「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(732ページ目) - Weblio英語例文検索

The conducive electric connection part 4 is so provided on the stress reducing layer 3 in the through-hole 2 as to close a lower surface opening 21, electrically communicating the lower surface 10 with the upper surface 11 of the substrate 1.例文帳に追加

一方、電気接続部４は、導電性を有し、スルーホール２において、応力緩和層３上に設けられるとともに、下面開口２１を閉塞するように設けられているものであり、基板１の下面１０及び上面１１の導電領域と導通する。 - 特許庁

Then, in a process shown in Figure 1 (c), while the liquid 16 as pure water keeps staying on the resist mask 13 and the silicon oxide film 12 (water applied in layer), the substrate is dipped into a buffer hydrofluoric acid water solution (a mixture of HF/H_2O and HF/NH_4F).例文帳に追加

次に、図１（ｃ）に示す工程で、液体１６である純水が、レジストマスク１３およびシリコン酸化膜１２上に残留した状態（層状に塗布された状態）で、緩衝フッ化水素酸水溶液（ＨＦ／Ｈ_2ＯとＨＦ／ＮＨ_4Ｆとの混合液）に基板を浸す。 - 特許庁

In a reflection substrate provided with a color filter, a rugged shape of a reflection layer has 0.2 to 0.8 μm surface roughness Ra, the recessed parts of the rugged shape have 0.5 to 1.5 μm depth and the recessed parts of the rugged shape have 5 to 30 μm width.例文帳に追加

本発明のカラーフィルターを備えた反射基板は、反射層における凹凸形状の表面粗さＲａは０．２〜０．８μｍであり、凹凸形状の凹部の深さが０．５〜１．５μｍであり、凹凸形状の凹部の幅が５〜３０μｍであることを特徴としている。 - 特許庁

The magnetic recording medium wherein a magnetic layer consisting essentially of a ferromagnetic powder and a bonding agent if formed on a substrate has 400-5,000 kg/mm^2 (3.92-49 GPa) of elastic modulus for 0.5% expansion.例文帳に追加

支持体上に強磁性粉末及び結合剤を主体とする磁性層が形成されてなる磁気記録媒体において、磁気記録媒体の０．５％伸び弾性率が４００〜５０００Ｋｇ／ｍｍ^2（３．９２〜４９ＧＰａ）であることすることを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

For example, in a unit sell 6_11 of a MOS sensor, there are provided an n conductivity type charge storage 24 becoming a photodiode, and a p-conductivity well region 25 of a scanning transistor on the surface of a p-conductivity epitaxial layer 21a on a p-conductivity silicon substrate 21.例文帳に追加

たとえば、ＭＯＳセンサの単位セル６_11は、Ｐ導電型シリコン基板２１上のＰ導電型エピタキシャル層２１ａの表面に、フォトダイオードとなるＮ導電型の電荷蓄積部２４、および、走査トランジスタ部のＰ導電型ウェル領域２５が設けられている。 - 特許庁

The apparatus 1 for manufacturing the printed matter grips the face of a substrate 103a of a first image receiving paper 3a by a grip roller 17a and a following roller 19a to convey the first image receiving paper 3a, and forms an image on an image receiving layer 101a of the first image receiving paper 3a.例文帳に追加

印画物製造装置１は、グリップローラ１７ａと従動ローラ１９ａによって第１の受像紙３ａの基材１０３ａの面を把持して第１の受像紙３ａを搬送し、第１の受像紙３ａの画像受容層１０１ａに画像を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 is provided with: a substrate 2; a semiconductor multilayer structure 3 in which a main surface 12a of an active layer 12 and main surfaces of layers 11, 13, 14 are each formed of an m-surface as a non-polarity surface; a cathode electrode 4; and an anode electrode 5.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板２と、活性層１２の主面１２ａ及び各層１１、１３、１４の主面が無極性面であるｍ面により構成された半導体積層構造３と、カソード電極４と、アノード電極５とを備えている。 - 特許庁

As the front reflecting mirror, whose reflectivity can be comparatively low, is provided between the substrate and the semiconductor layer, the time to grow a thick film is shortened, a distortion and a defect, generated in a crystal, is suppressed and the characteristics of an optical resonator structure element can be improved.例文帳に追加

比較的反射率の小さくても良い前部反射鏡を基板と半導体層の間に設けたため、成長に必要な時間を短縮し、結晶中に発生する歪や欠陥を抑制して素子特性を良好なものとすることができる。 - 特許庁

The lateral semiconductor element (10) by thin-film SOI technology is equipped with an insulating layer (14) which is positioned on the substrate (12) and is buried under a thin silicon film (16), and a source or anode contact (18) and a drain or a cathode contact (22) are attached onto the silicon film (16).例文帳に追加

