「substrate effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device has a MIS type field effect transistor having a silicon substrate (1), an insulation film (6) formed on the silicon substrate containing at least one of nitrogen and oxygen, and silicon, a metallic acid nitride film (7) formed on the insulation film containing at least one kind of a metallic atom of zirconium and hafnium, and a gate electrode (8) formed on the metallic acid nitride film.例文帳に追加

シリコン基板（１）と、前記シリコン基板上に形成され、窒素および酸素の少なくとも１種とシリコンとを含有する絶縁膜（６）と、前記絶縁膜上に形成され、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも１種の金属原子を含む金属酸窒化膜（７）と、前記金属酸窒化膜上に形成されたゲート電極（８）とを具備するＭＩＳ型電界効果トランジスタを備える半導体装置である。 - 特許庁

In the sense amplifier circuit including a latch circuit formed by connecting two inverters, and two transistors for precharge inserted between a bit line and each output node of the latch circuit to perform precharge operation in response to a sense amplifier activation signal, precharge operation is accelerated by applying predetermined voltage between a substrate and a source of each transistor for precharge, using a substrate bias effect of the transistor and lowering threshold voltage.例文帳に追加

２個のインバータを接続してなるラッチ回路と、ビット線とラッチ回路の各出力ノードとの間に挿入されセンスアンプ活性化信号に応答してプリチャージ動作する２個のプリチャージ用トランジスタとを備えたセンスアンプ回路において、各プリチャージ用トランジスタの基板−ソース間に所定の電圧を印加してトランジスタの基板バイアス効果を利用してしきい値電圧を低下させることによって、プリチャージ動作を高速化する。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

In the optical controlling element comprising a substrate 1 consisting of a material having an electro-optic effect, several optical waveguides 30 formed on the substrate, and the modulating electrode for applying an electric field to the optical waveguides, the modulating electrode is characterized by having at least two branching and confluence lines 31, 32 for applying the same modulating signal into different optical waveguides on the same line.例文帳に追加

電気光学効果を有する材料からなる基板１と、該基板上に形成された複数の光導波路３０と、該光導波路に電界を印加する変調電極とを有する光制御素子において、該変調電極は、異なる光導波路に同一の変調信号を印加するための分岐・合流線路３１，３２を、同一線路上に少なくとも２組以上有することを特徴とする。 - 特許庁

The optical modulating element which has a substrate with electrooptical effect, an optical waveguide formed on the substrate, and a control electrode for modulation control over a light wave propagated in the optical waveguide is provided with a flattening means of flattening the frequency response characteristic of the optical modulating element at a portion of an operation part for modulation control over the light wave propagated in the optical waveguide by the control electrode.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御用電極とを有する光変調素子において、該制御用電極により該光導波路を伝搬する光波を変調制御する作用部の一部に、光変調素子の周波数応答特性を平坦化するための平坦化手段を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

Thereby, the effect of the insulating film 31 and the display electrode 4 to prevent permeation of water and gas can be improved even after the display electrode 4 is formed, and as a result, emission of water and gas from the substrate side to the liquid crystal layer 3 or the alignment film 36a can be prevented even after the display electrode 4 is formed.例文帳に追加

こうすることで、表示電極４の形成後も、絶縁膜３１および表示電極４の水分およびガスに対する透過防止効果が向上され、その結果、表示電極４の形成後も、基板側から液晶層３または配向膜３６ａに水分およびガスが放出されるのを防止することができる。 - 特許庁

Since the electrophoretic layer is sealed by press-fixing between the element substrate 2 and the sealing member 50 which each have the silicon oxide as main components, due to the ringing effect, this configuration allows water permeation and dehydration to be suppressed in comparison with sealing with another material like a resin film.例文帳に追加

