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substrate effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1734件
A step for forming a first insulating film on the semiconductor substrate in the nonvolatile memory transistor region, a step for forming a second insulating film on the first insulating film, a step for forming a third insulating film on the second insulating film, and a step for forming a fourth insulating film on the substrate in the MOS field effect transistor region, are processed simultaneously.例文帳に追加
不揮発性メモリトランジスタ領域の半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成する工程とMOS電界効果トランジスタ領域の半導体基板上に第4の絶縁膜を形成する工程とを同時に行う。 - 特許庁
The sectional areas of pores 21a recessed at two-dimensional periods on a substrate 21 periodically laminated with plural media 6 and 7 varying in refractive indices and etching characteristics are enlarged by etching and filling materials 22, such as liquid crystals, having an electro-optic effect changed in the refractive index by the voltage impressed between the substrate 3 and electrodes 23 are filled into the pores 21a.例文帳に追加
屈折率及びエッチング特性の異なる複数の媒質6、7が周期的に積層して成る基体21上に2次元の周期で凹設された細孔部21aの断面積をエッチングによって拡大し、基板3と電極23との間に印加される電圧により屈折率が変化する電気光学効果を有する液晶等の注入材料22を細孔部21aに注入した。 - 特許庁
In the Mach-Zehnder type optical modulator having an optical waveguide 10 and a coplanar electrode 20 formed on a substrate 1 with an electro-optic effect, the modulator is constructed by providing floating electrodes 30A, 30B formed of a conductive material on side faces 1A, 1B along parallel waveguides 13A, 13B out of side faces nearly vertical to a surface of the substrate 1.例文帳に追加
本発明は、電気光学効果を有する基板1の表面に光導波路10およびコプレーナ電極20を形成したマッハツェンダ型の光変調器について、基板1の表面に略垂直な側面のうちの平行導波路13A,13Bに沿った側面1A,1Bに、導電性を有する材料を用いて形成したフローティング電極30A,30Bを備えて構成される。 - 特許庁
To provide an excellent surface acoustic wave device with versatility that has an electrode structure which suppresses interdigital electrodes formed on the surface of a piezoelectric substrate from being destroyed due to storage of electric charges on the piezoelectric substrate and its discharge in the manufacture processes, is applicable to interdigital electrodes of an optional shape and gives no adverse effect on the characteristics of surface acoustic wave devices themselves.例文帳に追加
製造過程において圧電基板上での電荷蓄積とその放電により、圧電基板の表面上に形成された櫛歯電極が破壊することを抑制する電極構造を備え、任意形状の櫛歯電極に対して適用可能で、しかも弾性表面波素子自身の特性に影響を与えない、汎用性のある優れた弾性表面波装置を提供すること。 - 特許庁
The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a tunnel SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, a quantum dot which includes Ge nucleus within Si shell formed on the tunnel SiO_2 layer, a control SiO_2 layer formed on the quantum dot and tunnel SiO_2 layer, and a gate electrode layer formed on the control SiO_2 layer.例文帳に追加
MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルSiO_2層と、該トンネルSiO_2層上に形成されたSi殻内にGe核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルSiO_2層上に形成されたコントロールSiO_2層と、該コントロールSiO_2層上に形成されたゲート電極層と、を有する。 - 特許庁
This semiconductor device is constituted of at least two transistors of first and second field-effect transistors having different threshold voltages formed on a common substrate 31, and first and second gate junctions of p-n junctions J1 and J2 having different depths in impurity introducting regions 261 and 262 formed in gate parts of the first and second field-effect transistors respectively.例文帳に追加
