「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(729ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrophotographic member includes a substrate containing a resin and conductive carbon, has a surface layer comprising a cured film containing dipentaerythritol hexaacrylate and a conductive filler, and may be used as a transfer material holding member.例文帳に追加

樹脂及び導電性カーボンを含んでいる基材を具備している電子写真用部材であって、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート及び導電フィラーを含む膜の硬化膜からなるする表面層を有していることを特徴とする電子写真用部材転写材担持部材。 - 特許庁

To improve the characteristics of a TFT 50 by surely exfoliating part of a semiconductor substrate 1 along an exfoliation layer 17, and forming it relatively thin in a region opposite to a gate electrode 8 while forming relatively thick in the other regions.例文帳に追加

半導体基板１に対し、その一部を剥離層１７に沿って確実に剥離すると共に、ゲート電極８に対向する領域では比較的薄くする一方、その他の領域では比較的厚く形成することにより、ＴＦＴ５０の特性を向上させる。 - 特許庁

In a semiconductor element 30 which includes a gate electrode 33, a gate insulating film 35, a semiconductor layer 37, a source and drain electrode 39 and a transparent electrode (pixel electrode) 43 on a transparent substrate 31, the gate electrode 33 is formed with printing by an electrophotographic method.例文帳に追加

透明基板３１上に、ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３５、半導体層３７、ソース・ドレイン電極３９及び透明電極（画素電極）４３を含む半導体素子３０において、ゲート電極３３を電子写真法による印刷で形成する。 - 特許庁

In a protection film for a plasma display panel for protecting a dielectric layer on a front substrate forming the plasma display panel, a secondary electron discharge coefficient to the xenon gas is 0.05 or more, and xenon density in the discharge gas is set up to be 15% or more.例文帳に追加

本発明は、プラズマディスプレイパネルを構成する前面基板上の誘電体層を保護するためのＰＤＰ用の保護膜であって、キセノンガスに対する二次電子放出係数が０．０５以上で、かつ、放電ガス中のキセノン濃度を１５％以上としたものである。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive tape or sheet for the winding fixture of the lithium ion battery element has a pressure-sensitive adhesive layer composed of a soluble region dissolving in an electrolyte solvent and an insoluble region not dissolving in the electrolyte solvent on one surface of a substrate.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池素子巻止用粘着テープ又はシートは、基材の片面に、電解液溶媒により溶解する溶解性領域と電解液溶媒に溶解しない非溶解性領域とからなる粘着剤層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The inkjet recording medium has on a substrate an ink accepting layer which contains inorganic particulates, a water-soluble aluminum compound, a zirconium compound, a cationically modified self-emulsifiable polymer, polyvinyl alcohol having a saponification degree of 92-98 mol% and a crosslinking agent.例文帳に追加

支持体上に、無機微粒子と水溶性アルミニウム化合物とジルコニウム化合物とカチオン変性された自己乳化性高分子と鹸化度が９２〜９８ｍｏｌ％のポリビニルアルコールと架橋剤とを含むインク受容層を有するインクジェット記録媒体及びその製造方法。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is obtained by disposing a photosensitive layer containing a polycarbonate resin having a constitutional unit comprising the residue of bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)methane or the residues of bis(3-methyl-4-hydroxyphenyl)methane and other bisphenols on an electrically conductive substrate.例文帳に追加

導電性基体上に、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタンまたはビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタンと他のビスフェノール類の残基からなる構成単位を有するポリカーボネート樹脂を含有する感光層を設けて構成された電子写真感光体。 - 特許庁

The heat-sensitive recording material provided with a heat- sensitive recording layer comprising a leuco dye and a color developer as main ingredients on a substrate is characterized by using methylene-bis(2-naphthol) as a developer and diphenyl sulfone or β-benzyloxynaphthalene as a sensitizer.例文帳に追加

支持体上に、ロイコ染料及び顕色剤を主成分とする感熱記録層を設けた感熱記録材料であって、顕色剤としてメチレンビス（２−ナフトール）を用い、増感剤としてジフェニルスルフォン、またはβ−ベンジルオキシナフタレンを用いることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の不純物拡散層からなる下部電極２上にセラミック誘電体膜３を形成する工程と、セラミック誘電体膜３上に上部電極４ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