薄膜ＳＯＩ技術でのラテラル半導体素子（１０）が、基板（１２）上に位置し、薄いシリコン膜（１６）の下に埋め込まれた絶縁体層（１４）を備え、シリコン膜（１６）の上に、ソースまたはアノードコンタクト（１８）と、ドレインまたはカソードコンタクト（２２）とが取り付けられている。 - 特許庁

Then when a potential difference ΔVcom due to variation in common voltage measured by a liquid crystal device 1 completed in advance has a plus value, the alignment layer 16 formed on the TFT substrate 10 is heat-treated at predetermined temperature for a predetermined time based upon the potential difference ΔVcom (S5).例文帳に追加

次いで予め完成された液晶装置1で測定した共通電圧の変動による電位差ΔVcomに基づき、電位差ΔVcomがプラス値を示している場合は、TFT基板10に形成されている配向膜16を、所定温度で所定時間加熱処理する(S5)。 - 特許庁

To propose a multi-color thermal transfer recording medium which can express the number of colors exceeding the color tones of a coated ink layer, and which can avoid a trouble in the winding of an ink ribbon, in the ink ribbon provided by mixing ink layers with a plurality of colors on a substrate.例文帳に追加

支持体上に複数色のインク層を混在して設けるインクリボンにおいて、塗工したインク層の色調を超える色数の表現が可能になり、かつ該インクリボンにおける巻装時トラブルを回避できる多色熱転写記録媒体を提案すること。 - 特許庁

In the heat sink submount formed by depositing a metal film 3 on a substrate 1 consisting of a heat-conductive insulation material interposing a metallized layer 2, the surface roughness Ra on the deposited metal film 3 is controlled to be from 0.05 to 1.2 μm.例文帳に追加

熱伝導性電気絶縁材料１よりなる基体にメタライズ層２を介して、溶着金属膜３を形成してなるヒートシンクサブマウントにおいて、該溶着金属膜３の表面粗さがRa０．０５〜１．２μｍに調整されたことを特徴とするヒートシンクサブマウント。 - 特許庁

The common mode choke coil 1 has a rectangular parallelepiped-like outer shape as a whole by forming an insulating layer 60, first/second helical coils 11, 12, and a closed magnetic circuit 141 on a silicon substrate 51, which is formed of single-crystal silicon, with a thin-film formation technique.例文帳に追加

コモンモードチョークコイル１は、単結晶シリコンで形成されたシリコン基板５１上に絶縁層６０、第１ヘリカルコイル部１１、第２ヘリカルコイル部１２及び閉磁路１４１を薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。 - 特許庁

A λ/4 plate 7 is located on a surface of the substrate 2 at the rear of the side on which the counter electrode 4 is formed and a slow axis of the λ/4 plate 7 is located being inclined 45° to a direction of a long axis of liquid crystal molecules under an applied voltage to the liquid crystal layer 5.例文帳に追加

基板２の対向電極４が形成された側の反対の面にλ／４板７が配置され、λ／４板７の遅延軸は、液晶層５に電圧を印加した時の液晶分子の長軸方向に対して４５°傾けるように配置されている。 - 特許庁

This substrate for the probe card is constituted by layering sequentially a plurality of resin layers 2 comprising a plurality of conductor patterns 6 and a resin 2a, and a plurality of support layers 3 formed with penetrated-through conductors 7 connected electrically to the conductor patterns 6, and having a Young's modulus higher than that of the resin layer 2.例文帳に追加

複数の導体パターン６と樹脂２ａとからなる複数の樹脂層２と、導体パターン６に電気的に接続された貫通導体７が形成されており、樹脂層２よりヤング率が高い複数の支持層３とが順次積層されてなる。 - 特許庁

The method further includes the steps of forming second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) at an upper side of the second layer wiring 11 on the substrate 1, and removing by etching an unnecessary position including a pad forming region in the second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) by using a mask 16.例文帳に追加

基板１上での第２層目の配線１１の上側に第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）を形成し、マスク１６を用いて第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）におけるパッド形成領域を含む不要箇所をエッチング除去する。 - 特許庁

The heating appliance 100 is provided: with a heating element formed by disposing the heat-generating composition layer containing oxidizable metal particles on one surface of a substrate sheet comprising high-absorbency polymer particles and hydrophilic fibers; and a packaging material that surrounds the entire heating element.例文帳に追加

発熱具１００は、高吸収性ポリマーの粒子及び親水性繊維を含む繊維シートからなる基材シートの一面に、被酸化性金属の粒子を含む発熱組成物の層が設けられてなる発熱体と、該発熱体の全体を包囲する包材とを備える。 - 特許庁

