「substrate effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

When a TFT array substrate is irradiated only once with laser light having a wavelength of 0-355 nm, a pulse width of 5-200 nsec and an energy in the range of 0.16-0.6 mJ/mm^2, only the pixel electrode 5 can be cut off selectively without having any effect on the underlying gate line 1, source line 3, TFT 6 and common capacitive line 2.例文帳に追加

また、波長が０を超え３５５ｎｍ以下、パルス幅が５〜２００ｎｓｅｃ、エネルギーが０．１６〜０．６ｍＪ／ｍｍ^2の範囲であるレーザー光を１回のみ照射するようにすると、画素電極５の下に存在するゲート配線１、ソース配線３、ＴＦＴ６および共通容量配線２に影響を与えることなく、画素電極５のみを選択的に切断しやすい。 - 特許庁

To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit.例文帳に追加

絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a hair cosmetic usable as a hair setting agent such as a hair wax, a hair cream and a foam hair setting agent or a substrate thereof, further in detail, having excellent hair set maintaining effect and excellent hair set ability, imparting flexibility and moisture to the hair, causing no stickiness, giving no stiffness in finishing and also having smooth feeling.例文帳に追加

本発明は、ヘアワックス、ヘアクリーム、泡状整髪料などの整髪料として、またはその基剤として用いられる毛髪化粧料に関し、更に詳細には、高い毛髪セット保持効果及び優れた毛髪セット力を有しながら、毛髪にしなやかさ、うるおいを付与し、かつ、べたつきがなく、仕上がりにごわつきがなく、なめらかな感触を併せ持つ毛髪化粧料に関する。 - 特許庁

The polarization dispersion compensator is equipped with a polarized light converter 11 which has a control electrode formed on an optical single-crystal substrate with electro-optical effect and can optionally control polarization modes by applying voltage to the control electrode, and has birefringent optical fibers 12 and 13 arranged on a light input side and a light output side of the polarized light converter 11.例文帳に追加

電気光学効果を有する光学単結晶基板上に制御電極が形成され、該制御電極への電圧印加により偏光モードが任意に制御できる偏光変換器１１を備えるとともに、偏光変換器１１の光入力側及び光出力側のそれぞれに複屈折性光ファイバ１２，１３を配置したことを特徴とする偏波分散補償器とする。 - 特許庁

A first quantum dot 22 and a second quantum dot 23 which have different sizes are provided on a substrate 21, thereby causing a resonant effect between quantum levels in which status density functions become equal to each other and resonating light emitted on the basis of reverse distribution generated by implanting exciters into the quantum level of the second quantum dot 23 and further performing optical oscillation.例文帳に追加

大きさの異なる第１の量子ドット２２及び第２の量子ドット２３を基板２１上に設けることにより、状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第２の量子ドット２３の量子準位に励起子を注入させることにより生成される反転分布に基づいて放出された光を共振させ、さらに光発振させる。 - 特許庁

In order to solve a short channel effect in a highly integrated semiconductor device, a method of fabricating a semiconductor device includes steps of: forming gate patterns over an insulating layer and a silicon active region formed on a semiconductor substrate; removing the silicon active region exposed between the gate patterns; and filling a space between the gate patterns to form a plug.例文帳に追加

高集積半導体装置において、ショートチャンネル効果を克服するため、本発明に係る半導体素子の製造方法は半導体基板の上部に形成された絶縁層、及びシリコン活性領域上にゲートパターンを形成するステップ、前記ゲートパターンの間の露出したシリコン活性領域を取り除くステップ、及び前記ゲートパターンの間を埋め込んでプラグを形成するステップを含む。 - 特許庁

The MR element 16 is mounted on a substrate 22 so that two base materials 20, 21 on which the same resistance patterns R1, R2 exhibiting a magnetic resistance effect by ae vapor deposition thin film of ferromagnetic material metal are placed side by side along the moving direction of a magnet M where the resistance patterns R1, R2 move integrally with a piston 13.例文帳に追加

