「surface-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(981ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a narrow groove multi-layer arc welding having excellent welding efficiency and welding quality by which defective welding caused by defective fusion in the vicinity of the wall surface of a groove or the like is controlled by using simple welding equipment.例文帳に追加

簡易な溶接装置を用いて開先壁面近傍での融合不良等による溶接欠陥を抑制できる溶接能率および溶接品質に優れた狭開先多層盛りアーク溶接方法を提供する。 - 特許庁

For the protective layer 6, a spraying process and a dipping process are performed in a vacuum state, where the epoxy-based coating material is sprayed to the entire surface of the float body or the float body is dipped into a vessel filled with the epoxy-based coating material.例文帳に追加

保護層６は、フロート体の表面全体にエポキシ系コート材を吹き付ける、或いは、エポキシ系コート材が満たされた容器内にフロート体を浸漬する、吹き付け工程及び浸漬工程を真空状態で行う。 - 特許庁

To provide a method for reproducing a cleaning member for a semiconductor device with which particles stuck on the top layer of the used cleaning member are removed, and the surface state of the cleaning member similar to a new article is reproduced.例文帳に追加

使用したクリーニング部材の表層に付着したパーティクルを除去して、新品同様のクリーニング部材の表面状態に再生する半導体装置用クリーニング部材の再生方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A section wall 4d, projecting inward from the inner peripheral surface and having an insertion hole 4e for inserting an acoustic impedance matching layer 2 through, is formed in the middle in the longitudinal direction of a tubular part 4b.例文帳に追加

筒状部４ｂの長手方向中間部には、内周面から内側に突出するとともに、音響インピーダンス整合層２を挿通させるための挿入孔４ｅを有する区画壁４ｄが形成されている。 - 特許庁

To provide a surface-coated Ti group cermet cutting tool formed with a hard coating layer having high adhesion even under a severe cutting condition such as high speed intermittent cutting, and superior in chipping resistance and abrasion resistance.例文帳に追加

高速断続切削のような過酷な切削条件であっても密着性が高く、耐欠損性および耐摩耗性に優れた硬質被覆層を形成した表面被覆Ｔｉ基サーメット製切削工具を提供する。 - 特許庁

There is provided the hot-dip Al-Zn plated steel sheet that has Al-Zn plating film having Al content of 20-95 mass% and a coating layer having the thickness of 0.1-5 μm, which contains aluminum oxide and/or aluminum hydroxide on the surface of the steel sheet in sequence.例文帳に追加

鋼板表面に、順に、Al含有量が20〜95mass%であるAl-Zn系めっき皮膜と、酸化アルミニウムおよび／または水酸化アルミニウムを含む厚さ0.1〜5μmの被覆層とを有することを特徴とする溶融Al-Zn系めっき鋼板。 - 特許庁

To obtain a receptive layer-forming ink which is suitable for printing the entire surface or only the required part of the substrate and rapidly accomplishes coating or printing without requiring any process of water evaporation.例文帳に追加

基材の全面あるいは必要部分のみを印刷することにも適し、しかも水を蒸発する工程を必要とせず速やかにコートまたは印刷を完了することのできる受理層形成用インキ等を提供する。 - 特許庁

This original plate for lithographic printing has a hydrophilic image recording layer which is composed of a hydrophilic integrated resin containing a hydrophobic precursor with a hydrophilic graft chain on the surface and becomes thermally hydrophobic, formed on a support.例文帳に追加

表面に親水性グラフト鎖を有する疎水性化前駆体を親水性 結着樹脂中に含有し、熱により疎水性となる親水性の画像記録層が支持体上に設けられた平版印刷用原板。 - 特許庁

An auxiliary pad 2 formed by laminating soft/hard layers and a polishing pad 3 are secured by this order to an upper surface of a polishing base 1, the hard layer of the auxiliary pad 2 is opposed to the polishing base 1.例文帳に追加

研磨台１の上面には、軟質層及び硬質層を積層してなる補助パッド２及び研磨パッド３がこの順番で固着してあり、補助パッド２は硬質層が研磨台１に対向させてある。 - 特許庁

In this contact-type heat exchanger wherein two heat conduction pipes made out of different metallic materials, are abutted, an outer surface of one of the heat conductive pipes is provided with a plated layer of the metallic material of the other heat conduction pipe.例文帳に追加

異種金属材料からなる二つの伝熱管を接触させた接触型熱交換器において、一方の伝熱管の外表面に、他方の伝熱管の金属材料からなるメッキ層を形成する。 - 特許庁

In the method, reference numeral 1 denotes the resin molding (waterproof pan); 2, the core mat; 3, a vinyl ester resin; 4, the plate for surface re-finishing; 4a, the pattern; 5, the coated resin layer; 6, the putty burying material; 7, top coating material; and 10, the obtained resin molding (waterproof pan).例文帳に追加