The first substrate includes scribe marks 50, provided on a part positioned at the panel peripheral edge on the outer side of the sealant 40 on the display medium layer side; a plurality of pixel electrodes formed by a transparent conductive oxide film; and an electrode line formed by a metal material, respectively.例文帳に追加

第１基板は、表示媒体層側に、シール４０の外側のパネル周縁に位置する部分に設けられたスクライブマーク５０と、各々、透明導電性酸化膜で形成された複数の画素電極と、金属材料で形成された電極線と、を有する。 - 特許庁

To obtain a compound semiconductor element such as an LED which is superior in characteristics such as light emitting intensity, by constituting a laminated structure constituted of a group III nitride semiconductor crystal layer in which crystal system is regulated in hexagonal system on a cubic system substrate, such as Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶等の立方晶基板上に、結晶系が六方晶系に統制されたIII族窒化物半導体結晶層からなる積層構造体を構築し、発光強度等の特性に優れたＬＥＤ等の化合物半導体素子を得る。 - 特許庁

The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.例文帳に追加

前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁

By making the potential of the polysilicon layer 13 equal to that of a substrate 11, the parasitic resistance and capacitor of the inductor 151 can be reduced, and the phase noise of an oscillation circuit can be reduced, when the inductor 151 is a part of the resonance circuit of the oscillation circuit.例文帳に追加

ポリシリコン層１３をサブストレート基板１１と同電位にしたことより、インダクター１５１に付く寄生抵抗と寄生容量を小さくでき、インダクター１５１を発振回路の共振回路の一部とした場合に発振回路の位相ノイズを低減できる。 - 特許庁

An SiN film 5, having an aperture is formed between the electrodes 7s and 7d and on the upper surface of the layer 4 and a Pt film, which forms a Schottky barrier with respect to the substrate 1 and is formed into a gate electrode 9, is formed in this aperture.例文帳に追加

そして、電極７ｓ，７ｄ間であって、ＧａＡｓ層４の上面には、開口を有したＳｉＮ膜５が形成されており、前記開口において、基板に対してショットキ障壁を形成してゲート電極９となるＰｔ膜が形成されている。 - 特許庁

In the wave front aberration correction mirror for correcting aberration by displacing the mirror surface of a mirror substrate 6 by using a piezoelectric material, an adhesive layer 21 of such a thickness that a mirror side electrode 4a and a piezoelectric material side electrode 4 are not brought into direct contact is provided.例文帳に追加

ミラー基板６のミラー面を圧電材を使用して変位させることにより収差補正する波面収差補正ミラーにおいて、ミラー側電極４ａと圧電材側電極４とが直接接触しない程度の厚さの接着層２１が設けられている。 - 特許庁

The polylactic acid-based resin foamed particles using a polylactic acid-based resin as a substrate resin is characterized in that the relation of the surface layer heating value (Bs:g/J) of the foamed particles to the inner heating value (Bi:g/J) of the foamed particles satisfies the following expression (1).例文帳に追加

本発明のポリ乳酸系樹脂発泡粒子は、ポリ乳酸系樹脂を基材樹脂とする発泡粒子であって、該発泡粒子の表層の発熱量（Ｂｓ：ｇ／Ｊ）と該発泡粒子の内部の発熱量（Ｂｉ：ｇ／Ｊ）との関係が下式（１）を満足する。 - 特許庁

To provide an inorganic substrate with a silica based thin layer which has electric insulating property, flexibility and excellent heat resistance, is flattened and is free from alternation, deterioration or deformation even when exposed at a high temperature, a method of manufacturing the same, a coating agent for the same and a semiconductor device.例文帳に追加

電気絶縁性と可撓性と優れた耐熱性を有し平坦化され高温に曝されても変質、劣化、変形することのないシリカ系ガラス薄層付き無機質基板、その製造方法、そのためのコーテイング剤および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The bottom gate-bottom contact type thin film transistor which has a gate electrode, a gate insulating film, the source and drain electrodes, and a semiconductor layer stacked in order on an insulating substrate, is provided with a recess shape on the gate insulating film, and the source-drain electrode is disposed at the recess shape part.例文帳に追加

絶縁基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース・ドレイン電極と、半導体層と、を順次積層したボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜上に凹形状を設け、該凹形状部分にソース・ドレイン電極を配置する。 - 特許庁

Arranging a unique electrical connection means to insulating adhesive films (4, 8, 12) arranged between a substrate (2) and a lowest layer semiconductor element (6), and between semiconductor elements, together with each semiconductor element itself, avoids the necessity of the wire-bonding method.例文帳に追加

