「surface step」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

A height distribution of a copper plated layer generated on a layered material surface after executing a step for filling the copper in a printed circuit board is measured using a height scanner, and a plurality of height values is selected thereafter in a copper coated area in a local part of a located portion of the each micropore.例文帳に追加

高さスキャン装置を利用して、プリント基板に銅を充填するステップを実施後に積層材料表面にできる銅めっき層の高さ分布を測定してから、各微孔の所在箇所の局部における銅被覆面積の複数個の高さ値を選択する。 - 特許庁

The method of manufacturing the light control film for controlling the optical characteristic is characterized in that a step is provided in which stress is applied to film material on the surface of which a predetermined notch pattern is given, and a craze or a crack starting from the notch pattern is generated.例文帳に追加

本発明の光学特性を制御する光制御フィルムの製造方法は、所定のノッチパターンが表面に付与されたフィルム材料に応力を加え、前記ノッチパターンを起点としてクレーズまたはクラックを発生させるステップを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device further comprises the steps of: forming an amorphous Si layer 26 on the opposite surface side of the epitaxial semiconductor layer 4 after the etching step; and forming an anti-reflection film and a color filter on the amorphous Si layer 26 in this order.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 - 特許庁

In the semiconductor device, a wiring layer 25A having the largest film thickness is disposed on a lower layer of a fourth insulating layer 26 subjected to planarization processing, thus greatly relieving a step by the wiring layer 25A on the surface of the fourth insulating layer 26.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、最も膜厚が厚くなる配線層２５Ａが、平坦化処理の施される第４の絶縁層２６の下層に配置されることで、第４の絶縁層２６表面には、配線層２５Ａによる段差が大幅に緩和される。 - 特許庁

A second GaN semiconductor layer 300 is formed on the upper surface of the step part 140, and at the same time, a third GaN semiconductor layer 400 is formed on the SiO2 film 6 due to the growth in the crosswise direction of the second GaN semiconductor layer 300.例文帳に追加

段差部４０の上面上に第２のＧａＮ系半導体層３００が形成されるとともに、第２のＧａＮ系半導体層３００の横方向の成長により、ＳｉＯ_2 膜６上に第３のＧａＮ系半導体層４００が形成される。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which prevents a film surface from creasing at a heat step of a color filter producing process, even if the film forming a color filter, a black matrix or the like is made thicker than a conventional film, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

本発明では、カラーフィルター、またはブラックマトリクス等を形成する膜の厚みを従来のものより厚くしても、カラーフィルター製造工程の熱工程で膜表面にしわの発生を防止する感光性樹脂組成物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When manufacturing the black steel sheet by blackening the surface of a Zn-Ni plated steel sheet and then further forming a coating layer, this method includes a step of heating the blackened steel sheet in a temperature range of 50 to 300°C before applying a treatment liquid for the coating layer.例文帳に追加

Zn−Niめっき鋼板の表面に、黒色化処理を施したのち、さらに被覆層を形成することによって黒色鋼板を製造するに際し、黒色化処理後、被覆層用処理液を塗布するまでの間に、50〜300℃の温度域で加熱処理を施す。 - 特許庁

In a step before mounting a first Y driver IC14 after attaching the resin layer 24 for adhesion to the electrode 22, the ACF 23 having the nonadhesive film is kept in a condition scarcely causing adhesion of impurities such as dust by the nonadhesive film 26 provided on the upper surface.例文帳に追加

接着用樹脂層２４を電極２２に貼り付けた後で第１のＹドライバＩＣ１４を実装する前の段階において、非粘着膜付きＡＣＦ２３は、上面の非粘着膜２６によって、ゴミなどの不純物が付着しずらい状態になっている。 - 特許庁

In a step S103, an internal standard sample in which a known amount of a target element is included in a base material which absorbs a known amount of X-rays is placed on the structure, and then X-rays are radiated to the surface of the structure through the internal standard sample.例文帳に追加

次に、ステップＳ１０３、Ｘ線の吸収量が既知の基材に対象となる元素が既知の含有量で含まれている内標準試料を構造物に重ねた状態で、内標準試料を通して構造物の表面にＸ線を照射する。 - 特許庁

