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substrate layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 39497件
Many molecules on a surface of the non-oriented thin film 50 do not have orientation and are oriented in random directions, which mitigates an influence on the phase difference layer 32 of the molecule orientation on the surface of the substrate 40 (particularly, the surfaces of the fine grooves 42A, 42B) which is a foundation.例文帳に追加
無配向性薄膜50の表面に位置する多数の分子は、配向性を有しておらず、ランダムな方向を向いており、下地である基板40の表面(特に微細溝42A,42Bの表面)の分子配向の、位相差層32への影響を緩和している。 - 特許庁
Inks 16 of three colors of R (red), G (green) and B (blue) are added into each opening 12 of a partition layer 14 formed on a transparent substrate 10, and then the inks 16 are heated to remove a solvent component in the inks, and the inks after removal of the solvent are flattened.例文帳に追加
透明基板10の上に形成された隔壁層14の各開口部12にR(赤)、G(緑)、B(青)の3色のインク16を付与したのち、インク16を加熱して、インク中の溶媒成分を除去するとともに、溶媒除去後のインクを平坦化させる。 - 特許庁
To obtain a high-reliability, high-luminance LED element by obtaining a GaN-based thin film with good crystallinity by using an AlN crystal film seed layer which has high-level crystallinity and is uniform over the entire surface even when using a large-sized substrate of, especially, ≥100 mm in diameter.例文帳に追加
高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAlN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いGaN系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のLED素子等を得る。 - 特許庁
An insulation film formed on a Si substrate and containing Hf or Zr and a deposited film present on the upper or lower layer thereof or in the film are removed by repeating dry etching and wet etching one or more times by putting the wet etching first.例文帳に追加
Si基板上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜とその上層あるいは下層あるいは膜中に存在するMg,YあるいはAlとを含む堆積膜の除去を、ドライエッチングとウエットエッチングを、ウエットエッチングを先にして少なくとも1回繰り返して行う。 - 特許庁
To provide a transparent conducting substrate having a conductive layer large in adhesiveness, conductivity and transparency, which can be manufactured at a high speed, and on which washing required to manufacture organic electronic elements such as an organic EL element and an organic solar battery can be performed.例文帳に追加
導電層の高い接着性、導電性および透明性を兼ね備えてかつ、高速生産可能であり、有機EL素子、有機太陽電池といった有機電子素子を製造するための洗浄が可能な透明導電性基板を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device reducing warpage of a package caused by heat generation when using the semiconductor device and a semiconductor device operating temperature environment, and hence effectively suppressing a fatigue fracture of a solder layer for bonding a substrate to the package.例文帳に追加
半導体装置使用時の発熱や半導体装置使用温度環境によるパッケージの反りを低減でき、もって、基板とパッケージの間を接着するはんだ層の疲労破壊を効果的に抑止することのできる、半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion semiconductor layer which has a main component of a compound semiconductor containing multiple metallic elements, can be manufactured at low cost without requiring a high temperature process, shows high adhesion to a substrate, and has less residual organic component.例文帳に追加
複数の金属元素を含む化合物半導体を主成分とする系において、高温プロセスを必須とせず低コストに製造することができ、基板への密着性が高く、有機成分の残留が少ない光電変換半導体層の製造方法を提供する。 - 特許庁
Then, a photoresist film is formed on at least one of the plurality of diffusion layer regions; and while a ground potential is supplied to the back side of the semiconductor substrate, plasma ashing processing is applied to the photoresist film so that the photoresist film can be removed.例文帳に追加