ＭＲ素子１６は、強磁性体金属の蒸着薄膜によって磁気抵抗効果を奏する同じ抵抗パターンＲ１，Ｒ２が形成された２つの基材２０，２１が、抵抗パターンＲ１，Ｒ２がピストン１３と一体移動する磁石Ｍの移動方向に沿って並ぶように基板２２上に実装されるとともに、２つの抵抗パターンＲ１，Ｒ２が電気的に直列に接続されている。 - 特許庁

A field-effect transistor is formed on a substrate 101 by sequentially stacking a first nitride semiconductor layer 102 serving as a nucleation layer, a second nitride semiconductor layer 103 having a larger electron affinity than the first nitride semiconductor layer 102, and a third nitride semiconductor layer 104 having a smaller electron affinity than the second nitride semiconductor layer 103.例文帳に追加

電界効果型トランジスタは、基板１０１上に、核形成層として機能する第一の窒化物半導体層１０２と、第一の窒化物半導体層１０２よりも電子親和力の大きい第二の窒化物半導体層１０３と、第二の窒化物半導体層１０３よりも電子親和力の小さい第三の窒化物半導体層１０４とを順に積層して形成されている。 - 特許庁

Thus, in the case of manufacturing a heterojunction field-effect transistor, a light emitting diode or a laser diode or the like by using GaN and AlGaN, by using GaGdN containing Gd, a crystal is grown in the state of keeping a substrate temperature fixed, and the nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured without lowering the performance.例文帳に追加

したがって、ＧａＮやＡｌＧａＮを用いてヘテロ接合電界効果型トランジスタ、発光ダイオード、またはレーザダイオードなどを作製する場合に、Ｇｄを含むＧａＧｄＮを用いることによって基板温度を一定に保った状態で結晶を成長させることができ、性能を落とすことなく窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置の作製が可能となる。 - 特許庁

In the field-effect silicon-carbide semiconductor device provided with a metal/semiconductor contact formed on one major surface of the silicon carbide substrate 1, contact electrodes contacted with at least one of a gate contact 16 and a source contact 14 or a drain contact 15 are made of an identical material (e.g., Ti, Mo or Ni), and are formed concurrently in the same step.例文帳に追加

炭化珪素基板１の一主面に形成した金属−半導体接触を具有する電界効果型の炭化珪素半導体装置であって、ゲート接触１６と、ソース接触１４またはドレイン接触１５の少なくとも一方の接触の接触電極が同一材料（例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｎｉ）であり、かつ同一工程で並行して形成された接触電極である炭化珪素半導体装置。 - 特許庁

The field-effect transistor includes: a nitride semiconductor laminate 102 formed on a substrate 101; a source electrode 105; a drain electrode 106; a gate electrode 107; an insulator film 110 formed on the nitride semiconductor laminate 102; and a field plate 115 formed over the insulator film 110 in contact therewith and having an end located between the drain and gate electrodes 106 and 107.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、基板１０１の上に形成された窒化物半導体積層体１０２と、ソース電極１０５、ドレイン電極１０６及びゲート電極１０７と、窒化物半導体積層体１０２の上に形成された絶縁膜１１０と、絶縁膜１１０の上に接して形成され、端部がゲート電極１０７とドレイン電極１０６との間に位置するフィールドプレート１１５とを備えている。 - 特許庁

The gate stack structure is equipped with: an interfacial layer 4 formed on a semiconductor substrate 5; a high-k dielectric 3 formed on the interfacial layer 4; a silicide gate 1 including a diffusive material and an impurity metal and formed over the high-k dielectric; and a barrier metal 2 having a barrier effect to the diffusive material and formed between the high-k dielectric 3 and the silicide gate 1.例文帳に追加

ゲート積層体構造は、半導体基板５の上に形成された界面層４と、界面層４の上に形成された高誘電率誘電体３と、拡散性材料と不純物金属を含み、高誘電率誘電体の上方に形成されたシリサイドゲート１と、拡散性材料に対するバリア効果を持ち、高誘電率誘電体３とシリサイドゲート１の間に形成されたバリアメタル２とを備えている。 - 特許庁