このような構成によれば、ともに酸化珪素を主成分とする素子基板２及び封止部材５０がリンギング作用により圧着されることにより電気泳動層の封止が行われるため、樹脂製フィルムなど他の材料によって封止する場合に比べ、水分の浸入脱水を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that substantially eliminates an adverse effect caused by the adhesion of unnecessary matter, generated upon effecting laser processing through laser irradiation for removing part of low dielectric film wiring lamination structural part, to the insulating film or the like on the upper surface side of a semiconductor substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低誘電率膜配線積層構造部の一部を除去するためのレーザ照射によるレーザ加工を行なったときに発生する不要物が半導体基板の上面側の絶縁膜等に付着することによる悪影響をほとんど皆無とすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a current mirror circuit 40 configured in an integrated circuit that eliminates the effect by a photo current IPD of a parasitic photo diode PD caused between an epitaxial layer and a substrate layer in a structure of the integrated circuit without taking measures of particular light shading while suppressing increase in an element area.例文帳に追加

集積回路内に構成されるカレントミラー回路４０において、素子面積の増加を抑えつつ、また特別な遮光のための対策を講じることなく、集積回路の構造上、エピタキシャル層とサブストレート層との間に発生する寄生フォトダイオードＰＤの光電流ＩＰＤによる影響を除去する。 - 特許庁

The transfer pad 10 being the wiring terminal comprises a metal pattern 12 connected to a wiring of an array substrate 28, a lightning rod pad 16 protecting the metal pattern 12 by corrosion of a battery effect and a conductive film 14a connecting the metal pattern 12 and the lightning rod pad 16 and blocking corrosion of the lightning rod pad.例文帳に追加

本発明の配線端子であるトランスファパッド１０は、アレイ基板２８の配線に接続された金属パターン１２と、電池効果による腐食で金属パターン１２を保護する避雷針パッド１６と、金属パターン１２と避雷針パッド１６を接続し、避雷針パッド１６の腐食を遮断する導電膜１４ａと、を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of via holes which manufactures a via hole structure capable of attaining heat radiation improvement effect by increasing an embedding material to the interior while reducing the number of etching to a semiconductor substrate for via hole formation, and to provide a manufacturing method of a semiconductor element having the via holes.例文帳に追加

内部への埋め込み材料を増量させて放熱性向上効果を得ることが可能なビアホール構造を、ビアホール形成のための半導体基板へのエッチングの回数を少なくしつつ製造することのできるビアホールの製造方法およびビアホールを有する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance impact stability of a writing electrode against an image carrier by suppressing mutual effect of behavior of writing electrodes 3a in first and second rows in a large number of writing electrodes disposed in two rows on a flexible substrate in the direction perpendicular to one direction while being arranged in one direction.例文帳に追加

可撓性の基材に一方向に整列されかつこの一方向と直交する方向に２列配置された多数の書込電極において、１列目および２列目の各書込電極３ａの互いの挙動の影響を抑制しつつ、書込電極の像担持体への当接安定性を向上する。 - 特許庁

This is a polarization mode dispersion compensating device P1 consisting of an optical integrated circuit with a wave guide 2 and a control electrode 3 formed on an optical single crystal substrate 1 having an electrooptic effect and uses two wave guides having different equivalent refractive indexes for a delay circuit for compensating the polarization mode dispersion.例文帳に追加

電気光学効果を有する光学単結晶の基板１上に導波路２と制御電極３が形成された光集積回路からなり、偏波モード分散を補償するための遅延回路として、互いに等価屈折率の異なる２本の導波路を用いたことを特徴とする偏波モード分散補償デバイスＰ１とする。 - 特許庁

Subsequent to a first insulating film depositing step for depositing an insulating film 12 composed of a silicone oxide film on an element substrate 10, a first insulating film hydrogen introducing step for introducing hydrogen into the insulating film 12 is performed prior to performance of a semiconductor layer forming step for forming a semiconductor layer 1a of a pixel transistor 30, field effect transistor.例文帳に追加

素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a bipolar transistor having epitaxial base structure with especially improved high-frequency characteristics is mounted mixedly on the same semiconductor substrate as other field effect transistors and vertical bipolar transistors having the conventional base structure, and to provide the manufacturing method of the semiconductor device, whose manufacturing costs have been reduced.例文帳に追加

特に高周波特性を改善したエピタキシャル・ベース構造のバイポーラトランジスタを他の電界効果トランジスタやコンベンショナルなベース構造の縦型バイポーラトランジスタと同一の半導体基板上に混載した半導体装置及びその製造コストを低減した製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The AlGaN layer whose surface is substantially flat on atomic level is formed after a buffer layer having a stress relaxation effect and AlGaN layer are formed on a template substrate to which an in-plane compression stress is applied and on which a surface layer being substantially flat on atomic level is formed.例文帳に追加