次いで、当該複数の拡散層領域のうちの少なくとも1つの拡散層領域上にフォトレジスト膜を形成し、半導体基板の裏面側に接地電位を供給しつつ、プラズマアッシング処理を当該フォトレジスト膜に施すことによってこれを除去する。 - 特許庁
The electrodes 2 and 4 are formed by electrodes 2a and 4 which comprise a transparent conductive layer such as FTO (tin oxide where fluorine is doped) formed on a substrate, and a porous electrode 2b such as titanium oxide is formed on only one electrode (the electrode 2a).例文帳に追加
電極2および電極4は、基板上に形成されたFTO(フッ素がドープされた酸化スズ)などの透明導電層からなる電極2aおよび4で構成し、一方(電極2a)の上にのみ、酸化チタンなどのポーラス電極2bを形成する。 - 特許庁
Two or more stripe-like channels are provided on a semiconductor substrate or an epitaxial growth layer grown on it, with active layers of different light-emission wavelength being formed in at least two channels.例文帳に追加
半導体基板又は半導体基板上に成長させたエピタキシャル成長層にストライプ状の溝を2つ以上有し、少なくとも2つの該溝の内部に互いに発光波長の異なる活性層が形成されていることを特徴とするマルチビーム型半導体発光装置。 - 特許庁
A first layer STO film 18a becoming the underlying dielectric film 17a of the capacitor consists of a thick crystal film having perovskite structure on the surface of the lower electrode 12a and a thin amorphous film in other regions, and is formed on the substrate 19.例文帳に追加
基板19上に、下部電極12aの表面上がペロブスカイト型結晶構造を有する厚肉の結晶膜、その他の領域が薄肉の非晶質膜である、キャパシタ下層誘電体膜17aとなる第1層目のSTO膜18aを形成する。 - 特許庁
A red color filter 11R, a green color filter 11G and a blue color filter 11B corresponding to the pixels 10R, 10G and 10B, respectively, are formed on the liquid crystal layer 30 side of the counter substrate 10 and a photo spacer 13 is disposed on the green color filter 11G.例文帳に追加
対向基板10の液晶層30側には、画素10R,10G,10Bにそれぞれ対応する赤色フィルタ11R,緑色フィルタ11G,青色フィルタ11Bが形成され、緑色フィルタ11G上には、フォトスペーサ13が配設されている。 - 特許庁
To provide a pressure-sensitive adhesive composition capable of forming an adhesive layer having excellent initial adhesiveness (tackiness), adhesiveness to a substrate, heat-resistance, wet-heat resistance, transparency and antistatic property and to provide a laminate produced by using the pressure-sensitive adhesive composition.例文帳に追加
初期接着性(タック)、基材との密着性、耐熱性、耐湿熱性、透明性、及び帯電防止性能に優れた接着剤層を形成し得る感圧式接着剤組成物、および該感圧式接着剤組成物を用いてなる積層体を提供すること。 - 特許庁
A first semiconductor chip 10 is provided with a first trench 13 penetrating a first pad portion 12 to reach a first insulating layer 11c, and a second semiconductor chip 20 is provided with a second trench 23 penetrating a second pad portion 22 to reach a second semiconductor substrate 21.例文帳に追加
第1半導体チップ10において第1パッド部12を貫通して第1絶縁層11cに達する第1トレンチ13を設け、第2半導体チップ20において第2パッド部22を貫通して第2半導体基板21に達する第2トレンチ23を設ける。 - 特許庁
The electroluminescent device with a high photoluminescent efficiency includes a transparent conductive substrate on which a layer of an electroluminescent material is formed.例文帳に追加
高い光ルミネセント収率を有するエレクトロルミネセントデバイスは、1層のエレクトロルミネセント材料が形成される透明導電性基板を包含し、エレクトロルミネセント材料は希土類金属、アクチニド、または25%より大きい光ルミネセント収率(PL)を有する遷移金属有機錯体である。 - 特許庁
The chemical-resistant adhesive tape has an adhesive layer composed of a thermoplastic adhesive agent composed mainly of an elastomer, a tackifier and a softener on at least one surface of a substrate made of an olefinic material having an apparent density of 0.35-0.55 kg/m^3.例文帳に追加
基材の少なくとも一方の面にエラストマー、タッキファイヤー及び軟和剤を主成分とする熱可塑性粘着剤からなる粘着剤層を設けた耐薬品性粘着テープにおいて、上記基材をみかけ密度0.35〜0.55kg/m^3のオレフィン系基材とする。 - 特許庁
On a TFT array substrate 10 of the reflection type electro- optical device 100, a comparatively large contact hole 7b is formed in an upper layer insulating film 7a, a reflecting electrode 8a is electrically connected with a transmissive electrode 9a via this contact hole 7b.例文帳に追加
