「plasma-processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

After performing crystal defect repair processing or crystal defect removal processing of the single crystal silicon layer, using stock gas at least containing silicon based gas, the stock gas is activated by plasma under the atmospheric pressure or near the atmospheric pressure to cause single crystal silicon layer epitaxial growth and a second impurity silicon layer is formed on the epitaxial grown surface side.例文帳に追加

単結晶シリコン層の結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理を行った後、シラン系ガスを少なくとも含む原料ガスを用い、大気圧或いは大気圧近傍下で生成したプラズマにより原料ガスを活性化させ、単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させ、該エピタキシャル成長させた表面側に第２不純物シリコン層を形成する。 - 特許庁

The system comprises a chamber 110 having a processing part for plasma vacuum processing, a moving means 111 which moves horizontally between the chamber and a subchamber 140 arranged horizontally to it via a gate valve 141 to move workpieces, and a holder 141 which is arranged in the subchamber and can store the workpieces in two stages and move vertically.例文帳に追加

プラズマ真空処理するための処理部を有するチャンバ１１０と、前記チャンバに対し水平方向にゲートバルブ１０１を介して配設されたサブチャンバ１４０との間で水平方向に移動して処理対象を移動させる移動手段１１１と、前記サブチャンバ内に配設されており、前記処理対象を２段に収納可能で、垂直方向に移動可能なホルダ１４１とを備える。 - 特許庁

The method of substrate treatment on an SOI substrate includes a step of processing the surface of the SOI substrate by a PACE method using plasma or a GCIB method using a gas cluster ion beam, and a step of annealing the SOI substrate subjected to the above processing by heat treating the SOI substrate in an argon atmosphere or in an inert gas atmosphere containing hydrogen of 4 vol% or less.例文帳に追加

少なくとも、ＳＯＩ基板の表面をプラズマを用いたＰＡＣＥ法、又は、ガスクラスターイオンビームを用いたＧＣＩＢ法によって処理する工程と、前記処理を施したＳＯＩ基板を、アルゴン雰囲気中、又は、水素を４体積％以下含む不活性ガス雰囲気中で熱処理してアニールする工程とを有する、ＳＯＩ基板の表面処理方法。 - 特許庁

Light irradiation by a flash lamp takes place in a short time from a side of a processed surface on a material to be processed placed in a processing chamber for carrying out the processing by means of plasma discharge, and high temperature heat treatment in an extremely short time takes place in an atmosphere containing highly concentrated radicals and ions to obtain formation and reformation of a thin film.例文帳に追加

プラズマ放電を用いた処理を行っている処理チャンバ内に配置された被処理体に対して、フラッシュランプによる短時間の光照射を処理面側から行い、高密度のラジカルとイオンを含む雰囲気下で極短時間の高温熱処理を行って薄膜形成及び薄膜改質を実現する半導体装置の製造方法及び製造装置である。 - 特許庁

To provide an electric connector for a board support reducing electrical arcing in a plasma environment, passing an RF current in many processing cycles with high reliability, permitting the thermal expansion of a connector structure without losing electrical contacts, and further facilitating detachment and exchange.例文帳に追加

プラズマ環境下で電気アーキングを減らし、多数の処理サイクル中にＲＦ電流を信頼性良く通すことができ、また、電気的接触を失うことなく、コネクタ構造体の熱膨張を許容し、さらに、容易に取り外し、交換可能な基板支持体用電気コネクターを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus so that a position of a substrate can be accurately detected without obstruction by the upper electrode inside a chamber, and capable of effectively removing particles and deposits that are present not only on upper and lower edges and a side surface of the substrate but also on an entire backside of the substrate.例文帳に追加

チャンバー内部の上部電極の妨げなしに基板の位置を正確に知ることができ、また、基板の上下エッジ及び側面だけではなく基板の背面の全体に存在するパーチクルと堆積物を効率よく除去することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

This exhaust emission control device for the internal combustion engine has a soot amount estimating means for estimating a Soot amount in exhaust based on the operation condition of the engine and an electric power control means for setting electric power applied to a plasma processing apparatus based on the output of the soot amount estimating means.例文帳に追加

