「substrate effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

In the external stimulation responsive information transfer molecular element, flat plate type functional molecules having responsive property for external stimulation are regularly arrayed on a substrate with a separated distance, which guarantees mutual effect between them to utilize the external stimulation responsive property and has regularly arrayed property of the flat plate type functional molecules; and transfer the conditional change of the molecules as an information.例文帳に追加

外部刺激応答性を有する平板状機能性分子が相互作用を保証する離間距離をもって基板上に規則的に配列された構造を有し、該平板状機能性分子の外部刺激応答性と規則的配列性を利用することにより分子の状態変化を情報として伝達する外部刺激応答性情報伝達分子素子。 - 特許庁

To optimize the effect of a stacked-type photovoltaic element by restraining short circuit current of a defective region by inactivating defects of a first semiconductor layer in the stacked-type photovoltaic force element which is formed by stacking a first semiconductor layer/a first transparent conductive layer/a second semiconductor layer/a second transparent conductive layer on a substrate.例文帳に追加

基板上に第一の半導体層／第一の透明導電層／第二の半導体層／第二の透明導電層を積層してなる積層型光起電力素子において、第一の半導体層の欠陥を不活性化することにより欠陥領域の短絡電流を抑制し、積層型光起電力素子の効果を最大限に利用できるようにする。 - 特許庁

The high-speed wavelength switch is characterized in that an optical waveguide circuit board fabricated by multidimensional oxide crystals having an electro-optic effect is used in place of PLC packaged substrate hybrid- integrating SOAs of the prior example and the connection of the substrates with each other is performed by butting them against each other at their end faces, to optically couple the respective optical waveguide circuit boards to each other.例文帳に追加

従来例のＳＯＡをハイブリッド集積したＰＬＣ実装基板の代わりに、電気光学効果を有する多元系酸化物結晶により製作された光導波回路基板を用い、基板同士の接続を端面で突き合わせて各光導波路基板同士を光結合することにより行うことを特徴とする。 - 特許庁

The fine patterns are formed by coating the surface of a substrate having photoresist patterns with a coating forming agent for scaling down of the patterns, then by thermally shrinking the coating forming agent by heat treatment to narrow the spacing between the photoresist patterns by utilizing the thermal shrinkage effect thereof, thereafter by bringing the coating forming agent into contact with a removing liquid for the time exceeding 60 second, thereby the patterns are removed.例文帳に追加

ホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去液に６０秒を超える時間接触させて除去する、微細パターンの形成方法。 - 特許庁

To provide an optical information medium which can measure and evaluate the stamper for substrate making and the ditch shape of forming boards without giving negative effect on the performance of the optical information medium itself when producing the optical information medium with the track pitch difficult to be measured by a diffraction optical device on the market generally.例文帳に追加

一般的に市販されている回折光装置で測定が困難なトラックピッチを有する光情報媒体の生産をする際、光情報媒体自体の性能に悪影響を与えること無く、基板作成用スタンパおよび成形基板の溝形状を、既存の回折光装置で測定・評価することのできる光情報媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide a DRAM with a memory cell portion and a peripheral circuit portion both installed together, which can integrates on the same substrate a first insulated gate type transistor, capable of forming a minute contact hole with self-alignment to a gate electrode and a second insulated gate type transistor, capable of fully reducing the parasitic resistance, while suppressing short-channel effect.例文帳に追加

本発明は、メモリセル部とその周辺回路部とを混載させてなるＤＲＡＭにおいて、ゲート電極に対して自己整合的に微細なコンタクトホールの開孔が可能な第１の絶縁ゲート型トランジスタと、短チャネル効果を抑制しつつ、寄生抵抗を十分に緩和することが可能な第２の絶縁ゲート型トランジスタとを同一基板上に集積できるようにする。 - 特許庁

This manufacturing method of this organic field-effect transistor includes processes of: growing a plurality of flake-like organic semiconductor single crystals 15a on a base 20; and transferring the plurality of flake-like organic semiconductor single-crystals 15a to a substrate 10 for a device provided with a gate insulation film 12 for a plurality of transistors, and electrodes 11, 13 and 14.例文帳に追加