反射型電気光学装置100のTFTアレイ基板10において、上層絶縁膜7aに大きめのコンタクトホール7bを形成し、このコンタクトホール7bを介して透光性電極9aに反射性電極8aを電気的に接続する。 - 特許庁
In an element forming layer 3 on an SOI substrate 1, PchMOS 10 is insulated and separated, by being surrounded by a 1st trench 5, and NchMOS 20 is formed outside the 1st trench 5 side by side with the PchMOS 10 across the 1st trench 5.例文帳に追加
SOI基板1の素子形成層3において、PchMOS10が第1のトレンチ5により囲まれて絶縁分離されており、第1のトレンチ5の外側に第1のトレンチ5を挟んでPchMOS10と並ぶようにしてNchMOS20が形成されている。 - 特許庁
A solid-state imaging device is configured in which an infrared cut filter layer 311 is provided on a surface of a glass substrate 301 facing a sensor component 100 so as to cover a portion corresponding to a pixel area PA and a part of a surrounding area SA located around the pixel area PA.例文帳に追加
ガラス基板301においてセンサ素子100に対面する側の面のうち、画素領域PAに対応する部分と、画素領域PAの周辺に位置する周辺領域SAの一部とを被覆するように、赤外カットフィルタ層311を形成する。 - 特許庁
The transparent electrode for an FPD in its forming method is made by forming a transparent conductive film made of the ITO ultrafine particle powder on a transparent substrate, forming an overcoat film over it, and baking the double-layer-structure transparent conductive film at 300°C or less.例文帳に追加
透明基板上にITO超微粒子粉末から成る透明導電膜を形成し、その上にオーバーコート膜を形成し、この2層構造の透明導電性膜を300℃以下で焼成してなるFPD用透明電極およびその形成方法。 - 特許庁
The exhaust cleaning catalyst includes a catalyst layer formed by applying an oxygen absorbent (24) comprising ceria onto the surface of a substrate (22) made from a material having a high specific surface area to be membranous, and subsequently overlaying particles (20) supporting a noble metal (26) on the surface of the membrane of the oxygen absorbent.例文帳に追加
排気浄化触媒において、触媒層は、高比表面積材料からなる基材(22)の表面にセリアを含む酸素吸蔵材(24)を薄膜状に塗布するとともに該薄膜状の酸素吸蔵材の表面に貴金属(26)を担持した粒子(20)を積層してなる。 - 特許庁
In peeling off an adhesive sheet, an adhesive layer of this sheet is individualized about adhesion and set so as to separate the portions for peeling off a thin film from portions for not peeling it off, thus forming a desired pattern made of a thin film on a substrate.例文帳に追加
接着シートを引き剥がす際に、前記接着シートの接着層が接着力により差別化され、薄膜を剥離除去する部分と薄膜を剥離除去しない部分とに分かれているように設定し、基板上に所望の薄膜からなるパターンを形成する。 - 特許庁
In this constitution, forward scattering components 8 essentially causing the light loss can be returned to the surface of the display side substrate 1 as reflected light 10 by the reflecting function of the light reflection layer 11, and thus brighter display is realized.例文帳に追加
このような構成にすることにより、本来、光のロスにつながっていた前方散乱成分8を光反射層11の反射機能で反射光10を表示側基板1面にもどすことが可能となり、より明るい表示が可能となるものである。 - 特許庁
The ZrB_2 or TiB_2 single crystal containing 0.05-3 wt.% at least either MoB_2 or WB_2 is freed from a subordinate grain boundary, so that it can be used as a substrate having the principal face for growing a semiconductor layer.例文帳に追加
ZrB_2又はTiB_2の単結晶には、0.05〜3重量%以下のMoB_2若しくはWB_2の少なくとも一つを含有し、単結晶には、亜粒界を含まないので、半導体層を成長形成するための主面を有する基板とすることができる。 - 特許庁
In the first and second configurations, the reflective section is formed by using a portion corresponding to the auxiliary capacitor section formed at the bottom end of a pixel region and the buffer layer corresponding to the reflection section is formed to a stripe shape extending to one direction when viewed from the entire part of the substrate.例文帳に追加
上記第1及び第2構成で、上記反射部は画素領域の下端に構成された補助容量部に対応する部分を使用し、上記反射部に対応するバッファ層は基板の全体から見た時一方向に延びたストライプ形状に構成される。 - 特許庁
