「surface step」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

The image forming part 20 of the image forming apparatus 1 performs the destaticizing step for eliminating the residual charge of a photoreceptor drum 22 before removing toner remaining on the surface of the drum.例文帳に追加

画像形成装置１の画像形成部２０は、感光体ドラム２２の残留電荷を除去する除電工程を、ドラム表面に残留するトナーをクリーニングする前に実行する。 - 特許庁

In the case of the aluminum alloy, the aluminum alloy is subjected to the surface treatment with an acid solution containing metal, ions, such as tervalent iron ions, capable of removing copper (a pretreatment process step).例文帳に追加

アルミニウム合金の場合は、化成処理に先立ち、３価の鉄イオン等の銅を除去可能な金属イオンを含む酸溶液によりアルミニウム合金を表面処理する（前処理工程）。 - 特許庁

The step of heating the forming surface of the forming element includes heating it to a temperature higher than the softening point of the heat-deformable material of the applicator portion.例文帳に追加

形成要素の形成表面を加熱するステップは、形成要素の形成表面を、アプリケーター部分の熱変形可能な材料の軟化点より高い温度まで加熱するステップを含む。 - 特許庁

A method for decomposing organic matter comprises a step of irradiating the photocatalyst with the short-wavelength light 5 having the wavelength shorter than that of near ultraviolet light to decompose the organic matter existing on the surface of the photocatalyst.例文帳に追加

この光触媒に近紫外光の波長以下の短波長光５を照射することによって、光触媒の表面に存在する有機物を分解する有機物分解方法。 - 特許庁

When a nitride semiconductor layer is grown on the n-GaN off substrate 1 comprising the off surface, the crystal growth of the nitride semiconductor layer takes place mainly in step flow mode.例文帳に追加

このようなオフ面を有するｎ−ＧａＮオフ基板１上に窒化物系半導体層を成長させる場合、窒化物系半導体層の結晶成長が主としてステップフローモードで起こる。 - 特許庁

To provide a method for producing a crystal without roughening on the crystal surface required in the market in a crystallizing step of the monosodium glutamate monohydrate crystal.例文帳に追加

本発明は、グルタミン酸一ナトリウム一水和物結晶の晶析工程において、市場で求められる結晶表面に荒れのない結晶の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Thereafter, in the second step, the porous sintered material 50 is immersed in the chemical solution to chemically or electrochemically oxidize at least the outer peripheral surface of the porous sintered material 50.例文帳に追加

その後、第２工程では、化成液内に多孔質焼結体50を浸漬させることにより、該多孔質焼結体50の少なくとも外周面を化学的又は電気化学的に酸化させる。 - 特許庁

In addition, light emitting-side alloying heat treatment which is performed for alloying a light emitting surface-side metallic junction layer 9a' and a compound semiconductor layer 50 is performed before the element substrate sticking step.例文帳に追加

また、光取出面側接合金属層９ａ’と化合物半導体層５０とを合金化する光取出側合金化熱処理が、素子基板貼り合わせ工程の前に実施される。 - 特許庁

Flame surface reaching timing θw is calculated by using combustion speed progress Sf and s(θ) provided by a unidimensional CFD arithmetic operation, piston speed progress Sp(θ) and the shortest distance progress Lw(θ) (Step 106).例文帳に追加

１次元ＣＦＤ演算により得られた燃焼速度経過Sf,s(θ)と、ピストン速度経過Sp(θ)と、最短距離経過Lw(θ)とを用いて、火炎面到達時期θwを算出する（ステップ１０６）。 - 特許庁

A method for operating the downstream plasma boundary layer shielding system includes a step of forming plasm covering the film cooling opening along the outer high temperature surface of the wall and extending in the downstream direction.例文帳に追加