The portable, convenient and simple board on the laps comprises a single board, a foldable stopper 2 for preventing the book or the like from moving from the right place and provided on the surface and a foldable step 5 capable of adjusting a tilting angle and provided on the back, allowing the person to easily read the book or the reference book or write letters as well.例文帳に追加

一枚の板の表に本などが、ずれてこない様に折りたたみストッパー２を付け、裏には、角度の調整できる、折りたたみ式のステップ５をつけることでひざの上で簡単な台ができ、容易に本や参考書が見ることができ、字も書ける。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a second conductivity type semiconductor region 12 in a part of the surface layer of a first conductivity type semiconductor 11 and growing an epitaxial growth layer 13 of a first conductivity type, second conductivity type or intrinsic semiconductor thereon.例文帳に追加

第１導電型半導体１１の表層の一部に第２導電型の半導体領域１２を形成し、それらの上に、第１，第２導電型または真性の半導体からなる結晶成長層１３を結晶成長させる工程を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the recording medium substrate 10 having the base material 11 and the plating film 12 formed on the base material comprises a plating step for making a plating bath act on a film formation surface 11A of the base material 11.例文帳に追加

本発明の方法は、基材１１と当該基材上に形成されためっき膜１２とを有する記録媒体基板１０を製造するためのものであり、基材１１の膜形成対象面１１Ａにめっき浴を作用させるめっき処理工程を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a substrate includes an element formation step (b) of forming an element on at least one surface of a film containing an aromatic polyether polymer of which a glass transition temperature (Tg) measured by differential scanning calorimetry (DSC, programming rate 20°C/min) is 230 to 350°C.例文帳に追加

（ｂ）示差走査熱量測定（ＤＳＣ、昇温速度２０℃／分）によるガラス転移温度（Ｔｇ）が２３０〜３５０℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含むフィルムの少なくとも一方の面に素子を形成する素子形成工程を含む基板の製造方法。 - 特許庁

A method includes a step of irradiating laser to a molding face including a bottom face of a cavity 12a of a molding die 12 with the laser being focused on the molding face, and forming a plurality of microscopic grooves 13 while moving the irradiation position so as to form a smooth surface including the microscopic grooves 13.例文帳に追加

モールド金型１２のキャビティ１２ａの底面を含む金型面にレーザー光をフォーカスしながら照射し、照射位置を移動しながら微細な溝１３を多数形成して当該多数の溝１３を含む滑面を形成する工程を含む。 - 特許庁

Thus, a space between the inner wall 64 of the lower wall 62 and a side wall outer surface 56 of a substrate transporting mechanism 3 is made narrow, thereby preventing wraparound of a processing gas into a chamber lower space 69 lower than the step 65 during processing of a semiconductor wafer 10.例文帳に追加

このようにしてチャンバ下側壁６２の内壁６４と基板移動機構３の側壁外面５６との間の空間を狭くすることにより、半導体ウエハ１０の処理中、段差部６５よりも下のチャンバ下空間６９への処理ガスの回り込みを防止する。 - 特許庁

The method for two-dimensionally arranging ferritin on a substrate whose surface has hydrophilicity includes a step of spreading a solvent and a solution having the ferritin on the substrate and a removal step of removing the solvent from the solution spread on the substrate, and the N-terminal of the ferritin is modified with an amino acid sequence represented by a specific sequence.例文帳に追加

フェリチンを基板上に二次元配列させる方法であって、前記基板の表面は親水性を有しており、前記方法は、溶媒および前記フェリチンを有する溶液を前記基板上に展開する工程、および前記基板上に展開した溶液から前記溶媒を除去する除去工程を包含し、前記フェリチンにはＮ末端に特定の配列で示されるアミノ酸配列が修飾されている。 - 特許庁

A manufacturing method of a battery electrode includes a step of acquiring an active material in which a metallic conductive material is supported by dispersing and supporting a metallic compound which is a conductive material precursor on a surface of the active material in an electroless plating method and a step of forming an active material layer including the active material and a binder on a collector without adding conductive materials other than the metallic conductive material.例文帳に追加

