「substrate effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The fine patterns are formed by coating the surface of a substrate having photoresist patterns with a coating forming agent for scaling down of the patterns, then by thermally shrinking the coating forming agent by heat treatment to narrow the spacing between the photoresist patterns by utilizing the thermal shrinkage effect thereof, thereafter by bringing the coating forming agent into contact with a removing liquid for the time exceeding 60 second, thereby the patterns are removed.例文帳に追加

ホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去液に６０秒を超える時間接触させて除去する、微細パターンの形成方法。 - 特許庁

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for peeling a photoresist by which a photoresist film and an etching residue after etching can be effectively removed without using O_2 plasma ashing even in a process of forming a fine pattern on a substrate having at least copper wiring and a low dielectric material layer, no adverse effect is given to the dielectric constant of the low dielectric material layer, and excellent corrosion resistance is obtained.例文帳に追加

少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上の微細パターン形成において、Ｏ_２プラズマアッシング処理を行わないプロセスにおいても、エッチング後のホトレジスト膜、エッチング残渣物を効果的に剥離することができ、しかも低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor drum has an organic photosensitive layer 4 on a cylindrical conductive substrate 1 of ≥2.5 mm (more preferably ≤7 mm) in thickness and therefore the moment of inertia of the photoreceptor drum is increased and the influence of the vibration of a drive motor, etc., is suppressed by the flywheel effect and the unevenness of rotation being the cause for color unevenness is eliminated.例文帳に追加

電子写真用感光体ドラムは、肉厚が２．５ｍｍ以上（７ｍｍ以下が好ましい）の円筒状導電性基体１上に有機感光層４を有しているので、感光体ドラムの慣性モーメントが増加し、そのフライホイール効果により駆動モータ等の振動の影響が抑えられて、色むらの原因である回転ムラがなくなる。 - 特許庁

Therefore, even if the switching chip 4 and power amplification chip 2 are closely located on the wiring substrate 3 each other, since the effect of harmonic of an output signal which is irradiated from the surface of the power amplification chip 2 into a sealing resin 7 is difficult to be given to the switching chip 4, the RF power module 1 of less harmonic distortion can be attained.例文帳に追加

これにより、配線基板３上にスイッチ用チップ４と電力増幅用チップ２とを近接して配置した場合でも、電力増幅用チップ２の表面から封止樹脂７中に放射される出力信号の高調波の影響がスイッチ用チップ４に及び難くなるので、高調波歪の少ないＲＦパワーモジュール１を実現することができる。 - 特許庁

A thin film field effect transistor has at least a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, a source electrode and a drain electrode formed on a substrate, wherein a resistive layer is connected electrically between the active layer and at least one of the source electrode and drain electrode.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

The first optical guide part has a photonic crystal disposed at the external part of the optical waveguide 2, the second optical guide part has a region having a refractive index lower than that of the optical waveguide 2, and both the first and the second optical guide parts are provided in the substrate formed of a material exhibiting an electrooptical effect.例文帳に追加

第１光ガイド部は光導波路２の外部に配置されたフォトニック結晶を有し、かつ、第２光ガイド部は光導波路２の屈折率よりも低い屈折率を有する領域を有しており、第１光ガイド部、および第２光ガイド部は、いずれも、電気光学効果を示す材料から形成された基板内に設けられている。 - 特許庁

To provide the structure of a fin-type field-effect transistor (FinFET) having an embedded oxide layer 130 on a substrate 110, at least one-layer first structure 112 on the embedded oxide layer and at least one-layer second fin structure 114 on the embedded oxide layer and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

基板１１０の上の埋め込み酸化膜層１３０、この埋め込み酸化膜層の上にある少なくとも１層の第１のフィン構造１１２、およびこの埋め込み酸化膜層の上にある少なくとも１層の第２のフィン構造１１４を有するフィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）の構造および製造方法を提供すること。 - 特許庁