内燃機関の排気浄化装置において、エンジンの運転状態に基づいて排気中のSoot量を推定するSoot量推定手段と、Soot量推定手段の出力に基づいてプラズマ処理装置に加える電力を設定する電力制御手段とを有するものとする。 - 特許庁

A single-crystal Si substrate 10 subjected to plasma processing for surface activation is bonded to a quartz substrate 20 at low temperature, external impact is given to it, and a silicon film is mechanically peeled from the bulk of a single-crystal silicon, thus obtaining a semiconductor substrate (SOI substrate) with a silicon film (SOI film) 12.例文帳に追加

プラズマ処理して表面活性化させた単結晶Ｓｉ基板１０と石英基板２０を低温で貼り合わせ、これに外部衝撃を付与して単結晶シリコンのバルクからシリコン膜を機械的に剥離してシリコン膜（ＳＯＩ膜）１２を備えた半導体基板（ＳＯＩ基板）を得る。 - 特許庁

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom.例文帳に追加

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 - 特許庁

Plasma is generated between the multiple-series-divided anode electrode and the cathode 24 by introducing processing gas between the multiple-series-divided anode electrode and the cathode 24 and applying pulses with the same repetition frequency and different phases to the first series of anode units and the second series of anode units respectively.例文帳に追加

複系列分割型アノード電極とカソード２４間に処理ガスを導入し、第１系列アノードユニットと第２系列アノードユニットのそれぞれに、同一繰り返し周波数で互いに位相の異なるパルスを印加して、複系列分割型アノード電極とカソード２４間にプラズマを生成する。 - 特許庁

An exhaust control mechanism 19 is provided in which an inert gas is flowed to the exhaust side before an etching gas is introduced into the chamber 10 and before the etching gas is introduced, the damage removing unit 16 detects an exhaust pressure by the inert gas and starts a damage removing processing (exciting plasma).例文帳に追加

チャンバー１０内にエッチングガスが導入される以前に排気側に不活性ガスが流される排気制御機構１９が設けられ、エッチングガスが導入される前に不活性ガスにより除害処理装置１６で排気圧力を検出させ、除害処理（プラズマ励起）を作動させておく。 - 特許庁

To provide a method and device for reforming surface by micro electric discharge that can perform surface reforming on a minimum necessary local area so that processing for improving hydrophilic property may be done only to a targeted desired position by controlling a micro discharge plasma generation area.例文帳に追加

微小放電プラズマの生成領域を制御して処理対象の所望部位のみに親水性を高める処理を施すため、必要最低限の局部領域に対して表面改質を行なうことができる微細放電表面改質方法および装置を提供する。 - 特許庁

Before the edge coating film 34 or an edge reinforcing protection film 35 is formed on the resonator edge faces 13, 14, the plasma processing is performed on the front surface of the nitride semiconductor laser bar 10 including at least the resonator edge faces 13, 14, through the use of nitride gas or the mixed gas of the nitride gas with noble gas.例文帳に追加

共振器端面１３、１４上に端面コート膜３４または端面強化保護膜３５を形成する前に、少なくとも共振器端面１３、１４を含む窒化物半導体レーザバー１０の表面を窒素ガスまたは窒素ガスと希ガスの混合ガスによってプラズマ処理する。 - 特許庁

A protective member is a hollow member to protect a wafer up-down device provided inside a plasma processing device, and the hollow member is integrally formed of carbon material which is 1×10-2 Ω.cm or below in volume resistivity and 5 W/m.K or above in thermal conductivity.例文帳に追加

プラズマ処理装置内のウエハ昇降装置を保護する中空形状の部材であって、体積比抵抗が１×１０^-2Ω・cm以下、熱伝導率が５Ｗ／ m・Ｋ以上の特性を備えたガラス状カーボン材により一体型構造に形成されてなるウエハ昇降装置の保護部材。 - 特許庁

