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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > single layer wallに関連した英語例文

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single layer wallの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 40



例文

The single sickroom unit panel is used for the enclosure wall, the partition wall and the door comprised of a strength retaining structural layer, a buffer layer and a surface material.例文帳に追加

個室病室ユニット用のパネルは、強度保持構造層と、緩衝層と、表面材とからなる、囲い壁、仕切壁、ドアに用いられるものである。 - 特許庁

To suppress the medium noise originated in a magnetic wall by making a magnetic wall not to be introduced into the soft magnetic layer in a magnetic layer in a magnetic recording medium and making the structure of a magnetic domain of a soft magnetic layer a stable single magnetic domain.例文帳に追加

磁気記録媒体内の軟磁性層内に極力磁壁が導入されないようにし、軟磁性層の磁区構造を安定した単磁区構造とすることにより、磁壁由来の媒体ノイズを抑えることにある。 - 特許庁

This is the transparent conductive film in which a polymer layer having a sulfonic acid group is installed on a conductive layer containing single-wall carbon nanotubes installed on a base material.例文帳に追加

基材上に設けられた単層カーボンナノチューブを含む導電層の上に、スルホン酸基を有する高分子層が設けられてなる透明導電膜。 - 特許庁

To improve the surface positional accuracy of an etching side wall face by suppressing the side etching in the dry etching of a single crystal silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン層のドライエッチングにおけるサイドエッチングを抑制してエッチング側壁面の面位置精度の向上を図れるようにする。 - 特許庁

例文

A thermal oxidization process is performed on the single-crystal silicon pattern to transform the exposed side wall part of the single crystal silicon pattern into silicon oxide, thus a second clad layer 201 is formed and a core layer 111 is formed in the single-crystal silicon pattern.例文帳に追加

そして、単結晶シリコンパターンについて熱酸化処理を実施し、その単結晶シリコンパターンにて露出する側壁部分を酸化シリコンに変質することによって第2クラッド層201を形成すると共に、その単結晶シリコンパターンの内部にコア層111を形成する。 - 特許庁


例文

Such a wall bump structure is given at the same time, when the wall bump structure is formed on the electrode layer of a single substrate, formed on the electrode layer on two pieces of parallel substrates, or a slit is formed in the electrode.例文帳に追加

ウォールバンプ構造が単一基板の電極層の上に形成されるか、或いは2片の平行基板上の電極層の上に形成されるか、或いは電極にスリットが形成されると同時に、このようなウォールバンプ構造を有する。 - 特許庁

With this, an electrode having a single-wall carbon nanotube formed on the ZnO layer is adopted for a field emission element, and driving voltage can be decreased.例文帳に追加

これにより、ZnO層上に形成したシングルウォールカーボンナノチューブを有する電極を電界放出素子に適用し、駆動電圧を下げることができる。 - 特許庁

This is the transparent film having on a base material a conductive layer containing a single-wall carbon nanotubes having a COOM (M is metal element such as K and Na) group obtained by wet oxidation of the single-wall carbon nanotubes by nitric acid or mixture acid of nitric acid and sulfuric acid.例文帳に追加

単層カーボンナノチューブが硝酸あるいは硝酸と硫酸との混酸による湿式酸化されることで得られたCOOM(M=K,Na等の金属元素)基を有する単層カーボンナノチューブを含む導電層を、基材上に有する透明導電膜。 - 特許庁

The vitreous silica crucible 1 used for pulling a silicon single crystal has a wall having, from an inner surface toward an outer surface of the crucible 1, a synthetic vitreous silica layer, a natural vitreous silica layer, an impurity-containing vitreous silica layer, and a natural vitreous silica layer.例文帳に追加

シリコン単結晶引き上げに用いるシリカガラスルツボ1であって、前記ルツボ1の壁が、前記ルツボ1の内面から外面に向かって合成シリカガラス層、天然シリカガラス層、不純物含有シリカガラス層及び天然シリカガラス層を有するシリカガラスルツボが提供される。 - 特許庁

