| 例文 |
relative diffusionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 51件
The relative refraction diffusion layer consists of one or more kinds of materials with different refractive indexes and formed relative refraction diffusion layer has a relative refraction coefficient with a range.例文帳に追加
この相対屈折拡散層は、一種以上の屈折率が異なる物質で構成され、形成された相対屈折拡散層は範囲のある相対屈折係数を具える。 - 特許庁
Moreover this relative refraction diffusion layer is constituted of one layer or multilayers and the multilayers of relative refraction diffusion layers have refraction coefficients constantly proportional to each other.例文帳に追加
またこの相対屈折拡散層は一層もしくは多層で、多層の相対屈折拡散層は相互の屈折係数が一定の比例である。 - 特許庁
The diffusion region 14 is of an n-type, and high in impurity concentration relative to the drift region 22.例文帳に追加
拡散領域14は、n型であり、ドリフト領域22よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁
The first component has an insufficient diffusion barrier capability relative to hydrocarbon fuel.例文帳に追加
第一コンポーネントは、炭化水素燃料に対して、十分な拡散障壁特性がない。 - 特許庁
The protruding groove 32 restricts the movement of the MEA relative to the gas diffusion layer in a protruding width B adjacent to the recessed groove 33.例文帳に追加
凸条32は、凹条33と隣接した凸幅BにおいてMEAの動きをガス拡散層に対して規制する。 - 特許庁
The plurality of diffusion layer portions are arranged while mutual relative positions are displaced along the surface of the electrode.例文帳に追加
複数の拡散層部分は、互いの相対的な位置が電極の面に沿って変位可能な状態で配置されている。 - 特許庁
To provide an insulating film which is useful as an interlayer dielectric, etc., of a semiconductor device and has a low relative dielectric constant and a high copper diffusion barrier property.例文帳に追加
半導体装置の層間絶縁膜などに有用な比誘電率が低く、かつ銅拡散バリア性が高い絶縁膜を得る。 - 特許庁
Relative displacement of the adjacent unit gas diffusion layers 14 and 16 by a moving device 36 changes overlapping states of each regions 32 and 34 between the unit gas diffusion layers 14 and 16, and results in change of gas-permeability of the whole of the gas diffusion layers.例文帳に追加
そして、移動手段36によって隣接しあう単位ガス拡散層14,16を相対移動させることで、単位ガス拡散層14,16間の各領域32,34の重なり状態を変化させ、これによりガス拡散層全体でのガス透過性を変化させる。 - 特許庁
The optical component for carrying out refraction diffusion of light is constituted by providing one or more layers of relative refraction diffusion layers on one surface of a light translucent substrate and providing an antistatic adhesion layer on another surface of the substrate.例文帳に追加
光を屈折拡散する光学部品は、光を通す基板の一面上に一層もしくは複数層の相対屈折拡散層を設置し、また基板の別の一面には抗静電気密着層を設置する。 - 特許庁
The deviation of the relative position between the low transmittance part of the diffusion sheet and the lamp due to heat can be prevented by such constitution, and the luminance unevenness between the lamps can be lowered.例文帳に追加
この構成により熱による拡散シートの低透過率部とランプとの相対位置のズレが防止でき、ランプ間の輝度ムラを低減できる。 - 特許庁
In this gas diffusion tower, a diffusion pipe is formed into a double pipe structure consisting of a fixed inner cylinder pipe and an outer cylinder pipe provided on the outside of the inner cylinder pipe so as to be longitudinally liftable, so that the diffusion pipe is expanded and contracted by sliding the outer cylinder pipe upward and downward relative to the inner cylinder pipe.例文帳に追加
放散管を、固定された内筒管と該内筒管の外側に長手方向昇降自在に設けられた外筒管とからなる二重管構造とし、前記外筒管が前記内筒管に対してスライド昇降することにより放散管が伸縮する構成としたことを特徴とするガス放散塔である。 - 特許庁
