「surface diffusion process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Next, in a diffusion process, semiconductor impurities are diffused on a surface of one side in a thickness direction of the semiconductor wafer 2 on which the diffusion prevention film 7 is formed.例文帳に追加

次に、拡散工程で、前記拡散防止膜７が形成された半導体ウエハ２の厚み方向一方側の表面部に、半導体不純物を拡散させる。 - 特許庁

The manufacturing method of the fuel cell diffusion layer includes a coating process S102 in which a first coating liquid is coated and impregnated into a fuel cell diffusion layer base material and a coating process S106 in which a pre-foamed second coating liquid is coated and impregnated into one surface side of the fuel cell diffusion layer base material.例文帳に追加

燃料電池拡散層用基材に第１の塗工液を塗布し、含浸させる第１の塗工工程Ｓ１０２と、燃料電池拡散層用基材の一方面側に、予め発泡させた第２の塗工液を塗布し、含浸させる第２の塗工工程Ｓ１０６と、を含む。 - 特許庁

In this process, the balls 7 densely float on the liquid surface of the reservoir 1 and the sub-reservoir 2, so that the diffusion of the gas to the atmosphere from the liquid surface is suppressed.例文帳に追加

この過程において、貯留部１及び副貯留部２の液面にボール７が密に浮くことになり、液面からガスが大気中に気散することが抑制される。 - 特許庁

In a process (a), after forming an insulation film 2 and a diffusion layer 3 on a silicon substrate 1, a gate oxide film is formed on the surface of the diffusion layer 3 to form thereon a gate electrode 4 by its patterning.例文帳に追加

工程（ａ）は、シリコン基板１上に絶縁膜２と拡散層３とを形成し、拡散層３の表面にゲート酸化膜を形成してパターンニングにより前記ゲート電極４を形成する。 - 特許庁

Barrier metals 21 and solder bumps 31 are formed at predetermined positions on an Si wafer 11 after the wafer is subjected to a diffusion process and a multilayer wiring process, and an insulating resin layer 41 is formed on the whole surface.例文帳に追加

拡散、多層配線工程を経たＳｉウエハー１１上の所定位置にバリアメタル２１及びはんだバンプ３１を形成し、全面に絶縁樹脂層４１を形成する。 - 特許庁

Next, an oxidization process is executed for oxidizing a boron silicide, which is generated on the surface of the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, and changing it into boron silicate glass.例文帳に追加

次に、前記第１の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板１の表面に発生したボロンシリサイドを酸化してボロンシリケートガラスに変化させる酸化工程を行う。 - 特許庁

A method for manufacturing the light diffusion film includes a process A for forming a prefilm from a plurality of short fibers by the dry type nonwoven fabric method and a process B for applying application liquid for forming transparent resin by solidification or hardening at least to one surface of the prefilm obtained in the process A and solidifying or hardening the applied application liquid to form the light diffusion film.例文帳に追加

複数の短繊維を乾式不織布法によってプレフィルムにする工程Ａと、工程Ａで得られたプレフィルムの少なくとも片面に、固化または硬化により透明樹脂を形成する塗布液を塗布し、塗布された前記塗布液を固化または硬化させて光拡散フィルムを形成する工程Ｂとを含む。 - 特許庁

A process for etching a silicon oxide film 8 and TEOS films 9 and 20 on the surface of a diffusion region 4 of a collector region is separated from a process for etching TEOS films 12 and 20 on the surface of a base taking-out electrode 16.例文帳に追加

本発明では、コレクタ領域の拡散領域４表面のシリコン酸化膜８、ＴＥＯＳ膜９、２０をエッチングする工程と、ベース取り出し電極１６表面のＴＥＯＳ１２、２０膜をエッチングする工程とを別工程とする。 - 特許庁

A process of introducing impurities of a 1st conductivity into only a 2nd region where the varactor diode is formed to the processes of forming other elements and diffusion is carried out in an existing heat-treating process to form a 1st conductivity diffusion layer 106 which contacts the reverse surface of a 2nd conductivity diffusion layer 107.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板に他の素子を形成するプロセスに対して、可変容量ダイオードを形成する第２領域のみに第１導電型の不純物を導入する工程を追加し、既存の熱処理工程で拡散を行うことによって、第２導電型拡散層１０７の下面に接する第１導電型拡散層１０６を形成する。 - 特許庁

