「substrate effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor device is constituted of at least two transistors of first and second field-effect transistors having different threshold voltages formed on a common substrate 31, and first and second gate junctions of p-n junctions J1 and J2 having different depths in impurity introducting regions 261 and 262 formed in gate parts of the first and second field-effect transistors respectively.例文帳に追加

共通の基板３１に、しきい値電圧を異にする少なくとも第１および第２の２つの電界効果トランジスタが形成されて成る半導体装置であって、第１および第２の電界効果トランジスタのゲート部に不純物導入領域２６１および２６２による深さを異にするそれぞれｐ−ｎ接合Ｊ_1 およびＪ_2 による第１および第２のゲート接合が形成されて成る構成とする。 - 特許庁

The p-channel type field effect transistor comprises: a gate electrode GE2 arranged with a gate insulating film 3 interposed therebetween; and a source-drain region arranged inside a trench g2 provided in the silicon substrate 1 at both sides of the gate electrode GE2, and formed of SiGe having a larger lattice constant than that of Si.例文帳に追加

このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。 - 特許庁

To provide a printed substrate of a structure in which an organic matter solder resist agent having adverse effects on high frequency property is not applied, that an oxide film is made for surface treatment of the pattern in the place requiring solder resist as its substitute, and that the oxide film has solder resist effect.例文帳に追加

本発明の目的は、高周波特性に悪影響を及ぼす有機物はんだレジスト剤を塗布せず、その代替えとして、はんだレジストを必要とする箇所のパターンの表面処理に酸化膜を形成させて酸化膜にはんだレジスト効果を持たせた構造のプリント基板の提供にある。 - 特許庁

Al_2O_3 films 41 for reducing reflectance and TiOx films 42 for reducing transmittance are alternately layered on the substrate 24 and an MgF_2 film 43 to be a low refractive material is deposited on the uppermost layer to further heighten a reflection preventing effect.例文帳に追加

この基板２４上に反射率を低下させるためのＡｌ_２Ｏ_３膜４１と、透過率を低下させるためのＴｉＯｘ膜４２を交互に積層し、最表層には低屈折材料であるＭｇＦ_２膜４３を蒸着することにより、反射防止効果を更に高めている。 - 特許庁

The self-aligned field-effect transistor structure includes: an active region arranged on a substrate; an uneven gate insulating pattern arranged on the active region; and a gate electrode self aligned by the gate insulating pattern and arranged on the inner space of the gate insulating pattern.例文帳に追加

本発明の実施形態による自己整列電界効果トランジスタ構造体は、基板上に配置された活性領域と、活性領域上に配置された凹凸型のゲート絶縁パターンと、ゲート絶縁パターンによって自己整列されてゲート絶縁パターンの内部空間に配置されたゲート電極と、を含む。 - 特許庁

To provide a method by which a light emitting element capable of maintaining a high current diffusing effect can be manufactured without growing in advance a thick current diffusing layer on the side of a peeled surface which becomes a light emitting surface, by peeling off a substrate for growing light emitting layer from a light emitting layer section.例文帳に追加

発光層部から発光層成長用基板を剥離して発光素子を製造する際に、光取出面となる剥離面側に電流拡散層を前もって厚く成長する必要がなく、しかも高い電流拡散効果を維持できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the occurrence of particles caused by being supplied to the drying tank while the fluid for drying is solidified is suppressed, this invention has the effect that stable and defectless substrate processing can be obtained resulting in enhancing the production amount or the yield.例文帳に追加

本発明によれば、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。 - 特許庁

The sensor is a sensor containing the back gate type field-effect transistor and characterized in that the gate electrode, which surrounds a reaction region, is fixed on the insulating film of a semiconductor substrate and the thickness of the insulating film of the reaction region is less than the thickness of the insulating film in the periphery of the reaction region.例文帳に追加