１‥樹脂成形体（防水パン）、２‥コアマット、３‥ビニルエステル系樹脂、４‥再表面仕上用板、４ａ‥パターン、５‥コーティングされた樹脂層、６‥パテ埋め材、７‥トップ塗装材、１０‥得られた樹脂成形体（防水パン）。 - 特許庁

The process release paper is constituted of a laminate of the base paper and the releasable resin layer provided on at least one surface of the base paper and the N content of the base paper is set to 10-60 weight %.例文帳に追加

工程剥離紙を、基紙と、この基紙の少なくとも一方の面に設けられた離型性樹脂層との積層体からなる構成とし、基紙のＮ材含有量を１０〜６０重量％の範囲内とする。 - 特許庁

A tip of the electrode 14 in the pin terminal 6 is brought into contact with the buried pipe 1 to be heated, and a coated layer of the buried pipe 1 is fused thereby to bring the tip of the electrode 14 into contact with a bare surface of the buried pipe 1.例文帳に追加

ピンターミナル６の電極１４の先端を埋設管１に接触させて加熱し埋設管１の塗覆装を溶解させて電極１４の先端を埋設管１の素地面に接触させる。 - 特許庁

To provide a feed-through capacitor in which it is easy to determine whether abnormality of gaps is present or absent between an external surface and an internal electrode layer for signals of the capacitor fundamental body and to provide a method of manufacturing such a feed-through capacitor.例文帳に追加

コンデンサ素体の外表面と信号用内部電極層との間のギャップ異常の有無を容易に判断することが可能な貫通コンデンサ、及びこのような貫通コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

The exterior wall 2 of a lower floor and the exterior wall 3 of an upper floor are continued, and only the exterior wall 2 of the lower floor has an air flow path (an air layer) 5 on the inside of a sheathing material 6 forming the external surface of the exterior wall 2.例文帳に追加

下階の外壁２と上階の外壁３とが連なっており、下階の外壁２のみが外壁２の外表面を形成する外装材６の内側に空気流通路（空気層）５を備えている。 - 特許庁

When a recording medium 23 is inserted between lamination rollers 72 of a pair, the temperature of a pair of drying rollers 71 is controlled so that the surface temperature of the recording medium is equal to or below the softening temperature of the adhesive layer of a lamination material 75.例文帳に追加

記録媒体２３がラミネートローラ対７２に挿入される際に、記録媒体の表面温度がラミネート材７５の接着層の軟化温度以下になるように乾燥ローラ対７１の温度を制御する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can eliminate fault by surface unevenness of an embedded polycrystalline silicon layer when element isolation is performed by embedding polycrystalline silicon in the trench of a substrate.例文帳に追加

基板の溝に多結晶シリコンを埋め込むことにより素子分離を行う際に、埋め込まれた多結晶シリコン層の表面凹凸による不具合を解消することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is preferable that the olefin-based resin layer formed on the inner surface side of the outer bag is formed of an olefin-based resin composition containing at least an ethylene-α-olefin copolymer as an olefin-based resin.例文帳に追加

外袋の内面側に形成されたオレフィン系樹脂層が、オレフィン系樹脂としてエチレン−α−オレフィン共重合体を少なくとも含むオレフィン系樹脂組成物により形成されていることが好ましい。 - 特許庁

A surface modified layer is formed by injecting injection powders containing a reinforcing element diffusion-permeated into the piston to enhance the strength, onto the Al-Si alloy-based piston obtained by casting and forging, under a prescribed condition.例文帳に追加

鋳鍛造により得たAl-Si合金系ピストンに，該ピストンに拡散浸透して強度を向上させる強化元素を含有する噴射粉体を，所定条件で噴射して衝突させて表面改質層を形成する。 - 特許庁

A protective layer 40, formed by firing greensheet with alumina as the principal component, is adhered to the surface 11 of substrate 10 so as to cover the both pads 30, consisting of platinum resistor 20 and platinum.例文帳に追加

アルミナを主成分とするグリーンシートを焼成することで形成した保護層４０が、基板１０の表面１１上に、白金抵抗体２０及び白金からなる両パッド３０を覆うように接着されている。 - 特許庁

To manufacture a photoelectric conversion semiconductor device by using a wet process in a conductor part in causing an optical electric field intensifying effect by induction of surface plasmon resonance in a semiconductor layer constituting a solar cell being the photoelectric conversion semiconductor device.例文帳に追加

光電変換半導体装置である太陽電池を構成する半導体層に表面プラズモン共鳴の誘起により光電場増強効果を発生させる導電体部位にウエットプロセスを用いて製作する。 - 特許庁

To remove a polysilicon film formed on the surface of a semiconductor device, without damaging its base material layer or leaving etching residues, in a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は半導体装置の製造方法に関し、半導体装置の表面に形成されたポリシリコン膜を、その下地膜にダメージを与えることなく、かつ、エッチング残渣を発生させることなく除去することを目的とする。 - 特許庁