Furthermore, since the porous silicon layer is formed only by chemical treatment by stain etching, a semiconductor element forming the integrated circuit is not electrically affected when it is embodied on the silicon substrate together with an integrated circuit for signal processing.例文帳に追加

また、本発明に用いる多孔質シリコン層はステインエッチングによる化学的処理のみで形成されるので、信号処理用の集積回路と共にシリコン基板上に具現される際、該集積回路を成す半導体素子に電気的な影響を与えずに済むことができる。 - 特許庁

An optical filter consisting of a transparent substrate and a filter layer having maximum absorption in the range of 560-620 nm wavelength and comprising ≤12% maximum diffuse reflectance in the range of wavelength mentioned above and a picture display device utilizing the optical filter are provided.例文帳に追加

透明支持体及び５６０〜６２０ｎｍに吸収極大を持つフィルター層から成る光学フィルターにおいて、前記波長範囲における拡散反射率の極大値が１２％以下であることを特徴とする光学フィルター、およびそれを用いた画像表示装置。 - 特許庁

A heater electrode 34 and exciting electrodes 36A, 36B, 36C are formed on the substrate 32, a dielectric layer 38 is formed so as to cover these electrodes, and a discharge electrode 40 is formed thereon with a plurality of opening parts 42 formed therein.例文帳に追加

基板３２上には、ヒータ電極３４、励起電極３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃが形成されており、これらの電極を被うように誘電体層３８が形成され、さらにその上に開口部４２が複数個形成された放電電極４０が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, the semiconductor substrate is transferred to the plasma pretreatment module where the photoresist pattern is removed by ashing and a damaged layer at the lower part of the contact hole is removed and then pretreatment cleaning is performed before a subsequent film is deposited in the contact hole.例文帳に追加

次いで、前記半導体基板を前記プラズマ前処理モジュールに移送させた後、前記フォトレジストパターンをアッシングして除去し、前記コンタクトホール下部の損傷層を除去した後、前記コンタクトホール内に後続膜を蒸着する前に前処理洗浄を行う。 - 特許庁

The substrate is made to: with contacted a restoration fluid containing water and at least one compound, which has a surface tension that is less than the surface tension of the at least one entrapped liquid in the at least one layer of a porous dielectric material.例文帳に追加

該基材は表面張力を有する少なくとも一の化合物と水を含むレストア流体と接触させられ、該表面張力は多孔性誘電材料の少なくとも一の層において少なくとも一の取り込まれた液体の表面張力よりも低い。 - 特許庁

For the substrate 1, any one among sapphire, silicon carbide, silicon, or gallium nitride is used; and the nitride semiconductor layer includes at least one selected from among gallium nitride, aluminum nitride, or indium nitride.例文帳に追加

基板１は、サファイア、炭化ケイ素、シリコン、または窒化ガリウムのうちのいずれか１種を用い、窒化物半導体層は窒化ガリウム、窒化アルミニウム、または窒化インジウムのうちより選択される１種以上を含む窒化物半導体層よりなる構成の窒化物半導体素子とする。 - 特許庁

The original plate has a photopolymerizable photosensitive layer containing an alkali-soluble urethane binder having at least one ethylenically unsaturated polymerizable group at an end, a compound having an addition polymerizable ethylenically unsaturated double bond and a titanocene compound on an aluminum substrate.例文帳に追加

アルミニウム支持体上に、末端に少なくとも１個のエチレン性不飽和重合性基を有するアルカリ可溶性ウレタンバインダーと付加重合可能なエチレン性不飽和二重結合を有する化合物とチタノセン化合物とを含有する光重合性感光層を有する。 - 特許庁

The optically readable optical disk 1 is provided with an antireflection layer 11 consisting of continuous patterns of fine ruggedness at a pitch smaller than the wavelength of a signal reading laser on an optical reading surface of a disk substrate 10.例文帳に追加

この発明の光ディスクは、光学読み取りが可能な光ディスク１において、ディスク基板１０の光学読み取り面上に、信号読み取り用のレーザーの波長より小さいピッチで微細な凹凸の連続パターンからなる反射防止層１１が設けられている。 - 特許庁

A series of through holes 14 for fitting the substrate are formed at the FPWB 10, and a wire harness 50 is inserted through the series of through holes 14 alternately from the side of an insulating film 11 and the side of a cover insulating layer 13 to install the FPWB 10 in the state of being skewed to the wire harness 50.例文帳に追加