本発明のセンサは、バックゲート型の電界効果トランジスタを含むセンサであって、反応領域を囲むゲート電極が半導体基板の絶縁膜上に固定されていること、および反応領域の絶縁膜の厚さがその周囲の絶縁膜の厚さよりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an atmospheric pressure plasma processing apparatus that successively performs plasma processing on substrates while transporting many setters carrying the substrates by arranging the setters in a row, can relieve the effect of another gas flow exerted upon the blown-off flow of a process gas and, at the same time, can prevent the temperature drop of a substrate caused by intruded outside air.例文帳に追加

多数のセッタを一列に並べて搬送しながら順次プラズマ処理する装置であって、処理ガスの吹出し流が、他のガス流の影響を受けるのを緩和するとともに外気進入により基材温度が低下するのを防止できる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for a water-absorbing mat and the water-absorbing mat wherein a shape of a thin water-absorbing body in using is made stabilized, drying of the water-absorbing body is accelerated, replacing of the water-absorbing body 3 is easy, and contribution to an effective utilization of resources is obtained, and an acupressure effect is also obtained.例文帳に追加

薄い吸水体の、使用中に於ける形状を安定させると共に吸水体の乾燥を速め、吸水体３の交換が容易であり、資源の有効活用に寄与でき、指圧効果も得られる吸水マット用基板及び吸水マットを供すること。 - 特許庁

A nickel compound layer 13 on a gold film 12 formed by gold plating is removed by the physical etching effect of the generated ion and the generated oxygen radical reacts with particles 14a or 10b of the organic material scattered from the organic layer 14 or the resin substrate surface 10a to gasify.例文帳に追加

発生したイオンの物理的エッチング効果によって金メッキによる金膜１２上のニッケル化合物層１３を除去するとともに、発生した酸素ラジカルは有機物層１４や樹脂基板面１０ａから飛散する有機物の粒子１４ａや１０ｂと反応してガス化させる。 - 特許庁

Both surfaces of an oxygen ion conductive substrate 21 are provided with the first electrode film 22 composed of a metallic oxide having a dissociative adsorption effect of oxygen and the second electrode film 23 composed of a fired film having excellent electric conductivity and having essential components composed of metallic particles and glass-based binder.例文帳に追加

酸素イオン伝導性基板２１の両面に、酸素の解離吸着作用を有する金属酸化物からなる第１電極膜２２と、電気導電性に優れ主成分が金属粒子とガラス系結合材の焼成膜よりなる第２電極膜２３とを設けている。 - 特許庁

By making nitride III-V compound semiconductor materials such as AlN, GaN, and AlGaN undergo crystal growth on a SiC substrate whose front face is a C surface, a heterojunction field effect transistor having superior crystallinity and frequency characteristics can be manufactured.例文帳に追加

このように、表面がＣ面であるＳｉＣ基板にＡｌＮ、ＧａＮおよびＡｌＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を結晶成長させることによって、結晶性および周波数特性にすぐれたヘテロ接合電界効果型トランジスタの作製が可能である。 - 特許庁

This field-effect transistor has a semi-insulating GaAs substrate 1, impurities layer 120, undoped GaAs buffer layer 2, undoped AlGaAs buffer layer 3, undoped GaAs buffer layer 4, n-type GaAs channel layer 5, gate electrode 15, source electrode 19, and drain electrode 18.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半絶縁性ＧａＡｓ基板１と、不純物層１２０と、アンドープＧａＡｓバッファ層２と、アンドープＡｌＧａＡｓバッファ層３と、アンドープＧａＡｓバッファ層４と、ｎ型ＧａＡｓチャネル層５と、ゲート電極１５と、ソース電極１９と、ドレイン電極１８とを備えている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the field effect device, the substrate having the insulating film and the plurality of electrodes, and the organic semiconductor single-crystal material are prepared separately, and then the organic semiconductor single-crystal material is adhered to the insulating film softly by electrostatic attraction or mechanical strength.例文帳に追加

本発明に係る電界効果デバイスの製造方法は、絶縁膜および複数の電極を有する基板と、有機半導体単結晶とを別々に作製した後、該有機半導体単結晶とゲート絶縁膜とを静電引力または機械的な力でソフトに接着することを特徴とする。 - 特許庁