下流プラズマ境界層遮蔽システムを作動させる方法は、壁の外側高温表面に沿ってフィルム冷却開口を覆って下流方向に延びるプラズマを形成する段階を含む。 - 特許庁

The piston side clearance gradually changing part 20J is formed so that a diameter of the piston 20 becomes gradually small toward the top surface opposite side end part of the piston 20 from the piston side step height part Kp.例文帳に追加

ピストン側クリアランス徐変部２０Ｊは、ピストン側段差部Ｋｐからピストン２０の頂面反対側端部へ向かって、ピストン２０の直径が徐々に小さくなるように形成される。 - 特許庁

In the adhering step, toner base particles with adhered mixed particles are obtained by mixing the mixed particles and toner base particles under stirring to adhere the mixed particles on the surface of the toner base particles.例文帳に追加

付着工程では、混合粒子と、トナー母粒子とを撹拌下で混合し、トナー母粒子の表面に混合粒子を付着させて混合粒子付着トナー母粒子を得る。 - 特許庁

When the second etching step starts, a portion of the top surface of the bottom forming layer 42 located in a region in which the second portion is to be formed is covered with the initial groove mask 54.例文帳に追加

第２のエッチング工程の当初は、第２の部分が形成される予定の領域における底部形成層４２の上面の一部が初期溝マスク５４によって覆われている。 - 特許庁

Then, the small sample is recovered from the reactor and an indenting tool for measuring the hardness of the sample is squeezed into the surface of the sample to be measured in order to determine the relation between the indentation depth and load (Step S3).例文帳に追加

その後、小型試料を原子炉から回収して被測定表面に硬さ測定用押込み圧子を押込み、押込み深さと押込み荷重との関係を求める（工程Ｓ３）。 - 特許庁

In a joining step, the edge of the flange part is joined to the outer circumferential surface of the cylindrical collar part while the cylindrical collar part is held at a normal position to be joined to the edge of the flange part.例文帳に追加

接合工程では、筒状カラー部を、フランジ部の端縁に接合すべき正規位置に保持した状態で、フランジ部の端縁を筒状カラー部の外周面に対して接合する。 - 特許庁

In a first lathe turning step, the approach angle β of the lathe turning blade 11 to an outer peripheral surface of a crank pin 2 is specified to be smaller than an angle α at the tip of the blade 11 (β<α).例文帳に追加

第１旋削工程において、クランクピン２の外周面への旋削刃１１の進入角度βを、旋削刃１１の先端部の角度αよりも小さくなるように設定する（β＜α）。 - 特許庁

A scaffolding member 3 on which a worker can step is arranged in front of the front surface parts 21 of the machining centers 2, and it is favorable that the chip conveyor 5 is arranged below the scaffolding member 3.例文帳に追加

マシニングセンタ２の前面部２１の前方には、作業者が搭乗可能な足場部材３が配設されており、足場部材３の下方にチップコンベア５が配設されていることが好ましい。 - 特許庁

The manufacturing method has a step for exposing the surface of the base layer to an Ar gas which has 0.1 to 10 Pa gas pressure and into which the oxygen of 1 to 10% mass flow rate is mixed for 1 to 10 sec.例文帳に追加

また、下地層の表面を、質量流量比１〜１０％の酸素を混合したガス圧０．１〜１０ＰａのＡｒガス中に１〜１０秒間曝露する工程を備える。 - 特許庁

In step b, an LED chip 20 is bonded to the uppermost surface of the main piece 16, a reflection ring 30 is molded on the main piece 16, and further the chip 20 is located at the center of the reflection ring 30.例文帳に追加

ステップｂでは、主片１６の最上面にＬＥＤチップ２０を接合し、主片１６の上に反射リング３０を成型し、チップ２０を反射リング３０の中央に位置させる。 - 特許庁

Next, the fixing roller is rotated backward and the first cleaning rotation step P2 (time S1 to S2) is performed so that the attached toner on a guide surface side of the separation pawl is made to transfer to the fixing roller.例文帳に追加