本実施形態に係る有機電界効果トランジスタは、基台２０上に複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを成長させる工程と、複数のトランジスタ用のゲート絶縁膜１２及び電極１１，１３，１４を備えるデバイス用基板１０に、複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを転写する工程と、を有する。 - 特許庁

To provide stencil paper for stencil printing of which the substrate is not present in a printing area, which causes no printing nonuniformity, of which the fiber lines have no effect on the clarity of printing, which is strong enough to facilitate handling in conveyance or the like and prevents wrinkling, thus enabling printing with a high clarity, and to provide a printing method and stencil printing equipment.例文帳に追加

印刷領域において支持体が存在せず、印刷むらが生じず、繊維目が印刷の鮮明度に影響を与えず、搬送時等における取り扱いを容易とする腰を有してしわの発生を防止でき、鮮明度の高い印刷を可能とする孔版印刷用原紙および印刷方法ならびに孔版印刷装置を提供する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element 10 is manufactured by the method including a ferromagnetic layer formation process for forming a layer made of a ferromagnetic material on a substrate 14, and a patterning process for patterning the formed layer to set the maximum length of the nano-junction 12 for connecting the ferromagnetic layers 11, 13 to the Fermi length or smaller of the ferromagnetic material.例文帳に追加

こうした磁気抵抗効果素子１０は、基板１４上に強磁性材料からなる層を形成する強磁性層形成工程と、形成された層をパターニングして、前記２つの強磁性層１１，１３を連結するナノ接合部１２の最大長さを前記強磁性材料のフェルミ長以下にするパターニング工程とを有する方法により製造される。 - 特許庁

To provide a liquid leakage inspection system capable of improving detection accuracy for a liquid leakage, of facilitating cleaning and recovery, and of improving degrees of freedom for setting of an insulation substrate, as well as detecting a trace of liquid leakage from an object to be inspected with no bad effect thereon by bringing a detection electrode into contact therewith.例文帳に追加

液漏れの検出精度を向上でき、かつ、清掃復旧作業を容易にできると共に、絶縁基板の設置の自由度を向上でき、被検査物に悪影響を及ぼすことなく、検出電極と被検査物との接触により被検査物の極微量の液漏れを検出することができる液漏れ検査システムを提供する。 - 特許庁

To provide an antireflection film material having an excellent antireflection effect against exposure at short wavelength, a high etching selection ratio, that is, having a sufficiently fast etching rate with respect to a photoresist film, and having a sufficiently slow etching rate compared to the substrate to be processed, and capable of producing a perpendicular profile of a resist pattern to be formed in the photoresist film on the antireflection film.例文帳に追加

短波長の露光に対して、優れた反射防止効果を有し、エッチング選択比が高く、即ち、フォトレジスト膜に対してエッチング速度が十分に速く、被加工基板よりもエッチング速度が十分に遅く、さらに、反射防止膜の上のフォトレジスト膜に形成するレジストパターン形状を垂直形状にできる反射防止膜材料を提供する。 - 特許庁

In a molecular TFT (molecular electric field effect transistor) 10 including a nano-tube 15, a drain electrode 12 and a source electrode 13 are formed on substrate 11 via an insulating film, and the nano-tube 15 is disposed between the drain electrode 12 and the source electrode 13, and is covered with a ferroelectric 18.例文帳に追加

ナノチューブ１５を含んでなっている分子ＴＦＴ（分子電界効果トランジスタ）１０であって、基板１１上に絶縁膜を介してドレイン電極１２及びソース電極１３が形成され、ドレイン電極１２とソース電極１３との間にナノチューブ１５が配置されるとともに、ナノチューブ１５が強誘電体１８によって被覆されている。 - 特許庁

In the field effect transistor wherein a substrate 10, a diamond semiconductor layer 11, and a compound semiconductor layer 12 are formed in this order, the diamond semiconductor layer 11 is formed of (111)-plane diamond and the compound semiconductor layer 12 is formed of a (0001)-plane hexagonal compound semiconductor or (111)-plane hexagonal compound semiconductor.例文帳に追加