To manufacture a transistor having a desired high field-effect mobility by forming an oxide semiconductor layer having improved characteristics as well as enabling an increase in size of the substrate and also to put a large display device, a high-performance semiconductor device, or the like into practical use.例文帳に追加

基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。 - 特許庁

Since the gas containing fluorine elements is used in addition to the oxygen gas, fine etching reaction is generated in ashing, so that an effect for removing re-attached components such as deposited reactants and resists heavily stuck to a treated substrate surface at the time of etching, particularly to the edge of an area coated with the resist is displayed.例文帳に追加

酸素ガスに加えて弗素元素を含むガスを用いているので、アッシング中に微量ながらエッチング反応が発生しており、エッチング時に処理基板面、特にレジストで被覆された領域のエッヂ部に多く付着したデポ反応物やレジスト等の再付着成分を除去する効果を奏する。 - 特許庁

To solve a problem of not obtaining a diversity effect since the radiation pattern of a chip antenna becomes the same pattern as that of the other antenna, in the case of making the chip antenna positioned at the terminal part of a mounting substrate along with the miniaturization of radio equipment to mount the antenna device of a diversity system.例文帳に追加

ダイバーシチ方式のアンテナ装置において、これを実装する無線装置の小型化に伴いチップアンテナが検討されているが、その放射パターンが取り付け基板の端部に配置した場合、他方のアンテナの放射パターンと同バターンとなりダイバーシチ効果を得ることが出来ない。 - 特許庁

Thereby, a cell current is reduced by raising apparent threshold voltage of a memory cell utilizing substrate bias effect of a MOSFET, judgement of threshold voltage of a memory cell at the time of erasing verifying operation is performed by the same judging current as a current at the time of writing verifying operation.例文帳に追加

これにより、ＭＯＳＦＥＴの基板バイアス効果を利用して見かけ上のメモリセルのしきい値電圧を上昇させることでセル電流を低減し、消去ベリファイ動作時のメモリセルのしきい値電圧の判定を、書き込みベリファイ動作時と同一の判定電流で行う。 - 特許庁

To obtain high heat radiation effect while maintaining insulation by filling a heat transfer resin at a predetermined thinness between a heat generating component and a case doubling as a heat sink in a configuration for radiating heat from the heat-generating electronic component surface-mounted on a substrate to the case via the heat transfer resin.例文帳に追加

基板に面実装した発熱電子部品からの熱をヒートシンク兼用のケースに熱伝導樹脂を介在させて放熱する構成において、発熱部品とケースとの間に熱伝導樹脂を所定の薄さに充填することで、絶縁性を保ちながら、高い放熱効果を得るようにする。 - 特許庁

This magnetoresistive element is constituted by arranging a plurality of linear sections 30 in parallel with each other on a substrate by using an Ni-Co-based alloy, etc., so that the sections 30 may be extended along a prescribed direction and electrically connecting the end sections of the sections 30 through Al conductive sections 70 having no magnetoresistive effect.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、基板上にＮｉ−Ｃｏ系合金等にて、所定方向に添って延びるように複数の直線部３０を並設し、複数の直線部３０の端部間を、磁気抵抗効果を備えないＡｌからなる導電部７０にて電気的に接続して構成する。 - 特許庁

To provide a method of simply measuring the amount of a nitrogen element diffused in a silicon substrate in a process of forming a gate electrode film by a plasma nitriding process, and to provide a method of forming a gate electrode film by a plasma nitriding process having less effect on device characteristics.例文帳に追加

プラズマ窒化処理によりゲート電極膜を形成するプロセスにおいてシリコン基板中に拡散した窒素元素量を簡便に測定する方法を提供し、さらにデバイス特性に与える影響の小さいプラズマ窒化プロセスによるゲート電極膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a paste composition preventing warpage or cracks from occurring even if using a thinner silicon semiconductor substrate and achieving high BSF effect and energy conversion efficiency, and also to provide a solar cell element having an electrode formed by using the composition.例文帳に追加

より薄いシリコン半導体基板を用いても、反りまたは割れが発生することを防止することができるとともに、高いＢＳＦ効果とエネルギー変換効率とを達成することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池素子を提供することである。 - 特許庁