次に、定着ローラを逆回転させて第１のクリーニング回転工程Ｐ２（時間Ｓ１〜Ｓ２）を行うことで、分離爪のガイド面側の付着トナーを定着ローラに転移させる。 - 特許庁

Consequently, the opening width of the slit 38 on the outer circumferential surface 32A of the reel hub 32 is extremely small and the step that the magnetic tape 14 taken up by the reel hub 32 has is extremely small.例文帳に追加

このため、リールハブ３２の外周面３２Ａにおけるスリット３８の開口幅は極めて小さく、該リールハブ３２に巻き取られる磁気テープ１４に生じる段差は極めて小さい。 - 特許庁

The nitridation method comprises a step of irradiating a material (a glass substrate 30 having a TiO_2 film 32 on the surface thereof) with an atmospheric-pressure plasma jet 2 generated by using a gaseous raw material 40 containing nitrogen at the least.例文帳に追加

窒素を少なくとも含む原料ガス４０を用いて発生させた大気圧プラズマジェット２を材料（ＴｉＯ_2膜３２が表面に形成されたガラス基板３０）に照射する。 - 特許庁

A step 20 capable of making a worker ride thereon provided inward of an engine hood 7 and mounted to the upper surface of an engine room 6 in an operable manner is provided across an engine 10.例文帳に追加

エンジンルーム６の上面に開閉自在に設けたエンジンフード７の内方で、かつエンジンルーム６の上部に、作業者が乗ることのできるステップ２０をエンジン１０を跨いで設ける。 - 特許庁

To provide a one-step process for producing and depositing size-selected nanoparticles onto a substrate surface using ultrafast pulsed laser ablation of solid target materials.例文帳に追加

本発明は、固体ターゲット材料の超高速パルスレーザ融除を利用して、選択したサイズのナノ粒子を生成し、これを基板表面上に堆積させるためのワンステップ工程を提供する。 - 特許庁

In this case, the method further comprises the step of always heating the inner surface of the cavity 14 between both the molds by a heater 20 provided at least at one of the mold 11 and the mold 12.例文帳に追加

この場合、固定金型１１と可動金型１２との少なくともいずれか一方に設けられたヒータ２０により、両金型間のキャビティ１４の内面を常時加熱しておく。 - 特許庁

A linear component is calculated from a distribution of the second line width within the wafer surface (step S7), and light exposure quantity is corrected for every exposure region based on the linear component (steps S8 and S9).例文帳に追加

第２の線幅のウェハ面内分布から線形成分を算出し（ステップＳ７）、当該線形成分に基づいて露光量が各露光領域毎に補正される（ステップＳ８、Ｓ９）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical element having a free curved surface where an anti-reflection structure is formed in a short step with precision, and to provide an optical element obtained by this method.例文帳に追加

反射防止構造が形成された自由曲面を有する光学素子を短い工程で精度良く製造する方法及びそれにより得られる光学素子を提供する - 特許庁

In the second step, the Hf-Si film is irradiated with near ultraviolet light when the Hf-Si film is oxidized and a surface layer portion of the Si substrate is oxidized to form an SiO_2 film 104.例文帳に追加

第２工程において、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化する際にＨｆ−Ｓｉ膜に近紫外光を照射し、Ｓｉ基板の表層部を酸化してＳｉＯ_２膜１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a rear luggage compartment structure of a vehicle for making elimination of a step between a seat back and a luggage compartment floor surface in folding a seat compatible with securement of usability of the seat.例文帳に追加

シート折畳み時におけるシートバックと荷室フロア面との間の段差の解消と、荷室およびシートの使い勝手確保との両立を図る車両の後部荷室構造を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the annealed wafer by heat treating a silicon wafer includes a step of dissolving an oxygen precipitate on the surface of the wafer before the heat treating.例文帳に追加

シリコンウエーハに熱処理を行うことによってアニールウエーハを製造する方法であって、該熱処理を行う前に該シリコンウエーハ表面の酸素析出物を溶解させるようにした。 - 特許庁