The substrate 2 has a hemispherical projection portion 13 formed on the backside 14 on the opposite side from the upper surface where the nitride semiconductor layers are formed by removing a processing deterioration layer on the backside 14.例文帳に追加

基板２において、窒化物半導体層が形成された表面と反対側の裏面１４には、裏面１４の加工変質層を除去することにより形成された半球状の凸部１３が形成される。 - 特許庁

The prism layer 23 is formed on the surface 212 of the base film 21, includes a plurality of prisms 230 juxtaposed in the same direction as the juxtaposed direction of the cylindrical lenses 220 and has a refractive index lower than that of the base film 21.例文帳に追加

プリズム層２３は、ベースフィルム２１の表面２１２上に形成され、シリンドリカルレンズ２２０の並設方向と同じ方向に並設された複数のプリズム２３０を含み、ベースフィルム２１よりも低い屈折率を有する。 - 特許庁

It is preferable that each drain electrodes D of the TFT is extended on the surface of the auxiliary capacitance electrode 18a via an insulation layer 26 thinner than the thickness of a gate insulation film covering the surrounding of the auxiliary capacitance line 18.例文帳に追加

この補助容量電極１８ａの表面には補助容量線１８の周辺を覆うゲート絶縁膜の厚さよりも薄い絶縁層２６を介してＴＦＴのドレイン電極Ｄを延在させるとよい。 - 特許庁

The capacitive element 10 has a sandwich structure in which the dielectric layer 12 is sandwiched between the first electrode 11 and the second electrode 13, and concavity and convexity are provided on the outer surface of the second electrode 13.例文帳に追加

容量素子１０は、誘電体層１２を第１電極１１と第２電極１３とにより挟むようにしたサンドイッチ構造になっており、第２電極１３の外表面に凹凸が設けられている。 - 特許庁

The substrate for the lithographic printing plate has the porous layer in which particles of a metal oxide are bound with a compound containing a metal atom and a phosphorous atom on the surface of the metal base treated with the acid or the alkali.例文帳に追加

酸またはアルカリ処理した金属基板表面上に、金属酸化物の粒子が金属原子とリン原子を含む化合物によって結着してなる多孔質層を有する平版印刷版用支持体。 - 特許庁

A trench 6 with a gate electrode 8 buried via a gate insulation film 7 is formed by digging from the surface of the epitaxial layer 3 in a way that it penetrates the body region 5 and its deepest section reaches the N^--type region 4.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が埋設されるトレンチ６は、エピタキシャル層３の表面から掘り下げて形成され、ボディ領域５を貫通して、その最深部がＮ^−型領域４に達している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a VFET and elements of other types can be mounted mixedly on a semiconductor substrate without having a large level difference on the surface of a semiconductor layer laminated on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上へのＶＦＥＴと他の種類の素子との混載が可能でありながら、半導体基板上に積層される半導体層の表面に大きな段差を有しない半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this method, a polymerization initiator is added into a polymerization liquid 8 not via a foam layer 10 from the tip 51 of a polymerization initiator inlet 5 which is located under the liquid surface 9 of the polymerization liquid 8 in a main polymerization vessel 1.例文帳に追加

重合容器本体１内部の重合液８の液面９よりも下の位置にある重合開始剤投入部５の端部５１から、泡層１０を介さずに重合開始剤を重合液８に添加する。 - 特許庁

To provide a display device for efficiently activating optical catalyst reaction in a touch panel with a visible light response type optical catalyst layer formed on a surface by controlling visible light illuminating the touch panel.例文帳に追加

タッチパネルを照射する可視光を制御することにより可視光応答型光触媒層が表面に形成されたタッチパネルにおける光触媒反応を効率的に活性化させる表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a surface glossy magnesium molded article in which the corrosion due to the local cell formed between a magnesium base material and a noble metal plating layer is suppressed, and which is excellent in decorativeness and ray specular reflectivity.例文帳に追加

マグネシウム基材と貴金属メッキ層との間に形成される局部電池に起因する腐食が抑制されると共に、装飾性、光線正反射性に優れる表面光沢性マグネシウム成形品を提供すること。 - 特許庁

The decorative sheet is constituted by forming an emboss pattern on a film based on the polyester resin (a) and providing a surface protective layer comprising a coating film of the two pack type curable urethane resin on the emboss pattern.例文帳に追加

下記ポリエステル系樹脂（ａ）を主成分とするフィルムに、エンボス模様を形成し、前記エンボス模様上に、２液硬化型ウレタン樹脂の塗膜からなる表面保護層を設けたことを特徴とする化粧シート。 - 特許庁