When a surface layer section 2a is formed onto a substrate bed rock 1 by the elastic paving material 2 manufactured by connecting aggregate containing hard aggregate and/or soft aggregate by a binder, high-hardness hard aggregate having Moh's hardness of 8 or more is contained in aggregate.例文帳に追加
下地基盤1上に、硬質骨材および/または軟質骨材を含む骨材をバインダーにて結合してなる弾性舗装材2により表層部2aを形成するにあたって、上記骨材中にモース硬度が8以上である高硬度硬質骨材を含ませる。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor is obtained by disposing a photosensitive layer containing at least an electron transport agent, a charge generating agent and a binder resin on a conductive substrate, wherein the electron transport agent is a compound represented by formula (I).例文帳に追加
導電性基体上に、少なくとも電子輸送剤、電荷発生剤およびバインダ樹脂を含有した感光層が設けられた電子写真感光体であって、前記電子輸送剤が、下記式(I)で表される化合物であることを特徴とする電子写真感光体である。 - 特許庁
To provide a substrate for the production of a SOI (Semiconductor On Insulator) structure which allows a high flexibility to adjust the lattice dimensions of an insulator layer for the integration of either fully relaxed or strained semiconductor layers consisting of a variety of materials with high crystalline quality.例文帳に追加
高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、SOI構造の作製のための基板を提供する。 - 特許庁
A copper foil 1, an insulating heat-transmitting component 2, and a base component 3 on whose surface an adhesive layer 31 is coated, and heat press treatment is carried out to join the copper foil 1, insulating heat-transmitting component 2, and base component 3 and form a belt-type or plate-type copper flexible circuit substrate.例文帳に追加
銅箔1、絶縁導熱材2、および表面に粘着層31を塗布した底材3を用意し、熱プレス処理を行ない、銅箔1、絶縁導熱材2および底材3を結合させて帯状または板状の銅箔フレキシブル回路基板とする。 - 特許庁
With a second oxide film 3 coated with a second photoresist layer 20, a first oxide film 2 is etched with a first gate electrode 7 as a mask, so that the thin second oxide film 3 is over-etched to prevent a semiconductor substrate 1 from being exposed.例文帳に追加
第2の酸化膜3を第2のフォトレジスト層20で被覆した状態で第1のゲート電極7をマスクにして第1の酸化膜2をエッチングしているので、薄い第2の酸化膜3がオーバー・エッチングされて半導体基板1が露出することが防止される。 - 特許庁
To provide a high frequency module which reduces leakage current by electrically isolating a substrate from a high frequency element, while forming a thin-film MIM capacitor having a dielectric layer of satisfactory crystallinity, and satisfactorily prevents deterioration of characteristics due to parasitic components.例文帳に追加
結晶性の良好な誘電体層を有する薄膜MIMキャパシタを形成しつつ、基板と高周波素子を電気的に分離してリーク電流を低減し、更には寄生成分による特性劣化を良好に防止することができる高周波モジュールを提供する。 - 特許庁
Further, the adhesive 8 like the adhesive film of anisotropic conductive material content is formed so as to cover at least a part of the resist layer 420 and the IC packaging region 410 and cover an interior region from a truncation schedule line L to the large-sized substrate 41.例文帳に追加
また、レジスト層420の少なくとも一部、およびIC実装領域410を覆い、かつ、大型基板41に対する切断予定線Lより内側領域を覆うように、異方性導電材含有の接着フィルムなどの接着材8を形成する。 - 特許庁
A gas sensor is constituted by arranging an operation electrode 11 wherein a gold including layer 13 is formed on one surface of a substrate 12 including carbon fibers having permeability and conductivity in electrolytic solution 24 together with a counter electrode so that one surface is on the gas taking port 21 side.例文帳に追加
通気性と導電性を有する炭素繊維からなる基材12の一方の表面に金の含有層13を形成した作用極11を、前記一方の表面をガス取り入れ口21側となるように対極とともに電解液24中に配置して構成されている。 - 特許庁
To provide a foamed laminated sheet for a car trim material prevented from deformation due to use at a high temperature and sagging due to the own weight and constituted by stably and inexpensively laminating a skin material or an allophone preventing layer on a substrate, and the car trim material using the same.例文帳に追加