To provide a non-contact IC label with an optical function that is provided with an OVD visually presenting the optical effect and is capable of performing contactless data transmission and reception to/from an external device, and that can serve as an IC label for forgery prevention that is capable of perfectly disabling a communication function by surely fracturing a label substrate and cutting an antenna of a non-contact IC medium when the label is removed.例文帳に追加

目視で光学的な効果を呈するＯＶＤを備え、かつ非接触で外部装置との間でデータの送受信を行うことができる光学機能付き非接触ＩＣラベルであって、ラベルを剥がす際に、確実にラベル基材が破断すると同時に非接触ＩＣ媒体のアンテナを切断して、完全に通信機能を不能にすることができる偽造防止用ＩＣラベルを提供する。 - 特許庁

To suppress the change with time of device characteristics without impairing device characteristics even when the length of a heater is made short and heating operation is performed at a temperature higher than a conventional temperature and to obtain stable performance for a long time, in an optical waveguide device wherein guided wave characteristics of optical waveguides formed on a glass substrate by an ion exchange method are reversibly and variably operated by a thermooptical effect.例文帳に追加

ガラス基板にイオン交換法で形成された光導波路の導波特性を熱光学効果により可逆的に可変操作させるようにした光導波路デバイスにおいて、ヒータ長を短くして従来よりも高温で加熱操作が行われるようになった場合でも、デバイス特性を損なうことなく、その特性の経時変化を抑え、長期にわたって安定した性能が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a light emitting diode element for improving light take-out efficiency and having high light emitting efficiency by forming a cover layer wherein the change of an antireflection effect by the heat generation of a light emitting diode chip is small without the need of microfabrication to a substrate and the light emitting diode chip or an optical member for converging light, and to provide a light emitting diode device using it.例文帳に追加

基板や発光ダイオードチップへの微細加工や集光用光学部材を必要とせず、かつ、発光ダイオードチップの発熱による反射防止効果の変化が小さい被覆層を発光ダイオードチップ上に形成することによって光の取り出し効率を向上させ、高い発光効率を有する発光ダイオード素子およびそれを用いた発光ダイオード装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor apparatus 1 formed of a field effect transistor equipped with a gate electrode 15 formed on the semiconductor substrate 11 through the gate insulating film 14, a part of the gate electrode 15 coming into contact with the gate insulating film 14 is formed of a film containing hafnium and nitrogen, and the film contains, at least, nitrogen, and the compositional ratio of nitrogen to hafnium is 51% or below.例文帳に追加

半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えた電界効果トランジスタからなる半導体装置１であって、前記ゲート電極１５は少なくとも前記ゲート絶縁膜１４側がハフニウムと窒素とを含む膜からなり、前記ハフニウムと窒素とを含む膜は少なくとも窒素を含みかつハフニウムと窒素とに対する窒素の組成比が５１％以下である。 - 特許庁

An insulated gate field effect transistor is fabricated by forming an underlying silicide film or a gate insulation film on a substrate, forming an amorphous silicon film in contact therewith without exposing the film to the atmosphere, heat treating the amorphous silicon film to form a crystalline silicon film, and patterning the crystalline silicon film to form a semiconductor layer for forming a channel forming region.例文帳に追加

基板上の下地となる酸化珪素膜又はゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜を形成し、その酸化珪素膜を大気に曝すことなく、それに接して非晶質珪素膜を形成し、その非晶質珪素膜を熱処理し、結晶性珪素膜を形成し、その結晶性珪素膜をパターニングし、チャネル形成領域が形成される半導体層を形成して、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを作製する。 - 特許庁

The MOS field-effect transistor includes a device isolating region disposed on a predetermined portion of the semiconductor substrate to define an active region, a source region and a drain region spaced apart from each other about a channel region within the active region, a gate electrode formed on the active region between the source region and the drain region, and a gate insulating layer formed between the active region and the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板の所定領域に配置されて活性領域を限定する素子分離領域を含み、活性領域内でチャンネル領域を介在してソース領域及びドレイン領域が互いに離隔されて形成されており、ソース領域とドレイン領域間の活性領域上にゲート電極が形成されており、活性領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成されているトランジスタ。 - 特許庁