High-temperature surface layer water of a reservoir is pumped up by a storage pump 1, an acid is added in an adequate amount to the pumped water to adjust the pH to 4-6, and the obtained acidic water is returned to the surface layer of the reservoir to make the pH of the surface layer water neutral or weak acidic in the process of mixing diffusion.例文帳に追加

酸を添加するには、表層のｐＨをｐＨ計6 で測定し、ｐＨ調節計2 の信号によりポンプあるいはバルブよりなる酸調整装置3 を制御し、酸を混合槽4 へ供給して水と混合する。 - 特許庁

Furthermore, a natural oxide film left on the diffusion layer is removed through a reverse sputtering method by the use of helium plasma before a silicifying process is carried out, by which the surface of a diffusion layer can be flattened, and a junction leakage current can be also restrained.例文帳に追加

さらに、シリサイド化工程の前に拡散層の上に残存する自然酸化膜をヘリウムプラズマによる逆スパッタによって除去することにより、拡散層の表面を平坦にでき、接合リークを抑制することができる。 - 特許庁

In the one embodiment, it is possible to expose the surface of the diffusion barrier layer to an adhesion promoting agent before the foregoing formation process or during at least its part.例文帳に追加

一部の態様では、この形成工程の前か少なくともその一部分の最中に、拡散バリア層の表面を密着促進剤に暴露することができる。 - 特許庁

In the annealing process, only the silicon atoms in the vicinity of the surface of a silicon substrate 12 are selectively excited by the RLSA plasma, and the depth-direction impurity diffusion is suppressed.例文帳に追加

アニール工程では、ＲＬＳＡプラズマにより、シリコン基板１２表面近傍のシリコン原子のみが選択的に励起され、深さ方向への不純物拡散は抑制される。 - 特許庁

When slurry of catalyst particles 14 and fluororesin particles 15 is spread out on one surface of an electrode substrate 11 having a pair of surfaces in a suction filtration process of a gas diffusion electrode manufacturing process, the other surface of the electrode substrate 11 is pressurized.例文帳に追加

ガス拡散電極製造工程の吸引濾過工程で一対の表面を有する電極基材１１上に触媒粒子１４及びフッ素樹脂粒子１５のスラリーを一方の表面に展開する際に、電極基材１１の他方の表面側を加圧する。 - 特許庁

To provide a complex plasma surface reforming process by which the surface hardness is enhanced without deteriorating corrosion resistance of austenitic stainless steel and the wear resistance is improved by making a hardened layer deeper; and a process for successively performing the penetration-diffusion of each of carbon and nitrogen by using plasma.例文帳に追加

オーステナト系ステンレス鋼の耐食性を損なわずに表面硬さを高くし、かつ硬化層を深くして耐摩耗性を向上させる複合プラズマ表面改質法および連続的にプラズマにより炭素および窒素の浸透拡散を行う方法の提供。 - 特許庁

The surface of a planographic printing plate using surface- roughened and anodically oxidized aluminum having a psychometric lightness of ≤78 as the base and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process is processed with a silicate-containing processing solution after forming a silver image.例文帳に追加

明度指数78以下の粗面化され陽極酸化されたアルミニウムを支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の版面を銀画像形成後にケイ酸塩を含有する処理液で処理する。 - 特許庁

Before a lamination process, each of jointing surfaces 12a, 14a of an MEA 12 and a gas diffusion layer 14 is subjected to rubbing treatment to form a surface roughness in a fluffy form in one direction.例文帳に追加

積層工程前に、ＭＥＡ１２及びガス拡散層１４の各接合面１２ａ、１４ａに、ラビング処理を施すことで、一方向に毛羽立つ態様の表面荒れを形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film having a thickness of several nm and exhibiting barrier properties for oxygen diffusion, along the inner wall surface of a trench in silicon in STI process.例文帳に追加

ＳＴＩプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数ｎｍ程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Next, the surface of the poly-crystalline silicon thin film is re-crystallized in the sequentially solidifying process using a mask capable of controlling the energy of the laser beam as the slit comprises a diffusion shell.例文帳に追加

次いで、スリットが半透過膜からなってレーザービームのエネルギーを調節することができるマスクを利用した順次的凝固工程で多結晶シリコン薄膜の表面を再結晶化する。 - 特許庁