共通の基板31に、しきい値電圧を異にする少なくとも第1および第2の2つの電界効果トランジスタが形成されて成る半導体装置であって、第1および第2の電界効果トランジスタのゲート部に不純物導入領域261および262による深さを異にするそれぞれp−n接合J_1 およびJ_2 による第1および第2のゲート接合が形成されて成る構成とする。 - 特許庁
Each of the field-effect transitor cells 20 has a structure of a MOSFET and a drain region 2 and a source region 3 are formed on the main surface of the P-type silicon substrate 1 with spacing and a gate electrode 16 is formed on the channel part 4 between both regions 2, 3 through a gate insulating film 5.例文帳に追加
各電界効果型トランジスタセル20は、MOSFETの構造を有し、p形シリコン基板1の主表面側にドレイン領域2とソース領域3とが離間して形成され、両領域2,3間のチャネル部4上にゲート絶縁膜5を介してゲート電極16が形成されている。 - 特許庁
A solvent-free thermosetting matrix resin formed in the form of a membrane on a transfer roll 2 is transferred in the molten state from the transfer roll 2 onto one side of a sheet-shaped reinforcing substrate 1 to effect coating and, at the same time, to impregnate this sheet-shaped reinforcing material 1 with the thermosetting matrix resin.例文帳に追加
転写ロール2の表面に膜状に形成された溶剤を含まない熱硬化性マトリクス樹脂を溶融状態で転写ロール2からシート状補強基材1の片面に転写して塗工すると共にこの熱硬化性マトリクス樹脂をシート状補強基材1に含浸させる。 - 特許庁
To provide a planographic printing method including a cleaning stage for effectively removing the ink receiving region of a printing master to enable the reuse of a substrate in a next printing cycle and using a cleaning liquid exerting no effect on the hardware of a printing press and a cleaning device.例文帳に追加
印刷マスターのインキ−受容性領域を有効に除去し、基質を次の印刷サイクルで再使用することができる清浄化段階を含んでなり、印刷機及び清浄化装置のハードウェアに影響を与えない清浄化液を用いる平版印刷法を提供すること。 - 特許庁
A thermal-optic optical waveguide device has a plurality of optical waveguides 12 formed on a glass substrate 10 and has a thin film heater 14 loaded in the vicinity of at least partial optical waveguides and gives a thermo-optic effect to the optical waveguides by heat generation of the thin film heater.例文帳に追加
ガラス基板10に複数の光導波路12が形成され、その少なくとも一部の光導波路近傍に薄膜ヒータ14が装荷されていて、該薄膜ヒータによる発熱により光導波路に熱光学効果を与える熱光学光導波路デバイスである。 - 特許庁
This heterojunction field-effect transistor includes a T-shaped gate electrode 2, comprising the upper portion 2a of the electrode, and the lower portions 2b and 2c of the electrode which extends downwardly from the lower face 2d of the upper portion of the electrode has smaller transversal area parallel to a semiconductor substrate than the upper portion of the electrode.例文帳に追加
本ヘテロ接合型電界効果トランジスタは、電極上部2aと、電極上部の下面2dから下方に延在し、半導体基板に平行な横断面積が電極上部より小さい電極下部2b、2cとを有する、T型ゲート電極2を備えている。 - 特許庁
A Mach-Zehnder type optical waveguide 22 is formed on the side of a principal surface 21A of a substrate 21 made of a material having an electrooptic effect, and a coplanar electrode for modulation consisting of a center electrode 24 and earth electrodes 25-1 and 25-2 is formed on the principal surface 21A.例文帳に追加
電気光学効果を有する材料からなる基板21の主面21A側にマッハツエンダー型の光導波路22を形成し、主面21A上に中心電極24及び接地電極25−1、25−2からなるコプレナー型の変調用電極を形成する。 - 特許庁
At horizontal stopping of the vehicle after mounting of the substrate, a command of that effect of the state is transmitted to an electronic control unit to recognize the horizontal state of the vehicle by it and deviations θx, θy around XY axis of the acceleration sensor are obtained from the output of the acceleration sensor at that time.例文帳に追加
基板取付後の車両の水平停止時、その状態である旨の命令を電子制御ユニットに送り込んで車両の水平状態と認識させ、その時の加速度センサの出力から加速度センサのXY軸中心周りのズレθx、θyを得る。 - 特許庁