This semiconductor device 1 is composed of a field effect transistor provided with the gate electrode 15 through the gate insulated film 14 on a semiconductor substrate 11, and at least the side of the insulated film 14 of the gate electrode 15 is composed of the film containing hafnium and silicon.例文帳に追加

半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えた電界効果トランジスタからなる半導体装置１であって、前記ゲート電極１５は少なくとも前記ゲート絶縁膜１４側がハフニウムとシリコンとを含む膜からなるものである。 - 特許庁

This invented optical waveguide element 10 has a substrate 1 having electrooptic effect, a Mach-Zehnder type optical waveguide 2 for guiding a light wave, and a signal electrode 4 and ground electrodes 5-1 and 5-2 for controlling the light wave guided in the optical waveguide 2.例文帳に追加

本発明の光導波路素子１０は、電気光学効果を有する基板１と、光波を導波させるためのマッハツエンダー型の光導波路２と、光導波路２中を導波する光波を制御するための信号電極４及び接地電極５−１、５−２とを具える。 - 特許庁

Since nitrogen gas flow introduced into the chamber 14 is diffused and nitrogen density is made uniform in the chamber 14, reactive substance removing effect is made constant in the chamber 14 and an element on a substrate 19 to be processed employing a film formed by laser anneal has uniform characteristics.例文帳に追加

チャンバ14内に導入される窒素流が拡散され、チャンバ14内における窒素密度を均一にすることにより、チャンバ14内での反応性物質の除去効果が一定になるので、レーザーアニールにより形成された膜を用いた被処理基板19上の素子の特性が均一にされる。 - 特許庁

The thin film field-effect transistor includes at least a gate electrode, an insulating film, an active layer, etching stopper layer, a source electrode, and a drain electrode formed on a substrate, wherein the etching stopper layer is formed on the active layer, and the source electrode and the drain electrode are formed on the etching stopper layer.例文帳に追加

薄膜電界効果型トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、エッチングストッパ層、ソース電極、およびドレイン電極が形成されており、活性層上にエッチングストッパ層が形成され、エッチングストッパ層上にソース電極およびドレイン電極が形成されている。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus that continuously conducts a plurality of treatments including film formation by CVD while transporting a long substrate in a longitudinal direction, in which each chamber does not receive a harmful effect originating in pressures from adjacent chambers, and also can reduce the contamination in the apparatus due to a reaction gas.例文帳に追加

長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ＣＶＤによる成膜を含む複数の処理を連続的に行なう成膜装置であって、各室が、隣接する室の圧力による悪影響を受けることなく、また、反応ガスによる装置内の汚染も抑制できる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a current detection circuit to precisely detect a load current by negatively feeding back the voltage up to a comparatively high voltage with an operational amplifier after satisfying the withstand voltage between source gates of a MOSFET for protection even if a substrate bias effect is generated in the MOSFET for protection in a current detection circuit of a power transistor.例文帳に追加

パワートランジスタの電流検出回路の保護用ＭＯＳＦＥＴにおいて基板バイアス効果が生じても、保護用ＭＯＳＦＥＴのソース−ゲート間の耐圧を満足したうえで、比較的高い電圧まで演算増幅器で負帰還して、精度よく負荷電流を検出する。 - 特許庁

A peripheral alignment film 109 that dries up quickly is applied in a frame form on a TFT substrate 100 including a display region having a pixel electrode 107 and its peripheral regions by inkjet, and then, a display region alignment film 108 that dries up slowly but has excellent leveling effect is applied by inkjet.例文帳に追加

画素電極１０７を有する表示領域とその周辺領域を有するＴＦＴ基板１００に、乾燥の速い周辺配向膜１０９をインクジェットで枠状に塗布し、その後、乾燥は遅いがレベリング効果が優れた表示領域配向膜１０８をインクジェットで塗布する。 - 特許庁