At the end of the vehicle inner side of the outer ring 2, an vehicle-body mounting flange 2b is formed which has a circular mounting hole 2b1 suitable for the outside circumferential surface 21a of the mounting step 21.例文帳に追加

外輪２の車両インナ側の端部には、取付段部２１の外周面２１ａと嵌まり合う円形状の取付孔２ｂ１を有する車体取付フランジ部２ｂが形成される。 - 特許庁

Preferably, steps are formed on a top of the pattern termination portion, and two ridge-like protrusions are formed on a lower surface of a step at a front end side in the steps, so that a position of a solder ball is stabilized.例文帳に追加

好ましくは、パターン終端部の上面に段差を形成し、該段差のうちの先端側の低い面上には２本の尾根状突起部を形成し、半田ボールの位置を安定させる。 - 特許庁

When the lower sidewall 24 is inserted into an internal surface 12c of a sidewall 12 of the container body 10, the step 23 is supported by an upper end 12a of the sidewall 12 of the container body 10.例文帳に追加

下側側壁部２４を容器本体１０の側壁部１２の内面１２ｃに挿入したときに、段差部２３が容器本体１０の側壁部１２の上端部１２ａで支えられる。 - 特許庁

The transparent conductive material is obtained by two-step film forming processes including a process of forming a seed crystal layer on one surface of the substrate and a process of further forming a zinc oxide layer on the seed crystal layer.例文帳に追加

基材の片面に種結晶層を形成し、この種結晶層の上に酸化亜鉛層をを形成するという２段階の成膜プロセスを経て得られる透明導電性材料。 - 特許庁

Next, in a step ST13, the complexity index on the surface of 3D shape to become the alignment object is calculated from the feature image and the complexity of the feature image is digitized.例文帳に追加

次に、ステップＳＴ１３において、特徴画像から位置合わせ対象となる３次元形状表面の複雑度指数を算出し、特徴画像の複雑さを数値化する。 - 特許庁

At constant speed, distance between a pickup and a disk is swept (Step 1000), and interlayer spacing from a surface layer to a recording layer is measured as elapsed time T (Steps 1002, 1004, and 1006).例文帳に追加

ピックアップとディスクの間の距離を一定速度で掃引し（ステップ１０００）、表面層から記録層までの層間隔を経過時間Ｔとして計測する（ステップ１００２，１００４，１００６）。 - 特許庁

In the step of forming a moistureproof layer, after the vent holes 3a are formed in the moistureproof sheet 3, the moistureproof sheet 3 is bonded to the surface of the wooden base material 1 with the aqueous adhesive.例文帳に追加

防湿層形成工程では、防湿シート３に複数の通気孔３ａを形成した後、該防湿シート３を木質基材１の表面に水性の接着剤にて接着する。 - 特許庁

To solve the problem that springs are stuck to each other by the surface tension of a solvent, or the like, and are eventually broken by decreasing the number of times to perform a lithography process step in a method for manufacturing the springs.例文帳に追加

ばねの製造方法において、リソグラフィの工程を行なう回数を少なくし、溶剤などの表面張力でばね同士がくっついて破損するという問題を解決する。 - 特許庁

The method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device comprises a step of forming a gate dielectric film having a plurality of dielectric films BTM, CS, and TOP including a charge storage film CS on a surface of a semiconductor CH formed with a channel.例文帳に追加

チャネルが形成される半導体ＣＨ表面に、電荷蓄積膜ＣＳを含む複数の誘電体膜ＢＴＭ，ＣＳ，ＴＯＰからなるゲート誘電体膜を形成する。 - 特許庁

Subsequently, it is immersed into water having dissolved oxygen concentration of 3.0 ppm in units of mass thus removing deposit on the surface of the magnet element produced through dissolution (step S106).例文帳に追加