面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板の上に、応力緩和効果を有するバッファ層をした上で、ＡｌＧａＮ層を形成するようにすることで、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 - 特許庁

To provide a chemical conversion film treatment agent for aluminum and an aluminum alloy which has rust prevention treatment effect and coating substrate treatability equal to those by chromate treatment without using chromium, to provide a method of forming the chemical conversion film, and to provide aluminum and an aluminum alloy with the chemical conversion film formed.例文帳に追加

本発明は、クロムを用いることなしにクロメート処理と同等の防錆処理効果と塗装下地処理性とを持つアルミニウム及びアルミニウム合金用の化成皮膜処理剤、該化成皮膜の形成方法、及び該化成皮膜を形成したアルミニウム及びアルミニウム合金を提供することを目的とする。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed over a surface of a substrate (102), an n-type drain-side diffusion region 112 and an n-type source-side diffusion region 114 formed over a surface of the p-type low concentration region 110, an element isolation insulating layer 132, and an element isolation insulating layer 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

To provide a multipurpose substrate treating device that can exhibit the cleaning effect corresponding to a new material or manufacturing process introduced to a semiconductor device and, in addition, can cope with the need for cleaning technique which is expected to increasingly rise in future as the scale down and high integration of the semiconductor device advance.例文帳に追加

半導体デバイスに導入される新たな材料や製造プロセスに対応した洗浄効果を奏することができ、しかも、半導体デバイスの微細化及び高集積化が進むに従って今後ますます高まると予想される洗浄技術に対するニーズにも対応し得る多目的な基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A vertical field effect transistor 40 has an n-Si layer 14 which is epitaxially grown on an n+-silicon substrate 12, a p-base diffusion layer 16 formed on the surface of the n-Si layer and an n+ source diffusion layer 18 formed on the inner side of the p-base diffusion layer on the surface of the n-Si layer.例文帳に追加

本縦型電界効果トランジスタ４０は、ｎ^+ シリコン基板１２上にエピタキシャル成長させたｎ−Ｓｉ層１４と、ｎ−Ｓｉ層の表面部に形成されたｐ−ベース拡散層１６と、ｎ−Ｓｉ層の表面部でｐ−ベース拡散層の内側に形成されたｎ^+ ソース拡散層１８とを備える。 - 特許庁

To provide a weather strip material, which enables formation of a surface treatment layer having excellent smoothness, wear resistance, heat resistance and weatherability and also excellent performances with excellent adhesiveness, flexibility and antistatic effect to a substrate sheet comprising a polymer elastic material, and which is useful from the viewpoint of reducing greenhouse gases.例文帳に追加

滑性、耐磨耗性、耐熱性、耐候性などに優れると共に、高分子弾性体材料からなる基材シートに対する優れた接着性や可とう性、帯電防止効果も付与された優れた性能の表皮処理層の形成が可能で、さらに、温暖化ガス削減の観点からも有用なウェザーストリップ用材料の提供。 - 特許庁

The heat conductivity of the anisotropic heat conduction layer in a high heat conductivity direction is two or more times larger than that of the isotropic heat conduction layer, and the anisotropy of heat conductivity in the anisotropic heat conduction layer is ten times larger, thereby obtaining the substrate with a better heat dissipation effect than that obtained when the isotropic heat conductor is only used alone.例文帳に追加

前記基板を、少なくとも等方的熱伝導層と異方的熱伝導層よりなる２層以上の構成とし、異方的熱伝導層における高熱伝導度方向の熱伝導度が等方的熱伝導層の熱伝導度より２倍以上大きく、かつその異方性が１０倍以上とする事で。 - 特許庁

To provide a paint for an optical element which allows forming a film facilitating acquisition of a raw material, and having sufficient durability against an organic solvent and sufficient light internal antireflection effect to a substrate having a refractive index of 1.70 or more; the film; an optical element equipped with the film; and an optical instrument equipped with the optical element.例文帳に追加