The optical element module includes an optical element 3 using a substrate having an electro-optical effect where the chassis constituting the module is composed of a body 1 and a lid 2 and has a groove 11 formed by reducing the thickness of a sidewall at a position on the sidewall of the body and away from the joining position of the body and the lid.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板を用いた光学素子３を内蔵する光学素子モジュールにおいて、該モジュールを構成する筐体は、本体部１と蓋部２から構成され、該本体部の側壁で、該本体部と該蓋部との接合位置から離れた位置に、側壁の厚みを薄くする溝１１を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electro-optical device, its manufacturing method, and an electronic device which can resolve the malfunction of a TFT and improve the shading effect by roughening the surface of the light shading film and by making diffused reflection of the return light from the light shading film, when forming a light shading film on the lower layer side of a TFT, e.g. the substrate.例文帳に追加

ＴＦＴの下層側の例えば基板上に遮光膜を形成する際に、遮光膜の表面を粗面化することができ、遮光膜の反射光を乱反射させて、ＴＦＴの動作不良を解消し、遮光効果を向上させることができる電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器を提供する。 - 特許庁

Plural memory cells are divided into blocks of one or more, memory cells in each block are provided on the same semiconductor substrate 10, and a memory cell is composed of a field effect transistor having a source 14a, a drain 14b, a floating gate 16, and a control gate 18, and their sources are commonly coupled so as to be connected electrically.例文帳に追加

複数のメモリセルは１以上のブロックに分割され、各ブロック内のメモリセルは、同一の半導体基体１０上に設けられ、ソース１４ａ・ドレイン１４ｂ、浮遊ゲート１６および制御ゲート１８を有する電界効果トランジスタによりそれぞれ構成され、それらのソースが互いに電気的に接続されるように共通に繋がっている。 - 特許庁

In a molecular TFT (molecular electric field effect transistor) 10 including a nano-tube 15, a drain electrode 12 and a source electrode 13 are formed on substrate 11 via an insulating film, and the nano-tube 15 is disposed between the drain electrode 12 and the source electrode 13, and is covered with a ferroelectric 18.例文帳に追加

ナノチューブ１５を含んでなっている分子ＴＦＴ（分子電界効果トランジスタ）１０であって、基板１１上に絶縁膜を介してドレイン電極１２及びソース電極１３が形成され、ドレイン電極１２とソース電極１３との間にナノチューブ１５が配置されるとともに、ナノチューブ１５が強誘電体１８によって被覆されている。 - 特許庁

In the field effect transistor wherein a substrate 10, a diamond semiconductor layer 11, and a compound semiconductor layer 12 are formed in this order, the diamond semiconductor layer 11 is formed of (111)-plane diamond and the compound semiconductor layer 12 is formed of a (0001)-plane hexagonal compound semiconductor or (111)-plane hexagonal compound semiconductor.例文帳に追加

基板１０、ダイヤモンド半導体層１１、化合物半導体層１２がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層１１を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層１２を（０００１）面の六方晶化合物半導体、あるいは、（１１１）面の立方晶化合物半導体により構成する。 - 特許庁

To provide a polymerizable liquid crystal composition which has an effect of decreasing a tilt angle on an air interface when coated on a substrate and which does not degrade a voltage holding ratio of a liquid crystal display when an optically anisotropic body of a cured product from the polymerizable liquid crystal composition is incorporated in a liquid crystal cell.例文帳に追加

重合性液晶組成物を基板に塗布した場合、空気界面におけるチルト角を減じる効果を有し、かつ、重合性液晶組成物の硬化物である光学異方体が液晶セル内に組み込まれた場合において液晶ディスプレイの電圧保持率を悪化させることが無い重合性液晶組成物を提供する。 - 特許庁

The coating forming agent which is a coating forming agent used for forming the fine patterns by being coated onto a substrate having photoresist patterns, and narrowing the spacing between the photoresist patterns by utilizing the thermal shrinkage effect thereof and contains a water-soluble polymer and a surfactant and the method of forming the fine patterns by using such coating forming agent.例文帳に追加

ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと界面活性剤を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤、および該被覆形成剤を用いた微細パターンの形成方法。 - 特許庁

A channel layer 3 and an etch stop layer 8 at least are sequentially formed on a semiconductor substrate 1, and InGaP having an In composition ratio of 0.66-0.9 is used as the etch stop layer 8 of the field effect compound semiconductor device where a gate electrode 10, which is in Schottky contact with the etch stop layer 8, is formed on the etch stop layer 8.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも、チャネル層３及びエッチングストッパ層８が順次設けるとともに、、前記エッチングストッパ層８上に該エッチングストッパ層８とショットキー接触するゲート電極１０を設けた電界効果型化合物半導体装置の前記エッチングストッパ層８としてＩｎ組成比が０．６６〜０．９のＩｎＧａＰを用いる。 - 特許庁