A DC ground and RF-like ground required for the tunable matching circuit 32 of an antenna apparatus are taken from the set substrate side, thereby removing a ground plane from just under the antenna element 31, so that the effect of a ground line upon the antenna element 31 can be excluded.例文帳に追加
アンテナ装置のチューナブル整合回路32において必要となる直流的なグランド及びRF的なグランドはセット基板側から取ることにより、アンテナ素子31の直下からグランド面を排除することができ、アンテナ素子31へのグランドラインの影響を排除した。 - 特許庁
Thereby, a cell current is reduced by raising apparent threshold voltage of a memory cell utilizing substrate bias effect of a MOSFET, judgement of threshold voltage of a memory cell at the time of erasing verifying operation is performed by the same judging current as a current at the time of writing verifying operation.例文帳に追加
これにより、MOSFETの基板バイアス効果を利用して見かけ上のメモリセルのしきい値電圧を上昇させることでセル電流を低減し、消去ベリファイ動作時のメモリセルのしきい値電圧の判定を、書き込みベリファイ動作時と同一の判定電流で行う。 - 特許庁
Since the gas containing fluorine elements is used in addition to the oxygen gas, fine etching reaction is generated in ashing, so that an effect for removing re-attached components such as deposited reactants and resists heavily stuck to a treated substrate surface at the time of etching, particularly to the edge of an area coated with the resist is displayed.例文帳に追加
酸素ガスに加えて弗素元素を含むガスを用いているので、アッシング中に微量ながらエッチング反応が発生しており、エッチング時に処理基板面、特にレジストで被覆された領域のエッヂ部に多く付着したデポ反応物やレジスト等の再付着成分を除去する効果を奏する。 - 特許庁
To obtain high heat radiation effect while maintaining insulation by filling a heat transfer resin at a predetermined thinness between a heat generating component and a case doubling as a heat sink in a configuration for radiating heat from the heat-generating electronic component surface-mounted on a substrate to the case via the heat transfer resin.例文帳に追加
基板に面実装した発熱電子部品からの熱をヒートシンク兼用のケースに熱伝導樹脂を介在させて放熱する構成において、発熱部品とケースとの間に熱伝導樹脂を所定の薄さに充填することで、絶縁性を保ちながら、高い放熱効果を得るようにする。 - 特許庁
To solve a problem of not obtaining a diversity effect since the radiation pattern of a chip antenna becomes the same pattern as that of the other antenna, in the case of making the chip antenna positioned at the terminal part of a mounting substrate along with the miniaturization of radio equipment to mount the antenna device of a diversity system.例文帳に追加
ダイバーシチ方式のアンテナ装置において、これを実装する無線装置の小型化に伴いチップアンテナが検討されているが、その放射パターンが取り付け基板の端部に配置した場合、他方のアンテナの放射パターンと同バターンとなりダイバーシチ効果を得ることが出来ない。 - 特許庁
This magnetoresistive element is constituted by arranging a plurality of linear sections 30 in parallel with each other on a substrate by using an Ni-Co-based alloy, etc., so that the sections 30 may be extended along a prescribed direction and electrically connecting the end sections of the sections 30 through Al conductive sections 70 having no magnetoresistive effect.例文帳に追加
磁気抵抗素子は、基板上にNi−Co系合金等にて、所定方向に添って延びるように複数の直線部30を並設し、複数の直線部30の端部間を、磁気抵抗効果を備えないAlからなる導電部70にて電気的に接続して構成する。 - 特許庁
The p-channel type field effect transistor comprises: a gate electrode GE2 arranged with a gate insulating film 3 interposed therebetween; and a source-drain region arranged inside a trench g2 provided in the silicon substrate 1 at both sides of the gate electrode GE2, and formed of SiGe having a larger lattice constant than that of Si.例文帳に追加
このpチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜3を介して配置されたゲート電極GE2と、ゲート電極の両側のシリコン基板1中に設けられた溝g2の内部に配置され、Siより格子定数が大きいSiGeよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。 - 特許庁
To provide a printed substrate of a structure in which an organic matter solder resist agent having adverse effects on high frequency property is not applied, that an oxide film is made for surface treatment of the pattern in the place requiring solder resist as its substitute, and that the oxide film has solder resist effect.例文帳に追加
