「range gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Changes in the averaged sampling gate output represent changes in radar reflectivity in a specific range, and consequently represent motion.例文帳に追加

平均化されたサンプリングゲート出力の変化が、特定レンジにおけるレーダ反射度の変化、ひいては、運動を表す。 - 特許庁

A measurement time computing means computes a time period necessary for measuring on the basis of a dynamic range of measurement based on a count number of a photo count part, a measurement distance range of an optical fiber and the gate width of a gate signal for enabling the photo count part to be effective.例文帳に追加

測定時間演算手段は、フォトカウント部でのカウント数に基づく測定のダイナミックレンジと、光ファイバの測定距離範囲と、フォトカウント部を有効とするゲート信号のゲート幅とに基づいて測定に要する時間を算出する。 - 特許庁

When a range gate serving as an extracted portion of speed information is set, the transmitting receiving condition determining section 16a determines transmitting and receiving conditions of ultrasonic waves to be transmitted and received by an ultrasonic probe on the basis of the position of the range gate.例文帳に追加

送受信条件決定部１６ａは、速度情報の抽出部位であるレンジゲートが設定された場合に、当該レンジゲートの位置に基づいて、超音波プローブにて送受信される超音波の送信条件及び受信条件を決定する。 - 特許庁

The semiconductor device 200 is a trench gate type semiconductor device in which the Schottky barrier diode and the power MOS are formed on the same substrate, wherein a Schottky range and a MOS range are alternately arranged using a trench gate 21 as a boundary.例文帳に追加

半導体装置２００は，ショットキバリアダイオードとパワーＭＯＳトランジスタとが同一基板上に形成されたトレンチゲート型半導体装置であり，ショットキ領域とＭＯＳ領域とがトレンチゲート２１を境界として交互に配置されている。 - 特許庁

The nitrogen concentration in a range of 10 nm from an interface between a polycrystalline silicon film 2 and an SiO2 gate insulating film 5 is made higher than the nitrogen concentration in other parts of the SiO2 gate insulating film 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２とＳｉＯ_2 ゲート絶縁膜５の界面から１０ｎｍの範囲における窒素濃度を、ＳｉＯ_2 ゲート絶縁膜５の他の部分の窒素濃度より高くする。 - 特許庁

A crystal defect 25a having an energy level higher than the Fermi level of the second semiconductor region 24b is formed in at least one of the second semiconductor region 24b within a range where the second semiconductor region 24b is in contact with the gate insulating film 32 and the gate insulating film 32 within a range where the gate insulating film 32 is in contact with the second semiconductor region 24b.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３２に接する範囲の第２半導体領域２４ｂと第２半導体領域２４ｂに接する範囲のゲート絶縁膜３２との少なくとも一方に、第２半導体領域２４ｂのフェルミ準位よりも高いエネルギー準位を有する結晶欠陥２５ａが形成されている。 - 特許庁

A wide dynamic range circuit 4 carries out wide dynamic range correction on subject image data and outputs the corrected image data to an FPGA (field programmable gate array) 16 and also carries out wide dynamic range correction on recorded image data read from a recording medium 7.例文帳に追加

ワイドダイナミックレンジ回路４は、被写体画像データに対するワイドダイナミックレンジ補正を行ってＦＰＧＡ１６へ出力すると共に、記録メディア７から読み出された記録画像データに対するワイドダイナミックレンジ補正を行う。 - 特許庁

To drive the gate of a switching MOSFET by a PWM signal whose duty changes over a wide range.例文帳に追加

スイッチング用のＭＯＳＦＥＴのゲートを広範囲に亘ってデューティが変化するＰＷＭ信号で駆動させることを目的とする。 - 特許庁

A stress voltage having a voltage value on the outside of a range of values which a display voltage can take is applied between a gate and a source of the driving transistor.例文帳に追加

駆動トランジスタのゲートソース間に、表示電圧の取り得る値の範囲外の電圧値を有するストレス電圧を印加する。 - 特許庁

A middle luminance gate 18 passes Cr and Cb to perform middle luminance vector display 24 when the Y component is within a middle luminance range (4).例文帳に追加

中ルミナンス・ゲート１８は、Ｙ成分が中ルミナンス範囲のときにCr、Cbを通過させて、中ルミナンス・ベクトル表示２４を行う。 - 特許庁

The sorting device pushes out a workpiece W conveyed by a belt conveyor 2 to the outside the conveyance range by the operation of the gate by a cylinder 4.例文帳に追加

選別装置は、ベルトコンベア２で搬送されてきたワークＷをシリンダ４によるゲートの作動で搬送範囲外に押し出す。 - 特許庁

When the calculation value is within a range from a first set value to a second set value, the size of the antenna violation gate group is adjusted.例文帳に追加