To obtain a material that keeps functionalities, prevents blots of printing ink, has water resistance/washing resistance and designability by applying diatomaceous earth and a pretreatment substrate agent for dye ink and pigment ink for an inkjet printer to a fiber structure such as paper, a cloth, etc., when effects such as reduction of mold, deodorizing effect, humidity regulation, etc., of diatomaceous earth are added to the structure.例文帳に追加

珪藻土の持つカビの軽減、消臭効果、湿度調節などの有用な効果を、紙並びに布などの繊維構造物などに付加する際、インクジェットプリンタ用染料インク並びに顔料インク用の前処理下地剤と合わせて施術することにより、その機能性を持続させるとともに、印刷インクのにじみを防止し、耐水性・耐洗濯性を併せ持ち意匠性を併せ持つ素材を提供する。 - 特許庁

The optical device constituted by forming a Mach-Zehnder interferometer 3 equipped with first and second two optical waveguides on an output side on a substrate having an electrooptical effect, includes a curve to turn the second optical waveguide 3f to a direction parting from the first optical waveguide 3e and includes a monitor section 10 in a position shifted from the output end of the second optical waveguide having the curve.例文帳に追加

出力側に第１、第２の２つの光導波路を備えたマッハツェンダ型干渉計３を、電気光学効果を有する基板上に形成した光デバイスにおいて、第２の光導波路３ｆを、第１の光導波路３ｅから離れる方向に反らせる湾曲部を備えるものとし、湾曲部を備えた第２の光導波路の出力端からずらした位置にモニタ部１０を備えるものとする。 - 特許庁

An image forming layer containing a microcapsule containing either a leuco dye which develops color by the action of an acid or a dye of which the absorption maximum in a visible light region is lowered by the action of the acid and a lipophilic compound, an acid precursor bringing about the acid under the effect of heat and a photothermal conversion agent, is provided on a substrate having a hydrophilic surface.例文帳に追加

親水性表面を有する支持体上に、酸の作用により発色するロイコ染料又は酸の作用により可視光域の吸収極大が低下する染料と、親油性化合物とを含有するマイクロカプセル、熱の作用により酸を発生する酸前駆体、並びに光熱変換剤を含有する画像形成層を有する、機上現像可能な感熱性平版印刷版用原版。 - 特許庁

Specifically, the invention provides bioabsorbable materials including a bioabsorbable substrate associated with one or more antimicrobial metals being in a crystalline form characterized by sufficient atomic disorder, such that the bioabsorbable material in contact with an alcohol or water based electrolyte, releases atoms, ion, molecules, or clusters of at least one antimicrobial metal at a concentration sufficient to provide an antimicrobial effect.例文帳に追加

具体的には、本発明は、十分な原子異常を特徴とする結晶形態にある１以上の抗菌性金属が結合した生体吸収性基体を含む生体吸収性材料を提供するものであり、当該材料はアルコール又は水性電解液に接触すると抗菌効果を奏するのに十分な濃度で少なくとも１つの抗菌性金属の原子、イオン、分子又はクラスターを放出する。 - 特許庁

To provide a memory circuit which constitutes a storage circuit including storages on a semiconductor substrate, that can adjust the capability of a suppressor circuit depending on a power supply voltage and a frequency to operate the memory circuit, reduce the adverse effect of the suppressor circuit on power and speed, and reduce areas and design man-hours by devising the mounting method of the circuit to control the capability of the suppressor circuit.例文帳に追加

半導体基板上に記憶保持部を含む記憶保持回路を構成したメモリ回路に関し、メモリ回路を動作させる電源電圧、周波数等に応じて、抑制回路の能力を調整でき、抑制回路による電力、速度に対する悪影響を低減することができ、かつ抑制回路の能力を制御する回路の搭載方法を工夫することにより、面積、設計工数の削減を図ることができる。 - 特許庁