原料の入手が容易で、有機溶剤に対して十分な耐久性を有し、屈折率が１．７０以上の基材に対しても十分な光の内面反射防止効果を有する皮膜を形成できる光学素子用塗料、前記皮膜、前記皮膜を備えた光学素子及び該光学素子を備えた光学機器の提供。 - 特許庁

To provide an inexpensive filler layer for solar cell modules which is superior in adhesion of a transparent front substrate to a back protection sheet in the production of a solar cell module without deteriorating working environment and without exerting a bad effect on solar cell elements and electrodes etc.例文帳に追加

本発明は、太陽電池モジュールの製造時において、透明前面基板および裏面保護シートとの接着性に優れ、作業環境等を悪化させず、太陽電池素子や電極等に悪影響を与えない、安価な太陽電池モジュール用充填材層を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

The information recording element comprises a field effect transistor having a gate electrode 20, a dielectric layer 30, a semiconductor layer 50, and a drain and source electrode 40 formed on a substrate 10 wherein at least one of the materials forming the dielectric layer 30 is dioxyribonucleic acid (DNA).例文帳に追加

また、基板１０上に、ゲート電極２０、誘電体層３０、半導体層５０、ドレイン及びソース電極４０を有する電界効果型トランジスタであって、上記誘電体層３０を形成する材料の少なくとも一つがデオキシリボ核酸（DNA）であることを特徴とする電界効果型トランジスタにより構成される情報記録素子。 - 特許庁

To provide a combined magnetic head having a huge magneto-resistive head and an inductive head layered on a non-magnetic insulating substrate used as a head slider, wherein the size of a lower magnetic shield or an upper magnetic shield (lower magnetic core) is reduced up to the size magnetically required to form a structure by which a heat radiating effect can be obtained.例文帳に追加

ヘッドスライダーとなる非磁性絶縁性基板上に積層して形成した巨大磁気抵抗効果ヘッドと誘導ヘッドとを持つ複合磁気ヘッドで、下部磁気シールドあるいは上部磁気シールド（下部磁気コア）の大きさをその磁気的に必要とする大きさまで小さくしたもので、放熱効果の得られる構造とする。 - 特許庁

To provide a liquid resin composition for sealing which is less in warpage at room temperature and in a soldering process by adding an effect of suppressing the warpage caused by thermal expansion difference between a semiconductor device and a substrate in the opposite direction of the warpage, and to provide an electronic component device which is sealed with the liquid resin composition, and is excellent in electric bonding reliability.例文帳に追加

封止樹脂組成物に半導体素子と基板の熱膨張差に起因する反りを反対方向に抑制する効果を付加させた、室温及び半田付け工程での反りが少ない封止用液状樹脂組成物、及びこれにより封止された電気的接合信頼性に優れた電子部品装置を提供する。 - 特許庁

To flatten a membrane that covers the upper part of a recess formed by etching on a surface of a semiconductor substrate for making a semiconductor device, by suppressing the dishing effect of a chemical-mechanical polishing (CMP) while maintaining the rules for the opening shape of the recess and freedom of wiring layout on the membrane.例文帳に追加

半導体基板の一面側にエッチングにより形成された凹部の上をメンブレンで覆ってなる半導体装置において、凹部の開口形状の規定とメンブレン上の配線レイアウトの自由度を確保しつつ、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によるディッシングを抑制してメンブレンの平坦化を確保する。 - 特許庁

To provide a pre-colored resin film which has a thin film-thickness, exerts a high opacifying effect on the substrate to which it is applied, and produces various color tones through combinations of color pigments contained therein, a metal plate coated with this pre-colored resin film and a can coated with this pre-colored resin film.例文帳に追加

フィルムの厚さが薄く、かつ被覆する下地の隠蔽性に優れ、さらに含有させる着色顔料の組み合わせにより多彩な色調を作りだすことが可能な着色樹脂フィルム、その着色樹脂フィルムを被覆してなる金属板、およびその着色樹脂フィルムを被覆してなる金属板及び缶を提供する。 - 特許庁

The cooling section consists of metallic films 60 which are deposited by evaporation onto the horizontal drive circuit section 90 and vertical drive circuit section 100 on the surface of the array substrate 20, a semiconductor element 70 which comes into contact with the metallic films 60 and for which a Peltier effect is utilized and a heat sink 80 which comes into contact with the semiconductor element 70.例文帳に追加