各半導体素子自体と共に、基板（２）と最下層半導体素子（６）との間及び各半導体素子間に配設されている絶縁性接着フィルム（４、８、１２）に、独特な電気的接続手段を配設することによって、ワイヤーボンディング方式の必要性を回避する。 - 特許庁

To quickly put ink in opening parts and besides to prevent mixing of ink colors between adjacent opening parts in manufacture of a color filter in which a light shielding layer made of resin is formed on a transparent substrate and ink is provided in their opening parts to form colored parts.例文帳に追加

透明基板上に樹脂製の遮光層を形成し、その開口部にインクを付与して着色部を形成するカラーフィルタの製造において、上記開口部にインクが速やかに収納され、且つ、隣接する開口部間でのインクの混色を防止する。 - 特許庁

The semiconductor thin film 15 can be manufactured, by developing the solvent where the semiconductor colloidal nanodots 30 are dispersed in the solvent on the surface of water, and then transferring single particle layer film, arranged regularly on the occasion of vaporizing the solvent to the substrate with the horizontal adhering method.例文帳に追加

半導体薄膜１５は、半導体コロイダルナノドット３０を溶媒中に分散させた溶液を水の表面に展開し、溶媒を蒸発させてその際に規則配列となった単粒子層膜を水平付着法により基板に移し採ることで作製する。 - 特許庁

To provide a coated article having a weatherable silicone resin coating film which can sufficiently obtain the adhesion between it and a substrate, has weatherability and light resistant catalytic properties, reduces the number of baking in a two-layer coating line film forming process, and can shorten a coating interval.例文帳に追加

基材との密着が十分得られ、耐候性および耐光触媒性を有し、かつ、２層塗りライン膜形成工程においてベーク数を減少し、塗装インターバルを減少させることができる耐候性シリコーン樹脂塗膜を有する塗装品を提供する。 - 特許庁

A polycrystal Si to be a heating resistor section, an interbedded insulation film 36, a metallic wiring pattern layer and a surface protection film 41 are formed on an SI substrate, then the interbedded insulation film 36 and surface protection film 41 are removed by a dry-etching method to open a pit 8 to form an opening.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に発熱抵抗体部となる多結晶Ｓｉ、層間絶縁膜３６、金属配線層、表面保護膜４１などを形成後、層間絶縁膜３６および表面保護膜４１をドライエッチングによって除去し、ピット８を開口させる。 - 特許庁

Furthermore, the wafer is subjected to annealing for 10 seconds at 1,150°C under a gas atmosphere containing nitrogen as a third annealing step, and then it is cooled down at a cooling rate of 50°C/second so that a large quantity of vacancies are injected to the vicinity of the surface layer of the substrate thus enhancing the gettering capability.例文帳に追加

更に第３熱処理工程として窒素含有ガス雰囲気下にて１１５０℃で１０秒熱処理し、その後５０℃／秒の冷却速度で降温することで基板表層近傍に空孔を大量に注入することでゲッタリング能力も高まる。 - 特許庁

To provide a write-once type optical recording medium, which deters voids making recording and reproduction characteristic worse from being formed in a substrate or a cover layer and has excellent recording and reproduction characteristics and excellent tracking characteristics and is adaptive to a short-wavelength laser, and to provide its recording method.例文帳に追加

記録再生特性を悪化させる基板内又はカバー層内の空隙発生が抑制され、良好な記録再生特性、及び良好なトラッキング特性が得られる短波長レーザ対応の追記型光記録媒体とその記録方法の提供。 - 特許庁

To provide a low-dielectric material with a low dielectric constant, and excellent in dynamic physical properties, dimensional stability, and thermal resistance, especially, in high-temperature physical properties, therefore fit for use as a multi-layer printed wiring board or the like, as well as a low-dielectric plate, and a low-dielectric substrate.例文帳に追加

誘電率が低く、力学的物性、寸法安定性及び耐熱性に優れ、特に高温物性に優れるため、多層プリント配線基板等に好適に用いることのできる低誘電材料、低誘電板、及び、低誘電基板を提供する。 - 特許庁

In order to simplify the manufacturing process, connecting pads 2, a ground layer 6 thereon via an insulating film, first to third rewinding 7, 8, and 9 thereon via a protecting film, and posts S_0, S_1, G, and D thereon are arranged on only the upper surface side of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の上面側のみに、製造工程を簡略化するために、接続パッド２、その上に絶縁膜を介してグラウンド層６、その上に保護膜を介して第１〜第３の再配線７、８、９、その上にポストＳ_０、Ｓ_１、Ｇ、Ｄを設ける。 - 特許庁