A surface of a silicon oxide film 6 which is embedded inside a device isolation trench 4 is formed with a nitrogen introduction layer 7 having a small diffusion coefficient relative to an oxidation agent.例文帳に追加
素子分離溝4の内部に埋め込まれた酸化シリコン膜6の表面部分には、酸化剤に対する拡散係数が小さい窒素導入層7が形成されている。 - 特許庁
To provide a fuel cell capable of preventing the shift of the relative position of a separator and a gas diffusion layer caused by the deformation of a sealing member and to provide the manufacturing method of the fuel cell.例文帳に追加
シール部材の変形によりセパレータとガス拡散層の相対位置がずれるのを防止することのできる燃料電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Accordingly, the incident angle θ at which emission light L1 from the projector 61 enters the vertical diffusion screen 10 can be made larger than tan^-1(W/D), and the emission angle ϕ of the vertical diffusion light L2 relative to the optical axis K can be made larger.例文帳に追加
このため、プロジェクタ61からの出射光L1が垂直拡散スクリーン10に入射する入射角度θをtan^−1(W/D)より大きくし、光軸Kに対する垂直拡散光L2の出射角度φを大きくすることができる。 - 特許庁
Since the upper floor 310 is synchronized with the displacement of the lower floor 320 via the column 330, the relative displacement does not occur between the diffusion furnace 200 and the gas supply source 211.例文帳に追加
上方床310は、柱330を介して下方床320の移動に連動するので拡散炉200及びガス供給源211との間で相対変位が生じることがない。 - 特許庁
When a voltage is not applied to the electrodes 16a and 16b, light diffusion particles are attracted to the hold member by means of electrostatic force and maintain their positions relative to the screen 100.例文帳に追加
電極16a、16bに電圧が印加されていない場合、光拡散粒子は静電気力により保持部材に吸着され、スクリーン100に対する位置を維持する。 - 特許庁
To provide a solid state imaging device of a CMD pixel, capable of accurately setting a relative position of an impurity diffusion layer and then setting a reset voltage for resetting stored charges low.例文帳に追加
不純物拡散層の相対位置を正確に設定したうえで、蓄積された電荷をリセットするためのリセット電圧を低く設定できるCMD画素の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁
The operation means 50 functions so as to determine the calculated value of the MH alloy center temperature relative to each of a plurality of thermal conductivities assumed optionally by operation using a thermal diffusion equation.例文帳に追加
演算手段50は、熱拡散方程式を使った演算により、任意に仮定された複数の熱伝導率毎に、MH合金中心温度の計算値を求めるように機能する。 - 特許庁
To obtain a film-forming composition excellent in relative permittivity having ≤3.5 and crack resistance and having a function preventing diffusion of copper as an interlaminar insulating film in such as semiconductor device.例文帳に追加
半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、3.5以下の比誘電率とクラック耐性に優れ、かつ銅の拡散防止機能を有する膜形成用組成物を得る。 - 特許庁
A nitrogen diffusion layer having excellent adhesive properties with a steel base layer is formed on the surface of the pressurized head relative component by using a lustering nitrogen diffusing method, and a ceramic layer of a CrN, a TiN or the like having excellent wear resistance and a high hardness is formed on the surface of the diffusion layer by using an AIP method.例文帳に追加
光輝窒素拡散法を用いて加圧ヘッド関係部品の表面に鋼母層と密着性に優れた窒素拡散層を形成させ、その表面にAIP法を用いて耐摩耗性に優れた高硬度のCrN、TiN等のセラミック層を形成させる。 - 特許庁
Spatial and temporal variations of a powder mixture ratio (a toner concentration relative to carrier) are calculated by using an advection diffusion equation where a product between the powder mixture ratio and a power existing density is an unknown, as shown in equation (1).例文帳に追加
式(1)のように、粉体混合比と粉体存在密度の積を未知数とする移流拡散方程式を用いて、粉体混合比(キャリアに対するトナー濃度)の空間時間変化を計算する。 - 特許庁