As a gate region is formed of an N+ diffusion layer 11 located under a channel region 14, the surface of the channel region 14 is restrained from increasing in surface roughness by a flattening process, and a thin film transistor is restrained from deteriorating in driving capacity.例文帳に追加

ゲート領域が、チャネル領域４の下にあるｎ^+ 拡散層１１によって形成されているので、平坦化プロセスによってチャネル領域１４の表面粗さが大きくならず、薄膜トランジスタの駆動能力の低下を抑制する。 - 特許庁

A non-SiN-based insulating film, such as a P-SiO film having N-H groups on its surface generated by an HMDS process may be uses as the CU anti-diffusion layer and/or etching stopper layer.例文帳に追加

ＨＭＤＳ処理などにより表面にＮ−Ｈ基を生成したＰ−ＳｉＯ膜などの非ＳｉＮ系絶縁膜をＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として用いてもよい。 - 特許庁

In the method for manufacturing a copper polyimide substrate, the surface of a polyimide resin film is made hydrophilic, a physical development core layer is provided, a silver film is formed according to a silver diffusion transfer process, and then copper plating is carried out.例文帳に追加

ポリイミド樹脂フィルムの表面を親水化し、物理現像核層を設け、銀拡散転写法により銀膜を形成させたのち、銅めっきすることを特徴とする銅ポリイミド基板の製造方法。 - 特許庁

The gas diffusion electrode is manufactured by a manufacturing method having a process for form a metal or its compound on a part or whole of the surface of the conductive porous body by a gas phase method.例文帳に追加

このガス拡散用電極は、導電性多孔体の表面の一部又は全部に金属又はその化合物を気相法により形成させる工程を備えた製造方法によって製造される。 - 特許庁

A surface diffusion process is applied to the article (1) to enrich the at least one grain boundary with grain boundary strengthening elements of one or a combination of boron, hafnium, zirconium without forming brittle precipitates.例文帳に追加

物品（１）に表面拡散法を適用し、ホウ素、ハフニウム、ジルコニウムの１種または組み合わせからなる粒界強化元素で少なくとも１個の粒界が富化され、脆弱な沈積物が形成されない。 - 特許庁

To provide a surface light emitting body which can realize thinness of a surface light-emitting device and can suppress deformation of a light diffusion pattern, and can be manufactured easily at a low cost by eliminating a fault in a conventional manufacturing process.例文帳に追加

面発光装置の薄型化を実現するとともに、光拡散パターンの変形を抑制することができ、従来の製造工程での不具合を解消して容易に且つ低コストに製造可能な面発光体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A diffusion process for keeping an ambient temperature at a temperature at which metal atoms of the second metal film are diffused into the first metal film and the surface thereof is executed during or after formation of the first metal film.例文帳に追加

そして、第１金属膜の形成中または形成後に、第２金属膜の金属原子が第１金属膜の膜中および膜表面に拡散するような温度に雰囲気温度を保持する拡散工程を実施する。 - 特許庁

Finally, the surface layer of the silicon substrate 1' including the phosphor diffusion layer 2 is removed whereby the solar cell is manufactured employing a silicon wafer obtained by a process wherein the re-mixture of the metallic impurities is prevented.例文帳に追加

そして最後に、リン拡散層２を含むシリコン基板１’表面層を除去することにより、金属不純物の再混入を防止するという工程によって得られるシリコンウエハを用いて太陽電池を製造する。 - 特許庁

To improve the reproducibility of a copper film by eliminating a process exposing a diffusion barrier film to the outside air before the forming of a copper film, by improving various kinds of properties of the films and characteristics at the interface of the films and by improving a surface management.例文帳に追加

拡散バリア膜の成膜とＣｕ膜の成膜の間に大気暴露工程をなくし、膜の各種特質、膜の界面での特性を改善し、かつ表面管理を良好にして、Ｃｕ膜の再現性を高める。 - 特許庁

To provide a planographic printing plate excellent in stable ink receptivity and printing resistance as a planographic printing plate using a surface- roughened and anodically oxidized aluminum plate as the base and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

粗面化され陽極酸化されたアルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、安定したインキ受理性及び耐刷力に優れた平版印刷版を提供する。 - 特許庁

To obtain a planographic printing plate which is hardly affected by the surface shape of a surface-roughened and anodically oxidized aluminum sheet as the substrate and superior in ink receptivity and printing durability as a planographic printing plate, utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