A plurality of covered electrodes 3, arranged while facing each other, form a space as the discharge space 4, and a heat sink 6 is arranged on an outer surface of the covered electrode 3, in the plasma processing apparatus A, wherein a positioning hole B communicating with the covered electrodes 3 and the heat sink 6 is bored.例文帳に追加

対向配置した複数の被覆電極３によって形成される空間を放電空間４とし、被覆電極３の外面に放熱器６を配設したプラズマ処理装置Ａにおいて、被覆電極３及び放熱器６に連通する位置決め用孔Ｂを穿孔した。 - 特許庁

The manufacturing method of the plasma display panel is provided, where the calcining treatment is carried out after a laminated layer of a non-photosensitive inorganic powder containing resin layer and of a photosensitive inorganic powder containing resin layer is formed on a substrate, and exposure/development processing of the photosensitive inorganic powder resin layer is carried out to form a pattern.例文帳に追加

基板上に非感光性の無機粉体含有樹脂層と感光性の無機粉体含有樹脂層との積層を形成し、感光性の無機粉体樹脂層を露光・現像処理して、パターンを形成したのち、焼成処理を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the laminate of the protective film formed on the wafer and the die attach film, the protective film is formed by executing plasma processing using a reactive gas to the surface of a resin film formed from a resin composition containing two or more kinds of resins of different etching rates.例文帳に追加

ウエハ上に形成された保護膜とダイアタッチフィルムとの積層体であって、前記保護膜が、エッチングレートの異なる２種以上の樹脂を含む樹脂組成物から形成される樹脂膜の表面に反応性ガスを用いたプラズマ処理を施して成ることを特徴とする積層体。 - 特許庁

At the time of background measurement, an Ar identification processing part 22 captures the spectrum images by emission of argon which is normally supplied to a plasma torch 2, and stores pixel location and intensity information based on the spectrum images in a reference information storage part 23.例文帳に追加

バックグランド測定時にＡｒ同定処理部２２は、プラズマトーチ２に常時供給されているアルゴンの発光による分光画像を検出器１４の検出面上で捉え、その分光画像に基づく画素位置と強度情報とを基準情報記憶部２３に格納しておく。 - 特許庁

The surface processing device 10 is equipped with: an ion implantation unit 31 and a plasma doping unit 21, and the ion implantation unit 31 is equipped with a decelerator 37 decelerating ions, a deflector 38 deflecting the decelerated ions toward a stage 4, and a bias power supply 9 guiding ions to the stage 4.例文帳に追加

イオン注入ユニット３１とプラズマドーピングユニット２１とを備えた表面処理装置１０において、イオン注入ユニット３１は、イオンを減速させる減速器３７と、減速させたイオンをステージ４側へ偏向させる偏向器３８と、イオンをステージ４へ導くためのバイアス電源９とを備える。 - 特許庁

After a metallic layer 8a, which constitutes a part of a foundation metal BLM for a CCB bump, is processed by using a resist pattern 13 as a mask, a hydrophobic fluoride layer 12 is formed by plasma processing using fluorine gas in a surface of a PIQ film 9b while leaving the resist pattern 13.例文帳に追加

ＣＣＢバンプ用の下地金属ＢＬＭの一部を構成する金属層８ａをレジストパターン１３をマスクとして加工した後、レジストパターン１３を残したままＰＩＱ膜９ｂの表面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理によって、疎水性のフッ化物層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that can facilitate connection work of a helical resonance coil, a power supply part, and a grounding part of a helical plasma generation resonator to obtain a stable connection status, and further, can prevent melting, burning, etc. of the power supply and grounding parts caused by abnormal electrical discharge.例文帳に追加

プラズマ生成用螺旋共振器の螺旋状共振コイルと給電部、接地部との接続作業が容易で、安定した接続状態が得られ、又異常放電による前記給電部、前記接地部の溶解、焼損等を防止する基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The processing apparatus 10 comprises a high pressure discharge chamber 1 in which a low-temperature plasma can be produced, a means 8a for supplying the carbon monoxide-containing gas to be treated into the high voltage discharge chamber, a transport pipe 4 for supplying hydrogen peroxide, and an exhaust means 8b of the treated gas treated in the high voltage discharge chamber.例文帳に追加