例文

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にn型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

例文

This wall panel is constituted by sticking a single layer or a plurality of layers of transparent or semitransparent synthetic resin decorative sheets 2 to a base board 1 by an adhesive 3 mixed with a pattern material.例文帳に追加

基板1に透明又は半透明の合成樹脂製の化粧シート2を柄材を混入した接着剤3で単層又は複数層貼り付けて壁パネルを構成する。 - 特許庁

The hot iron runner 1 comprises: a double-layer lining layer consisting of a shaped refractory 5 on an operation side and a cast monolithic refractory 10 on a back side of the shaped refractory, formed on a part of a side wall; and a single-layer lining layer made of the cast monolithic refractory formed on the rest of the side wall.例文帳に追加

側壁の一部分に稼働面側の定形耐火物5と当該定形耐火物の背面側の不定形耐火物の流し込み材10からなる2層の内張り層が形成され、その他の部位の側壁には不定形耐火物の流し込み材からなる単層の内張り層が形成された出銑樋1によって解決することができる。 - 特許庁

The transfusion container is constituted of a single-layer or multi-layer container wall having an oxygen absorption resin layer which contains an oxygen absorption resin composition containing a conjugated diene polymer cyclized product.例文帳に追加

単層または多層の容器壁によって構成されてなる輸液容器であって、容器壁が、共役ジエン重合体環化物を含む酸素吸収性樹脂組成物を含んでなる酸素吸収性樹脂層を有していることを特徴とする輸液容器。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin-film transistor 1 forms a source electrode 3, a drain electrode 4, and a semiconductor layer 9 by applying a single wall carbon nanotube (SWCNT) dispersion solution.例文帳に追加

薄膜トランジスタ1の製造方法は、シングルウォールカーボンナノチューブ(SWCNT)分散溶液を塗布して、ソース電極3とドレイン電極4と及び半導体層9とを形成する。 - 特許庁

This wall paper is made of a single side or double side corrugated board sheet having the number of corrugations of90 every 30 cm and thickness of ≤1.2 mm, wherein the single side liner is a synthetic resin sheet, or a synthetic resin layer is formed on the surface of the base paper of the liner.例文帳に追加

段の山数が30cmあたり90以上、厚さが1.2mm以下の片面または両面段ボールシートから成り、片側ライナーが合成樹脂シートであるか、または、ライナー原紙表面に合成樹脂層を設けた段ボール製壁紙。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、SOI層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したSOI層の酸化を防止する。 - 特許庁

Ground surface layers consisting of single or a plurality of layers and magnetic domain control layers designed to control the magnetic domains of a soft magnetic backing layer are imparted between a nonmagnetic substrate and the soft magnetic backing layer, by which the spike noise occurring in the formation the domain wall of the soft magnetic backing layer can be suppressed.例文帳に追加

また、非磁性基体と軟磁性裏打ち層の間に、1層あるいは複数層からなる下地層、及び、軟磁性裏打ち層の磁区制御を目的とした磁区制御層を付与したことにより、軟磁性裏打ち層の磁壁形成に起因するスパイクノイズを抑制することが可能となる。 - 特許庁

To form a boron phosphide-based semiconductor layer having an excellently flat and continuous surface on the surface of a single-crystal silicon substrate, by suppressing discharge of a material that inhibits formation of the boron phosphide-based semiconductor layer on the surface of the single- crystal silicon substrate from a decomposition product adhering to the internal wall of a vapor phase growth furnace.例文帳に追加

珪素単結晶基板表面上へのリン化硼素系半導体層の形成を阻害する、気相成長炉の内壁に被着した分解生成物からの物質の放出を抑制し、珪素単結晶基板表面上に表面の平坦性及び連続性に優れるリン化硼素系半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a washing place floor for a bathroom which is available for both types of a laminated structure and a single layer structures, and can prevent a seal between a wall panel and a surface material or between the surface material and a base material from being peeled-off.例文帳に追加