The set having the characteristics to enhance the photocatalyst function and activity effect of titanium oxide is manufactured by laminating the titanium oxide on a planar or film-like substrate consisting of a UV transparent material not containing a UV absorbent material, combining a light source capable of emitting the UV rays, such as a UV lamp and utilizing this combination.例文帳に追加

そこで紫紫外線吸収材を含まない紫外線透過材からなる板状またはフィルム状の基体に酸化チタンを積層させて、これに紫外線ランプなどの紫外線を照射させることのできる光源を組み合わせて利用することで酸化チタンの光触媒機能と活性作用を高める特徴を持ったセットを製作した。 - 特許庁

With respect to the constitution of the semiconductor device in a semiconductor substrate wherein a source, a drain and a gate are so provided as to constitute the field effect transistor, a metal wiring connected with either one of the source, and the drain is so disposed in the form of a plane as to provide a heat radiating surface.例文帳に追加

半導体基板に、ソースと、ドレインと、ゲートとを設けて構成した電界効果トランジスタの半導体基板には、ソースまたはドレインのいずれか一方に接続した金属配線を平面状に配置して放熱面を設けるとともにビアホールを設け、金属配線と接続されていないドレインまたはソースと、半導体基板の他面に設けた電極とをビアホールを経て接続する構成とする。 - 特許庁

A first protection insulating film 106 is deposited on first and second field-effect transistors formed on a semiconductor substrate 100, and a capacity lower electrode 109, a capacity insulating film 110A comprising of an insulated metal oxide film and a capacity element mode of a capacity upper electrode 111 are formed on the first protection insulating film 106.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成された第１及び第２の電界効果型トランジスタの上には第１の保護絶縁膜１０６が堆積されており、該第１の保護絶縁膜１０６の上には、容量下部電極１０９、絶縁性金属酸化膜からなる容量絶縁膜１１０Ａ及び容量上部電極１１１からなる容量素子が形成されている。 - 特許庁

To solve such problems that when a resin layer formed as a light reflecting part provided near an optical semiconductor element contains titanium oxide as white pigment in a substrate for mounting an optical semiconductor, (1) the processability decreases due to light shielding effect, (2) the resin curing property decreases due to photocatalyst reaction, and (3) the resin curing property decreases due to heat excited band gap type decomposition reaction.例文帳に追加

光半導体を搭載する基板において光半導体素子近傍に設ける光反射部として形成する樹脂層に白色顔料として酸化チタンを含有させると、（１）遮光性による加工性の低下、（２）光触媒反応による樹脂硬化物性の低下、（３）熱励起バンドギャップ型分解反応による樹脂硬化物性の低下が発生する。 - 特許庁

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9.例文帳に追加

半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。 - 特許庁

The sputtering apparatus 100 includes: a sputtering chamber 30 housing a target 35B made of Al and a substrate 34B having an aperture formed therein; a plasma gun 40 for forming plasma by the discharge between a cathode unit 41 and an anode A; and magnetic field generating means 24A, 24B deforming plasma emitted from the plasma gun 40 by the effect of the magnetic field.例文帳に追加

スパッタリング装置１００は、Ａｌからなるターゲット３５Ｂおよび開口部が形成された基板３４Ｂを格納可能なスパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。 - 特許庁

The spin MOS field effect transistor includes, at least one of a source and a drain, a structure including a full Heusler alloy layer 13 formed on a semiconductor substrate 10, a ferromagnetic layer 14 formed on the full Heusler alloy layer 13 and having a face-centered cubic lattice structure, a nonmagnetic layer 15 formed on the ferromagnetic layer 14, and a ferromagnetic layer 16 formed on the nonmagnetic layer 15.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。 - 特許庁

To provide an information recording medium having diffraction gratings, reliably determining authenticity and recording prescribed individual information with higher forgery preventing effect, even when surface smoothness of a substrate surface on which a plurality of fine diffraction grating elements having the diffraction gratings are disposed is poor and to provide an individual information recording and reading system.例文帳に追加