処理装置１０は、低温プラズマ発生可能な高圧放電室１、高圧放電室に一酸化炭素含有被処理気体を供給する手段８ａ、過酸化水素を供給する移送管４、高圧放電室で処理された処理済気体の排気手段８ｂを含む。 - 特許庁

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁

A first electrode of the plasma processing apparatus fits a dielectric 205 having the same material as a base material into an upper base material 105a formed from a desired dielectric, and adheres and fixes the upper base material 105a and the dielectric 205 by a conductive adhesion layer 210a.例文帳に追加

プラズマ処理装置の第１の電極は、所望の誘電体から形成された上部基材１０５ａに、該基材と同じ材質の誘電体２０５を嵌め込み、上部基材１０５ａと誘電体２０５との間を導電性接着層２１０ａにより接着固定させる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a dielectric window structure thereof, by which local erosion and wear-out of a dielectric protection cover provided inside a dielectric window can be suppressed, and thus the life of the dielectric protection cover is elongated, leading to the increase in productivity.例文帳に追加

誘電体窓の内側に設けられた誘電体保護カバーが局部的に削られて消耗することを抑制することができ、誘電体保護カバーの長寿命化により生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその誘電体窓構造を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that prevents an electric discharge from being generated between a substrate such as a semiconductor wafer and a base of a lower electrode or its neighboring structure, and improves a yield to improve productivity, and a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体ウエハ等の基板と、下部電極の基材又はその周辺の構造物との間で放電が発生することを防止することができ、歩留まりを向上させて生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The means is to spray heated and vaporized functional water, which is ozone water obtained by forcing ozone gas be contained in deionized water, or which is ozone water obtained by electrolyzing deionized water onto the substrate after the dry etching, and to execute plasma processing to remove the photoresist film on the substrate surface.例文帳に追加

その手段は機能水としてオゾンガスを超純水に含有させて成るオゾン水や超純水を電気分解して得たオゾン水を用い、加熱・水蒸気化したものを前記ドライエッチング後の基板に噴霧、プラズマ処理することで、基板表面のフォトレジスト膜を除去するものである。 - 特許庁

The present invention relates to video processing for improving the picture quality of picture which are displayed on display devices like plasma display panels (PDP) and all kind of display devices based on the principal of duty cycle modulation (PWM) of light emission, and for reducing average power dissipation.例文帳に追加

本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）のような表示装置、及び光放出のデューティサイクル変調（ＰＷＭ）の原理に基づく全ての種類の表示装置で表示されるピクチャの画質を改善し、平均の電力消散を低減するためのビデオ処理に関する。 - 特許庁

The plasma processing device 1 is provided with an upper electrode 3 capable of retaining a substrate 10, and a lower electrode 4 installed so as to be opposed to the upper electrode 3 and provided with a plurality of projects 4a and recesses 4b formed on a part opposed to the upper electrode 3.例文帳に追加

このプラズマ処理装置１は、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、上部電極３と対向するように設置され、上部電極３と対向する部分に複数の凸部４ａおよび複数の凹部４ｂが形成される下部電極４とを備えている。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus, an anode electrode is arranged between the cathode electrode provided with recesses or exhaust holes and a substrate holding mechanism, the anode electrode is provided with a through hole at a position facing the recess or exhaust hole of the cathode electrode, and the distance between the cathode electrode and anode electrode is variable.例文帳に追加

凹部または排気孔を備えるカソード電極と基板保持機構との間にアノード電極を配置し、該アノード電極は前記カソード電極の凹部または排気孔に対向する位置に貫通孔を備え、前記カソード電極と前記アノード電極との間の距離が可変である、プラズマ処理装置。 - 特許庁