冷却部は、アレイ基板２０の表面の水平駆動回路部９０及び垂直駆動回路部１００に蒸着された金属膜６０と、金属膜６０に接触するペルティエ効果を利用した半導体素子７０と、半導体素子７０に接触する放熱体８０とからなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method using an SOI (silicon on insulator) substrate capable of high integration that is achieved by solving the problem of breakdown voltage lowering between source and drain which has been a problem in the conventional SOI FET (field effect transister), and by efficiently arranging a body contact region that may be a problem for achieving high integration.例文帳に追加

従来のＳＯＩ電界効果トランジスタの問題点であった、ソース／ドレイン間耐圧の低下を解消するとともに、高集積化に対して問題となるボディコンタクトの領域を効率的に配置することにより、高集積化を可能としたＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a heat absorbing member 14 having high thermal conductivity is interposer between the driving element 4 and the focus element support 13 on the substrate while touching them, heat generated from the driving element 4 is absorbed efficiently through the heat absorbing member 14, and the effect of heat generation of the driving element 4 on the optical performance is reduced.例文帳に追加

高い熱伝導性を有する吸熱部材１４が基板の駆動素子４と結像素子支持体１３との間で接触せしめて配置されているので、駆動素子４からの発生熱が吸熱部材１４を経て効率良く吸熱され、駆動素子４の発熱による光学性能への影響が低減する。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁

In the GaN group semiconductor device with a current breaker, a hetero electric field junction transistor 10A and a polymer switch 10B which are GaN group semiconductor materials are formed on the same substrate and the polymer switch 10B having a recovery function is connected to the hetero electric field effect transistor 10A in series.例文帳に追加

同一基板上に、ＧａＮ系半導体材料をヘテロ電界接合トランジスタ１０Ａとポリマスイッチ１０Ｂとが形成されており、回復機能を有するポリマスイッチ１０Ｂが、ヘテロ電界効果トランジスタ１０Ａと直列に接続されていることを特徴とする、電流遮断器付きＧａＮ系半導体装置。 - 特許庁

A heterojunction field effect transistor 1 is fabricated by depositing an AlN buffer layer 3, a first GaN layer 4, an AlGaN barrier layer 5, and a second GaN layer 6 in this order on an SiC substrate 2 whose front face is a C surface, and then forming a source electrode 7, a drain electrode 8, and a gate electrode 9 on the GaN layer 6.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果型トランジスタ１は、表面がＣ面であるＳｉＣ基板２の上にＡｌＮバッファ層３、第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮバリア層５、および第２のＧａＮ層６をこの順番に積層して、ＧａＮ層６の上にソース電極７、ドレイン電極８およびゲート電極９形成する。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed on a surface of a substrate (102), an n-type drain side diffusion region 112 and an n-type source side diffusion region 114 arranged on a surface of the p-type low concentration region 110, and an element isolation insulating film 132 and an element isolation insulating film 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

By forming a structure wherein a cesium adsorption region 103 is formed on a flat part 102 on a silicon substrate with an atom step 101 formed at predetermined density, this stable electron emission material having a remarkably lowered work function can be provided by a synergistic effect of the atom step 101 and the adsorption structure.例文帳に追加

所定の密度で原子ステップ１０１が形成されたシリコン基板上の平坦部１０２上にセシウム吸着領域１０３が形成されている構成とすることで、原子ステップ１０１と吸着構造の相乗効果によって、仕事関数が著しく低下した安定な電子放出材料が得られる。 - 特許庁

The field effect transistor includes a substrate formed of the organic polymer compound, a gate electrode, a gate insulating layer, the semiconductor layer, and a source electrode, and a drain electrode where the semiconductor layer contains a carbon nanotube composite having a conjugate polymer stuck on at least a part of the surface thereof.例文帳に追加

有機高分子化合物からなる基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する電界効果型トランジスタであって、前記半導体層が表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有する電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

By carefully selecting the angle on which the magnetic flakes are oriented, an effect that an observer recognizes color shift from the first color to the second color or from the first color to the third color is created when orienting the substrate by tilting at different particular angles.例文帳に追加