回折格子を有する微小な回折格子要素の複数個が配置された基板表面の表面平滑性が悪い場合でも、確実に真贋判定を行うことが可能で、所定の個別情報を記録することができる、より一層高度な偽造防止効果を持った回折格子を有する情報記録媒体および個別情報記録読取りシステムの提供を目的とする。 - 特許庁

At least one of the three or more magnetoresistance effect elements is located on the slopes of a plurality of wedge-like grooves in which the plurality of band-like portions are mutually adjacently and formed on the substrate in parallel.例文帳に追加

複数の帯状部と該複数の帯状部のうち隣接する２つを接続するバイアス磁石とからなる３個以上の磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子が配設される基板とを備え、３個以上の磁気抵抗効果素子のうち少なくとも１個は複数の帯状部が基板に互いに隣り合って平行に形成された複数の楔型溝の斜面上に配置されたものである磁気センサ。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magneto-optical device, using magneto-optical effect, which can be integrated with a semiconductor optical device by forming a magnetic body particulate/semiconductor compound material and stacking the compound material on a semiconductor substrate by combining a crystal growing method, which has strong non-balance growth conditions and a heat treatment after the growth and the magnet-optical device.例文帳に追加

強い非平衡成長条件を有する結晶成長法と成長後の熱処理を組み合わせることにより、磁性体微粒子／半導体複合材料を形成し、この複合材料を半導体基板上に積層することにより、半導体光デバイスと集積化が可能な磁気光学効果を用いた磁気光学装置の製造方法及びその磁気光学装置を提供する。 - 特許庁

The field effect transistor is constituted, by at least forming a channel layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and a gate electrode on a substrate; the channel layer comprises an amorphous oxide material including at least In and B; and the element ratio B/(In+B) of the amorphous oxide material is 0.05 or higher and 0.29 or lower.例文帳に追加

基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともＩｎとＢとを含むアモルファス酸化物材料より構成されており、該アモルファス酸化物材料の元素比率Ｂ／（Ｉｎ＋Ｂ）は０．０５以上０．２９以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition which is suitable for excimer laser lithography with KrF, ArF, etc. is good in various resist performances such as sensitivity and resolution, and suppresses lowering of the smoothness of a pattern wall surface by a stationary wave effect caused particularly in application to a highly reflective substrate or by reduction in the thickness of a resist film.例文帳に追加

ＫｒＦやＡｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に高反射基板への適用時に生じる又はレジスト膜厚の薄膜化によって生じる、定在波効果によるパターン壁面の平滑性の低下を改善したポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The field effect transistor is characterized by a gate oxide formed on a substrate, at least one germanium nano-rod embedded in the gate oxide with its both ends exposed, a source electrode and a drain electrode connected to both ends of the germanium nano-rod, respectively, and a gate electrode formed on the gate oxide between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート酸化物と、ゲート酸化物に埋め込まれ、その両端が露出された少なくとも１つのゲルマニウム・ナノロッドと、ゲルマニウム・ナノロッドの両端とそれぞれ連結されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート酸化物上でソース電極及びドレイン電極間に形成されたゲート電極とを具備することを特徴とする電界効果トランジスタである。 - 特許庁

A self-organized polymer thin film obtained by adsorption of an alkyleneammonium monoalkylmaleate/alkyl vinyl ether alternating copolymer, an alkylenemaleimide/alkyl vinyl ether alternating copolymer or an alkylene(meth)acrylate polymer on a metal oxide layer on a substrate through siloxane bonds is a homogeneous, tough, dense thin film whose thickness is easily controllable and has a significant effect of improving the sensitivity of a photoreceptor such as an electrophotographic one.例文帳に追加

アルキレンアンモニウムモノアルキルマレエート／アルキルビニルエーテル交互コポリマー、アルキレンマレイミド／アルキルビニルエーテル交互コポリマー、またはアルキレン（メタ）アクリレートポリマーが、シロキサン結合を介して基板上の金属酸化物層に吸着した自己組織化ポリマー薄膜が、均質、強固で、かつ膜厚の制御が容易で、緻密な薄膜であり、電子写真等の感光体の感度を向上させる効果が高い。 - 特許庁

To provide the composition of an antireflection film material for a photoresist which enables the formation of an antireflection film having high absorbance with respect to light of wavelengths used for exposure and the reduction in the adverse effect of standing waves caused by the reflection from a substrate, to improve the limit resolving power of the photo resist and to obtain a good resist profile and also to provide a resist pattern forming method using the composition.例文帳に追加