A gas introduction shower head 32 being the gas supply member disposed in a chamber 11 provided in the plasma processing apparatus 10 includes a plane facing the internal space of the chamber 11 and slits 35a to which a plurality of gas holes perforated to be orthogonal to the plane are connected.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０が備えるチャンバ１１に配置されるガス供給部材であるガス導入シャワーヘッド３２は、チャンバ１１の内部空間に対向する平面と、この平面と直交するように穿孔された複数のガス穴が連結されたスリット３５ａを備える。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device contains the steps of forming a silicon nitride film (26) having a refractive index of 1.85 or less on a compound semiconductor layer (20) containing Ga by a plasma CVD method, and selectively processing the compound semiconductor layer by using the silicon nitride film as a mask.例文帳に追加

本発明は、Ｇａを含む化合物半導体層（２０）上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜（２６）を形成する工程と、窒化シリコン膜をマスクに用いて化合物半導体層を選択処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

This skin cleaning nonwoven fabric is formed so that 70 wt.% or more of component fiber is composed of hydrophobic synthetic fiber, at least, the hydrophobic synthetic fiber is reformed by plasma discharge processing, and it has openings with a mean bore diameter of 40-100 μm or has 25-400 openings/in^2.例文帳に追加

構成繊維の７０重量％以上が疎水性合成繊維からなり、少なくとも該疎水性合成繊維がプラズマ放電処理によって改質されており、平均孔径が４０〜１００μｍであるか、または２５〜４００個／インチ^２の開孔を有する皮膚清浄用不織布とする。 - 特許庁

A video signal processing part thins out a video signal of a broadcast signal that a tuner receives according to a command signal inputted from a remote control transmitter to reduces a picture to be displayed on a plasma display panel 5, thereby displaying a reduced picture by using a partial display area.例文帳に追加

チューナが受信した放送信号の映像信号を、リモコン送信装置から入力された指令信号に応じて映像信号処理部が間引きすることにより、プラズマディスプレイパネル５に表示させる映像を縮小し、一部の表示領域を用いて縮小画面２０を表示する。 - 特許庁

To provide a plasma melting furnace capable of suppressing the discharge of an exhaust gas including harmful asbestos dust ash, discharging only slag after completely melting asbestos, and surely detoxifying asbestos in processing equipment for melting and detoxifying the waste including asbestos at a high temperature of about 1,500°C.例文帳に追加

アスベストを含む廃棄物を１５００℃程度の高温により溶融無害化する処理設備において、有害なアスベスト塵灰を含む排ガスの排出量を抑えると共に、アスベストが完全に溶融したスラグのみを排出し、アスベストを確実に無害化することができるプラズマ溶融炉を提供する。 - 特許庁

A TMR device comprises: a shield layer; a seed layer; an antiferromagnetic layer; a second anti-parallel layer including a portion subjected to plasma processing; a ruthenium layer having a thickness of 4 Å; a CoFex layer; a first anti-parallel layer; a tunnel barrier layer; a magnetic free layer; and a cap layer, in order.例文帳に追加

本発明のＴＭＲデバイスは、シールド層と、シード層と、反強磁性層と、プラズマ処理部分を含む第２の反平行層と、４Åの厚さを有するルテニウム層と、ＣｏＦｅx 層と、第１の反平行層と、トンネルバリア層と、磁気フリー層と、キャップ層とを順に備える。 - 特許庁

For this plasma processor, an electrostatic chuck 108 is provided on a lower electrode 106 arranged inside the processing chamber 102 of an etching device 100, and a conductive inner side ring body 112a and an insulating outer side ring body 112b are arranged so as to surround the periphery of a wafer W mounted on a chuck surface.例文帳に追加

エッチング装置１００の処理室１０２内に配置された下部電極１０６上には，静電チャック１０８が設けられ，チャック面上に載置されるウェハＷの周囲を囲むように導電性の内側リング体１１２ａと絶縁性の外側リング体１１２ｂが配置される。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device having a borderless wiring structure forms a borderless via-hole in which two different types of metals are exposed in an aperture, wherein prior to the wet processing for stripping a resist mask used to form the via hole, ashing is done using plasma including H_2O.例文帳に追加