To provide a method for simply and efficiently manufacturing a precursor which is suitable for manufacturing a sintered body in which a relative density which is suitable for two-dimensional diffusion of heat is large and graphite powder is orientated.例文帳に追加
熱の二次元的な拡散に好適な相対密度が大きく、黒鉛粉末が配向した焼結体を製造するに好適な前駆体を簡便に効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁
A reference voltage Vr divided by a resistance R1 (diffusion resistor) with a positive resistance value variation characteristic to a variation in ambient temperature and a resistance R2 (diffusion resistor) with a larger positive resistance value variation characteristic to the variation of ambient temperature than the resistance R1 is positive relative to a variation in ambient temperature.例文帳に追加
周囲温度の変化に対する抵抗値の変化の特性が正特性である抵抗R1(拡散抵抗)と、抵抗R1よりも周囲温度の変化に対する抵抗値の変化が大きな正特性を有する抵抗R2(拡散抵抗)とによって分圧された基準電圧Vrは、周囲温度の変化に対して正特性となる。 - 特許庁
A body RH with light transmitters PH1 and PH2 and a mask with a diffusion part DF provided in a free way of relative displacement to the body RH for diffusing the incidence light to the body RH are mounted to an exposure device, so that the aberration of the lens of the projection optical system may be measured by rotating the diffusion part.例文帳に追加
光透過部PH1、PH2を有する本体部RHと、本体部RHに相対移動自在に設けられ、本体部RHへの入射光を拡散する拡散部DFとを有するマスクを露光装置に搭載し、拡散部を回転しながら投影光学系のレンズの収差を測定する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, which has a Cu anti-diffusion layer having a relative dielectric constant of about 6 or smaller and having a satisfactory alignment with a wiring step and/or an etching stopper layer, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
比誘電率が6程度以下で、しかも配線工程との整合性も良いCuの拡散防止層および/またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain an insulating film-forming composition capable of giving a coating having a low relative dielectric constant as an interlaminar electrical film material in a semiconductor device, or the like, and excellent in adhesion to a barrier metal which is copper diffusion-preventing film.例文帳に追加
半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に優れる絶縁膜形成用組成物を得る。 - 特許庁
To visualize a structure of each layer of a cardiac muscle in a three-dimensional manner based on diffusion information of MRI to obtain clinically and biologically meaningful information on a heart, such as a torsional state of the cardiac muscle, a relative position of layers, or the like.例文帳に追加
MRIの拡散情報に基づいて心筋の各層の構造を3次元的に可視化し、心筋のねじれ具合や各層の相対位置など、臨床的、生物学的に意味のある心臓の情報を取り出す。 - 特許庁
It is not necessary to form the embedded low-concentration impurity region by impurity diffusion in addition to the low-concentration semiconductor layer, the heat treatment temperature can be lowered relative to a conventional one in this case, and a high withstand voltage can be provided.例文帳に追加
また低濃度半導体層に追加して不純物拡散による埋め込み低濃度不純物領域を設けてもよく、この場合は従来より熱処理温度を短縮し、高い耐圧を得ることができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a barrier insulation film which covers an interconnection mainly formed of a copper film and has a small leakage current and has a sufficiently high capability to prevent the diffusion of copper and a low relative permittivity.例文帳に追加
銅膜を主とする配線を被覆する、リーク電流が小さく、かつ銅に対する拡散防止能力が十分に高い、低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