積層構造と単層構造の両方に利用でき、壁パネルと表面材との間や表面材と基材との間のシール切れを防止できる浴室用洗い場床を提供する。 - 特許庁

The pouch made of a single-layer film or a laminated film, has a compartment which is formed at a location lower than the top thereof by extending at least one portion of a pouch side wall outward and branching the same from a body.例文帳に追加

単層または積層のフイルムで形成したパウチにおいて、パウチの頂部より下方の位置にパウチの側壁の少なくとも1箇所を外側に伸張させて分岐した小室を設けたパウチとする。 - 特許庁

Series resistance is reduced by forming a single layer spacer 13 on the side wall of the gate electrode 6L of a low voltage operation MISFET QL thereby decreasing the width of an LDD region 7L relatively.例文帳に追加

低電圧動作MISFETQ_Lのゲート電極6Lの側壁に1層スペーサ13を形成することによって、LDD領域7Lの幅を相対的に小さくして直列抵抗を低減する。 - 特許庁

A fine hole in a pyramid shape for which a side wall is a {111} plane is provided on the surface of the Si single crystal substrate and the buffer layer composed of the BP base material is formed on the substrate surface by a vapor growth method.例文帳に追加

Si単結晶基板表面に側壁を{111}面とする四角錐状の細孔を設け、該基板表面上に気相成長法によりBP系材料からなる緩衝層を形成する。 - 特許庁

A wall member 1 of a package is constituted by laminating at least one foamed resin layer 20 foamed by gas to be filled therewith to resin layers 10 excellent in barrier properties between them or laminating the same to the single surface of one resin layer 10 and the gas is a single inert gas such as nitrogen or carbon dioxide or mixed gas.例文帳に追加

バリア性に優れた樹脂層10の間にもしくは片面に、ガスにより発泡させ、そのガスが充満している発泡樹脂層20を一層以上積層してなり、そのガスが、窒素や二酸化炭素等の不活性ガスの単体ガスもしくはこれらの混合ガスであることを特徴とする包装体の壁体1としたものである。 - 特許庁

To provide a translucent sound insulation wall capable of having a single layer and sufficient weather resistance on a translucent plate, and having fine hydrophilic from an initial stage and exhibiting an antifouling property and its manufacturing method.例文帳に追加

透光板上に単層で十分な耐候性を有するとともに初期段階から良好な親水性を有し、防汚性を発現することのできる透光性遮音壁およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the liquid ejector, the barrier wall 5 of ink channel comprising a liquid jet opening 2, a liquid ejection opening 3 and a liquid storage part 4 is formed of a metal layer accurately by electroforming on a single crystal.例文帳に追加

液体噴射装置においては、液体噴射口2、液体注入口3、液体貯蔵部4等からなるインク流路の隔壁5が、電鋳法により形成される金属層でもって単結晶上に精度よく形成されている。 - 特許庁

To realize not only smoothness but also an excellent release property for a printing material on the wall face of the opening part of a printing plate consisting of a single plastic layer or a plastic material on the printing side and a metal material on the squeegee side.例文帳に追加

プラスチック単層または、被印刷物側をプラスチック材料、スキージ側を金属材料で構成した印刷版の開口部壁面の、単に平滑性のみならず、印刷材料に対する良好な抜け性を実現する。 - 特許庁

A projection wall having a second side surface opposed to a first side surface is formed on a semiconductor substrate, a single side contact mask having an opening part selectively opening a part of the first side surface of the wall, is formed, then a first impurity layer and a second impurity layer covering the first impurity layer by diffusing impurities having different diffusion degrees into a first side surface exposed to the opening.例文帳に追加

半導体基板に第1の側面に反対される第2の側面を有して突出した壁体)を形成し、壁体の第1の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第1の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第1の不純物層及び該第1の不純物層を覆う第2の不純物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A tire for a vehicle 50 includes a tire carcass 51, a side wall 53, a rubber layer (single or plural layers) forming a tire tread 56 provided on the carcass, a tread pattern comprising multiple blocks 11 divided by a groove 22.例文帳に追加