本発明の目的は、高周波特性に悪影響を及ぼす有機物はんだレジスト剤を塗布せず、その代替えとして、はんだレジストを必要とする箇所のパターンの表面処理に酸化膜を形成させて酸化膜にはんだレジスト効果を持たせた構造のプリント基板の提供にある。 - 特許庁
Al_2O_3 films 41 for reducing reflectance and TiOx films 42 for reducing transmittance are alternately layered on the substrate 24 and an MgF_2 film 43 to be a low refractive material is deposited on the uppermost layer to further heighten a reflection preventing effect.例文帳に追加
この基板24上に反射率を低下させるためのAl_2O_3膜41と、透過率を低下させるためのTiOx膜42を交互に積層し、最表層には低屈折材料であるMgF_2膜43を蒸着することにより、反射防止効果を更に高めている。 - 特許庁
The self-aligned field-effect transistor structure includes: an active region arranged on a substrate; an uneven gate insulating pattern arranged on the active region; and a gate electrode self aligned by the gate insulating pattern and arranged on the inner space of the gate insulating pattern.例文帳に追加
本発明の実施形態による自己整列電界効果トランジスタ構造体は、基板上に配置された活性領域と、活性領域上に配置された凹凸型のゲート絶縁パターンと、ゲート絶縁パターンによって自己整列されてゲート絶縁パターンの内部空間に配置されたゲート電極と、を含む。 - 特許庁
An electro-optic effect prism part PR having a single optical waveguide, an optical waveguide part OW having a plurality of second optical waveguides, and a super prism photonic crystal part PC which enlarges a reflection angle between the PR and the OW, are provided on a flat plate shaped substrate 1.例文帳に追加
平板状の基板1に単一の光導波路を備えた電気光学効果プリズム部PRと、複数の第2の光導波路を備えた光導波路部OWと、このPRとOWの間で屈折角の拡大を行うスーパープリズムフォトニック結晶部PCとを設ける。 - 特許庁
Subsequently, second heat treatment is applied in the reducing gas atmosphere at a temperature higher than that in the preheat treatment and that does not cause an adverse effect to the impurity concentration distribution of the other element on the semiconductor substrate 1, and an oxide film on the hetero epitaxial growth surface is removed by a reduction reaction.例文帳に追加
続いて、還元性ガス雰囲気中において上記プレ加熱処理よりも高温で、かつ、半導体基板1の他の素子の不純物濃度分布に悪影響を与えない温度で第2加熱処理を施して、上記異種結晶成長面上の酸化膜を還元反応によって除去する。 - 特許庁
A plurality of insulated gate field-effect transistors, which are formed surrounded by an element isolation insulating layer and provided with a neutral region 4c which is not depleted in a part of a semiconductor layer 4, are formed in the semiconductor layer 4 formed on a substrate 1 via an embedded insulating layer 3.例文帳に追加
基板2上に埋込絶縁層3を介して形成された半導体層4内に、それぞれ素子分離絶縁層により周囲を囲まれ形成され、かつ、半導体層4の一部に空乏化されない中性領域4cを備える複数の絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する。 - 特許庁
To provide a film-forming apparatus that continuously conducts a plurality of treatments including film formation by CVD while transporting a long substrate in a longitudinal direction, in which each chamber does not receive a harmful effect originating in pressures from adjacent chambers, and also can reduce the contamination in the apparatus due to a reaction gas.例文帳に追加
長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、CVDによる成膜を含む複数の処理を連続的に行なう成膜装置であって、各室が、隣接する室の圧力による悪影響を受けることなく、また、反応ガスによる装置内の汚染も抑制できる成膜装置を提供する。 - 特許庁
To provide a current detection circuit to precisely detect a load current by negatively feeding back the voltage up to a comparatively high voltage with an operational amplifier after satisfying the withstand voltage between source gates of a MOSFET for protection even if a substrate bias effect is generated in the MOSFET for protection in a current detection circuit of a power transistor.例文帳に追加