To prevent a relative position between the low transmittance part of a diffusion sheet for reducing luminance unevenness between lamps constituting a backlight and the lamps from being deviated due to heat, in a liquid crystal display device equipped with a direct backlight.例文帳に追加
直下型バックライトを備える液晶表示装置において、バックライトを構成するランプ間の、輝度ムラを低減するための拡散シートの低透過率部とランプ間の相対位置が、熱によってズレないようにする。 - 特許庁
On the base board 12, an abutting surface 12a is formed and on the light diffusion member 20, an abutment object surface 20c is formed, and the abutting surface 12a is made to abut against the abutment object surface 20c to perform their relative positioning.例文帳に追加
支持基板12には突き当て面12aが、光拡散部材20には被突き当て面20cがそれぞれ形成され、この突き当て面12aと被突き当て面20cとが突き当てられて相対的な位置決めがされている。 - 特許庁
A material of the second component has higher diffusion barrier capability, reduced swelling capability relative to the hydrocarbon fuel, higher mechanical strength and higher thermal shape stability compared to the material of the first component.例文帳に追加
第一コンポーネントの材料に比べて、第二コンポーネントの材料は、より高い拡散障壁特性、炭化水素燃料に関する低下した膨張特性、より高い機械的強度及びより高い熱形状安定性を有する。 - 特許庁
The flat surface fluorescent lamp comprises: an electric discharge container 1 to which a discharge medium that at least includes mercury inside is enclosed and having a plurality of discharge cells 1c that form a plurality of positive columns; and mercury diffusion control means for allowing diffusion or control of mercury relative to the adjacent discharge cells 1c.例文帳に追加
本発明の平面型蛍光ランプは、内部に少なくとも水銀を含む放電媒体が封入されるとともに、複数の陽光柱を形成する複数の放電セル1cを有する放電容器1と、放電容器1の雰囲気温度により、隣接する放電セル1cへの水銀拡散または抑制を可能にする水銀拡散制御手段とを具備する。 - 特許庁
The instrument is provided with a front eye lens 1 for forming a prescribed power to be applied to the model eye, a diffusion plane 2 located at an image point position relative to the prescribed power in the relationship with the front eye lens 1 for diffusing and reflecting incident light and an aberration adding member 3 for applying a prescribed aberration between the front eye lens 1 and the diffusion plane 2.例文帳に追加
模型眼に与えられるべき所定のパワーを形成する前眼部レンズ1と、前眼部レンズ1との関係で該所定のパワーに対する像点位置に配置され、入射光を拡散及び反射する拡散面2と、前眼部レンズ1と拡散面2との間に所定の収差をあたえる収差付加部材3とを備える。 - 特許庁
In an outer peripheral part of the semiconductor substrate 1, a first material film 2 and a second material film 3 having a metal diffusion preventing function, and a third material film 4 sufficiently slow in an etching rate to a first chemical relative to the first material film 2 and sufficiently slow in an etching rate to a second chemical relative to the second material film 3 are formed in that order.例文帳に追加
半導体基板1の外周部に、金属拡散の防止機能を有する第1材料膜2及び第2材料膜3、第1薬液に対するエッチングレートが第1材料膜2よりも十分遅く、且つ、第2薬液に対するエッチングレートが第2材料膜3よりも十分遅い第3材料膜4、をこの順に順次成膜する。 - 特許庁
The diffusion layer 12 is a layer of an oxide formed by diffusing at least a part of elements included in the ceramic element 1 therein, and is formed in a region on a surface side of the ceramic element 1 relative to internal electrode layers 21 and 22 located on the outermost side.例文帳に追加
この拡散層12は、セラミック素体1に含まれる元素の少なくとも一部が拡散した酸化物の層であって、最外側に位置する内部電極層21、22よりも、セラミック素体1の表面側の領域に形成されている。 - 特許庁
The teardrop assembly 32 is constructed to maximize the thermal performance of the member by reducing a relative diffusion angle between the flow of the injected coolant and the flow line of the fluid crossing the aerofoil portion 12.例文帳に追加
涙滴形状アッセンブリ32は、噴射された冷却剤流れとエーロフォイル部分12を横切る流体の流線方向との間の相対的な拡散角を低減することによって、部材の熱的性能を最大化するように構成される。 - 特許庁