粗面化され陽極酸化されたアルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、アルミニウム板の表面形状の影響を受けにくく、かつインキ受理性及び耐刷力に優れた平版印刷版を提供する。 - 特許庁

In a salicide formation process, a detecting wiring line 217 for connecting a floating diffusion 203 and a gate electrode 104g of an amplification transistor 104 is formed in the form of a high-melting-point metallic material not reacting with the silicide reaction on a non-silicon surface generated in the salicide formation process.例文帳に追加

サリサイド形成過程において、フローティングディフュージョン２０３と増幅トランジスタ１０４のゲート電極１０４ｇとを接続する検出用配線２１７を、サリサイド形成過程に発生する非シリコン表面上のシリサイド化反応していない高融点金属材料を利用して形成する。 - 特許庁

An annular thermal oxide film 17 is formed though the thermal oxidation process under the condition that the silicon nitride films 11, 11a are left and moreover a deep N well 3 is also formed at the lower entire surface of the silicon nitride film 11a like an island with the lateral diffusion of phosphorus through the annealing process (b).例文帳に追加

シリコン窒化膜１１，１１ａを残した状態で熱酸化処理を施して環状の熱酸化膜１７を形成し、さらにアニール処理を施してリンの横方向拡散によって島状のシリコン窒化膜１１ａの下部全面にもディープＮウエル３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

The production method of a carbon steel material by surface treatment of a carbon steel includes: a nitriding treatment process of forming a nitride or nitrogen-diffusion layer on the surface of the carbon steel; and a molten salt treatment process of immersing the carbon steel after the nitriding treatment in a molten salt bath containing vanadium so as to convert the nitride or nitride-diffusion layer into a coating layer containing vanadium nitride and vanadium carbide.例文帳に追加

炭素鋼材を表面処理した炭素鋼材料の製造方法であって、前記炭素鋼材表面に窒化物ないし窒素拡散層を形成する窒化処理工程と、前記窒化処理後の炭素鋼材をバナジウムを含む溶融塩浴に浸漬し、前記窒化物ないし窒素拡散層をバナジウム窒化物およびバナジウム炭化物を含む被覆層とする溶融塩処理工程とを含むことを特徴とする炭素鋼材料の製造方法。 - 特許庁

This method for manufacturing the toner for electrophotography includes a process (1) for preparing a diffusion liquid including toner particles containing polyester under the presence of surface active agent in an aqueous medium and a process (2) for washing the toner particles prepared in the process (1) by using an alcohol aqueous solution containing 0.1 wt.% or more and less than 5 wt.% of 1-5C alcohol.例文帳に追加

（１）水系媒体中で、界面活性剤存在下、ポリエステルを含むトナー粒子の分散液を得る工程、及び（２）工程（１）で得られたトナー粒子を、炭素数１〜５のアルコールを０.１重量％以上５重量％未満含有するアルコール水溶液で洗浄する工程、を有する電子写真用トナーの製造方法である。 - 特許庁

In a process (b), after forming a TiSi film 5 on the surfaces of the diffusion layer 3 and the gate electrode 4, an oxide film 6 is formed over the whole of the surfaces of the TiSi film 5 and the insulation film 2 to expose to the external the surface of the gate electrode 4 by polishing the oxide film 6.例文帳に追加

工程（ｂ）で、拡散層３及びゲート電極４の表面にＴｉＳｉ膜を形成し、該表面全体に酸化膜６を形成し、酸化膜６を研磨してゲート電極４の表面を露出させる。 - 特許庁

To improve processing accuracy, to reduce processing time and to suppress the diffusion of solvent components inside and outside an apparatus by efficiently sticking solvent vapor to the surface of a resist pattern without using an ultraviolet irradiation process.例文帳に追加

紫外線照射処理を行わずに、レジストパターンの表面に溶剤蒸気を効率よく付着させて、処理精度の向上を図ると共に、処理時間の短縮を図り、かつ、溶剤成分の装置内外への拡散を抑制すること。 - 特許庁

The manufacturing method of a solar battery cell includes: a process in which the aqueous phosphoric acid solution is jetted against the surface of a semiconductor substrate; and a process in which the semiconductor substrate on which the aqueous phosphoric acid solution is jetted is heated so that n-type impurities are diffused in the semiconductor substrate to form an n-type impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にリン酸水溶液を噴霧する工程と、リン酸水溶液が噴霧された半導体基板を加熱することにより半導体基板にｎ型不純物を拡散させてｎ型不純物拡散層を形成する工程とを含む太陽電池セルの製造方法である。 - 特許庁