The resistance is lowered by bringing the first amorphous silicon layer 2 having the highest impurity concentration into contact with a substrate 8, the HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4 having the lower impurity concentrations, and the surface is roughened.例文帳に追加

最も高不純物濃度の第１のアモルファスシリコン層２が基板８とコンタクトすることで低抵抗化が図られ、より低不純物濃度の第２，第３のアモルファスシリコン層３，４表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて粗面化が図られる。 - 特許庁

Each of the picture elements Px has a transmission area Tr for displaying in transmission mode, using light 41 incident from the lighting unit and the 1st substrate 10 has a transparent electrode area defining the transmission region Tr on the side of the display medium layer 23.例文帳に追加

絵素Ｐｘのそれぞれは、照明装置から入射する光４１を用いて透過モードで表示を行う透過領域Ｔｒを有し、第１基板１０は表示媒体層２３側に、透過領域Ｔｒを規定する透明電極領域を有している。 - 特許庁

A translucent semi-reflective inorganic thin film layer having 3-50% transmittance and 50-97% reflectance is formed by a dry film forming method on a substrate comprising a plastic film provided with light scattering property to obtain the objective translucent semi-reflective diffusible film.例文帳に追加

光散乱加工されたプラスチックフイルムからなる基材の上に、乾式製膜法によって形成した透過率が３〜５０％で、反射率が５０〜９７％の範囲にある半透過性で半反射性の無機薄膜層を設けた半透過半反射拡散性フイルム。 - 特許庁

The liquid crystal display device is equipped with a liquid crystal layer disposed between two substrates, two polarizing plates disposed on the outer sides of the two substrates, and a compensation film disposed between at least one polarizing plate and the substrate.例文帳に追加

液晶表示装置は、２枚の基板の間に設けられている液晶層と、前記２枚の基板の外側に設けられている２枚の偏光板と、少なくとも一方の前記偏光板と前記基板との間に設けられている補償フィルム（compensation film）を備えている。 - 特許庁

An outermost surface of a semiconductor substrate 11 having one or multiple crystalline layers is covered with a coat film 12 comprised of a material having a pyrolysis temperature lower than that of the outermost layer, and is housed and kept in a wafer container while this state is maintained.例文帳に追加

１又は２以上の結晶層を有する半導体基板１１の最表層の表面を、当該最表層の熱分解温度より低い熱分解温度を有する材料からなる被覆膜１２で被覆し、この状態でウェハ容器に収容し保管する。 - 特許庁

The inkjet recording medium is manufactured by providing a coating layer comprising a sub-micron pigment and a crosslinked polyvinyl alcohol on a substrate, and processing it by a re-wet cast method using a re-wet liquid comprising a polyvalent metal salt of a higher fatty acid and an oxidized paraffin wax.例文帳に追加

基材上に、サブミクロン顔料、架橋されたポリビニルアルコールを含有する塗工層を設け、高級脂肪酸の多価金属塩および酸化パラフィンワックスを含む再湿潤液を用いたリウエットキャスト法により処理してインクジェット記録媒体を製造する。 - 特許庁

The solid-state imaging device manufacturing method comprises the step of exposing a transparent resin layer on a semiconductor substrate, forming a first and a second resin patterns with heights different from each other, and forming a first and a second microlenses with heights different from each other.例文帳に追加

半導体基板上の透明樹脂層を露光する工程と、互いに高さが異なる第１、第２の樹脂パターンを形成する工程と、互いに高さが異なる第１、第２のマイクロレンズを形成する工程と、を具備する固体撮像装置の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with wide wiring 11 formed on a semiconductor substrate so as to have a wide wiring width (a), and the thin wiring 12 formed on the same wiring layer as the wide width wiring 11 so as to have a thin wiring width (b) thinner than 0.2μm.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板上に形成され、太い配線幅ａを持つ太幅配線１１と、この太幅配線１１と同一の配線層に形成され、配線幅が０．２μｍ以下の細い配線幅ｂを持つ細幅配線１２とを具備する。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

An SOI wafer where two silicon substrates 10 and 20 are stuck to each other through an insulating layer 30 is used, an opening 11 is disposed in the first silicon substrate 10, and respective regions of a peripheral fixed section 12, a weight fixed section 13, a beam section 14, and a stopper section 15 are integrally formed.例文帳に追加

２枚のシリコン基板１０，２０を絶縁層３０で貼り合わせたＳＯＩウエハを用い、第１のシリコン基板１０に開口部１１が設けられ、周辺固定部１２、錘固定部１３、梁部１４、ストッパ部１５の各領域が一体形成されている。 - 特許庁