ＦＰＷＢ１０に一連の基板取付用貫通孔１４を設け、一連の基板取付用貫通孔１４に、ワイヤハーネス５０を、絶縁フィルム１１側からとカバー絶縁層１３側から交互に通し、ワイヤハーネス５０に串差し状態で設置する。 - 特許庁

The cleaning member of the intermediate transfer roll 27 is a stack sheet 31 which is hung on a discharge roller 32 and a winding roller 33, and obtained by stacking an adhesive layer 31b consisting of a resin which having a glass transition point equal to or less than a room temperature on a film substrate 31a.例文帳に追加

中間転写ローラ２７のクリーニング部材を、送り出しローラ３２及び巻き取りローラ３３間に掛け渡され、フィルム基板３１ａ上に、ガラス転移温度が室温以下の樹脂からなる粘着層３１ｂを積層してなる積層シート３１とする。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which the faulty connection in a storage capacitor element as caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to a conductive foreign material or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the light emitting range and the connecting range are separated within 1 picture element and no part of the perpendicular projection of the connecting range to the surface of a transparent substrate 2' is overlapped with the light emitting range, a pressure force from outside the device is not extended to the organic EL layer.例文帳に追加

また、１画素中で、発光領域と接続領域とが分離しており、透明基板２’表面への接続領域の垂直投影が、発光領域と重なり合う部分を持つことがないため、装置外部からの圧力が、有機ＥＬ層に及ぶことがない。 - 特許庁

After depositing a coating film layer on the surface of the panel substrate 3' by hydraulic pressure transfer in use of a transfer film with a coating film deposited thereon, the first place 19 and second place 21 for scheduled openings are removed so that the first opening 11 and second opening 13 are formed, so that the center panel is obtained.例文帳に追加

パネル基材３′の表面に、塗膜が形成された転写フィルムを使用して水圧転写により塗膜層を形成した後、第１及び第２開口予定部１９，２１を切り取って第１及び第２開口部１１，１３を形成してセンターパネルを得る。 - 特許庁

On the entire surface of a substrate 1 below the channel region of the MISFET, p-type impurity layers 7 and 8 are formed, thus inhibiting the variation in the threshold voltage as compared with a case where a punch- through-stopper layer with a pocket structure is formed.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域下の基板１の全面に、パンチスルーを防止する機能を有する不純物濃度分布に第１ピークを有するｐ型不純物層７と不純物濃度分布に第２ピークを有するｐ型不純物層８とを形成する。 - 特許庁

The resistance elements 6, 7 are formed by spirally winding resistance wire on an insulating core material at the specified pitch, and mounted on one side of a narrow belt-shaped film substrate 4 along the length direction through an adhesive layer 5.例文帳に追加

両抵抗体６、７は、細長状の絶縁性芯材に抵抗線材を所定ピッチで螺旋状に巻き付けてなると共に、両抵抗体６、７は細長帯状のフィルム基材４の一側面に接着層５を介してその長さ方向に沿って装着されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrooptical device high in display quality and moisture resistant performance by forming an alignment layer with uniform thickness and selectively on a substrate and to provide an electrooptical device and a projecting type display device using the electrooptical device.例文帳に追加

基板上に配向膜を均等な厚さで、かつ、選択的に形成することにより、表示の品位が高く、かつ、耐湿性能も高い電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a backing plate for piercing with a water soluble lubricating layer formed on at least one side of an aluminum substrate which can inexpensively manufacture the backing plate while improving the accuracy of piercing position.例文帳に追加

アルミニウム製基板の少なくとも片面に水溶性潤滑層が形成された孔あけ加工用あて板の製造方法において、孔あけ位置精度を向上させうるあて板を安価に製造することができる孔あけ加工用あて板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In fabrication of the array substrate for liquid crystal display device according to a new four-mask process, an island-like active layer is formed on the above part of a gate electrode and an opaque metal pattern of a small width is formed on one end of a transparent pixel electrode.例文帳に追加

本発明は、新しい４マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板の製作において、ゲート電極の上部に、アクティブ層をアイランド状で構成して、透明な画素電極の一端に不透明な金属パターンを小幅で構成することを特徴とする。 - 特許庁

A metal layer to serve as a source electrode 12 or a drain electrode 13 is formed so as to have a part overlapping with the upper light shielding film 16 on the periphery of a contact hole 19 for the pixel electrode when viewed from the direction vertical to the surface of a transparent substrate 1.例文帳に追加