A diffusion layer 5 and an anode layer 4 are formed in partial regions of the whole surface of a cathode layer 2, and thermal treatment during forming the anode layer 4 is incompletely finished so that defects caused by an ion implantation process during forming the anode layer 4 remain, while the impurity concentration of the diffusion layer 5 is set higher than that of the cathode layer 2.例文帳に追加

カソード層２の全表面部のうちの一部の領域に形成される拡散層５及びアノード層４に、それぞれ、アノード層４形成時のイオン注入処理により発生する欠陥を、アノード層４形成時の熱処理を不完全にして残留させると共に、拡散層２の不純物濃度をカソード層２よりも高くする。 - 特許庁

To provide a plate surface processing liquid, such as a neutralization stabilizing liquid or an etching liquid applied after the development processing of a lithographic printing plate by a silver complex salt diffusion transfer process, in which the plate wear of silver image is enhanced and, at the same time, an ink transfer point is improved.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の現像処理後に施される中和安定化液あるいはエッチ液のような版面処理液に於いて、銀画像の耐刷力を向上させ、かつインキ乗り点を改良する。 - 特許庁

To make a Zn diffusion position deep from a ZnO/SiO2 film, to the extent in which the COD tolerance of a laser end surface window structure can be made larger than conventional, as to a manufacturing method for a compound semiconductor device which includes the process of diffusing zinc into a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層への亜鉛拡散工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、レーザ端面窓構造のＣＯＤ耐量を従来よりも大きくすることができる程度にZnO/SiO_2膜からのZn拡散位置を深くすること。 - 特許庁

The method for joining the plurality of the superalloy substrates includes a process in which the superalloy substrates are diffusion-joined by thermal-pressing the joint after directly applying an active material on the surface of the joining joint.例文帳に追加

複数の超合金基板を接合する方法であって、接合されるジョイント表面に活性体を直接適用した後に、ジョイントを熱加圧することによって、超合金基板を拡散接合する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the plate surface processing liquid to be used after the development processing of the lithographic printing plate using with the silver complex salt diffusion transfer process, this liquid includes an organic compound having at least two mercapto groups or thione groups and a silver halide solvent.例文帳に追加

銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版の現像処理後に用いられる版面処理液において、２個以上のメルカプト基もしくはチオン基を有する有機化合物、及びハロゲン化銀溶剤を含有することを特徴とする版面処理液。 - 特許庁

To improve surface fogging and preservability as well as to enhance sensitivity with respect to a silver halide photographic sensitive material and to improve printing durability, water-holding performance and ink removability with respect to a planographic printing plate using a silver salt diffusion transfer process.例文帳に追加

ハロゲン化銀写真感光材料において、高感度化とともに地カブリと保存性の改善が必要とされ、一方、銀塩拡散転写法を使用した平版印刷版では耐刷と保水性及びインキ脱離性の改善も要望されており、その改善を目的とする。 - 特許庁

To provide a silicon wafer and a production method thereof capable of effectively inhibiting diffusion of heavy metal from a back face of the silicon wafer to a device active region while keeping a good deflective strength by applying predetermined surface treatment during a subsequent process of a semiconductor device process for forming a device structure to provide a gettering sink layer.例文帳に追加

デバイス構造を形成した半導体デバイスプロセスの後工程において、所定の表面処理を施して、ゲッタリングシンク層を設けることにより、良好な抗折強度を維持しつつ、シリコンウェーハ裏面からデバイス活性領域への重金属の拡散を有効に抑制することができる、シリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

This is a manufacturing method of a gas diffusion electrode which has a process in which a coating liquid dispersing at least two kinds of fluororesin water repellent having particle or its agglomerate of different sizes is prepared and a process in which the above coating liquid is coated from the surface side of a porous base material to form a catalyst layer and calcined, and water repellency treatment is applied.例文帳に追加

粒子もしくはその凝集体のサイズの異なる少なくとも２種のフッ素樹脂撥水剤を分散した塗布液を調製する工程、および前記の塗布液を多孔質基材の触媒層を形成しようとする面側から塗布し、焼成して撥水処理を施す工程を有するガス拡散電極の製造方法。 - 特許庁