「substrate temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a temperature detecting device which can reduce an effect on a temperature dependence due to a variation of manufacture and can be mounted on a semiconductor substrate.例文帳に追加

温度依存性に対する製造ばらつきの影響を低減し半導体基板上に搭載できる温度検知装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for a temperature-control mat, a temperature-control mat, and its construction structure capable of reducing a cold zone at low costs.例文帳に追加

低コストでコールドゾーンを小さくすることができる温調マット用基板、温調マット及びその施工構造を提供する。 - 特許庁

A substrate heating system 34 for heating the rotary table 22 for temperature control sets the temperature of the wafer 31 within a range of 200°C to 400°C.例文帳に追加

ここで、回転テーブル２２を加熱し温度制御する基板加熱系３４によりウエハ３１の温度を２００℃〜４００℃の範囲に設定しておく。 - 特許庁

A resist film on the surface of the semiconductor substrate is removed, surface treatment to promote growing of a film formed on the surface of the semiconductor substrate is carried out at a prescribed temperature, and thereafter the film is formed on the surface of the semiconductor substrate at a temperature higher than the prescribed temperature.例文帳に追加

本発明では、半導体基板の表面のレジスト膜を除去した後に、半導体基板の表面に形成する膜の成長を促進させるための表面処理を所定温度の下で行い、その後、所定温度より高い温度の下で半導体基板の表面に成膜することとした。 - 特許庁

A semiconductor substrate holder for holding a semiconductor substrate includes connection terminals provided at positions corresponding to contact terminals of the temperature detecting unit incorporating a temperature sensor when the temperature detecting unit is held instead of holding the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板を保持する半導体基板ホルダであって、半導体基板を保持するに替えて、温度センサを内蔵する温度検出装置を保持したときに、温度検出装置の接触端子に対応する位置に設けられた接続端子を備える。 - 特許庁

The package for airtight sealing is constituted by baking and joining a high-temperature baked ceramic substrate to the low-temperature baked ceramic substrate 1 via the thick film conductor, and joining the metal frame 4 to the thick film conductor formed on the surface of the high-temperature baked ceramic substrate with An-Sn-based solder.例文帳に追加

低温焼成セラミック基板に厚膜導体を介して高温焼成セラミック基板を焼結結合させ、高温焼成セラミック基板の表面に形成された厚膜導体に金属フレームをＡｎ−Ｓｎ系はんだで接合する。 - 特許庁

The alignment method includes a step for performing first alignment based on a notch position on the outer periphery of a substrate, a step for performing second alignment based on the outer peripheral shape of the substrate including the notch, and a temperature adjustment step for adjusting the temperature of the substrate to a target management temperature.例文帳に追加

基板の外周上の切り欠き位置に基いて第１の位置合わせを行う工程と、前記基板の切り欠きを含む外周形状に基いて第２の位置合わせを行う工程と、前記基板を目標管理温度に調整する温調工程とを含む位置合わせ方法を行う。 - 特許庁

To provide a temperature-measuring device which can measure the temperature at a plurality of points on a substrate film, when measuring the temperature of the substrate film with a radiation thermometer, while a coating film is formed on the substrate film which runs while being supported by two guide rolls, and to provide a winding-type vacuum film-forming apparatus provided with the same.例文帳に追加

２つのガイドロールに支持されて走行しているフィルムに成膜しながら、放射温度計を用いてフィルムの温度を測定する際に、フィルムの複数箇所の温度を測定することができる温度測定装置と、それを具備した巻取式真空成膜装置を提供する。 - 特許庁

The step of forming the free layer 24 is conducted in the state that the temperature of the substrate 1 is 0°C or lower, and the substrate 1 is cooled so that it may become the temperature lower than 30°C or higher than the temperature of the substrate 1 in the step of forming the magnetization fixed layer 22.例文帳に追加

自由層２４を形成する工程は、基板１の温度が０℃以下であって、且つ磁化固定層２２を形成する工程における基板１の温度よりも３０℃以上低い温度となるように基板１が冷却された状態で自由層２４を形成する。 - 特許庁

The substrate-treating apparatus comprises a substrate-treating unit 2, having a removing liquid discharging nozzle 21 for discharging a removing liquid toward a substrate W, a temperature regulating mechanism 4 for heating, so that the liquid in a temperature regulating tank 3 turns into a prescribed temperature, and a removing liquid recovering mechanism 5.例文帳に追加

基板処理装置は、基板Ｗに向けて除去液を吐出する除去液吐出ノズル２１を有する基板処理部２と、温度調整槽３内の除去液を所定の温度となるように加熱する温度調整機構４と、除去液回収機構５とを備える。 - 特許庁