On a surface of the bulk silicon wafer substrate 1', an insulator layer 2 is formed by etching back the dielectric insulating layer 2' in its thickness direction for forming each active area 10 being exposed so as to project a body region of the field effect transistor in a shape of fin portions 3 and 5.例文帳に追加

バルクシリコンウエハ基板１’の表面上において、各活性エリア１０を電界効果トランジスタの本体領域をフィン部３、５の形状で突出するように露出させて形成するために、誘電性絶縁部層２’を厚さ方向にエッチバックして絶縁体層２を形成する。 - 特許庁

An electro-optic effect prism part PR having a single optical waveguide, an optical waveguide part OW having a plurality of second optical waveguides, and a super prism photonic crystal part PC which enlarges a reflection angle between the PR and the OW, are provided on a flat plate shaped substrate 1.例文帳に追加

平板状の基板１に単一の光導波路を備えた電気光学効果プリズム部ＰＲと、複数の第２の光導波路を備えた光導波路部ＯＷと、このＰＲとＯＷの間で屈折角の拡大を行うスーパープリズムフォトニック結晶部ＰＣとを設ける。 - 特許庁

Subsequently, second heat treatment is applied in the reducing gas atmosphere at a temperature higher than that in the preheat treatment and that does not cause an adverse effect to the impurity concentration distribution of the other element on the semiconductor substrate 1, and an oxide film on the hetero epitaxial growth surface is removed by a reduction reaction.例文帳に追加

続いて、還元性ガス雰囲気中において上記プレ加熱処理よりも高温で、かつ、半導体基板１の他の素子の不純物濃度分布に悪影響を与えない温度で第２加熱処理を施して、上記異種結晶成長面上の酸化膜を還元反応によって除去する。 - 特許庁

By this constitution, the generation of an abraded powder in the gap S2 can be effectively suppressed and, even if the abraded powder is generated, it can be effectively prevented that the abraded powder penetrates in a cavity to exert adverse effect on the molding of a disk substrate.例文帳に追加

これにより、隙間Ｓ２等に摩耗粉が発生することを有効に抑制することができると共に、仮に摩耗粉が発生した場合であっても、この摩耗粉がキャビティ内に侵入してディスク基板の成形に悪影響を及ぼすことを有効に防止することができる。 - 特許庁

The photoresist composition for the circuit of the liquid crystal display can solves a problem of unevenness appeared in the MMN coater being applicable to a large-sized substrate glass, can improve coating characteristic, can be easily applied to a real industrial site and has large effect in improvement of productivity and yield.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置回路用フォトレジスト組成物は、大型基板のガラスに対応可能なＭＭＮコーターで発生するむらの問題を改善し、塗布特性を向上させ、実際産業現場に容易に適用することができ、生産性及び収率向上に大きな効果がある。 - 特許庁

A plurality of insulated gate field-effect transistors, which are formed surrounded by an element isolation insulating layer and provided with a neutral region 4c which is not depleted in a part of a semiconductor layer 4, are formed in the semiconductor layer 4 formed on a substrate 1 via an embedded insulating layer 3.例文帳に追加

基板２上に埋込絶縁層３を介して形成された半導体層４内に、それぞれ素子分離絶縁層により周囲を囲まれ形成され、かつ、半導体層４の一部に空乏化されない中性領域４ｃを備える複数の絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する。 - 特許庁

The gap d2 between the sealing material holding wall 4 and the active matrix substrate 3 is made smaller than the gap d1 between the display regions of the both substrates so that the sealing material 5 is guided to the outside of the display region by the capillary effect to prevent display failure due to bleeding of the sealing material 5.例文帳に追加

シール材保持壁４とアクティブマトリクス基板３との間のギャップｄ２を両基板の表示領域間のギャップｄ１より小さくすることで、毛細管現象によってシール材５が表示領域の外側へと誘導されるので、シール材５の流れ出しによる表示不良を防止する。 - 特許庁

To provide a painted wall/painted roof substrate sheet having thermal insulation effect, having stability and waterproofing property for preventing deterioration due to moisture and infiltration of water after constructing the painted wall, and used favorably in the painted wall/painted roof constituting, in particular, the external part of a building.例文帳に追加