Non-photosensitive and positive type photosensitive barrier rib material layers 13, 14 is formed on a main surface of a substrate main body 30 in order and light is applied just on a part 21 of the photosensitive barrier rib material layer 14.例文帳に追加

基板本体３０の主表面上に非感光性及びポジ型の感光性のバリアリブ材料層１３，１４を順次に形成し、感光性バリアリブ材料層１４の一部分２１にのみ光を照射する。 - 特許庁

Thereafter, ions are implanted into the cathode surface side of the N--type semiconductor substrate 45, by which an ion-implanted layer 23 which is gradually decreased in thickness as it approaches the periphery of the substrate 45 is formed (S3a).例文帳に追加

その後、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側にイオンを注入して、前記ｎ^-型半導体基板４５の外周側に近づくに連れて厚さの薄いイオン注入層２３を形成する(Ｓ３ａ)。 - 特許庁

The antenna pattern 2 can be constituted of a coil, and can also be constituted by applying fine processing such as etching and laser beam machining to a conductor film formed on the surface of the insulating layer 4.例文帳に追加

アンテナパターン２は、巻線をもって構成することもできるし、絶縁層４の表面に形成された導体膜に例えばエッチングやレーザビーム加工等の微細加工を施すことにより構成することもできる。 - 特許庁

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed.例文帳に追加

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。 - 特許庁

A laser beam is emitted to the capacitor electrodes 71a, 72a, 73a via a dielectric layer on the surface to trim the capacitance to divide the capacitor electrodes 71a, 72a, 73a by a trimming groove 80 of a closed loop.例文帳に追加

コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａの容量をトリミングするには、表面の誘電体層を介してレーザを照射することで電極７１ａ，７２ａ，７３ａを閉ループのトリミング溝８０で分割する。 - 特許庁

The semiconductor lens 3 is provided with an infrared block layer 3c which blocks incidence of infrared rays onto the light receiving surface of the infrared detection element 1 through the base part 3b located inside the translucent window 23.例文帳に追加

また、半導体レンズ３は、透光窓２３の内側に位置するベース部３ｂを通して赤外線検出素子１の受光面へ入射しようとする赤外線を阻止する赤外線阻止部３ｃが設けられている。 - 特許庁

Since the chemical reaction consumes the OH groups and reduces the number of the OH groups to reduce the intensity of the polarity on the surface of the inorganic alignment layer 6, adsorption of the impurities under the influence of the polarity can be suppressed.例文帳に追加

この化学反応によりＯＨ基が失われて数が少なくなり、その分無機配向膜６の表面の極性が低減するため、極性の影響による不純物の吸着を抑えることができる。 - 特許庁

The conductive impurity region 3 for transferring the electric signal from the light receiving element 14 to the signal processing circuit 15 is formed from the bottom of the trench as far as the upper surface of the semiconductor growth layer 2.例文帳に追加

受光素子１４からの電気信号を信号処理回路１５へ伝送するための導電性不純物領域３は、トレンチの底部から半導体成長層２の上面まで至るように形成されている。 - 特許庁

Thereafter, the first N-type polysilicone film 12 in the emitter electrode forming area and an emitter base separating and oxidizing film 10 in the emitter electrode forming area are removed by etching to expose the surface of a bipolar element forming semiconductor layer.例文帳に追加

その後、エッチングにより、エミッタ電極形成領域にある第１のＮ型ポリシリコン膜１２とエミッタ・ベース分離酸化膜１０とを除去して、バイポーラ型素子形成用半導体層の表面を露出させる。 - 特許庁

The nitrogen concentration N% in the surface layer part of the pinion shaft 5 is 0.05 to 0.6 mass%, and the total of the nitrogen concentration N% and the carbon concentration C% is 0.7 to 1.4 mass%.例文帳に追加

ピニオンシャフト５の表層部の窒素濃度Ｎ％は０．０５質量％以上０．６質量％以下であり、窒素濃度Ｎ％と炭素濃度Ｃ％の和は０．７質量％以上１．４質量％以下である。 - 特許庁

On the top layer of the main surface 3a, an N well region 33 includes the drain N^+ region 32, and is formed deeper than the drain N^+ region 32 in the region in contact with the base P region 30.例文帳に追加

主表面３ａでの表層部においてＮウエル領域３３がドレインＮ^+領域３２を含むとともにベースＰ領域３０と接する領域にドレインＮ^+領域３２よりも深く形成されている。 - 特許庁

Later, an end edge 17a of the first dielectric layer 14a as the surface of the first substrate 11 and at least a part of the drawing-out electrodes sticking out of the end edge are integrally covered with a resist film 30.例文帳に追加

その後、第１基板１１の表面であって、第１誘電体層１４ａの端縁１７ａと、当該端縁からはみ出す取り出し電極１３ａの少なくとも一部とを、レジスト膜３０で一体的に覆う。 - 特許庁