First and second quantum dots 12 and 13 having different sizes are formed on a substrate 511 made of a conductive crystal to cause a resonance effect between quantum levels when their state density functions become the same, so that excitons excited within the first quantum dot 12 according to the wavelength of light emitted from the illumination optical system 518 are injected to the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板５１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、照射光学系５１８から照射される光の波長に応じて第１の量子ドット１２内で励起された励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

The semiconductor modulator element formed on a semiconductor substrate 1 having a diameter of 50 mm and a warp of 10 μm or more is composed of a field effect transistor having a dual gate structure having a semiconductor-made channel 2, a source electrode 3 and a drain electrode 4 ohmically contacted with the channel 2, and a first and second gate electrodes 5, 6 formed on the channel 2.例文帳に追加

５０ｍｍの直径を有し、１０μｍ以上の反りを有する半導体基板１の上に形成された半導体変調素子であって、半導体よりなるチャネル２と、チャネル２にオーミック接触するソース電極３およびドレイン電極４と、チャネル２上に形成された第１のゲート電極５および第２のゲート電極６とを有するデュアルゲート構造の電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする半導体変調素子を構成する。 - 特許庁

The projector comprises a light source 1 emitting steady light, a means 2 for modulating a light wave from the light source, and a means 4 for scanning a plane space with modulated light from the optical modulation means, wherein the optical modulation means is an optical modulator having an optical waveguide and a modulation electrode for modulating a light wave propagating through the optical waveguide on a substrate exhibiting electro-optical effect.例文帳に追加

定常光を出射する光源１と、該光源からの光波の光変調を行う光変調手段２と、該光変調手段からの変調光を平面空間に走査する走査手段４とを有するプロジェクタ装置において、該光変調手段は、電気光学効果を有する基板上に、光導波路及び該光導波路を伝播する光波を変調する変調電極を有する光変調器であることを特徴とする。 - 特許庁

In the transmission power amplifier circuit with a temperature compensation function, power amplifier 151, 152 employing gallium arsenide field effect transistors and a preamplifier provided with a thermister temperature compensation circuit are integrated into one integrated circuit, and the power amplifiers 151, 152 and the preamplifier including the thermister temperature compensation circuit are formed on a substrate 150 of the integrated circuit in the state that ground circuits 155, 156 are independent of each other.例文帳に追加

温度補償機能付きの送信電力増幅回路１５ｂにおいて、ガリウム砒素電界効果型トランジスタを使用した電力増幅器１５１，１５２と、サーミスタ温度補償回路１５４を備えた前置増幅器１５３とを１個の集積回路に収容し、かつその際に電力増幅器１５１，１５２と、温度補償回路１５４を含む前置増幅器１５３とを、集積回路の基板１５０上においてその接地回路１５５，１５６が独立した状態で形成するようにしたものである。 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first nitride semiconductor layer 13 formed on a substrate 11; a second nitride semiconductor layer 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 with a larger band gap compared to the first nitride semiconductor layer 13; a first insulating film 15 composed of a crystalline silicon nitride and formed on the second nitride semiconductor layer 14; and a second insulating film 16 formed on the first insulating film 15.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、第１の窒化物半導体層１３と比べてバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第１の絶縁膜１５と、第１の絶縁膜１５の上に形成された第２の絶縁膜１６とを備えている。 - 特許庁

A bipolar transistor and a field effect transistor (especially a MOS transistor) are formed on the same substrate.例文帳に追加

バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ（特にＭＯＳトランジスタ）を同一基板上に形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板１上の全面に絶縁膜１６を形成する工程と、ＭＯＳトランジスタ部分の絶縁膜１６に開口を設け、開口底部にゲート絶縁膜２２を形成する工程と、少なくともＭＯＳトランジスタを被覆するレジスト２３を形成する工程と、バイポーラトランジスタ部分の絶縁膜１６にＲＩＥを行い、開口側壁に高分子膜を堆積させながら開口を設ける工程と、前記高分子膜を除去する工程と、バイポーラトランジスタおよびＭＯＳトランジスタの開口内に導電体層２４を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