導電材前駆体である金属化合物を無電解メッキ法によって活物質表面に分散担持して、金属製導電材が担持されてなる活物質を得る工程と、前記金属製導電材以外の導電材を添加することなく、前記活物質とバインダとを含む活物質層を集電体上に形成する工程と、を含む、電池用電極の製造方法によって達成される。 - 特許庁

The process basically includes a step for supporting a predetermined quantity of metallic seals at non-sealing surface locations with the metallic seals disposed in series on a conveyor having a predetermined processing path, and a step for continuously moving the seals in series through an electro-plating stage of the processing path to electro-deposit a metallic coating on the seals using a high current density and a high chemical flow rate.例文帳に追加

本発明のめっき方法は、基本的に、所定数の金属シールを非シール表面位置で、金属シールが所定のプロセス経路を有するコンベアに直列に配置された状態で、支持するステップと、直列のシールを、高電流密度および高化学的フローレートを用いて金属コーティングをシール上に電着するプロセス経路の電気めっきステージを通して、連続的に移動させるステップと、を含む。 - 特許庁

This method comprises the steps of a first step for forming a hydrosol containing a semiconductive nano-crystal and/or a precursor thereof, and a second step for bringing the hydrosol into contact with an organic phase containing an oil-soluble surface-modifying molecule having bondability to the semiconductive nano-crystal and/or a precursor thereof to extract the semiconductive nano-crystal and/or a precursor thereof into the organic phase.例文帳に追加

半導体ナノ結晶及び／又はその前駆体を含有するヒドロゾルを生成させる第１工程、及び該半導体ナノ結晶及び／又はその前駆体への結合性を有する脂溶性表面修飾分子を含有する有機相と該ヒドロゾルとを接触させて該半導体ナノ結晶及び／又はその前駆体を有機相へ抽出する第２工程を含む半導体ナノ粒子の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a plurality of integrated photosensors arranged on the same substrate, each composed of at least a lower electrode layer 103, a semiconductor layer 105 and an upper electrode 107, comprises a step of forming an insulation film 108 on the surface of the electrode layer or the semiconductor layer and a step of scribing at least the electrode layer or the semiconductor layer, starting from the insulation film 108.例文帳に追加

少なくとも下部電極層１０３と、半導体層１０５と、上部電極層１０７とからなる光起電力素子を同一基板上に複数配列してなる集積型光起電力素子の製造方法において、電極層または半導体層の表面に絶縁膜１０８を形成する工程と、絶縁膜１０８側から少なくとも電極層または半導体層をスクライブする工程とを有する。 - 特許庁

Step portions 27 and 28 are formed at pixel electrodes 9a1 and 9a2 respectively, so that even when potentials of the pixel electrodes 9a1 and 9a2 are set to mutually different potentials during operation of a liquid crystal device 1, an influence of a lateral electric field produced along a substrate surface between the step portions 27 and 28 on an alignment state of liquid crystal between the pixel electrodes is reducible.例文帳に追加

画素電極９ａ１及び９ａ２の夫々に段差部２７及び２８が形成されているため、液晶装置１の動作時に画素電極９ａ１及び９ａ２の夫々の電位が相互に異なる電位に設定された場合でも、段差部２７及び２８間で基板面に沿って生じる横電界がこれら画素電極間に存在する液晶の配向状態に及ぼす影響を低減できる。 - 特許庁

This cutting method is a method for cutting a disk-shaped workpiece by the cutting blade, which includes an incision step of cutting by the rotating cutting blade from an upper surface side of the workpiece into an outer periphery of the workpiece to a specified precut depth; and a cutting step of moving relatively the cutting blade in a precut state and the workpiece to cut the workpiece by the cutting blade.例文帳に追加

円板状の被加工物を切削ブレードで切削する切削方法であって、被加工物の上面側から該切削ブレードを回転させつつ被加工物の外周部に所定の深さで切り込ませる切込みステップと、被加工物に所定深さで切り込んだ状態の該切削ブレードと被加工物とを相対移動させて、被加工物を該切削ブレードで切削する切削ステップと、を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