基板１０、ダイヤモンド半導体層１１、化合物半導体層１２がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層１１を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層１２を（０００１）面の六方晶化合物半導体、あるいは、（１１１）面の立方晶化合物半導体により構成する。 - 特許庁

To provide a polymerizable liquid crystal composition which has an effect of decreasing a tilt angle on an air interface when coated on a substrate and which does not degrade a voltage holding ratio of a liquid crystal display when an optically anisotropic body of a cured product from the polymerizable liquid crystal composition is incorporated in a liquid crystal cell.例文帳に追加

重合性液晶組成物を基板に塗布した場合、空気界面におけるチルト角を減じる効果を有し、かつ、重合性液晶組成物の硬化物である光学異方体が液晶セル内に組み込まれた場合において液晶ディスプレイの電圧保持率を悪化させることが無い重合性液晶組成物を提供する。 - 特許庁

The coating forming agent which is a coating forming agent used for forming the fine patterns by being coated onto a substrate having photoresist patterns, and narrowing the spacing between the photoresist patterns by utilizing the thermal shrinkage effect thereof and contains a water-soluble polymer and a surfactant and the method of forming the fine patterns by using such coating forming agent.例文帳に追加

ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、水溶性ポリマーと界面活性剤を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤、および該被覆形成剤を用いた微細パターンの形成方法。 - 特許庁

A channel layer 3 and an etch stop layer 8 at least are sequentially formed on a semiconductor substrate 1, and InGaP having an In composition ratio of 0.66-0.9 is used as the etch stop layer 8 of the field effect compound semiconductor device where a gate electrode 10, which is in Schottky contact with the etch stop layer 8, is formed on the etch stop layer 8.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも、チャネル層３及びエッチングストッパ層８が順次設けるとともに、、前記エッチングストッパ層８上に該エッチングストッパ層８とショットキー接触するゲート電極１０を設けた電界効果型化合物半導体装置の前記エッチングストッパ層８としてＩｎ組成比が０．６６〜０．９のＩｎＧａＰを用いる。 - 特許庁

The set having the characteristics to enhance the photocatalyst function and activity effect of titanium oxide is manufactured by laminating the titanium oxide on a planar or film-like substrate consisting of a UV transparent material not containing a UV absorbent material, combining a light source capable of emitting the UV rays, such as a UV lamp and utilizing this combination.例文帳に追加

そこで紫紫外線吸収材を含まない紫外線透過材からなる板状またはフィルム状の基体に酸化チタンを積層させて、これに紫外線ランプなどの紫外線を照射させることのできる光源を組み合わせて利用することで酸化チタンの光触媒機能と活性作用を高める特徴を持ったセットを製作した。 - 特許庁

To solve such problems that when a resin layer formed as a light reflecting part provided near an optical semiconductor element contains titanium oxide as white pigment in a substrate for mounting an optical semiconductor, (1) the processability decreases due to light shielding effect, (2) the resin curing property decreases due to photocatalyst reaction, and (3) the resin curing property decreases due to heat excited band gap type decomposition reaction.例文帳に追加

光半導体を搭載する基板において光半導体素子近傍に設ける光反射部として形成する樹脂層に白色顔料として酸化チタンを含有させると、（１）遮光性による加工性の低下、（２）光触媒反応による樹脂硬化物性の低下、（３）熱励起バンドギャップ型分解反応による樹脂硬化物性の低下が発生する。 - 特許庁

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9.例文帳に追加

半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。 - 特許庁

More specifically, the buffer layer having the stress relaxation effect is suitably formed by making a second AlN layer using gas mixed with TMA and TMG at 600°C or less to the extent that the mixing ratio of TMA and TMG is 3/17 or more and 6/17 or less if the surface layer of the template substrate comprises the first AlN layer.例文帳に追加