To provide a ceramic substrate for a semiconductor manufacturing and inspection apparatus which is formed as a thin and light-weight substrate, assures the uniform temperature distribution of a wafer heating surface, and can quickly reflect the temperature of a heat generating material on the temperature of the working surface of substrate.例文帳に追加

薄くて軽い上、ウエハー加熱面の温度分布を均一にすることができ、さらに発熱体の温度を速やかに基板作業面の温度に反映させることのできる半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供すること。 - 特許庁

The substrate unit 1 includes the substrate 3, the catalytic membrane 5 which is formed on the substrate 3 and turns into micro particles at a thermal annealing temperature, and a catalyst protection membrane 7 which protects the catalytic membrane 5 by covering the surface of the catalytic membrane 5 and has a thermal decomposition temperature lower than the thermal annealing temperature.例文帳に追加

本基板ユニット１は、基板３と、この基板３上に成膜されていて熱アニール温度で微粒子化する触媒膜５と、この触媒膜５の表面を覆って上記触媒膜５を保護するもので熱分解温度が熱アニール温度未満の触媒保護膜７と、を備える。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of suppressing temperature rise in a space between a lower surface of a pressing member and an upper surface of a substrate, by improving uniformity of in-plane temperature of the substrate, even when a high-temperature process liquid is used when the pressing member is arranged, while facing and coming into close proximity to the top surface of the substrate to process it.例文帳に追加

基板の上面に対向し近接して押付部材を配置し基板の処理を行う場合に、高温の処理液を使用するときでも、基板の面内温度の均一性を高め、押付部材の下面と基板上面とで挟まれる空間における温度の上昇を抑えることができる装置を提供する。 - 特許庁

In a process of forming the single-crystal semiconductor layer bonded to the glass substrate by low-temperature heat treatment, before a bonding and separation process in which the single-crystal semiconductor layer is bonded to the glass substrate, the glass substrate is heated at a temperature higher than a heating temperature in heat treatment in the bonding and separation process.例文帳に追加

ガラス基板に低温の加熱処理により接合した単結晶半導体層を形成する工程において、単結晶半導体層を接合するガラス基板を接合剥離工程の前に、接合剥離工程における加熱処理の加熱温度よりも高い温度で加熱しておく。 - 特許庁

In the pre-wet treatment prior to the development of a substrate W to which a chemically amplified resist is applied, a temperature-controlled pure water is supplied to the substrate W to control the temperature of the substrate at the end of supply of a normal-temperature pure water to be used for pre-wetting.例文帳に追加

化学増幅型レジストが塗布された基板Ｗの現像処理に先立って行なわれるプリウェット処理において、プリウェット処理に使われる常温純水の供給の終わりにおいて温調純水が基板Ｗに供給され基板温度が制御される。 - 特許庁

To avoid occurrence of defects such as pattern collapse in advance by preventing dew condensation from occurring at a substrate even when the temperature of the substrate is below the dew point temperature of the atmosphere as a result of the fact that the low-temperature fluid is supplied for processing of the substrate.例文帳に追加

基体に対して低温の流体を供給して処理した結果、当該基体の温度が雰囲気露点温度を下回ってしまう場合であっても、当該基体に結露が生じるのを防止して、パターン倒れ等の不具合発生を未然に回避できるようにする。 - 特許庁

While forming a sealed space 1 inside the substrate, the protecting case 4 is functioned as a heat sink for thermally contacting an outer peripheral part inside the substrate and creating a temperature gradient, with which a temperature is high at a central part on the inner surface of the substrate and the temperature becomes low toward the periphery when the hot air current is received.例文帳に追加

保護ケース４は基板内側に密封空間１を形成すると共に基板内側の外周部に熱的に接触し、熱気流を受けた際に基板内面の中央部の温度が高く周囲に行くほど温度が低下する温度勾配を作り出すヒートシンクして機能する。 - 特許庁

Upon starting or resuming after interruption of exposure, a temperature raising means is constituted so that the operation of the temperature raising means is started before receiving the substrate, whereby the substrate transfer device is provided which raises the temperature of substrate to a predetermined level from the first sheet feed.例文帳に追加

露光開始時あるいは露光中断後の再開時において、昇温手段は基板を受け入れる前に昇温手段の作動が開始されるように構成されているため、最初の１枚から基板温度の所定の上昇が可能な基板搬送装置を提供することができる。 - 特許庁