A coating layer containing a composite material is uniformly formed on the surface of a core particle by dispersing a conductive material in a resin which constitutes a coating layer so as to prepare a composite material (dispersion step), mixing the composite material and core particles in a supercritical fluid (carbon dioxide) (mixing step), and further reducing the pressure of the obtained mixture to lower than the critical pressure of the supercritical fluid.例文帳に追加

導電材料を、被覆層を形成する樹脂中に分散処理して複合材料を形成し（分散工程）、その複合材料と核体粒子とを、超臨界流体（二酸化炭素）中で混合し（混合工程）、さらに、得られた混合物を、超臨界流体の臨界圧力未満に減圧することによって、核体粒子表面に、複合材料を含む被覆層を、均一に形成する。 - 特許庁

The ink repellent partition wall manufacturing method includes: a step of forming the partition wall, in which the partition wall is formed on a substrate; and an applying step of selectively applying an ink repellent compound on an upper surface of the partition wall.例文帳に追加

基板上に隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁の上面に選択的に撥インク性化合物を付与する付与工程を含むことを特徴とする撥インク性隔壁の製造方法及びその方法により得られた撥インク性隔壁、この撥インク性隔壁を有する基板を用いたカラーフィルタの製造方法及びこの方法により製造されたカラーフィルタ、並びにこのカラーフィルタを用いた液晶表示装置。 - 特許庁

The plating pretreatment method 10 for an object to be treated made of an aluminum alloy member includes an etching step 12 of etching the object by using alkaline etching solution, a desmutting step 13 of cleaning a surface of the etched object by using a desmutting solution containing phosphoric acid and hydrogen peroxide, and zinc-substitution steps 14, 16 of immersing the desmutted objected in zinc substitution solution.例文帳に追加

アルミニウム合金部材からなる被処理物のめっき前処理方法１０は、前記被処理物を、アルカリエッチング液を用いてエッチングするエッチング処理工程１２と、前記エッチング処理された被処理物の表面を、リン酸と過酸化水素を含むデスマット処理液を用いて清浄するデスマット処理工程１３と、前記デスマット処理された被処理物を、亜鉛置換液に浸漬する亜鉛置換処理工程１４、１６とを含む。 - 特許庁

A process for manufacturing the friction driving belt includes a step of hot molding an elastomer composition in which hollow particles 18 are blended, thereby forming a belt body preform, and a step of cutting the formed belt body preform, thereby partially cutting away the hollow particles 18 blended into the elastomer composition to form the pulley contact part 13 with a multiplicity of cellular pits 15 composed on the pulley contact surface.例文帳に追加

摩擦伝動ベルトの製造方法は、中空粒子１８が配合されたエラストマー組成物を加熱成形することによりベルト本体前駆体を形成するステップと、形成されたベルト本体前駆体を切削して、エラストマー組成物に配合された中空粒子１８の一部が切除されることにより多数のセル状凹孔１５がプーリ接触表面に構成されたプーリ接触部分１３を形成するステップとを備える。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device by applying a protection tape 60 having a circumferentially-extending outer periphery to a semiconductor wafer 50 having a circumferentially-extending outer periphery, comprises an edge detection step of detecting a location of an edge 50b of the semiconductor wafer 50 and an application step of positioning the semiconductor wafer 50 by using the detected position and applying the protection tape 60 to a surface of the semiconductor wafer 50.例文帳に追加

円周状に伸びる外周縁を有する半導体ウエハ５０に、円周状に伸びる外周縁を有する保護テープ６０を貼り付けて半導体装置を製造する製造方法であって、半導体ウエハ５０の端部５０ｂの位置を検出する端部検出工程と、検出した位置を用いて位置合わせして、半導体ウエハ５０の表面に保護テープ６０を貼り付ける貼付工程を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the partition wall in the biochip 100, equipped with the substrate 10 and the partition wall 20 demarcating the surface thereof, includes a step of forming a first film on the substrate 10 using a composition containing a colorant (A), an acylphosphine oxide type radiation-sensitive polymerization initiator (d) and the polyfunctional monomer (C) and a step of patterning the first film by a lithography to form the partition wall 20.例文帳に追加