磁性フレークが配向する角度を慎重に選択すれば、基材をいくつかの異なる所定の角度で傾けることにより、当該基材の方向を定めたときに、観測者が、第一の色から第二の色、または第一の色から第三に色へのカラーシフトが認められる原因となる効果が生み出される。 - 特許庁

To provide a projection screen which prevents yellowing and deteriorating of a Fresnel lens sheet and lenticular lens sheet molded by a UV curing resin by external light and is improved in light resistance without using means of using resins having an UV absorption effect, applying UV absorption ink or kneading a UV absorber into a substrate resin.例文帳に追加

紫外線吸収作用のある樹脂の使用、紫外線吸収インキの塗布あるいは基板樹脂への紫外線吸収剤の混練などの手段を用いずに、紫外線硬化型樹脂により成型されたフレネルレンズシート及びレンチキュラーレンズシートの外光による黄変・劣化を防止し、耐光性を改善したプロジェクションスクリーンを提供する。 - 特許庁

This semiconductor device loaded with the field effect transistor and a Schottky barrier diode within the same semiconductor substrate is provided with an embedded dope layer of a second conductivity type embedded with prescribed pitches at a prescribed depth in the drift layer of a first conductivity type in the Schottky barrier diode region.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、同一半導体基板内に電界効果トランジスタ及びショットキーバリアダイオードを搭載した半導体装置が、ショットキーバリアダイオード領域における第一導電型のドリフト層中の所定の深さに所定のピッチで埋め込まれた第二導電型の埋込ドープ層を備えているものである。 - 特許庁

A lower electrode 3 is provided on a substrate 5, and after the lower electrode 3 is made common, pair of magnetic tunnel effect elements 2 composed of an antiferromagnetic film 8, lower magnetic layer 9, barrier film 10, and upper magnetic film 11 such as laminated structure, are formed independently and separately on the lower electrode 3.例文帳に追加

基板５上に下部電極3を設け、同下部電極３を共通にして同下部電極３上に、イオンビームエッチング処理により、反強磁性膜８、下磁性層９、バリア膜１０及び上磁性層１１からなる積層構造の一対の磁気トンネル抵抗素子２を独立に分離して形成する。 - 特許庁

Accordingly, since the element components mounted and the internally layer pattern are completely covered with the substrate, the insulating layer, and the shielding layer, highly accurate and reliable insulation property and shielding effect are attained, high density mounting is realized, and influence of external electromagnetic field and static electricity is prevented effectively.例文帳に追加

これにより、搭載した要素部品及び内層パターンに対しては基板と絶縁層及びシールド層とで完全に被覆するので、高精度で確実な絶縁性とシールド効果をもつと共に、高密度実装を可能にすることができ、また外部からの電磁界や静電の影響を有効に阻止することができる。 - 特許庁

To provide a protective coating for a polyvinyl chloride-based waterproof sheet which has an excellent adhesion to the polyvinyl chloride-based waterproof sheet (follow-up ability to a substrate), an effect to prevent the migration of a plasticizer (soil resistance), a good coatability and dryability, when coated and is excellent in waterproofness, weatherability, wear resistance, durability and flame retardance.例文帳に追加

ポリ塩化ビニル系防水シートとの付着性（下地追従性）に優れるとともに、可塑剤移行抑制作用（耐汚染性）を有し、塗布時の塗布性および乾燥性が良好であるうえに、耐水性、耐候性、耐摩耗性、耐久性、及び難燃性にも優れている、ポリ塩化ビニル系防水シート用保護塗料を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystalline resin composition which has a very low dielectric constant, does not aggregate to the liquid crystalline resin composition but finely disperse, thus exhibiting anisotropy reduction effect without degrading of physical properties, and is excellent in dimensional stability and vibration resistance and optimal as an on-vehicle substrate, and its manufacturing method.例文帳に追加

非常に低誘電率であり、かつ液晶性樹脂組成物に凝集することなく微分散することで物性低下がなく異方性低減効果が得られ、寸法安定性や振動耐性に優れた車載用基板として最適な液晶性樹脂組成物とその製造方法が提供できる。 - 特許庁