特に、テンプレート基板の表面層が第１のＡｌＮ層からなる場合であれば、６００℃以下の形成温度でＴＭＡとＴＭＧの混合ガスを、ＴＭＡに対するＴＭＧの混合比を３／１７以上６／１７以下の範囲で供給して第２のＡｌＮ層を形成することで、応力緩和効果を有するバッファ層を好適に形成することができる。 - 特許庁

The gate switch is equipped with: at least two etalons 102, 103 formed of a dielectric crystal with a cubic crystal structure and a quadratic electro-optic effect, and arranged on a substrate 101; a mirror 203 making incident light continuously incident on at least two etalons 102, 103; and a switching signal transmission portion to apply identical voltages to the dielectric crystal on the etalons.例文帳に追加

立方晶構造かつ２次の電気光学効果を有する１つの誘電体結晶で形成された基板１０１に配された少なくとも２つのエタロン１０２，１０３と、入射光を少なくとも２つのエタロンに連続して入射させるミラー２０３と、エタロンにおいて誘電体結晶に同一の電圧を印加するスイッチング信号発信部とを備える。 - 特許庁

To provide the composition of an antireflection film material for a photoresist which enables the formation of an antireflection film having high absorbance with respect to light of wavelengths used for exposure and the reduction in the adverse effect of standing waves caused by the reflection from a substrate, to improve the limit resolving power of the photo resist and to obtain a good resist profile and also to provide a resist pattern forming method using the composition.例文帳に追加

露光に用いられる波長の光に対して吸光度が高い反射防止膜が形成され、基板からの反射により発生する定在波の悪影響を低減することができ、その結果、フォトレジストの限界解像力が向上し、良好なレジストプロファイルが得られるフォトレジスト用反射防止膜材料組成物及びそれを用いたレジストパターン形成法を提供すること。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging unit capable of obtaining a pixel signal with excellent linearity without narrowing a dynamic range of a circuit for processing signals outputted from pixels even when the threshold voltage Vth of an amplifier transistor is varied due to variations in an output voltage (source voltage) caused by a substrate bias effect of each amplifier transistor of each pixel and to provide the drive method of the solid-state imaging unit.例文帳に追加

画素から出力される信号を直接Ａ−Ｄ変換回路に入力すると、画素の増幅トランジスタの基板バイアス効果により、出力電圧（ソース電圧）の変動によって増幅トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈも変動し、結果として、Ａ−Ｄ変換回路に入力される画素信号のダイナミックレンジが狭くなり、且つ、リニアリティが悪くなってしまう。 - 特許庁

To provide a new adhesive spacer for a liquid crystal display panel, having proper dispersibility in an electrode substrate, which realizes improvement in the picture quality and reduction of factors for decreasing the picture quality by having both of superior adhesion and an effect to suppress leaking light in a large screen TFT-LCD, particularly a 15-inch or larger screen, and to provide a liquid crystal display panel which uses the spacer.例文帳に追加

特に１５インチ以上の大画面のＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、優れた接着性および光抜け抑制効果の両方を有することによって、画質向上と画質低下要因の低減を達成する、電極基板への分散性の良好な、新規な液晶表示板用接着性スペーサーおよびそれを用いた液晶表示板を提供する。 - 特許庁

When a TFT array substrate is irradiated only once with laser light having a wavelength of 0-355 nm, a pulse width of 5-200 nsec and an energy in the range of 0.16-0.6 mJ/mm^2, only the pixel electrode 5 can be cut off selectively without having any effect on the underlying gate line 1, source line 3, TFT 6 and common capacitive line 2.例文帳に追加

また、波長が０を超え３５５ｎｍ以下、パルス幅が５〜２００ｎｓｅｃ、エネルギーが０．１６〜０．６ｍＪ／ｍｍ^2の範囲であるレーザー光を１回のみ照射するようにすると、画素電極５の下に存在するゲート配線１、ソース配線３、ＴＦＴ６および共通容量配線２に影響を与えることなく、画素電極５のみを選択的に切断しやすい。 - 特許庁

To provide an information recording medium having diffraction gratings, reliably determining authenticity and recording prescribed individual information with higher forgery preventing effect, even when surface smoothness of a substrate surface on which a plurality of fine diffraction grating elements having the diffraction gratings are disposed is poor and to provide an individual information recording and reading system.例文帳に追加