基板１０とその表面を区画する隔壁２０とを備えるバイオチップ１００における隔壁を製造する方法であって、着色剤（Ａ）とアシルホスフィンオキサイド系感放射線性重合開始剤（ｄ）と多官能性単量体（Ｃ）とを含む組成物を用いて基板１０上に第１膜を形成する工程と、第１膜をリソグラフィー法によりパターニングして隔壁２０を形成する工程を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing a microlens array having a plurality of microlenses projecting like hemispherical surfaces on one surface includes: a resist forming step of forming a resist layer for formation of shapes of microlenses, on an organic film layer being a material layer of the microlenses; and an etching step of etching the formed resist layer and the organic film layer by using mixed gas resulting from mixing molecules including hydrogen and molecules including fluorine.例文帳に追加

一方の面に、略半球面状に突出したマイクロレンズを複数有するマイクロレンズアレイの製造方法であって、マイクロレンズの材料層となる有機膜層の上にマイクロレンズの形状を形成するためのレジスト層を形成するレジスト形成工程と、形成したレジスト層および有機膜層を、水素を含む分子およびフッ素を含む分子を混合させた混合ガスを用いてエッチングするエッチング工程とを含む。 - 特許庁

A manufacturing method of a circuit board in which a cured film is formed by curing a silane coupling agent on a surface of at least a part of a metal part of a conductive part comprises: an ultraviolet light irradiation step of irradiating a part of the cured film with ultraviolet light; and an irradiated part removal step of removing the part irradiated with the ultraviolet light.例文帳に追加

回路基板の製造方法は、導電部における少なくとも一部の金属部分の表面にシランカップリング剤が硬化されてなる硬化膜が形成された回路基板の製造方法において、前記硬化膜の一部に紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記紫外線により照射された被照射部分を除去する被照射部分除去工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a film at the edge 10a of the semiconductor wafer by forming a film on the surface of the semiconductor wafer 10 by a thermal oxidation method or a CVD method and a step of polishing and removing the film formed at the edge section by spraying a polishing material 12 to the edge section of the semiconductor wafer.例文帳に追加

本発明に係るの半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ１０の表面に熱酸化法又はＣＶＤ法により膜を成膜することにより、前記半導体ウエハのエッジ部１０ａにも前記膜が成膜される工程と、前記半導体ウエハのエッジ部に研磨材１２を吹き付けることにより、前記エッジ部に成膜された膜を研磨して除去する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The heating resistor 26 and the circuit resistor 45 are formed through a step of forming a resistor layer on the head substrate 22 by a thin film process and a step of forming an electrode layer having heating resistor electrodes 29 and circuit resistor electrodes 43 in a part of the surface of the resistor layer such that a part of the resistor layer becomes the heating resistor 26 and the circuit resistor 45 for example.例文帳に追加

発熱抵抗体２６および回路抵抗体４５は、たとえばヘッド基板２２上に薄膜プロセスで抵抗体層を形成する工程と、抵抗体層の一部が発熱抵抗体２６および回路抵抗体４５となるように抵抗体層の表面の一部に発熱抵抗電極２９および回路抵抗電極４３を備えた電極層を形成する工程と、によって形成される。 - 特許庁

Its manufacturing method comprises a step of forming the silicon oxide film on one or both sides of the original resin transparent substrate while giving treatment thereto with the flames of fuel gas containing a silicon-containing compound and oxygen, and a step of forming the conductive layer on the surface of the silicon oxide film while applying conductive highpolymer solution containing the π conjugated conductive highpolymer, the polyanion and solvent.例文帳に追加

本発明の透明導電体の製造方法は、樹脂製の透明基板原板の片面または両面に、ケイ素含有化合物および酸素を含む燃料ガスの火炎による処理を施して酸化ケイ素膜を形成させる工程と、前記酸化ケイ素膜の表面に、π共役系導電性高分子とポリアニオンと溶媒とを含有する導電性高分子溶液を塗布して導電層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method for bonding a first resin and a second resin to each other comprises (I) the step of irradiating the surface of the first resin and that of the second resin as the adhesive surfaces with ultraviolet light and (II) the step of raising temperature under mutual contact of the above surfaces after irradiated to bond the first resin and the second resin to each other with the above surfaces as the adhesive surfaces.例文帳に追加