パワートランジスタの電流検出回路の保護用MOSFETにおいて基板バイアス効果が生じても、保護用MOSFETのソース−ゲート間の耐圧を満足したうえで、比較的高い電圧まで演算増幅器で負帰還して、精度よく負荷電流を検出する。 - 特許庁
The thin film field-effect transistor includes at least a gate electrode, an insulating film, an active layer, etching stopper layer, a source electrode, and a drain electrode formed on a substrate, wherein the etching stopper layer is formed on the active layer, and the source electrode and the drain electrode are formed on the etching stopper layer.例文帳に追加
薄膜電界効果型トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、エッチングストッパ層、ソース電極、およびドレイン電極が形成されており、活性層上にエッチングストッパ層が形成され、エッチングストッパ層上にソース電極およびドレイン電極が形成されている。 - 特許庁
A peripheral alignment film 109 that dries up quickly is applied in a frame form on a TFT substrate 100 including a display region having a pixel electrode 107 and its peripheral regions by inkjet, and then, a display region alignment film 108 that dries up slowly but has excellent leveling effect is applied by inkjet.例文帳に追加
画素電極107を有する表示領域とその周辺領域を有するTFT基板100に、乾燥の速い周辺配向膜109をインクジェットで枠状に塗布し、その後、乾燥は遅いがレベリング効果が優れた表示領域配向膜108をインクジェットで塗布する。 - 特許庁
On a surface of the bulk silicon wafer substrate 1', an insulator layer 2 is formed by etching back the dielectric insulating layer 2' in its thickness direction for forming each active area 10 being exposed so as to project a body region of the field effect transistor in a shape of fin portions 3 and 5.例文帳に追加
バルクシリコンウエハ基板1’の表面上において、各活性エリア10を電界効果トランジスタの本体領域をフィン部3、5の形状で突出するように露出させて形成するために、誘電性絶縁部層2’を厚さ方向にエッチバックして絶縁体層2を形成する。 - 特許庁
Both surfaces of an oxygen ion conductive substrate 21 are provided with the first electrode film 22 composed of a metallic oxide having a dissociative adsorption effect of oxygen and the second electrode film 23 composed of a fired film having excellent electric conductivity and having essential components composed of metallic particles and glass-based binder.例文帳に追加
酸素イオン伝導性基板21の両面に、酸素の解離吸着作用を有する金属酸化物からなる第1電極膜22と、電気導電性に優れ主成分が金属粒子とガラス系結合材の焼成膜よりなる第2電極膜23とを設けている。 - 特許庁
By making nitride III-V compound semiconductor materials such as AlN, GaN, and AlGaN undergo crystal growth on a SiC substrate whose front face is a C surface, a heterojunction field effect transistor having superior crystallinity and frequency characteristics can be manufactured.例文帳に追加
このように、表面がC面であるSiC基板にAlN、GaNおよびAlGaNなどの窒化物系III−V族化合物半導体材料を結晶成長させることによって、結晶性および周波数特性にすぐれたヘテロ接合電界効果型トランジスタの作製が可能である。 - 特許庁
The manufacturing method of a field effect transistor in which a functional film is formed over a substrate in a printing process including the following steps (1)-(3); the minimum width of a line or a space of the functional film is 1-50 μm and printing positional accuracy is 100 ppm or less.例文帳に追加
以下の工程(1)から(3)よりなる印刷工程により前記基板上へラインもしくはスペース最小幅が1から50μmであり、印刷位置精度が100ppm以下の機能性膜の形成を行うことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法としたもの。 - 特許庁
This method adds cystein in an amount close to the saturating amount of a substrate to the specimen including the cystein and homocystein, reacts a homocystein converting enzyme having a strong reactivity to homocystein than to cystein and the method is capable of specifically determining the quantity of the homocystein avoiding the effect of the cystein.例文帳に追加
システインとホモシステインを含む試料に基質飽和量となる量程度のシステインを添加し、次いでシステインよりもホモシステインに対する作用が強いホモシステイン変換酵素を作用させることにより、システインの影響を回避して試料中のホモシステインを特異的に定量することができる。 - 特許庁