This arrangement enables the glass substrate 24 heated to a specific temperature in a step preceding the substrate-transport roller groups 86a-86d to the succeeding lamination mechanism in a state that it is hardly influenced by the temperature variations of the substrate-transport rollers 89 and retains a uniform temperature.例文帳に追加

これにより、基板搬送ローラ群８６ａ〜８６ｄの前段において所定温度に加熱されたガラス基板２４は、当接する基板搬送ローラ８９による温度変動の影響を殆ど受けることなく、均一な温度を維持した状態で後段の貼り付け機構に供給される。 - 特許庁

Moreover, substrate temperature Ty at the time of epitaxial growth onto the mass-production substrate is estimated by applying the haze of the mass-production substrate measured immediately after epitaxial growth to the correlation line, and then a measured temperature Tx of the upper pyrometer is adjusted to the estimated temperature Ty.例文帳に追加

更にエピタキシャル成長直後に測定した量産用基板のヘイズを上記相関線に当てはめて量産用基板上へのエピタキシャル成長時の基板温度Ｔｙを推定した後に、この推定温度Ｔｙにアッパパイロメータの測定温度Ｔｘを一致させる。 - 特許庁

A temperature detection part 10 is provided on a substrate 100 and outputs detection temperature as an analog signal, and an information processing part 20 is provided on the substrate 100 and inputs an analog signal from the temperature detection part 10 via an A/D terminal 21 for digitally converting it to a temperature value.例文帳に追加

温度検知部１０は基板１００上に設けられ、検知温度をアナログ信号として出力し、情報処理部２０は基板１００上に設けられ、Ａ／Ｄ端子２１を介して温度検知部１０からのアナログ信号を入力し、デジタル変換して温度値に換算する。 - 特許庁

A CVD method is carried out by using Cu (hfac) tmvs as VCD material and setting a substrate temperature at a temperature in the vicinity of a boundary temperature, at which a governing mechanism of Cu layer deposition reaction on a substrate surface varies from a surface reaction governing type to a source material supply governing type, or a temperature higher therethan.例文帳に追加

Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓをＣＶＤ原料として使い、基板温度を基板表面におけるＣｕ層の堆積反応の律速機構が表面反応律速型から原料供給律速型に変化する境界温度近傍の温度、あるいはそれ以上の温度に設定してＣＶＤ法を実行する。 - 特許庁

The film scanner comprises a plurality of light emitting diodes 1, a plurality of chip resistors 2 and a temperature sensor 3 which are provided on the surface of a substrate, a fin provided on the rear side of the substrate P, and a temperature adjustment control means 48 for controlling the temperature of the light emitting diodes 1 to maintain the target temperature.例文帳に追加

基板の表面に複数の発光ダイオード１と、複数のチップ抵抗器２と、温度センサ３とを備え、基板Ｐの裏面にフィンを備え、発光ダイオード１を目標温度に維持する制御を行う調温制御手段４８を備える。 - 特許庁

To form an oxide film with improved quality on a semiconductor thin film containing silicon in a low-temperature process where a substrate temperature is at 600°C or lower, and to provide a reliable thin-film transistor with improved performance while keeping the substrate temperature at a low temperature.例文帳に追加

基板温度が６００℃以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成すること、および基板温度を低温に保ったまま、性能の優れた信頼性の高い薄膜トランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a bolometric infrared sensor array which can solve the problem that a bolometric array sensor requires a temperature controller, such as the Peltier temperature controller, etc., for constantly maintaining the temperature of a substrate, because the output level of the sensor is deviated and the sensor is not able to detect an object to be detected when the temperature of the substrate is not a prescribed value.例文帳に追加

ボロメータ型のアレイセンサでは、基板温度が所定の温度になっていない場合、出力レベルがずれ、検出できなくなるため、基板温度一定に保つためのペルチェなどの温調装置が別途必要になる。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus capable of precisely measuring temperature of a dummy substrate by providing a detection sheet and a temperature measuring system capable of precisely detecting/measuring temperature of a dummy substrate having a temperature detecting element, at much more positions.例文帳に追加

検温素子を有するダミー用基板の温度を、より多くの箇所で精度よく検知／測定することができる検知シートおよび温度測定システムを提供し、ダミー用基板の温度を精度よく測定することができる熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first nitride semiconductor is grown on a substrate at a temperature lower than the growth temperature of a second nitride semiconductor that is grown on the first nitride semiconductor, then the substrate is raised in temperature to the growth temperature of the second nitride semiconductor and then subjected to a thermal treatment, and then a second nitride semiconductor is grown.例文帳に追加