回折格子を有する微小な回折格子要素の複数個が配置された基板表面の表面平滑性が悪い場合でも、確実に真贋判定を行うことが可能で、所定の個別情報を記録することができる、より一層高度な偽造防止効果を持った回折格子を有する情報記録媒体および個別情報記録読取りシステムの提供を目的とする。 - 特許庁

A first protection insulating film 106 is deposited on first and second field-effect transistors formed on a semiconductor substrate 100, and a capacity lower electrode 109, a capacity insulating film 110A comprising of an insulated metal oxide film and a capacity element mode of a capacity upper electrode 111 are formed on the first protection insulating film 106.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成された第１及び第２の電界効果型トランジスタの上には第１の保護絶縁膜１０６が堆積されており、該第１の保護絶縁膜１０６の上には、容量下部電極１０９、絶縁性金属酸化膜からなる容量絶縁膜１１０Ａ及び容量上部電極１１１からなる容量素子が形成されている。 - 特許庁

With respect to the constitution of the semiconductor device in a semiconductor substrate wherein a source, a drain and a gate are so provided as to constitute the field effect transistor, a metal wiring connected with either one of the source, and the drain is so disposed in the form of a plane as to provide a heat radiating surface.例文帳に追加

半導体基板に、ソースと、ドレインと、ゲートとを設けて構成した電界効果トランジスタの半導体基板には、ソースまたはドレインのいずれか一方に接続した金属配線を平面状に配置して放熱面を設けるとともにビアホールを設け、金属配線と接続されていないドレインまたはソースと、半導体基板の他面に設けた電極とをビアホールを経て接続する構成とする。 - 特許庁

The sputtering apparatus 100 includes: a sputtering chamber 30 housing a target 35B made of Al and a substrate 34B having an aperture formed therein; a plasma gun 40 for forming plasma by the discharge between a cathode unit 41 and an anode A; and magnetic field generating means 24A, 24B deforming plasma emitted from the plasma gun 40 by the effect of the magnetic field.例文帳に追加

スパッタリング装置１００は、Ａｌからなるターゲット３５Ｂおよび開口部が形成された基板３４Ｂを格納可能なスパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。 - 特許庁

The spin MOS field effect transistor includes, at least one of a source and a drain, a structure including a full Heusler alloy layer 13 formed on a semiconductor substrate 10, a ferromagnetic layer 14 formed on the full Heusler alloy layer 13 and having a face-centered cubic lattice structure, a nonmagnetic layer 15 formed on the ferromagnetic layer 14, and a ferromagnetic layer 16 formed on the nonmagnetic layer 15.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。 - 特許庁

To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit.例文帳に追加

絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a hair cosmetic usable as a hair setting agent such as a hair wax, a hair cream and a foam hair setting agent or a substrate thereof, further in detail, having excellent hair set maintaining effect and excellent hair set ability, imparting flexibility and moisture to the hair, causing no stickiness, giving no stiffness in finishing and also having smooth feeling.例文帳に追加

本発明は、ヘアワックス、ヘアクリーム、泡状整髪料などの整髪料として、またはその基剤として用いられる毛髪化粧料に関し、更に詳細には、高い毛髪セット保持効果及び優れた毛髪セット力を有しながら、毛髪にしなやかさ、うるおいを付与し、かつ、べたつきがなく、仕上がりにごわつきがなく、なめらかな感触を併せ持つ毛髪化粧料に関する。 - 特許庁

The field effect transistor is characterized by a gate oxide formed on a substrate, at least one germanium nano-rod embedded in the gate oxide with its both ends exposed, a source electrode and a drain electrode connected to both ends of the germanium nano-rod, respectively, and a gate electrode formed on the gate oxide between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート酸化物と、ゲート酸化物に埋め込まれ、その両端が露出された少なくとも１つのゲルマニウム・ナノロッドと、ゲルマニウム・ナノロッドの両端とそれぞれ連結されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート酸化物上でソース電極及びドレイン電極間に形成されたゲート電極とを具備することを特徴とする電界効果トランジスタである。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition which is suitable for excimer laser lithography with KrF, ArF, etc. is good in various resist performances such as sensitivity and resolution, and suppresses lowering of the smoothness of a pattern wall surface by a stationary wave effect caused particularly in application to a highly reflective substrate or by reduction in the thickness of a resist film.例文帳に追加

ＫｒＦやＡｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に高反射基板への適用時に生じる又はレジスト膜厚の薄膜化によって生じる、定在波効果によるパターン壁面の平滑性の低下を改善したポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A self-organized polymer thin film obtained by adsorption of an alkyleneammonium monoalkylmaleate/alkyl vinyl ether alternating copolymer, an alkylenemaleimide/alkyl vinyl ether alternating copolymer or an alkylene(meth)acrylate polymer on a metal oxide layer on a substrate through siloxane bonds is a homogeneous, tough, dense thin film whose thickness is easily controllable and has a significant effect of improving the sensitivity of a photoreceptor such as an electrophotographic one.例文帳に追加

アルキレンアンモニウムモノアルキルマレエート／アルキルビニルエーテル交互コポリマー、アルキレンマレイミド／アルキルビニルエーテル交互コポリマー、またはアルキレン（メタ）アクリレートポリマーが、シロキサン結合を介して基板上の金属酸化物層に吸着した自己組織化ポリマー薄膜が、均質、強固で、かつ膜厚の制御が容易で、緻密な薄膜であり、電子写真等の感光体の感度を向上させる効果が高い。 - 特許庁

In the piezoelectric device wherein a piezoelectric vibration chip 32 is housed inside a package 36 and a cover 39 hermetically seals the package 36, a configuration member 40 comprising a material such as a brazing member and a substrate used for sealing the package 36 with the cover 39 is characterized in to adopt a member 44 with a gettering effect such as Ti (titanium).例文帳に追加

パッケージ３６の内側に圧電振動片３２を収容して、蓋体３９により前記パッケージ３６を気密に封止するようにした圧電デバイスであって、前記蓋体３９で前記パッケージ３６を封止するための例えばロウ材や下地などでなる構成部材４０に、Ｔｉ（チタン）等のゲッタリング効果を有する部材４４が用いられていることを特徴とする圧電デバイス。 - 特許庁

This field effect semiconductor device is manufactured by a process, where an amorphous silicon film 12 is formed on a substrate 11 with an insulating surface, a crystallization process where the amorphous silicon film 12 is crystallized into a crystalline silicon film, and an oxidation process where the surface of the crystalline silicon film is oxidized in a water vapor containing atmosphere to form a gate insulating film.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化し、結晶性を有する珪素膜を形成する結晶化工程と、水蒸気を含む雰囲気中で、前記結晶性を有する珪素膜の表面を酸化させ、ゲイト絶縁膜を形成する酸化工程と、を有する絶縁ゲイト型電界効果半導体装置。 - 特許庁

A semiconductor element which has a structure having an undoped AlN layer and an n-type AlN layer laminated in order on a semiconductor or an insulator substrate is a Schottky diode having a Schottky electrode and an ohmic electrode formed on an n-type AlN layer or a field-effect transistor having a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode formed on an n-type AlN layer.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、ｎ型ＡｌＮ層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはｎ型ＡｌＮ層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。 - 特許庁

Ink for printing which contains carbon molecules such as carbon nanotubes and fullerenes is applied on the front surface of a metal conductor 601 arranged along a wiring path on an insulation substrate 301, and then is dried to arrange the carbon molecules on the front surface of the metal conductor 601 to transmit a high-frequency current by capacity coupling among the carbon molecules caused by a well-known skin effect.例文帳に追加

絶縁基板３０１上の配線経路に沿って配置した金属導体６０１の表面にカーボンナノチューブやフェラーレン等のカーボン分子を含む印刷用インクを塗布して乾燥させ、カーボン分子を金属導体６０１の表面に配置し、高周波電流を周知の表皮効果によってカーボン分子間に発生する容量結合を介して伝達させる。 - 特許庁