車両タイヤ(50)が、タイヤ・カーカス(51)およびサイドウォール(53)と、カーカス上に設けられたタイヤ・トレッド(56)を形成しているゴム層(単数または複数)と、溝(22)によって分離されている複数のブロック(11)を有するトレッド・パターンとを包含する。 - 特許庁

The hydrogen occlusion material has a side wall comprised of an atom bound material having a plurality of atoms arranged in a sheet-like state, for example, the tubular molecule such as a single layer carbon nanotube and is constituted so that a cleavage part 12 is formed at the end part.例文帳に追加

シート状をなすように複数の原子が配列されてなる原子結合体からなる側壁を有する例えば単層カーボンナノチューブなどのような筒状分子でなる水素吸蔵材料であって、端部に裂開部分12が形成されている。 - 特許庁

The high-strength composite fiber is obtained by using a polyvinyl alcohol solution in which single-layer carbon nanotubes having a graphene sheet having considerably reduced structure defects are dispersed in a nanometer level as a spinning solution, extruding the spinning solution through a nozzle to a cooling phase to give a gel fiber, after desolvation and highly orienting the PVA and SWNT (single wall carbon nanotube) by drawing.例文帳に追加

グラフェンシート構造の欠陥の極めて少ない単層カーボンナノチューブをナノメートルレベルで分散させたポリビニルアルコール溶液を紡糸液とし、ノズルを通して冷却相へ押し出すことによってゲル繊維を得、脱溶媒後、延伸により、PVAおよびSWNTを高度に配向させることで、高強度コンポジット繊維を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method and a structure for mechanically inserting, sealing and retaining a vent valve for fuel vapor from an opening part of a fuel tank wall, which is made of a simple and single assembly at a relatively low cost and surely seals the blocking layer for the fuel vapor of the fuel tank.例文帳に追加

簡単な単一アセンブリで、比較的低コスト、かつ、燃料タンクの燃料蒸気用遮蔽層を確実にシールする、燃料タンク壁部の開口部から燃料蒸気用ベントバルブを機械的に挿入、シールし、保持する方法と構造を提供する。 - 特許庁

On a top surface of the gate electrode, a source electrode and a drain electrode are provided respectively (S13), and between the source electrode and drain electrode, a semiconductor layer made of single-wall carbon nanotubes is provided filling grooves formed apart from each other (S14).例文帳に追加

ゲート絶縁層の上面には、ソース電極及びドレイン電極が各々設けられ(S13)、ソース電極とドレイン電極との間には、互いに離間して形成された溝を埋めるように、シングルウォールのカーボンナノチューブから成る半導体層が設けられる(S14)。 - 特許庁

When pulling and growing single crystal 4 from a silicon molten liquid 3 in a quartz crucible 1a by a CZ method, BaCO_3 powder is added to a silicon raw material in the quartz crucible at a mass ratio against the silicon raw material of 0.5-35 ppm when the inner wall of the crucible is a synthesized quartz layer and of 1-70 ppm when that is a natural quartz layer.例文帳に追加

CZ法により、石英坩堝1a内のシリコン溶融液3から単結晶4を引上げて成長させるに際し、石英坩堝内のシリコン原料に、BaCO_3粉末を、坩堝の内壁が合成石英層である場合には、シリコン原料に対する質量比で0.5〜35ppm添加し、天然石英層である場合には1〜70ppm添加する。 - 特許庁

A pair of flanges 21 having a double wall structure comprising a flange piece 9 and a turning-back piece 12 and another pair of flanges 22 of a single layer comprising a flange piece 10 are fixedly overlapped with a upward joining piece 14 and a downward joining piece 13, eliminating level differences along an entire periphery of the flange.例文帳に追加

フランジ片9と折返片12とによって二重壁構造を有する一対のフランジ21と、フランジ片10によって構成される単層の他の一対のフランジ22とを、接合片13を下に接合片14を上にして重ね合わせて固着し、フランジ全周に渡って段差を無くした。 - 特許庁