ボーダレス配線構造を有する半導体装置の製造方法において、開口内で２種類の異なる金属が露出するボーダレスビアホールを形成し、前記ビアホールの形成に用いたレジストマスクを剥離する際のウェット処理に先立って、Ｈ2Ｏを含むプラズマでアッシングする。 - 特許庁

After the FSG layer 13 is formed to cover aluminum wirings 12 on a substrate 11 in a chamber of a plasma processing apparatus, an NSG layer 14 is continuously formed in the chamber subsequent to the formation of the FSG layer 13 on the condition of higher temperature when the FSG layer 13 is formed.例文帳に追加

基板１１上のアルミニウム配線１２を覆う状態で、プラズマ処理装置のチャンバ内においてＦＳＧ層１３を形成した後、このチャンバ内においてＦＳＧ層１３の形成に連続させてＦＳＧ層１３の形成温度よりも高い温度条件でＮＳＧ層１４を形成する。 - 特許庁

This plasma processing apparatus includes a quartz plate 3 transmitting the microwave, a base 13 of aluminum supporting the quartz plate 3, and a step 17 that is formed in an inward direction on an under surface of the quartz plate 3 and formed at a position separated from the contact of the base 13 and the quartz plate 3.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、該マイクロ波を透過させる石英板３と、該石英板３を支持するアルミニウム製のベース１３と、該石英板３の下面に内向きに形成され且つ該ベース１３と該石英板３との接点から離れた位置に形成された段差１７と、を具備するものである。 - 特許庁

High-frequency energy is given to a gas introduced into the processing chamber 2D by a gas inlet means 6 from a high-frequency power supply 71 through the intermediary of a matching device 72 to produce a plasma P, and the surface of a substrate 9 held by the substrate holder 5 located at a closing position is subjected to pre-process etching.例文帳に追加

ガス導入手段６が導入したガスに、基板ホルダー５と一体に移動する整合器７２を介して高周波電源７１から高周波エネルギーが与えられてプラズマＰが形成され、閉位置にある基板ホルダー５に保持された基板９の表面が前工程エッチング処理される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a photodetection method, which can detect a plurality of light signals obtained from a plurality of measuring positions, and can analyze a condition of each measuring position using an apparatus having an advantage of a more simplified structure.例文帳に追加

複数の測定位置から得られる複数の光信号を検出することができ、また、より単純な構造を有するという利点を有している装置を使用して各測定位置の状態を分析することができるプラズマ処理装置および光検出方法を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing device 1 includes an upper electrode 3 capable of retaining a substrate 10, and a lower electrode 4 installed so as to be opposed to the upper electrode 3 and provided with a plurality of projections 4a and recesses 4b formed on a part opposed to the upper electrode 3.例文帳に追加

このプラズマ処理装置１は、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、上部電極３と対向するように設置され、上部電極３と対向する部分に複数の凸部４ａおよび複数の凹部４ｂが形成される下部電極４とを備えている。 - 特許庁

To provide a method capable of using an etching gas that has low global-warming coefficient in applying anisotropic plasma etching to a silicon substrate for depth etching, generating byproducts having low global-warming coefficients in etching processing, and obtaining high etching speed.例文帳に追加

シリコン基板に異方性プラズマエッチングを施して、深堀エッチングを行う際に、地球温暖化係数が小さいエッチングガスを用いるようにし、かつエッチング処理に際して地球温暖化係数が小さい副次生成物が生成するようにし、しかも高いエッチング速度が得られるようにする。 - 特許庁

This method of forming a thin film on a semiconductor substrate, which uses a plasma CVD processing apparatus having a reaction chamber and a susceptor, is defined by including a preprocessing step of forming a surface layer on the susceptor to eliminate electrostatic attraction between the semiconductor substrate and the susceptor.例文帳に追加

反応チャンバと、サセプタを有するプラズマCVD処理装置を使って、半導体基板上に薄膜を成膜する方法において、サセプタ上に表面層を形成する前処理工程を含み、表面層によって半導体基板とサセプタとの静電吸着が無くなることを特徴とする方法。 - 特許庁