ソース電極１２またはドレイン電極１３となる金属層を、透明基板１の基板面に垂直な方向から見て、画素電極用コントクトホール１９の周囲にて、該金属層と上部遮光膜１６とが重なる重なり部を有するように形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device having the DRAM region provided with a stacked capacitor and the logic region on a semiconductor substrate, etching is performed when a cell plate pattern is formed in such a manner that an upper capacitor electrode layer 124 is left at least partly in the logic region.例文帳に追加

半導体基板上にスタックキャパシタを有するＤＲＡＭ領域と、ロジック領域とを有する半導体装置の製造方法において、セルプレートパターン形成時に、ロジック領域にも少なくとも部分的に上部キャパシタ電極層１２４を残してエッチングする。 - 特許庁

To provide a technology for reducing variation in thickness of a mold layer which coats a component packaging surface even without grinding resin by suppressing flow of uncured resin to a center part of an aggregate substrate when thermal curing is performed.例文帳に追加

加熱硬化される際に未硬化の樹脂が集合体基板の中央部分に流動するのを抑制することにより、樹脂の研削を行わなくとも部品実装面を被覆するモールド層の厚みのばらつきを低減することができる技術を提供する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has at least a photosensitive layer on a conductive substrate, wherein the photoreceptor surface includes a ground portion in an image forming region and a non-ground portion in a non-image forming region at both ends of the photoreceptor.例文帳に追加

導電性基体の上に少なくとも感光層を有する電子写真感光体において、前記感光層の表面の画像形成領域部に研磨部を有し、両端の非画像形成領域部に未研磨部を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The present invention provides the powdery phosphor characterized in that a surface layer, in which at least all or a part of the surface is represented by chemical formula Zn_(1-x)R_xO (R is an element of the group IIA; 0.05≤x), having a hexagonal structure is formed on the surface of a minute substrate.例文帳に追加

微小基板表面に、少なくとも表面の全部または一部に化学式がＺｎ_(1-x)Ｒ_xＯ（ＲはIIＡ族元素，０．０５≦ｘ）で表され、かつ六方晶構造を持つ表面層が形成されていることを特徴とする粉末蛍光体である。 - 特許庁

To provide a forming method for conductive patterns which forms a conductive pattern having no variation of its line width and its line space, even if a circuit is fine, without receiving such constraints as its cost, the workability required when creating a substrate for it, the selection of the composition constituting an insulating layer for it, and the selection of an electrode material for it.例文帳に追加

コストや基板作成時の加工性、絶縁性層を構成する組成物の選択、電極材料の選択等の制約を受けることなく、微細な回路であっても線幅や線間にばらつきのない導電性パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The main surface side of a single crystal silicon substrate 10 is flattened by spin coatingn an SOG film on the main surfaee side, and the clearance formed on a silicon nitride film on a diffused resistor wiring 15 is buried by the SOG film to flatten a metallic layer for bonding 17, whereby the generation of clearance with respect to an upper stopper is prevented.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁

An improvement of the viewing angle characteristics is realized by conducting rubbing processing in a first direction and in a direction reverse to the first direction with the same strength and obtaining the alignment film with a small tilt angle in reference to rubbing treatment directions to be applied to the alignment layer of a liquid crystal display element substrate.例文帳に追加

液晶表示素子の基板の配向膜に施すラビング処理の方向を、第１の方向と前記第１の方向とは反対の方向に等しい強度でラビングすることで、ティルト角の小さい配向膜を得ることで視角特性の改善を実現する。 - 特許庁

This high frequency composite switch module 10 is configured in a laminating direction(vertical direction) by arranging a conductor pattern for the branching filter circuit at the lower part of the multi-layer substrate, and arranging a conductor pattern for the switch circuit at the upper part of the conductor pattern for the branching filter circuit.例文帳に追加

この高周波複合スイッチモジュール１０は、前記多層基板の下部に分波回路用の導体パターンが配置され、当該分波回路用の導体パターンの上部に前記スイッチ回路用の導体パターンが配置される、積層方向（縦方向）の構成とする。 - 特許庁