The first quantum dot 12 and the second quantum dot 13 varying in sizes are formed on a substrate 11 composed of a conductive crystal and a resonance effect is induced between the quantum levels at which state density functions are equaled to each other, allowing the exciton existing within the first quantum dot 12 to be implanted into the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第１の量子ドット１２内に存在する励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film semiconductor device where a semiconductor film comprises crystal grains having excellent crystallinity and large particle size, the position of a crystal grain boundary in a channel formation region is controlled, electrical characteristics are superior, parasitic bipolar effect is inhibited, and variation in the electrical characteristics is small in the manufacturing method of the thin-film semiconductor device formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成された薄膜半導体装置の製造方法において、半導体膜が結晶性の良い大粒径の結晶粒から成り、チャネル形成領域の結晶粒界の位置が制御されており、電気特性が良く、寄生バイポーラ効果が抑制されており、電気特性ばらつきの少ない薄膜半導体装置を製造する方法を提供する - 特許庁

A radio wave polarization conversion resonance reflector D1, in which two patch conductors 2A and 2B and a grounding conductor 3 are formed on a dielectric substrate 1, is combined with a radio IC tag 4 to strengthen a current flowing through the tag antenna of the radio IC tag 4 by the plane resonance effect of the two patch conductors, thereby obtaining the compact and high-sensitive radio IC tag device.例文帳に追加

誘電体基板１に２つのパッチ導体２Ａ，２Ｂと接地導体３を形成した電波偏波変換共振反射器Ｄ１と無線ＩＣタグ４とを組み合わせ、それら２つのパッチ導体の平面共振による効果によって無線ＩＣタグ４のタグアンテナに流れる電流を強くすることで、小型で高感度の無線ＩＣタグ装置を実現する。 - 特許庁

In a magnetic resistance effect film where a base layer, a first ferromagnetic layer, a non-magnetic layer, a second ferromagnetic layer and an anti-ferromagnetic layer are stacked in order on a substrate, the first ferromagnetic layer is epitaxially grown on the base layer where a crystal particle size is 5 nm-14 nm.例文帳に追加

本発明に係る磁気抵抗効果膜は、基板上に、下地層、第一の強磁性体層、非磁性体層、第二の強磁性体層及び反強磁性体層が順に積層されてなる磁気抵抗効果膜において、前記第一の強磁性体層は、結晶粒径が５ｎｍ以上１４ｎｍ以下である前記下地層の上に、エピタキシャル成長していることを特徴とする。 - 特許庁

Even though there is variations in the insulation intervals with the feeding line by positioning a feeding line in the aforementioned way, it is possible to suppress the effect to the utmost because the input impedance is made flat against the variations of the insulation intervals between a ground conductor 4 and the line 5 by shifting the position of the line 5 from the center of the substrate 2 by a prescribed quantity.例文帳に追加

さらに、給電線路５の位置を、誘電体基板２の中心から所定量ずらすことにより、接地導体４と、給電線路５との絶縁間隔のバラツキに対する入力インピーダンスの平坦化を図るようにしたから、かかる給電線路の位置決めにより、給電線路との絶縁間隔にばらつきがあっても、その影響を可及的に抑止し得ることとなる。 - 特許庁

The adhesive sheet is suitably used in producing the electronic parts by dicing the aggregates of electronic parts obtained by forming a circuit pattern on a semiconductor wafer or on an insulating circuit substrate plate material and a sealed resin packages, etc., obtained by sealing the aggregates of the electronic parts with an epoxy resin, since the adhesive sheet has a large suppressing effect of cut dusts generated in the dicing process.例文帳に追加

本発明にかかる粘着シートは、ダイシング時に発生する切削屑の抑制効果が大きいため、半導体ウエハ又は絶縁物回路基板材上に回路パターンを形成してなる電子部品集合体、及び電子部品集合体をエポキシ樹脂で封止してなる封止樹脂パッケージ等をダイシングして電子部品を製造する際に好適に用いられる。 - 特許庁