子及びＦｅ、Ｎｉ、Ｚｒ等の第２相粒子からなる基材３２と、基材３２内部に均一に分散した気孔３４からなっている。 - 特許庁

The reflection phase of the HIP can be changed in various ways by the structure and frequencies of the PBG, and can be so freely designed that unwanted radiation can be suppressed by applying in-phase processing to a radiated wave from the antenna and a reflected wave from the HIP depending on the opposite distance L.例文帳に追加

ＨＩＰの反射位相はＰＢＧの構造および周波数により種々に変更可能であり、対向距離Ｌに応じてアンテナの放射波とＨＩＰからの反射波とを同相化して不要放射を抑制できるよう、自由に設計可能である。 - 特許庁

The laminating structure of the phase change film 10 and a conductive film 11 having a resistivity lower than that of the phase change film 10 is formed astride over each source for both MISFETs, a plug 8, and the plug 7 in the plan view of the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

そして、相変化膜１０とその抵抗率よりも低い抵抗率の導電膜１１との積層構造は、半導体基板１の表面の平面視において、両ＭＩＳＦＥＴの各ソース、並びに、プラグ８およびプラグ７に跨って形成される。 - 特許庁

The graft copolymer having multi-phase structure is composed of a segment A which is a polyolefin-modified polysiloxane and a segment B which is a vinyl-based polymer or copolymer and either one segment forms a disperse phase having 0.001-10 μm particle diameter in the other segment.例文帳に追加

多相構造グラフト共重合体は、ポリオレフィン変性ポリシロキサンであるＡセグメント及びビニル系の重合体又は共重合体であるＢセグメントとからなり、一方のセグメントが他方のセグメント中に粒子径０．００１〜１０μｍの分散相を形成している。 - 特許庁

This porous body is composed as follows: meso-phase pitch is formed into a continuous porous structure with nearly uniform pore diameters where carbon nanofibers are mixed so that the carbon nanofibers are sealed within the wall thickness of the meso-phase pitch without projecting from the wall surface.例文帳に追加

メソフェーズピッチにカーボンナノファイバーが混入され、メソフェーズピッチが孔径のほぼ揃った連続多孔質構造体に形成され、メソフェーズピッチの壁の厚み内に、壁表面に突出することなく前記カーボンナノファイバーが封止込められていることを特徴とする。 - 特許庁

Then, as to the structure of the hard aggregate (b), a dispersed phase (d) composed of Ni-Mo borides having a grain size smaller than the size of the hard aggregate (b) is dispersed into the bonding phase (c) composed of an Ni-Si-Mo alloy or an Ni-Si alloy.例文帳に追加

そして、硬質物集合体（ｂ）の組織が、Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｏ合金またはＮｉ−Ｓｉ合金からなる結合相（ｃ）中に硬質物集合体（ｂ）の大きさより小さい粒径のＮｉ−Ｍｏ硼化物からなる分散相（ｄ）が分散したものとする。 - 特許庁

The heat transport device 1 has gas phase paths (5A, 5B), and a plurality of liquid phase paths (6A, 7A) as flow paths connecting evaporating parts (3A, 3B) and condensing parts (4A, 4B), and has structure generating capillary force which the evaporating parts circulates working fluid.例文帳に追加

熱輸送装置１において、蒸発部（３Ａ、３Ｂ）と凝縮部（４Ａ、４Ｂ）とを繋ぐ流路として気相路（５Ａ、５Ｂ）複数の液相路（６Ａ、７Ａ）を有し、蒸発部が作動流体を還流させるために毛細管力を発生する構造を有する。 - 特許庁

After the flocculation phase of sacrifice nanoparticles 1 is broken by irradiating the precursor solution of sacrifice nanoparticles 1 and structure nanoparticles 2 with an ultrasonic wave, the precursor solution having broken flocculation phase of sacrifice nanoparticles 1 is applied onto a substrate thus forming a coating film.例文帳に追加

犠牲ナノ粒子１及び構造ナノ粒子２前駆体溶液に超音波を照射して犠牲ナノ粒子１の凝集相を破壊した後、犠牲ナノ粒子１の凝集相が破壊されている前駆体溶液を基板上に塗布して塗布膜を形成する。 - 特許庁

A checkpoint processing section 6 stores the transition of a phase concerning last processing in a processing data tree storage section 8 together with a parameter in use in relation to a tree structure according to an operator's instruction, and in the case of other processing sections 2-4, the transition of the phase and the parameter are automatically stored.例文帳に追加

チェックポイント処理部６は、操作者の指示により、直前の処理に係るフェーズの遷移を木構造で関連付けて使用パラメータともに、処理データツリー記憶部８に記憶させ、他の処理部２〜４の場合は、自動的にフェーズの遷移とパラメータを記憶させる。 - 特許庁