本発明は、断熱効果を有し、かつ塗壁施工後において湿気や水の廻りによっても劣化しない安定性と防水性を有し、特に建築物の外部を構成する塗壁・塗屋根に好適に使用される塗壁・塗屋根下地シートを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide floor substrate material for floor heating, particularly suited to concrete-construction houses, capable of freely corresponding to various room layouts and the shapes of rooms, allowing easy floor level setting and floor heating execution in one process, providing an excellent effect of the floor heating.例文帳に追加

各種間取りや部屋の形状に対して自由に対応できると共に床レベル設定と床暖房施工を１工程で容易にでき、良好な床暖房効果が得られる床暖房用床下地材、特にコンクリート系住宅に適する床暖房用床下地材を提供すること。 - 特許庁

To provide an adhesive film for semiconductors which can effect thermocompressing bonding to the electrode side of a semiconductor wafer with a bump electrode, and can directly bond electrodes by flip chip connection after cutting and separating the wafer into individual semiconductor elements by dicing and, simultaneously, can firmly secure the substrate to obtain high mounting reliability.例文帳に追加

バンプ電極付の半導体ウエハの電極側に熱圧着でき、ダイシングにより個片の半導体素子に切断分離した後、フリップチップ接続により電極を直接接合し、かつ基板を強固に固定し高い実装信頼性を得ることのできる半導体用接着フィルムを提供する。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor thin film having excellent carrier transportation characteristics and a field effect transistor having excellent high frequency operation characteristics by enhancing the planarity of an InAlAs buffer layer formed on a GaAs substrate while utilizing the characteristics of InGaAs having high electron mobility.例文帳に追加

高い電子移動度を有するＩｎＧａＡｓの特質を活かしつつ、ＧａＡｓ基板上に形成されるＩｎＡｌＡｓバッファ層の表面の平坦度を高めて、キャリア輸送特性にすぐれた化合物半導体薄膜及び高周波動作特性にすぐれた電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁

To avoid the problem that a shadowing effect or a patterning accuracy is deteriorated by lowering the height of a capacitive element on a substrate in a technique for forming the element particularly in which a pair of electrodes are formed of a polycrystal semiconductor.例文帳に追加

容量素子で、特にその一対の電極がいずれも多結晶半導体で形成される容量素子の形成技術において、容量素子の基板に対する高さを低くすることにより、シャドウイング効果やパターニングの精度の劣化を招来するという問題点を回避することにある。 - 特許庁

A system provides a device for drying substrates by utilizing Marangoni effect, the substrate is placed on the device having a rotatable support section 100, on which a first nozzle 220 for supplying deionized water and a second nozzle 320 for supplying isopropyl alcohol vapor are provided.例文帳に追加

本発明はマランゴニ効果を利用して基板を乾燥させる装置に係わり、該装置は基板が置かれ、回転可能な支持部１００を有し、支持部１００上には脱イオン水を供給する第１ノズル２２０とイソプロピルアルコール蒸気を供給する第２ノズル３２０が提供される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for flat panel display which is further improved in effect of sealing against outside air and further improved in dielectric strength characteristics of a joint part between a substrate and a sealing member and capable of sealing utilizing glass frit in an ambient condition, and to provide the flat panel display and a panel of the flat panel display.例文帳に追加

外気から密閉する効果をさらに向上させ、基板と密封部材との接合部での耐圧特性をさらに向上させ、大気状態でガラスフリットを利用して密封可能にする平板表示装置の製造方法、平板表示装置、及び平板表示装置のパネルを提供する。 - 特許庁

To provide a single wafer epitaxial growth method which can laminate an epitaxial layer on a single crystal substrate without collapsing the film thickness profile, while bringing about such an effect as enhancement in quality or productivity of an epitaxial wafer by the degree of flow rate of the carrier gas.例文帳に追加

例えばエピタキシャルウエーハの品質や生産性の向上など、キャリアガスの流量の度合いによりもたらされる効果を得るとともに、膜厚形状を崩さずに、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層することができる枚葉式のエピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