その算出値が第１設定値から第２設定値の範囲である場合、アンテナ違反ゲート群の大きさを調整する。 - 特許庁

To provide a game machine in which a great number of prize winning in a start hole and passing of a start gate can be stored within a consumable range.例文帳に追加

消化可能な範囲で多数の始動口入賞、始動ゲート通過を記憶することができる遊技機を提供する。 - 特許庁

When a user carrying the imaging apparatus 1 touches the imaging apparatus 1 to the communicating section 3 at the time of passing through the gate 2, information of the name of a location stored in the gate 2 is notified to the imaging apparatus 1 through the short range wireless antenna from the gate 2.例文帳に追加

撮像装置１を携帯するユーザが、ゲート２を通過するときにその通信部３に対して撮像装置１をタッチすると、ゲート２が有する場所名情報が近距離無線用アンテナを介してゲート２から撮像装置１に通知される。 - 特許庁

In the leak current measurement, a source/drain region is defined as reference potential (ground potential), a gate voltage Vg is defined as a parameter, and a gate voltage value Vgb is searched for a current Ig flowing to the gate electrode 12 to get out of a current allowable range for operation as a product.例文帳に追加

リーク電流測定は、ソース／ドレイン領域を基準電位（接地電位）、ゲート電圧Ｖgをパラメータとし、ゲート電極１２に流れる電流Ｉgが製品として動作させる電流の許容範囲から逸脱するゲート電圧値Ｖgbを探索する。 - 特許庁

When the outer handle is operated when the tail gate exists in the midway position between a closing recognizing range and an opening recognizing range, the electromagnetic clutch is switched to a connecting state, and thus, the tail gate can be held in the midway position against energizing force of a gas stay.例文帳に追加

テールゲートが閉鎖認識範囲と開放認識範囲との間の途中位置にあるときにアウターハンドルが操作されると電磁クラッチは接続状態に切り替えられ、これによりガスステーの付勢力に抗してテールゲートを途中位置で保持させることができる。 - 特許庁

To greatly reduce the required operating force so as to increase the range of gate sizes openable and closable even by manual operations alone and to reduce the size of an electric motor device when a gate is motor-driven by maintaining watertightness only through the operation of water stopping portions after closure of the gate without the need to raise or lower the entire gate.例文帳に追加

扉体全体の昇降をやめ、閉扉後の止水部分のみの操作で水密が確保出来るようにして操作力を大巾に軽減可能とし、手動のみの操作でも開閉が可能な扉サイズの範囲を拡大し、電動の場合でもその電動装置を小さくできるようにすることを目的とする。 - 特許庁

Impurity concentrations in distal portions (front and back distal portions) 14a of the trench gate electrode 14 covering a wide range of the insulating film 12a adjacent to corners 10a of the trench 10 in a gate intermediately connecting portion 18 and in a partial gate pad 20 are lower than that of an intermediate portion 14c of the trench gate electrode14 or the like.例文帳に追加

トレンチ１０のコーナー部１０ａに隣接する絶縁膜１２ａを広い範囲で覆うトレンチゲート電極１４の端部（前端部、後端部）１４ａ、ゲート中継部１８、一部のゲートパッド２０の不純物濃度は、トレンチゲート電極１４の中間部１４ｃ等の不純物濃度に比べて低い。 - 特許庁

To greatly reduce the required operating force so as to increase the range of gate sizes that can be opened and closed even by manual operations alone and to reduce the size of an electric motor device when the gate is motor- driven by assuring watertightness only through the operation of water stopping portions after closure of the gate without the need to raise or lower the entire gate.例文帳に追加

扉体全体の昇降をやめ、閉扉後の止水部分のみの操作で水密が確保出来るようにして操作力を大巾に軽減可能とし、手動のみの操作でも開閉が可能な扉サイズの範囲を拡大し、電動の場合でもその電動装置を小さくできるようにすることを目的とする。 - 特許庁

The stress difference between the gate electrode 6 and the gate insulation film 7 is suppressed to within the range of -3×109 dyn/cm2 or +2×109 dyn/cm2 to suppress the generation ratio of defective.例文帳に追加

ゲート電極６およびゲート絶縁膜７の応力差を−３×１０^9 ｄｙｎ／ｃｍ^2 ないし＋２×１０^9 ｄｙｎ／ｃｍ^2 の範囲にして剥離による不良発生率を抑制する。 - 特許庁

DSRC (Dedicated Short Range Communication) wireless parts 2-1 to 2-3 are provided in the entrance gate 6, the exit gate 7, and a cabin 9, to read a vehicle identification number from an in-vehicle device equipped in the vehicle.例文帳に追加

ＤＳＲＣ無線部２−１〜２−３は、入庫ゲート６、出庫ゲート７、及び車室９に設けられており、出入りする車両に搭載させている車載器から車両識別番号を読み取る。 - 特許庁