高温下での使用による変形、自重による垂れ下がりを防止し、さらに、表皮材や異音防止層などが基材に安定且つ安価に積層された自動車内装材用発泡積層シート、および該シートを用いた自動車内装材を提供する。 - 特許庁
In forming a laminated layer film comprising a first conductive film 106, a dielectric film 108 and a second conductive film 110 on a semiconductor substrate 102, an etching process is performed after protecting a sidewall of the second conductive film 110 with a second protective film (buffer film).例文帳に追加
半導体基板102上に第1導電膜106と、誘電体膜108と、そして第2導電膜110からなる積層膜を形成する際、第2導電膜110の側壁を第2保護膜(バッファ膜)で保護してからエッチング工程を実施する。 - 特許庁
This inkjet recording medium is characterized in that a surface layer, which contains inorganic particulates with a mean refractive index of 1.9-2.9 and a hydrophilic binder including a polymer compound formed by being cross-linked or polymerized by an ionizing radiation, is provided on a substrate.例文帳に追加
支持体上に、平均屈折率が1.9〜2.9である無機微粒子と、電離放射線による架橋または重合により形成された高分子化合物を含む親水性バインダーとを含有する表面層を有することを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁
To provide a new radiation-sensitive composition for colored layer formation having high sensitivity, excellent in pattern profile and film retention even in low exposure energy, and providing pixels and a black matrix excellent in solvent resistance to various solvents and in adhesion to a substrate.例文帳に追加
高感度で、低露光量でもパターン形状および残膜率が優れ、かつ各種溶剤に対する耐溶剤性、基板との密着性等にも優れた画素およびブラックマトリックスを与える新規な着色層形成用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁
The n^+ epitaxial layer 5 has a projection part 19 on the upper surface 5a, contacting the anode electrode 9, and the p-type impurity region 13 is formed to reach a region R closer to the lower surface 3b side of the n-type substrate 3 than to the tip of the projection part 19.例文帳に追加
n^+エピタキシャル層5はアノード電極9と接触する上面5aに突起部19を有しており、p型不純物領域13は突起部19の先端よりもn型基板3の下面3b側の領域Rに達するように形成されている。 - 特許庁
On the main surface of the semiconductor substrate, a conductive layer 50 which is electrically connected to the upper side faces of the electrodes in the capacity sections are formed so as to surround the tops of the electrodes of the capacity sections buried in the groove sections 24c and 24d.例文帳に追加
半導体基板の主面には溝部24c,24d内部に埋め込まれた容量部の電極の上部を取り囲むように配置され、容量部の電極の上部のすべての側面と電気的に接続された導電性層50が形成される。 - 特許庁
The substrate is for the purpose of forming a color filter and has an organic molecular film pattern, and this organic molecular film pattern has a function by which a color filter layer 15 is selectively formed, based on this pattern when supplying a color filter material by the ink discharge system.例文帳に追加
カラーフィルターを形成するための基板であって、有機分子膜パターンを有し、この有機分子膜パターンは、インク吐出法によりカラーフィルターの材料を供給した際に、このパターンに基づいてカラーフィルター層15が選択的に形成される機能を有する。 - 特許庁
As a semiconductor laser array device part, the clad layers 3, 7, 9 and an active layer 5 are provided at least, and the clad layers 3, 7 and 9 have lattice constants between with GaAs and GaP, and plurality of oscillation regions are provided on the same semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体レーザアレイ素子部としてクラッド層3,7,9と活性層5とを少なくとも備え、前記クラッド層3,7,9はGaAsとGaPとの間の格子定数を有しており、同一の半導体基板上に複数の発振領域を具備している。 - 特許庁
To provide an ordinary temperature curable photocatalyst having high adhesion strength, photocatalytic action and photocatalyst film strength, a method for manufacturing the same, a coating solution for the substrate layer of the photocatalyst, a coating solution for a photocatalyst film and a functional body using the same.例文帳に追加