露光に用いられる波長の光に対して吸光度が高い反射防止膜が形成され、基板からの反射により発生する定在波の悪影響を低減することができ、その結果、フォトレジストの限界解像力が向上し、良好なレジストプロファイルが得られるフォトレジスト用反射防止膜材料組成物及びそれを用いたレジストパターン形成法を提供すること。 - 特許庁

In a magnetic resistance effect film where a base layer, a first ferromagnetic layer, a non-magnetic layer, a second ferromagnetic layer and an anti-ferromagnetic layer are stacked in order on a substrate, the first ferromagnetic layer is epitaxially grown on the base layer where a crystal particle size is 5 nm-14 nm.例文帳に追加

本発明に係る磁気抵抗効果膜は、基板上に、下地層、第一の強磁性体層、非磁性体層、第二の強磁性体層及び反強磁性体層が順に積層されてなる磁気抵抗効果膜において、前記第一の強磁性体層は、結晶粒径が５ｎｍ以上１４ｎｍ以下である前記下地層の上に、エピタキシャル成長していることを特徴とする。 - 特許庁

Even though there is variations in the insulation intervals with the feeding line by positioning a feeding line in the aforementioned way, it is possible to suppress the effect to the utmost because the input impedance is made flat against the variations of the insulation intervals between a ground conductor 4 and the line 5 by shifting the position of the line 5 from the center of the substrate 2 by a prescribed quantity.例文帳に追加

さらに、給電線路５の位置を、誘電体基板２の中心から所定量ずらすことにより、接地導体４と、給電線路５との絶縁間隔のバラツキに対する入力インピーダンスの平坦化を図るようにしたから、かかる給電線路の位置決めにより、給電線路との絶縁間隔にばらつきがあっても、その影響を可及的に抑止し得ることとなる。 - 特許庁

The adhesive sheet is suitably used in producing the electronic parts by dicing the aggregates of electronic parts obtained by forming a circuit pattern on a semiconductor wafer or on an insulating circuit substrate plate material and a sealed resin packages, etc., obtained by sealing the aggregates of the electronic parts with an epoxy resin, since the adhesive sheet has a large suppressing effect of cut dusts generated in the dicing process.例文帳に追加

本発明にかかる粘着シートは、ダイシング時に発生する切削屑の抑制効果が大きいため、半導体ウエハ又は絶縁物回路基板材上に回路パターンを形成してなる電子部品集合体、及び電子部品集合体をエポキシ樹脂で封止してなる封止樹脂パッケージ等をダイシングして電子部品を製造する際に好適に用いられる。 - 特許庁

The film thickness of a base layer is set to be 7 nm-12 nm in a magnetic resistance effect film where the base layer of face-centered cube, a first anti-ferromagnetic layer formed of alloy containing Mn, a first ferromagnetic layer, a first non-magnetic layer and a second ferromagnetic layer are stacked on a substrate in order.例文帳に追加

本発明に係る磁気抵抗効果膜は、基板上に、面心立方晶の下地層、Ｍｎを含む合金からなる第一の反強磁性体層、第一の強磁性体層、第一の非磁性体層及び第二の強磁性体層が順に積層されてなる磁気抵抗効果膜において、前記下地層の膜厚が７ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第１電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第２電流源とによって表す。 - 特許庁

Ink for printing which contains carbon molecules such as carbon nanotubes and fullerenes is applied on the front surface of a metal conductor 601 arranged along a wiring path on an insulation substrate 301, and then is dried to arrange the carbon molecules on the front surface of the metal conductor 601 to transmit a high-frequency current by capacity coupling among the carbon molecules caused by a well-known skin effect.例文帳に追加