The protrusion 41 of the gate conduction layer 40 is arranged at a position corresponding to each trench gate electrode 45, and the recess 42 of the gate conduction layer 40 is arranged in such a range as the surface 2a of the semiconductor layer 2 existing between adjoining trenches T is exposed.例文帳に追加

各々のトレンチゲート電極４５に対応する位置に、ゲート導通層４０の凸状部４１が配置されており、隣接するトレンチＴ間に存在する半導体層２の表面２ａが露出する範囲に、ゲート導通層４０の凹状部４２が配置されている。 - 特許庁

A stripe or linear gate electrode dummy pattern 4 is inserted into the empty region 3 where an active region pattern 1 and a gate electrode pattern 2 are not provided among regions arranged with a circuit pattern, so that the gate electrode circumferential edge length per unit area of the total of the gate electrode pattern 2 and the gate electrode dummy pattern 4 is set within a specified range.例文帳に追加

回路パターンの配置領域のうち、活性領域パターン１及びゲート電極パターン２が設けられていない空き領域３に、短冊状又は線状のゲート電極ダミーパターン４を挿入し、それによってゲート電極パターン２とゲート電極ダミーパターン４との合計の単位面積当たりのゲート電極周縁長が所定の範囲に設定されるようにする。 - 特許庁

The prickle-like projection 20 is provided at the center part of the clamping range of the strap 3 and formed of a gate trace formed when the pedestal 4 is molded by injection.例文帳に追加

棘状突起２０は、ストラップ３の挟持範囲の中央部に設けられ、台座４の射出成形時に形成されたゲート跡からなる。 - 特許庁

To provide a frequency measuring device using a short-gate count method capable of suppressing the generation of noise and expanding a dynamic range.例文帳に追加

雑音の発生を抑制しつつダイナミックレンジを拡大することを可能とする短ゲートカウント法を使用する周波数測定装置を提供する。 - 特許庁

A method and an apparatus perform pulsed-wave spectral Doppler imaging at every color flow range gate location in the two-dimensional (or three-dimensional) region of interest.例文帳に追加

二次元（又は三次元）の関心領域でのカラーフロー範囲ゲート位置毎にパルス波スペクトルドップライメージングを行なうための方法及び装置。 - 特許庁

For overflow characteristics at the reset gate, a knee effect is small compared to the overflow characteristics of a sensor part and linearity near the dynamic range is improved.例文帳に追加

リセットゲートでのオーバーフロー特性は、センサ部のオーバーフロー特性よりもｋｎｅｅ効果が小さく、ダイナミックレンジ付近のリニアリティを改善できる。 - 特許庁

The projection range of impurities in ion implantation of the mask material 1 is small when compared to that of the gate electrode 4 and the layer insulation film 7.例文帳に追加

注入マスク材１は、ゲート電極４および層間絶縁膜７と比較してイオン注入における不純物の投影飛程が小さい。 - 特許庁

Further, a voltage of the tuning DC power supply 22 is selected to be a voltage within a permissible range to both the reception section 2 and the gate driver 11.例文帳に追加

且つ、チューニング用直流電源２２の電圧を、受信部２とゲートドライバ１１との双方に許容される電圧範囲の電圧としている。 - 特許庁

When the change lever 4 approaches to a drive range, the engagement part 34 is engaged with the engagement piece 72, and engagement with the engagement piece 72 is removed at turning of the switching member body 30 accompanying with the movement of the change lever 4 from the drive range to the other range of the main gate.例文帳に追加

この係止部３４は、チェンジレバー４がドライブレンジにきたときに、係止片７２と係止し、ドライブレンジからメインゲートの他のレンジへのチェンジレバー４の移動に伴う切換部材本体３０の回動に際して係止片７２との係止が外れる。 - 特許庁

The structure enables to widen a gate control voltage to the range of 0.3 to 0.8 V as a result of widened band offset in comparison with a structure constituting the second gate region 7 of Sin.例文帳に追加

このような構成とすれば、第２ゲート領域７をＳｉＣで構成した場合と比べると、バンドオフセットが大きくなる分、すなわち０．３〜０．８Ｖの範囲でゲート制御電圧を大きくすることが可能となる。 - 特許庁

When parts of the picture within ranges of (a), (c) are to be scanned, two lines of gate lines 3 upper and lower than the dividing points are simultaneously scanned and when the picture within the range of (b) is to be scanned, gate lines 3 are scanned one by one.例文帳に追加

ａおよびｃの範囲内を走査するときには、分割点よりも上側と下側の２本のゲートライン３を同時に走査し、ｂの範囲内を走査するときには１本ずつゲートライン３を走査する。 - 特許庁