付着強度、光触媒作用および光触媒膜強度が高い常温硬化性の光触媒体、光触媒体の製造方法、、光触媒体の下地層用塗布液、光触媒膜用塗布液およびこれを用いた機能体を提供する。 - 特許庁
To provide a transfer member with a cleaning function which is transferred into substrate treatment equipment for cleaning and removing foreign matters inside the equipment, and which contains a cleaning layer having no photo-deterioration during storage, even though it contains a polyimide having unsaturated bondings.例文帳に追加
基板処理装置内に搬送して装置内の異物をクリーニング除去するクリーニング機能付き搬送部材に関し、不飽和結合を有するポリイミドを含有しているにもかかわらず、保存時に光劣化を生じないクリーニング層を有する搬送部材を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of easily peeling a growth substrate by wet etching processing or application of an external force by introducing a cavity having a large opening area formed using an ELOG method into the inside of a semiconductor layer.例文帳に追加
ELOG法を用いて形成された開口面積の大きい空洞を半導体層内部に導入することにより成長用基板をウェットエッチング処理または外力印加によって容易に剥離することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a lens sheet and a light diffusable substrate or a transmission type screen for a projection television having good color balance by suppressing the deterioration of a photosensitive resin layer forming a light shielding pattern without using a UV absorbent.例文帳に追加
本発明の課題とするところは、紫外線吸収剤を使用することなく、遮光パターンを形成する感光性樹脂層の劣化を改善し、良好なカラーバランスのプロジェクションテレビ用のレンズシート及び光拡散性基板もしくは透過型スクリーンを提供することにある。 - 特許庁
To realize high-density wiring by previously removing a conductive layer for electrolytic plating of a part except the pattern formed by electrolytic plating before electrolytic plating, when high-density wiring is formed by electrolytic plating on a substrate, such as a silicon wafer, etc.例文帳に追加
シリコンウェハなどの基板に電解メッキによって高密度配線を形成する際、電解メッキを行う前に、電解メッキによって形成したいパターン以外の部分の電解メッキ用導電層をあらかじめ除去しておくことによって、高密度配線を実現する。 - 特許庁
In the optical filter provided with a filter layer, containing a dyestuff and a polymer binder on a transparent substrate, the dyestuff in an associated state having an absorption maximum in 750-1,100 nm range is used and further an ultraviolet absorbent with high light resistance is added.例文帳に追加
透明支持体上に染料およびポリマーバインダーを含むフィルター層を有する光学フィルターにおいて、750乃至1100nmの範囲に吸収極大を有する会合状態の染料を用い、さらに耐光性が高い紫外線吸収剤を添加する。 - 特許庁
To form a diffusion preventing layer properly on the surface part of semiconductor substrate each corresponding to at least the edge of the CB side of a gate electrode part in a DRAM having the CB of a SAC structure provided between two gate electrode parts.例文帳に追加
本発明は、2つのゲート電極部間に設けられるSAC構造のCBを有するDRAMにおいて、少なくともゲート電極部のCB側のエッヂにそれぞれ対応する半導体基板の表面部に拡散防止層を的確に形成できるようにする。 - 特許庁
A near-infrared absorption layer 2 formed of a near-infrared absorbing composition, containing an acrylic resin, a diimonium compound of a specific structure and a phthalocyanine compound of a specific structure, is disposed on one surface of a transparent substrate 3 having ultraviolet filtering function.例文帳に追加
アクリル樹脂と、特定構造のジイモニウム化合物と、特定構造のフタロシアニン化合物とを含有する近赤外線吸収性組成物にて形成される近赤外線吸収層2を、紫外線カット機能を有する透明基体3の一面に設ける。 - 特許庁
The gate wiring 24 made of polysilicon is formed on a semiconductor substrate 10 including the trench 22 for gate wiring inside, so even if overetching is caused during the formation of the wiring contact trench 26, the metal wiring 27 never comes into contact with a semiconductor layer 11.例文帳に追加
このゲート配線用トレンチ22内を含む半導体基板10上にポリシリコンからなるゲート配線24を形成しているため、配線コンタクトトレンチ26形成時にオーバーエッチングが生じても金属配線27は半導体層11と接触することがない。 - 特許庁
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