To provide tacky paper having oxidation inhibiting/odor removal/deodorization/anti-static effects which are the effects of carbon powder, and weak body (low rigidity) capable of following even with fine grooves and further by selecting a paper substrate, capable of obtaining a displaying and decorating effect by printing.例文帳に追加
炭粉の効果である、酸化抑制・脱臭・消臭・静電気除去効果を有し、且つ細かな溝にも追随できる腰の弱い(剛性の低い)タック紙であり、さらに紙基材を選択することにより、印刷による表示、装飾効果を得ることが可能であるタック紙を提供すること。 - 特許庁
The field effect transistor 2 has a first and a second source/drain region 28 arranged on either side face of a gate electrode 4 with a channel region 26 formed in the interior of a semiconductor substrate 24 in a position interposed between the first and second source/drain regions 28 directly under the gate electrode 4.例文帳に追加
電界効果トランジスタ2は、ゲート電極4のいずれかの側面に配置された第1および第2ソース/ドレイン領域28を備え、第1および第2ソース/ドレイン領域28に挟まれた、ゲート電極4の直下に位置する半導体基板24内に、チャネル領域26が形成される。 - 特許庁
To provide a grinding liquid composition capable of maintaining the grinding speed of a metal layer on a surface to be ground having an insulating layer and the metal layer, suppressing the etching speed and excellent in preventing effect for a dishing of a metal circuit layer, etc., to provide a grinding method and a method for producing a semiconductor substrate.例文帳に追加
絶縁層と金属層を有する被研磨表面において、金属膜の研磨速度を維持し、エッチング速度を抑制し、金属配線層のディッシング等の防止効果に優れた研磨液組成物、研磨方法、及び半導体基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 which are separated from each other by the insulating layer 3, and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are both formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4, are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor.例文帳に追加
絶縁体層3と、この絶縁体層3により隔離されたゲート電極2及び有機半導体層4と、この有機半導体層4に接するように設けられたソース電極5及びドレイン電極6を、絶縁性支持基板上1に有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁
To provide a sublimation ribbon with a protective layer in which the protective layer having good adhesive properties on all kinds of bodies to be transferred, being easily releasable from a substrate without providing a release layer, having a good transparency influencing no effect on visibility of an image, and in addition, excellent in protection of the image, can be formed.例文帳に追加
あらゆる被転写体への接着性が良好であり、剥離層を設けなくても保護層を基材から容易に剥離でき、画像の視認性に影響をおよぼさない透明性を有し、さらに画像の保護に優れた保護層が形成できる保護層付昇華リボンを提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method in which a substrate of low COPs (Crystal-Originated-Particles) suitable for an epitaxial wafer can efficiently be manufactured and a high-quality epitaxial wafer can be manufactured in good yield so that the epitaxial wafer may have high-quality epitaxial surface quality exerting no adverse effect on at least device characteristics.例文帳に追加
エピタキシャルウェーハにおいて、少なくともデバイス特性に悪影響を及ぼさない高品質なエピタキシャル表面品質を得るために、エピタキシャルウェーハ用として最適な低COPの基板を効率よく製造でき、高品質エピタキシャルウェーハを歩留りよく製造できる製造方法の提供。 - 特許庁
The Hall effect device 100 comprises supports 11 to 14 formed on a first semiconductor substrate 10 made of n-type single crystal silicon, a Hall device part 15, a space 16, current electrode terminals 21a to 22a, sensor electrode terminals 23a to 24a, wirings 21b to 24b, and bonding pads 21c to 24c.例文帳に追加
ホール効果素子100は、N型単結晶シリコンからなる第1の半導体基板10に形成される支持部11〜14、ホール素子部15、空間部16、電流電極端子21a〜22a、センサ電極端子23a〜24a、配線21b〜24b、ボンディングパッド21c〜24cなどを備える。 - 特許庁
The field effect transistor 1 is obtained by forming a source region 104 and a drain region 105 on a silicon substrate 101, and laminating in order an insulating film 102a, a PCMO film 102b, and a gate electrode 103 on a region put between the source region 104 and the drain region 105.例文帳に追加