第１の樹脂と第２の樹脂とを接着する樹脂の接着方法であって、（Ｉ）接着面となる前記第１および第２の樹脂の表面に紫外光を照射する工程と、（II）前記照射後の前記表面を互いに接触させた状態で昇温することにより、前記表面を接着面として前記第１の樹脂と前記第２の樹脂とを接着する工程とを含む接着方法とする。 - 特許庁

The SiC/Si composite material having 0.5-5 mm thickness and small warpage of ≤1 mm per 100×100 mm^2 unit area in the thickness direction after sintered even when surface grinding is not applied is obtained by the manufacturing method including a step for cutting a graphite sheet and a step for reacting the graphite sheet with molten Si and sintering.例文帳に追加

黒鉛シートを切断する工程と、前記黒鉛シートと溶融Ｓｉを反応焼結させる工程とを含む複合材料の製造方法により、表面研削処理を施さなくても、該複合材料の焼結後の厚みが０．５ｍｍ〜５ｍｍであり、かつ、該複合材料の焼結後の単位面積１００×１００ｍｍ^2当たりの厚み方向の反り量が１ｍｍ以内となるＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を得る。 - 特許庁

This method for producing a recyclable electrophotographic roller having a step for removing the developer-derived fixed material fixed to the surface of an electrophotographic roller 1, includes a step for circumferentially rotating the electrophotographic roller 1 immersed in a dilatant fluid 2 including spherical particles to improve the viscosity of the dilatant fluid 2.例文帳に追加

電子写真用ローラ１の表面に固着している現像剤由来の固着物を除去する工程を有する再生電子写真用ローラの製造方法であって、該工程は、球状粒子を含むダイラタンシー性流体２に浸漬した該電子写真用ローラ１をその周方向に回転させて該ダイラタンシー性流体２を高粘性化する工程を含むことを特徴とする再生電子写真用ローラの製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the core-shell metal oxide particulate comprises: a core metal oxide particulate formation step of forming the core metal oxide particulate to which 1-40 atom% metal composing a shell metal oxide is previously added based on the total amount of the core metal oxide particulate and; a shell formation step of coating the surface of the core metal oxide particulate with the shell metal oxide.例文帳に追加

シェル金属酸化物を構成する金属を予めコア金属酸化物微粒子全体に対し１原子％〜４０原子％添加してコア金属酸化物微粒子を形成するコア金属酸化物微粒子形成工程と、コア金属酸化物微粒子の表面をシェル金属酸化物で被覆するシェル形成工程と、を含むコア−シェル型金属酸化物微粒子の製造方法である。 - 特許庁

In the plastic molding method for molding the plastic molded article 1010, a discrimination step for discriminating the kind of used plastics and a molding step using the used plastics as core layers 1025,1035 and using virgin plastics to form surface layers 1020, 1030 on the surfaces of the core layers 1025, 1035 by a sandwich molding method to obtain the plastic molded article 1010 are included.例文帳に追加

プラスチック成形品１０１０を成形するためのプラスチックの成形方法であり、使用済みのプラスチックの種類を判別する判別ステップと、種類が判別された使用済みのプラスチックをコア層１０２５，１０３５として使用し、バージンのプラスチックをコア層１０２５，１０３５の表面に表面層１０２０，１０３０としてサンドイッチ成形法により形成してプラスチック成形品１０１０を得る成形ステップを含む。 - 特許庁

A method for forming the multi-space pipe 10 with an internal space thereof partitioned into a plurality of spaces by partitioning walls 12 extending in the longitudinal direction comprises a step of preparing a pipe 101 having projecting bars 12t extending in the longitudinal direction formed on an inner circumferential surface, and a step of forming the partitioning walls 12 of the projecting bars 12t.例文帳に追加