続いて、溶存酸素濃度が質量単位で３．０ｐｐｍ以下の水に浸漬処理し、溶解処理により生じた磁石素体の表面の付着物を除去する（ステップＳ１０６）。 - 特許庁

The method is used for producing a semiconductor photoelectrode for water decomposition recycled from a silicon substrate containing a p semiconductor layer and an n semiconductor layer which constitute a solar battery and comprises a step of removing a metallic electrode from the silicon substrate of the solar battery, a step of forming a photocatalyst layer on the surface of the p semiconductor layer, and a step of forming a metallic electrode on the surface of the n semiconductor layer.例文帳に追加

太陽電池を構成するｐ型半導体層およびｎ型半導体層を含むシリコン基板を再利用する水分解用半導体光電極の製造方法であって、太陽電池のシリコン基板中の金属電極を除去する工程と、ｐ型半導体層表面に光触媒層を形成する工程と、ｎ型半導体層表面に金属電極を形成する工程と、を含む、水分解用半導体光電極の製造方法が提供される。 - 特許庁

The method for manufacturing a polarized light diffractive cholesteric liquid crystal film contains the first step to form a cholesteric liquid crystal film on an alignment supporting substrate, the second step to transfer a diffraction pattern of a diffraction element substrate to the surface of the cholesteric liquid crystal film and to form a region exhibiting diffractiveness on a part of the film and the third step to release the alignment supporting substrate from the cholesteric liquid crystal film.例文帳に追加

配向支持基板上にコレステリック液晶フィルムを形成する第１工程、コレステリック液晶フィルム面に回折素子基板の回折パターンを転写し、フィルムの一部に回折能を示す領域を形成する第２工程、及びコレステリック液晶フィルムから配向支持基板を剥離する第３工程、を含む偏光回折性コレステリック液晶フィルムの製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the ZnO nanowire by using ultrasonic energy comprises: a first step of forming a Zn layer on the surface of a substrate; a second step of patterning the Zn layer; and a third step of putting the resulting substrate in a mixed solution of a Zn-containing solution with a Zn ionization solution and forming the ZnO nanowire on the Zn layer by using an ultrasonic generator.例文帳に追加

基板の表面にＺｎ層を形成する第１段階と、Ｚｎ層をパターニングする第２段階と、基板をＺｎを含む溶液とＺｎをイオン化する溶液との混合溶液に入れ、超音波発生器を使用し、Ｚｎ層上にＺｎＯナノワイヤを形成する第３段階とを含むことを特徴とする超音波エネルギーを利用したＺｎＯナノワイヤの製造方法である。 - 特許庁

Flashing operation applying a drive signal unrelated to printing to a recording head to perform the empty ejection of ink drops (step S17) is performed between first sucking operation sealing the nozzle forming surface of the recording head by a capping means and allowing negative pressure to act by a suction pump to suck and discharge ink from the recording head (step S13) and second sucking operation (step S19).例文帳に追加

キャッピング手段によって記録ヘッドのノズル形成面を封止し、吸引ポンプによる負圧を作用させて、記録ヘッドからインクを吸引排出させる第１吸引動作（ステップＳ１３）と、第２吸引動作（ステップＳ１９）との間に、記録ヘッドに対して印刷とは関係のない駆動信号を印加してインク滴を空吐出させるフラッシング動作（ステップＳ１７）を実行させるようになされる。 - 特許庁

The laminated copper foil is manufactured through a step 1 for laminating a Ni plating layer and a Sn plating layer in this order at least on a part of the copper or copper alloy base material, a step 2 for forming the NiSn alloy layer on the boundary surface of the Ni plating layer and the Sn plating layer by a diffusion reaction, and a step 3 for removing the residual Sn plating layer.例文帳に追加

該積層銅箔は、銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にＮｉめっき層及びＳｎめっき層をこの順に積層する工程１と、該Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の界面に拡散反応によってＮｉＳｎ合金層を形成する工程２と、残留Ｓｎめっき層を除去する工程３とを行うことによって製造することができる。 - 特許庁