基板上に第１の窒化物半導体をその上に成長する第２の窒化物半導体の成長温度より低温で成長し、その後基板温度を第２の窒化物半導体の成長温度にまで昇温し、昇温後に熱処理を行い、次いで第２の窒化物半導体を成長する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion having good adhesiveness with respect to both of a polar substrate and a non-polar substrate even at a low temperature (room temperature), and a material formed by coating the substrates with the aqueous dispersion and having an adhesive function even at a low temperature (room temperature).例文帳に追加

極性基材および非極性基材の両者に対して、低温（室温）でも良好な接着性を有する水分散体、および、水分散体を基材に塗布してなる低温（室温）でも接着機能を有する材料を提供する。 - 特許庁

The photomask or the substrate is not irradiated with long wavelength light which causes temperature rise.例文帳に追加

フォトマスクや基板には，温度上昇の原因となる長波長光が照射されない。 - 特許庁

Subsequently, the substrate is heated up to a prescribed temperature and carbon supply source gas is supplied.例文帳に追加

続いて、所定の温度まで基板を加熱して、炭素供給源ガスを供給する。 - 特許庁

The temperature of the Ti substrate is changed diversely, and a plasma nitriding processing is carried out.例文帳に追加

そして、Ｔｉ基板の温度を種々に変更してプラズマ窒化処理を行った。 - 特許庁

To provide a molybdenum alloy and a metal substrate material for its high-temperature applications and use therefor.例文帳に追加

モリブデン合金およびその高温適用のための金属支持材料およびその使用の提供。 - 特許庁

To easily obtain temperature uniformity on a susceptor that is simple in structure, in a substrate processing apparatus.例文帳に追加

基板処理装置に於いて、簡単な構造で而も温度均一性が容易に得られるサセプタを提供する。 - 特許庁

According to this susceptor, temperature distribution of the substrate during the deposition step can be improved.例文帳に追加

このサセプタによれば、成膜工程時における基板の温度分布を改善することができる。 - 特許庁

An after exposure baking process (temperature cycle) for a substrate is implemented within prescribed hours after pattern transfer.例文帳に追加

基板の露光後ベーク工程（温度サイクル）は、パターン転写後の所定の時間内に実施される。 - 特許庁

METHOD FOR SUPPRESSING TEMPERATURE GRADIENT IN SUBSTRATE SURFACE AND TURBINE ENGINE PART例文帳に追加

基体表面における温度勾配を防止する方法およびタービンエンジン部品 - 特許庁

Thus, the effect of the temperature distribution in the atmosphere on the solution 42 and the semiconductor substrate 35 is averaged.例文帳に追加

こうして、溶液４２および半導体基板３５が受ける雰囲気温度分布の影響を平均化させる。 - 特許庁

Pixel electrodes 118 are formed on an element substrate 101 by the low-temperature polysilicone process.例文帳に追加

素子基板１０１には、低温ポリシリコンプロセスによって画素電極１１８が形成されている。 - 特許庁

When the silicon substrate reaches the prescribed temperature, the CNT 104 starts to grow from a catalyst metal particle 103a.例文帳に追加

シリコン基板が到達温度となると、触媒金属粒１０３ａよりＣＮＴ１０４が成長する。 - 特許庁

To obtain a multilayer substrate stable against temperature variation.例文帳に追加

本発明は温度変化に対して安定した多層基板を得ることを目的とするものである。 - 特許庁

A furnace temperature of the quartz furnace, into which the substrate has been thrown, is elevated under a hydrogen containing atmosphere (S40).例文帳に追加

基板が投入された石英炉の炉内温度を、水素を含む雰囲気下で上昇させるＳ４０。 - 特許庁

The substrate temperature is measured by a contactless thermometer 17 just before a gate valve 16 is opened.例文帳に追加

ゲートバルブ１６を開く直前に、非接触温度計１７により基板温度を測定する。 - 特許庁

DYNAMIC SUBSTRATE BIAS SYSTEM SUPPRESSING NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY AND METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

負バイアス温度不安定性を抑制する動的な基板バイアスシステムおよびその方法 - 特許庁

TEMPERATURE CONTROL DEVICE FOR NUCLEIC ACID PROBE ARRAY SUBSTRATE, AND GENE DETECTION METHOD USING THE SAME例文帳に追加

核酸プローブ・アレイ基板の温度制御装置、及び、これを用いた遺伝子検出方法 - 特許庁

After the ion implantation, a substrate having the above structure is subjected to high temperature activation annealing.例文帳に追加

さらに、前記イオン注入後、この構造を持つ基板に対し、高温活性化アニールを施す。 - 特許庁