絶縁基板３０１上の配線経路に沿って配置した金属導体６０１の表面にカーボンナノチューブやフェラーレン等のカーボン分子を含む印刷用インクを塗布して乾燥させ、カーボン分子を金属導体６０１の表面に配置し、高周波電流を周知の表皮効果によってカーボン分子間に発生する容量結合を介して伝達させる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a p-type field effect transistor that includes a gate dielectric layer 108 formed on a semiconductor substrate, an oxygen-containing alloy layer 110 formed on the gate dielectric layer 108, a Re layer 112 formed on the oxygen-containing alloy layer 110, and a Re oxide layer 502 located between the gate dielectric layer 108 and the oxygen-containing alloy layer 110.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたゲート誘電体層１０８と、ゲート誘電体層１０８上に形成された酸素を含む合金層１１０と、酸素を含む合金層１１０上に形成されたRe層１１２と、ゲート誘電体層１０８と酸素を含む合金層１１０との間に位置するRe酸化物層５０２を含むp 型電界効果トランジスタを具備する。 - 特許庁

To provide a catalyst support type chemical machining method, and a catalyst support type chemical machining apparatus considerably improving the machining efficiency with excellent accuracy for a hard-to-work workpiece such as SiC and GaN in the catalyst support type chemical machining method using the catalyst effect enabling the chemical reaction while without changing the reference surface, and manufacturing a substrate for a power device such as single crystal SiC and GaN only by the machining method.例文帳に追加

基準面が変化せず、化学的な反応が可能な触媒作用を利用した触媒支援型化学加工方法において、ＳｉＣやＧａＮ等の難加工物に対して精度良く加工能率を大幅に改善することができ、本発明の加工方法のみで単結晶ＳｉＣやＧａＮ等のパワーデバイス用基板を作製することが可能な加工方法と装置を提供する。 - 特許庁

In the field effect transistor of a top gate type or a bottom gate type which has a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on the surface of a substrate, an interface between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer exists at a gate electrode side from an interface at the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加

基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。 - 特許庁

In the piezoelectric device wherein a piezoelectric vibration chip 32 is housed inside a package 36 and a cover 39 hermetically seals the package 36, a configuration member 40 comprising a material such as a brazing member and a substrate used for sealing the package 36 with the cover 39 is characterized in to adopt a member 44 with a gettering effect such as Ti (titanium).例文帳に追加

パッケージ３６の内側に圧電振動片３２を収容して、蓋体３９により前記パッケージ３６を気密に封止するようにした圧電デバイスであって、前記蓋体３９で前記パッケージ３６を封止するための例えばロウ材や下地などでなる構成部材４０に、Ｔｉ（チタン）等のゲッタリング効果を有する部材４４が用いられていることを特徴とする圧電デバイス。 - 特許庁

This field effect semiconductor device is manufactured by a process, where an amorphous silicon film 12 is formed on a substrate 11 with an insulating surface, a crystallization process where the amorphous silicon film 12 is crystallized into a crystalline silicon film, and an oxidation process where the surface of the crystalline silicon film is oxidized in a water vapor containing atmosphere to form a gate insulating film.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化し、結晶性を有する珪素膜を形成する結晶化工程と、水蒸気を含む雰囲気中で、前記結晶性を有する珪素膜の表面を酸化させ、ゲイト絶縁膜を形成する酸化工程と、を有する絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。 - 特許庁

A semiconductor element which has a structure having an undoped AlN layer and an n-type AlN layer laminated in order on a semiconductor or an insulator substrate is a Schottky diode having a Schottky electrode and an ohmic electrode formed on an n-type AlN layer or a field-effect transistor having a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode formed on an n-type AlN layer.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、ｎ型ＡｌＮ層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはｎ型ＡｌＮ層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。 - 特許庁

The first quantum dot 12 and the second quantum dot 13 varying in sizes are formed on a substrate 11 composed of a conductive crystal and a resonance effect is induced between the quantum levels at which state density functions are equaled to each other, allowing the exciton existing within the first quantum dot 12 to be implanted into the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第１の量子ドット１２内に存在する励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film semiconductor device where a semiconductor film comprises crystal grains having excellent crystallinity and large particle size, the position of a crystal grain boundary in a channel formation region is controlled, electrical characteristics are superior, parasitic bipolar effect is inhibited, and variation in the electrical characteristics is small in the manufacturing method of the thin-film semiconductor device formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成された薄膜半導体装置の製造方法において、半導体膜が結晶性の良い大粒径の結晶粒から成り、チャネル形成領域の結晶粒界の位置が制御されており、電気特性が良く、寄生バイポーラ効果が抑制されており、電気特性ばらつきの少ない薄膜半導体装置を製造する方法を提供する - 特許庁