The gas sealing back-up ring has a back-up ring body formed of a resin or metal having high gas barrier performance for preventing gas from leaking therethrough and the rubber layer provided in the wall contact portion for sealing gas leakage such as gap leakage occurring in the single back-up ring body.例文帳に追加

このガスシール用バックアップリングは、バックアップリング本体を、ガスバリア性の高い樹脂または金属製とすることで、ガスの透過洩れを防ぐと共に、それの機壁接触部に設けられたゴム層によって、バックアップリング本体単体では生じていた隙間洩れなどのガス洩れをシールすることができる。 - 特許庁

After a coating film containing boron and phosphorus is formed on an internal wall of the vapor phase growth furnace by passing a gas containing boron and phosphorus and a carrier gas accompanied by the gas through the furnace, the boron phosphide-based semiconductor layer is vapor- phase grown on the single-crystal silicon substrate.例文帳に追加

硼素とリンとを含む気体と、それを随伴する搬送用気体とを、気相成長炉内に流通させて、気相成長炉の内壁に、硼素とリンとを含んでなる被膜を形成した後、珪素単結晶基板上にリン化硼素系半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

To provide a silica glass crucible for crystallization promoting coating which can improve the effect by a coating layer for promoting crystallization formed on the surface of a crucible and thereby can prevent falling-down of the side wall of the crucible due to the decrease of strength, in a crucible used for pulling up a semiconductor single crystal of silicon or the like.例文帳に追加

シリコン等の半導体単結晶引上げに用いられるルツボにおいて、該ルツボ表面に形成する結晶化促進のためのコーティング層による効果を向上させることができ、これにより、ルツボ側壁の強度低下による倒れ込みを防止することができる結晶化促進コーティング用シリカガラスルツボを提供する。 - 特許庁

Then the defects in the barrier walls are discriminated through void defects in the colored ink layer formed after barrier wall formation and, by correcting the discriminated defects with a correction device having a plurality of correction means, the void defects in the colored ink and the defects in the barrier walls on the substrate are corrected with a single process on the same work.例文帳に追加

そして、隔壁形成後に形成した着色インキ層の白抜け欠陥から、隔壁の欠陥を判別し、さらに複数の修正手段を有する修正装置により修正すると、基板上の着色インキの白抜け欠陥と隔壁の欠陥を、同一のワーク上で一度の工程で、修正する。 - 特許庁

In the liquid droplet ejecting head 1 in which a plurality of pressurization liquid chambers 5 with nozzle holes 6 are arranged on a diaphragm 3 with piezoelectric elements 2, a partition wall 4a partitioning adjacent pressurization liquid chambers 5 and a nozzle layer 4b of the pressurization liquid chamber 5 are integrally formed of inorganic materials of larger Young's modulli than that of single crystal silicon.例文帳に追加

圧電体素子2を有する振動板3上に、ノズル孔6を有する複数の加圧液室5が配列されてなる液滴吐出ヘッド1において、隣接する加圧液室5の間を仕切る隔壁4aと、前記加圧液室5のノズル層4bが、単結晶シリコンよりもヤング率の大きな無機材料で一体的に形成されてなる。 - 特許庁

例文

In a single-tube type or multiple-tube type EGR cooler that cools EGR gas to a desired temperature in order to recycle part of exhaust gas (combustion gas) of an internal combustion engine as the EGR gas, the tube body has a coating layer for soot-adhesion prevention, at least on a wall surface within the tube on a flow-out side of EGR gas.例文帳に追加

内燃機関の排気ガス(燃焼ガス)の一部をEGRガスとして循環再使用するために前記EGRガスを所望温度に冷却する単管式または多管式のEGRクーラーにおいて、前記管体が、少なくともEGRガスの流出側の管内壁面に煤の付着防止被膜層を有するもので構成されたことを特徴とするEGRクーラー。 - 特許庁




  
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