To provide a heat resistant steel wire with high strength having excellent high-temperature setting resistance in a high-temperature range of 450°C or higher but 600°C or lower, particularly at about 450°C, which is necessary for a spring material, by controlling a structure of a γ-phase (austenite) which is a parent phase of Fe-based austenitic heat resistant steel.例文帳に追加

Fe基であるオーステナイト系耐熱鋼の母相であるγ相(オーステナイト)の組織を制御することで、450℃以上600℃以下の高温域、特に450℃程度においてばね材に必要な高温耐へたり性に優れる高強度の耐熱鋼線を提供する。 - 特許庁

This alloy has a composition containing, by mass, 26 to 35% Cr, 6 to 12% Mo, 0 to 0.3% C, 0.08 to 0.20% N and the balance Co with inevitable impurities and also has a crystal structure having the phase ratio of γ-phase of ≥80% by volume ratio.例文帳に追加

Cr：26〜35質量％、Mo：６〜12質量％、Ｃ：０〜0.3質量％およびＮ：0.08〜0.20質量％質量％を含有し、残部はCoおよび不可避的不純物の成分組成にすると共に、γ相の相比率が体積率で80％以上の結晶構造とする。 - 特許庁

A partition is provided between elements of respective phases to construct a structure such that even if trouble occurs in an element of one phase and the element is broken, the provided partition protects an element of an adjacent phase, thereby enabling the remaining system to operate without being influenced.例文帳に追加

各相の素子の間に仕切りを設けることにより、ある相の素子に不具合が発生し素子が破壊した場合でも、設けた仕切りにより隣の相の素子を保護できる構造とすることで、残った系が影響されずに稼動できるものである。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a circuit 6 for phase compensation which uses an MOS capacitance of a structure, having an insulating film between a gate electrode formed on a semiconductor substrate and a diffusion layer, wherein the circuit for phase compensation consists of first and second MOS capacitances 14, 15.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたゲート電極と拡散層間に絶縁膜を有する構造のＭＯＳ容量を用いた位相補償用回路６を備え、位相補償用回路は第１および第２のＭＯＳ容量１４、１５により構成される。 - 特許庁

The electrophotographic toner comprises at least a resin having a polar group and a colorant, wherein the toner has a matrix phase, and a domain structure in the matrix phase contains a mixture of a polar wax and a non-polar wax.例文帳に追加

少なくとも極性基を有する樹脂と着色剤を含有する電子写真用トナーであって、該トナーはマトリックス相を有し、該マトリックス相中のドメイン構造が極性ワックスと非極性ワックスとの混合体を含有することを特徴とする電子写真用トナー。 - 特許庁

This valve seat has a metallic structure composed of a bainitic single phase only or a mixed phase of bainite and martensite only, in which the area ratio between bainite and martensite in the cross-section is further controlled to (100:0) to (50:50), and also, the base hardness lies in the range of 250 to 850 Hv.例文帳に追加

金属組織がベイナイト単相のみ、もしくはベイナイトとマルテンサイトの混合相のみからなる組織を呈するとともに、断面におけるベイナイトとマルテンサイトの面積比が１００：０〜５０：５０であって、かつ、基地硬さが２５０〜８５０Ｈｖの範囲内である。 - 特許庁

Regarding the first invention, in the method for producing a hard film, a phase applied by high density plasma and a phase applied by low density plasma form a multiphase structure, and the difference in compositional concentration is generated at the inside of the hard film.例文帳に追加

本願第１発明は、硬質皮膜は高密度プラズマにより被覆した相と、低密度プラズマにより被覆した相とが多相構造をなし、該硬質皮膜内部において組成濃度差を発生させることを特徴とする硬質皮膜の製造方法である。 - 特許庁

The method for producing the epoxy compound comprises conducting a reaction between an olefin, oxygen and hydrogen in a liquid phase in the presence of a titanosilicate selected from the group consisting of a crystalline titanosilicate having an MEL structure, an MTW structure, a BEA structure, an MWW structure or a DON structure, a mesoporous titanosilicate and a lamellar titanosilicate, a noble metal catalyst, and a quinoid compound or a dihydro-form thereof.例文帳に追加

オレフィン、酸素および水素を、液相中、ＭＥＬ構造、ＭＴＷ構造、ＢＥＡ構造、ＭＷＷ構造もしくはＤＯＮ構造を有する結晶性チタノシリケート、メソポーラスチタノシリケートおよび層状チタノシリケートからなる群から選ばれるチタノシリケート、貴金属触媒、およびキノイド化合物もしくはキノイド化合物のジヒドロ体の存在下に反応させることを特徴とするエポキシ化合物の製造方法 - 特許庁

In the radiation image conversion panel which has a phosphor layer made by a gas phase deposition method, the phosphor layer consists of a lower layer which has a spherical crystal structure and an upper layer which has a columnar crystal structure.例文帳に追加

気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該蛍光体層が、球状結晶構造を有する下層と柱状結晶構造を有する上層とから構成されている放射線像変換パネル。 - 特許庁