本発明によると、長手方向に延びる仕切り壁１２によって、内部空間が複数の空間に仕切られている多空間パイプ１０の成形方法であって、長手方向に延びる突条１２ｔが内周面に形成されているパイプ１０１を準備する工程と、パイプ１０１を平たくする方向に塑性変形させ、突条１２ｔで仕切り壁１２を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the catalyst for producing the methacrylic acid used when producing the methacrylic acid by subjecting methacrolein to gas phase contact oxidization with the molecular oxygen and produced by the method including a shaping step for shaping powdery precursor of the catalyst by a machine, parts contacting the machine and parts not contacting the machine in the shaping step coexist on the surface.例文帳に追加

メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化してメタクリル酸を製造する際に用いられ、粉状の触媒前駆体を機械装置で成形する成形工程を含む製造方法により製造されるメタクリル酸製造用触媒であって、表面に、前記成形工程で前記機械装置に接触した部分と接触していない部分とが併存しているメタクリル酸製造用触媒。 - 特許庁

The process for the production of a rapid prototyping model for electrolytic or electrophoretic deposition includes a step of providing a mixture of one or more fluid, solidifiable materials and one or more electrically conductive substances and a step of producing the rapid prototyping model by rapid prototyping using the mixture, such that the rapid prototyping model produced is electrically conductive in one or more areas of its surface and has a pore structure in its inside.例文帳に追加

製造工程が、流動性があり固化可能な材料と導電性物質を準備する工程と、その混合物を用いてラピッドプロトタイピングによりラピッドプロトタイピングモデルを作製し、その結果、その表面の１以上の領域で導電性であり、かつ、その内部において多孔質構造を有するようにする工程とからなる電解または電気泳動析出用のラピッドプロトタイピングモデルの製造方法。 - 特許庁

The dicing process dividing the semiconductor substrate 12 into individual semiconductor elements includes applying step for applying an adhesive 11 having fluidity onto a base material 10 provided at a fixed position of a dicing stage 13 provided in a dicing device, and an adhesion step for adhering one surface part of the semiconductor substrate 12 to the base material 10 by the adhesive 11.例文帳に追加

半導体基板１２を個々の半導体素子に分割するダイシング工程であって、ダイシング装置に備えられるダイシングステージ１３の固定位置に設けられる基材１０に、流動性を有する粘着剤１１を塗布する塗布段階と、半導体基板１２の一方の表面部を、前記粘着剤１１によって基材１０に粘着する粘着段階とを有するダイシング工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing an inkjet recording head includes a metal mask formation step of forming a metal mask 19 having a predetermined shape containing a silicide film 16 formed by silicidation of the surface of a flow path forming substrate wafer 110 containing a silicon substrate and a liquid flow path formation step of forming a liquid flow path by anisotropically etching the flow path forming substrate wafer 110 using the metal mask 19 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板からなる流路形成基板用ウェハ１１０の表面をシリサイド化させて形成したシリサイド膜１６を含む所定形状のメタルマスク１９を形成するメタルマスク形成工程と、メタルマスク１９をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより液体流路を形成する液体流路形成工程と、を有するインクジェット式記録ヘッドの製造方法を採用する。 - 特許庁

The manufacturing method of the engine block 10 includes the steps of: forming the coating film by blowing a coating material for coating the inner peripheral face of a cylinder liner 12 on the inner peripheral face; grinding the surface of the coating film; and heating the coating film after the grinding step and melting a projected part existing on the surface.例文帳に追加

シリンダライナ１２の内周面を被覆する被覆材料を内周面に吹き付けることによって被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、同被覆膜の表面を研削する研削工程とを備えるエンジンブロック１０の製造方法において、研削工程が終了した後に被覆膜を加熱してその表面に存在する突起部を溶融させる加熱工程を備える。 - 特許庁

The method for controlling the surface topography of an adhesion plane comprises a step in which a microreplicated topography is formed from contacting a microembossed pattern to a layer of an adhesive so that the topography of the adhesive surface controls the performance of the adhesion interface when the adhesion interface is established between the layer of an adhesive and a supporting substrate.例文帳に追加

接着面の表面形態を制御する方法であって、接着剤層と支持基材との問に接着界面が確立されると、接着面の表面形態がその接着剤と前記支持基材との間の接着界面の性能を制御するように、微細エンボスパターンを接着剤層に接触させて、微細複製接着面を形成するステップを含む方法を開示する。 - 特許庁