An insulation film is deposited on a P-type Si substrate 1, a polysilicon film is formed with a CVD method after a well layer 2 is formed by implanting a P-type impurity such as boron and the like, and a plurality of gate-electrodes patterned with its corner-edge-contact arranged is formed.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１上に絶縁膜を堆積し、Ｂ等Ｐ型不純物を注入してウエル層２を形成後、ＣＶＤ法でポリＳｉ膜を形成し、角部の頂点が接するような配置でパターニングされた複数のゲート電極部を形成する。 - 特許庁

A laminated material manufactured by making a heat seal layer overlie at least one face of a substrate film is manufactured into a bag to provide a bag-like container main body, and the tapered bending rigidity of the whole laminated material is 0.43-0.80 g cm.例文帳に追加

少なくとも基材フィルムの一方の面にヒートシール層を積層した積層材を製袋してなる袋状容器本体からなり、かつ、前記の積層材全体のテーパー曲げこわさが、０．４３ｇ・ｃｍ〜０．８０ｇ・ｃｍであることを特徴とする。 - 特許庁

The electromagnetic shielding material 1 is obtained by winding a flexible stripe body 3 provided with an electromagnetic shielding layer in a substrate or on the inner surface side thereof substantially tubularly such that the longitudinal direction coincides with the axial direction, and wires 2 are contained in its internal space S.例文帳に追加

この電磁波シールド材１は、基層の内部若しくは内面側に電磁波シールド層を備えた可撓性を有する帯状体３を、その長手方向が軸方向に沿うように略筒状に巻いて、その内部空間Ｓに電線類２を収容するものである。 - 特許庁

To improve uniformity of a dielectric film by eliminating incubation time when forming the dielectric film by Chemical Vapor Deposition (CVD) method on a silicon (Si) substrate surface covered with a thin molecular layer of an insulator and to control composition of the dielectric film in the thickness direction.例文帳に追加

薄い絶縁物の分子層で覆われたＳｉ基板表面にＣＶＤ法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。 - 特許庁

In the forming method of the liquid crystal alignment layer, the conjugated system polymer consisting of polysilanes is pressurization molded, a thin film wherein the conjugated system polymer is aligned is formed on a substrate by a rubbing transfer method and the alignment thin film is further irradiated with UV light or visible light.例文帳に追加

共役系高分子がポリシラン類であって、これを加圧成型し、摩擦転写法により、基板上に共役系高分子が配向した薄膜を形成し、さらにこの配向薄膜に紫外光または可視光を照射する液晶配向膜の作成方法。 - 特許庁

The resin sealing layer 3, in which a metal mesh 4 is disposed, is formed by covering the semiconductor chip 2 flip-chip connected to a substrate 1 with the metal mesh 4, and coating the periphery of the semiconductor chip 2 with an underfill resin material 3a and curing it.例文帳に追加

基板１上にフリップチップ接続した半導体チップ２を金属メッシュ４で覆うと共に、前記半導体チップ２の周囲にアンダーフィル樹脂材３ａを塗布して硬化させることにより、前記金属メッシュ４が配置された樹脂封止層３を形成する。 - 特許庁

A method for producing the minute mold includes a process for forming a resin mold on a conductive substrate by lithography, a process for forming a layer of a metallic material in the resin mold by electrocasting, and a process for removing the resin mold.例文帳に追加

本発明の微細金型の製造方法は、リソグラフィにより導電性基板上に樹脂型を形成する工程と、樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と、樹脂型を除去する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a laminated wafer that does predetermined plasma processing onto at least either one laminated face of an active layer wafer and a support substrate wafer, thereby effectively inhibiting a terrace portion from occurring.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面に、所定のプラズマ処理を施すことにより、テラス部の発生を効果的に抑止することができる貼り合わせウェーハの製造方法の提供することにある。 - 特許庁

A peeling off preventing layer 13 comprising a thin film made of (for example, non-doping polycrystalline silicon, non-doping amorphous silicone, silicon oxide, silicon nitride, or the like) preventing the peeling off of the electron passing part 5 from the lower electrode is placed between the lower electrode 12 and an insulating substrate 11.例文帳に追加

下部電極１２と絶縁性基板１１との間に下部電極１２から電子通過部５が剥れるのを防止する薄膜（例えば、ノンドープの多結晶シリコン、ノンドープのアモルファスシリコン、酸化シリコン、窒化シリコンなど）からなる剥れ防止層１３を介在させてある。 - 特許庁