シリコン基板101上にソース領域104とドレイン領域105を形成すると共にソース領域104とドレイン領域105とに挟まれた領域上に順次、絶縁膜102a、PCMO膜102b、ゲート電極103を積層して、電界効果トランジスタ1とする。 - 特許庁
To provide a substrate for a water-absorbing mat and the water-absorbing mat wherein a shape of a thin water-absorbing body in using is made stabilized, drying of the water-absorbing body is accelerated, replacing of the water-absorbing body 3 is easy, and contribution to an effective utilization of resources is obtained, and an acupressure effect is also obtained.例文帳に追加
薄い吸水体の、使用中に於ける形状を安定させると共に吸水体の乾燥を速め、吸水体3の交換が容易であり、資源の有効活用に寄与でき、指圧効果も得られる吸水マット用基板及び吸水マットを供すること。 - 特許庁
A nickel compound layer 13 on a gold film 12 formed by gold plating is removed by the physical etching effect of the generated ion and the generated oxygen radical reacts with particles 14a or 10b of the organic material scattered from the organic layer 14 or the resin substrate surface 10a to gasify.例文帳に追加
発生したイオンの物理的エッチング効果によって金メッキによる金膜12上のニッケル化合物層13を除去するとともに、発生した酸素ラジカルは有機物層14や樹脂基板面10aから飛散する有機物の粒子14aや10bと反応してガス化させる。 - 特許庁
In the method for manufacturing the field effect device, the substrate having the insulating film and the plurality of electrodes, and the organic semiconductor single-crystal material are prepared separately, and then the organic semiconductor single-crystal material is adhered to the insulating film softly by electrostatic attraction or mechanical strength.例文帳に追加
本発明に係る電界効果デバイスの製造方法は、絶縁膜および複数の電極を有する基板と、有機半導体単結晶とを別々に作製した後、該有機半導体単結晶とゲート絶縁膜とを静電引力または機械的な力でソフトに接着することを特徴とする。 - 特許庁
This field-effect transistor has a semi-insulating GaAs substrate 1, impurities layer 120, undoped GaAs buffer layer 2, undoped AlGaAs buffer layer 3, undoped GaAs buffer layer 4, n-type GaAs channel layer 5, gate electrode 15, source electrode 19, and drain electrode 18.例文帳に追加
電界効果トランジスタは、半絶縁性GaAs基板1と、不純物層120と、アンドープGaAsバッファ層2と、アンドープAlGaAsバッファ層3と、アンドープGaAsバッファ層4と、n型GaAsチャネル層5と、ゲート電極15と、ソース電極19と、ドレイン電極18とを備えている。 - 特許庁
To manufacture a transistor having a desired high field-effect mobility by forming an oxide semiconductor layer having improved characteristics as well as enabling an increase in size of the substrate and also to put a large display device, a high-performance semiconductor device, or the like into practical use.例文帳に追加
基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。 - 特許庁
To provide a method of simply measuring the amount of a nitrogen element diffused in a silicon substrate in a process of forming a gate electrode film by a plasma nitriding process, and to provide a method of forming a gate electrode film by a plasma nitriding process having less effect on device characteristics.例文帳に追加
プラズマ窒化処理によりゲート電極膜を形成するプロセスにおいてシリコン基板中に拡散した窒素元素量を簡便に測定する方法を提供し、さらにデバイス特性に与える影響の小さいプラズマ窒化プロセスによるゲート電極膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a paste composition preventing warpage or cracks from occurring even if using a thinner silicon semiconductor substrate and achieving high BSF effect and energy conversion efficiency, and also to provide a solar cell element having an electrode formed by using the composition.例文帳に追加
より薄いシリコン半導体基板を用いても、反りまたは割れが発生することを防止することができるとともに、高いBSF効果とエネルギー変換効率とを達成することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池素子を提供することである。 - 特許庁
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