Then, when the knob 11 is separated from the shift gate 21, according to the operation position of a shift lever 1 in first to third gates 21a to 21c, the shift range of a transmission of vehicle is switched to the shift range of an automatic mode.例文帳に追加

そして、ノブ１１がシフトゲート２１から離間しているとき、第１〜第３のゲート２１ａ〜２１ｃにおけるシフトレバー１の操作位置に基づいて、車両の変速機のシフトレンジをオートマチックモードのシフトレンジに切り替える。 - 特許庁

In a moving quantity and direction determining part 133, a filling range, where a resin injected from each gate reaches, is determined to extract the most delaying nodal point and a flow passage in every delay parts included in each filling range.例文帳に追加

移動量方向決定部１３３は、各ゲートから注入される樹脂が到達する充填範囲を決定し、各充填範囲に含まれる充填遅延部ごとに、最遅延節点および流路を抽出する。 - 特許庁

The gate part 11 extracts the image signal based on a range control signal from the control microcomputer 18, and outputs it to a mean value detection part 12.例文帳に追加

ゲート部１１は、制御マイコン１８からの領域制御信号に基づいて映像信号を抽出して、平均値検出部１２に出力する。 - 特許庁

To provide an LSI which operates at a high speed over a wide temperature range and has low power consumption by discriminatingly using a MOS having a back gate according to operation characteristics of a circuit.例文帳に追加

バックゲートを有するＭＯＳを、回路の動作特性に応じて使い分け、幅広い温度範囲にて高速かつ低電力なＬＳＩを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a trench gate structure having a high punch-through withstand voltage and a wide control range for the threshold voltage Vt, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

パンチスルー耐圧が高く，しきい値電圧Ｖｔの制御範囲の広いトレンチゲート構造の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To validly avoid stopping of an operation due to the deviation from an operating temperature guarantee range in a processor using a gate array capable of reconfiguring an internal logic circuit.例文帳に追加

内部論理回路を再構成可能なゲートアレイを用いた処理装置において、動作温度保証範囲の逸脱による動作の停止を有効に回避する。 - 特許庁

To make it possible to inspect whether or not a communication range by a communication part of an automatic ticket gate meets a standard easily and without variations.例文帳に追加

自動改札機の通信部による通信領域が規格を満たしているか否かを簡易に、かつ、ばらつきがないように検査できるようにする。 - 特許庁

The control section 22 controls the gate voltage Vgs to be the minimum magnitude so that a voltage application section 21 can apply the voltage within a range down to the set lower limit value.例文帳に追加

制御部２２は、設定した下限値を下回らない範囲で、電圧印加部２１から印加可能な最小の大きさにゲート電圧Ｖｇｓを調節する。 - 特許庁

In this case, the FZC signal is detected only within the set gate range, and the focus servo is drawn in by the same focus servo drawing-in method as that of the conventional case.例文帳に追加

この場合、ＦＺＣ信号は前記設定されたゲート範囲内でのみ検出し、従来と同様なフォーカスサーボ引き込み方法にてフォーカスサーボを引き込む。 - 特許庁

To suppress deterioration in the linearity of a mutual conductance (gm) and deterioration in a drain conductance (gd) of a MESFET, in a range of the gate bias caused in the vicinity of pinch-off.例文帳に追加

ピンチオフ近傍となるゲートバイアスの範囲において、ＭＥＳＦＥＴの相互コンダクタンス（ｇｍ）の線形性の劣化や、ドレインコンダクタンス（ｇｄ）の劣化を抑制する。 - 特許庁

A first gate electrode length is set in the range that an electric field from the electrode 7 and electric fields from the electrodes 8 cause interference with each other.例文帳に追加

第一のゲート電極からの電界と、第二のゲート電極の電界が互いに干渉を起こす範囲に、第一のゲート電極長を設定する。 - 特許庁

The conductive path formation region is interrupted by a depletion layer extending from the inversion layer formation region when the gate region is within a range of predetermined voltages.例文帳に追加

導通路形成領域は、ゲート領域が所定の電圧範囲のときには、反転層形成領域から伸びる空乏層により遮断される。 - 特許庁

When the selection lever 12 is once operated from a neutral position toward the switching gate 23 in the state that the D range or the D3 range is selected, it becomes MT mode and a shift stage is successively switched between fourth speed state to first speed state by advancing/retreating the selection lever 12 in the selection gate 21 by the operator.例文帳に追加

ＤレンジあるいはＤ３レンジが選択されている状態でセレクトレバー１２を中立位置から切換ゲート２３に向けて１回操作するとＭＴモードとなり、運転者がセレクトゲート２１内でセレクトレバー１２を前後動させることにより、変速段が４速段〜１速段の間で順次切り換わる。 - 特許庁