The aging device includes a semiconductor substrate 11, first and second diffusion layers 11A, 11B formed in a first element region AA1, a floating gate 14 formed on a channel region between the first and second diffusion layers 11A, 11B, and control gate electrodes 16 formed to be arranged at intervals of a constant spacing horizontally relative to the floating gate 14.例文帳に追加
本発明の例に係わるエージングデバイスは、半導体基板11と、第1素子領域AA1内に形成される第1及び第2拡散層11A,11Bと、第1及び第2拡散層11A,11B間のチャネル領域上に形成されるフローティングゲート14と、フローティングゲート14に対して横方向に一定間隔をおいて並んで形成されるコントロールゲート電極16とを備える。 - 特許庁
In the analysis, “number of computers per person,” “percentage of university and graduate school graduates” and “degree of development of flattening” are used as the representative indices for the diffusion of IT, human capital, and the state of corporate structure, respectively, and companies are categorized into either groups in which these indices are high relative to other companies in their industry or groups in which these indices are low relative to other companies in their industry.例文帳に追加
当該分析においては、IT化については「1人当たりパソコン台数」、人的資本については「大卒・大学院卒者の割合」、企業組織のあり方については「フラット化の進展度合い」を代理指標として採用した上で、各企業を、これらの指標が当該企業の属する産業の中で高いグループに属するか、あるいは低いグループに属するかで分類している。 - 経済産業省
The diffuser (20) comprises a radially-oriented upstream portion (21) with diffusion passages (22) connected to a discharge port of the compressor (10); an elbow-shaped intermediate portion (24); and a downstream portion (25) comprising a series of fairing straightening vanes (26) and inclined relative to the axis (A) of the turbo-machine.例文帳に追加
ディフューザ(20)は、コンプレッサの吐出口に接続された拡散路(22)を有して半径方向に配向した上流部(21)と、肘形状の中間部(24)と、一連の整流ベーン(26)を備えてターボ機械の軸(A)に対して傾斜した下流部(25)とを備える。 - 特許庁
When error diffusion processing pixel data pieces are generated by adding an error in pixel data pieces of peripheral pixels corresponding to pixel data pieces to be processed by the error diffusion processing to the pixel data pieces to be processed, the relative position of the pixels to be processed corresponding to the peripheral pixels is made different from each other at least between a display cell corresponding to one luminous color and display cells corresponding to other luminous colors.例文帳に追加
誤差拡散処理の処理対象となる画素データ片に対する周辺画素の画素データ片における誤差分を、この処理対象となる画素データ片に加算することにより誤差拡散処理画素データ片を生成するにあたり、上記周辺画素に対する処理対象画素の相対位置を、少なくとも1の発光色に対応した表示セルと、他の発光色に対応した表示セルとで互いに異ならせる。 - 特許庁
Accordingly, in the fuel cell integrated with the MEA determined as the non-defective article through the ability test under the low humidification condition, the power generation ability can be guaranteed even under the high humidification condition wherein the gas diffusion resistance becomes lower than that under the gas humidification condition of the relative humidity of ≤40%.例文帳に追加
よって、低加湿状況での能力検査により良品判定されたMEAを組み込んだ燃料電池は、40%以下の相対湿度のガス加湿状況下より低いガス拡散抵抗となる高加湿状況下においても発電能力を担保できる。 - 特許庁
The semiconductor device is formed with P-type embedded diffusion regions 4 discretely connected to a partial bottom face of the P-type body region 3, each extending in a direction parallel to the substrate surface, and having high concentration relative to that of the N-type drift region 5 so that respective tips reach the inside of the drift region 5.例文帳に追加
そして、P型ボディ領域3の一部底面に離散的に連結すると共に、それぞれが基板面に平行な方向に延伸し、各先端がドリフト領域5内に達するよう、N型ドリフト領域5より高濃度のP型埋め込み拡散領域4が形成される。 - 特許庁
In the relative arrangement of each layer, the light diffusing layer 2 is arranged on the nearest side to an illumination source, and then the transparent resin layer 3 and the matting layer 4 are arranged in this order so as to be away from the illumination source, and thus the transmission and diffusion of light emitting from the illumination source are controlled.例文帳に追加
これら各層の相対的な配置を、光拡散層2を最も照明光源に近い側とし、ついで照明光源から遠ざかるように透明樹脂層3、艶消し層4の順とすることにより照明光源から出る光の透過と拡散を調節する。 - 特許庁
That is, the diffusion of copper from the copper conductor layer 3 is inhibited while the relative change of a copper content is reduced even when copper is diffused and intrudes to the resistance layer 2 and an effect on a resistance value can be lowered by previously mixing copper to the resistance layer 2.例文帳に追加
すなわち、予め抵抗層2に銅を混入させることで、銅導体層3からの銅の拡散を抑制すると共に、たとえ銅が拡散して抵抗層2に侵入した場合でも相対的な銅含有量の変化が小さく、抵抗値に及ぼす影響を小さくすることができる。 - 特許庁
This surface-mounted LED 10 (light emitting device) includes: an LED chip 1; a phosphor layer 19 converting the wavelength of light emitted from the LED chip 1; and a light diffusion part 6 that is structured to diffuse light at the center part on the upper side of the LED chip 1 relative to light in the other parts.例文帳に追加
この表面実装型LED10(発光装置)は、LEDチップ1と、LEDチップ1から出射された光の波長を変換する蛍光体層19と、LEDチップ1の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部6とを備える。 - 特許庁
A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.例文帳に追加
半導体基板(11)に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域(18)の先端に対してゲート電極(15)から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層(22)を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁
The cap type optical part 13 is equipped with an included angle light diffusion reflecting section 25 for reflecting included angle radiation light Pn emitted from a semiconductor light emitting element 3 in almost all directions from the central axis Ax with an included angle relative to the central axis Ax smaller than a preset angle θ1 so that the light goes out from the peripheral surface 24.例文帳に追加
キャップ型光学部品13は、中心軸Axとの間の挟角が所定角度θ1よりも小さい角度で半導体発光素子3から出射される挟角放射光Pnを、中心軸Axを中心に略放射状に反射して外周面24から出射させる挟角光拡散反射部25を有する。 - 特許庁
In the refrigerant compressor using R600a (isobutane) as an operating refrigerant, a DLC coating layer is formed by forming a pure chrome film layer as a lower layer, forming a tungsten carbide layer and an Me-DLC layer as intermediate layers, and performing DLC treatment to the top part so as to surely form a diffusion layer in the surface of a base material relative to a connecting rod made of a chrome-molybdenum steel.例文帳に追加
作動冷媒にR600a(イソブタン)を用いた冷媒圧縮機において、クロムモリブデン鋼で作製したコンロッドに対して、基材表面に拡散浸透層を確実に形成できるようにするため、下層に純クロムの膜層、中間層としてタングステンカーバイト層,Me−DLC層を形成し、最上部にDLC処理を施し、DLCコーティング層を形成する。 - 特許庁
A readout start position of a line memory 36 holding error data to be diffused to a plurality of pixels disposed one line behind a pixel of interest is shifted to make the relative diffusion place of at least one signal among R, G, and B signals to the pixel of interest of error data of a line, which is at least one line behind, be different from other signals.例文帳に追加
注目画素の少なくとも1ライン後方のラインに位置する複数の画素に拡散する誤差データを保持するラインメモリ36の読み出し開始位置をずらすことによって、R,G,B信号の内の少なくとも1つの信号において少なくとも1ライン後方のラインにおける誤差データの注目画素に対する相対的な拡散場所を他の信号に対して異ならせる。 - 特許庁
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