「threshold method」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The method and device for decreasing the crest factor of the signal accompanied by the non-constant envelope such as a OFDM signal are performed by filtering the signal including the peak value over a predetermined threshold value and by subtracting the filtered signal from the original signal.例文帳に追加

ＯＦＤＭ信号のような非定包絡線を伴う信号のクレストファクタを低減する方法および装置は、予め定められた閾値を越える信号ピークを含む信号をフィルタリングし、元の信号からフィルタリングされた信号を減算することによる。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a semiconductor wafer for enabling a particle counter to detect the foreign matters on the surface of the semiconductor wafer, whose particle size being not larger than the detection threshold of the particle counter, particularly, foreign matters whose particle sizes are ≤0.055 μm by making them apparent.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面の異物で、パーティクルカウンタの検出限界以下のもの、特に０．０５５μｍ以下のサイズの異物を顕在化させ、パーティクルカウンタで検出することを可能にする半導体ウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁

The driving method of a nonvolatile memory device includes: a step in which a structural position of a memory cell to be driven is determined; and a step in which driving is made under driving conditions, which correspond to the distribution of threshold voltages which belong to the memory cell, according to the result of the determination.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の駆動方法は、駆動されるメモリセルの構造的な位置を判別するステップと、前記判別結果により、前記メモリセルに属したしきい電圧の分布に応じる駆動条件で駆動するステップと、を含む駆動方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing it, where hydrogen is prevented from remaining in a gate insulating film, interface mismatching is restrained from occurring in the gate insulating film, and a transistor can be prevented from varying in a threshold voltage and decreasing in an ON-state current.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中への水素残留を防止すると共に、ゲート絶縁膜に界面不整合を発生させず、トランジスタの閾値電圧の変動やオン電流の劣化を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a hydrogen-containing amorphous silicon film 5 on a resin substrate 1 and a step of irradiating the amorphous silicon film 5 with a laser beam at an intensity below a threshold intensity for crystallizing the silicon film 5.例文帳に追加

本方法は、水素を含有した非晶質シリコン膜５を樹脂基板１上に形成する過程と、非晶質シリコン膜５が結晶化するしきい値強度以下の強度でレーザー光を非晶質シリコン膜５に照射する過程と、を備える。 - 特許庁

Moreover, the method includes a step for applying the provision of the requested property to the user (step 322) when the requested property is included in the subset of available properties and the number of requests to the requested property exceeds a threshold.例文帳に追加

さらにこの方法は、要求された資産が利用不能な資産のサブセット内にある場合に、要求された資産に対する要求の数が閾値を超えると、ユーザに要求された資産を提供することを申し出る（ステップ３２２）ことを含む。 - 特許庁

This method for automatically triggering frames by a camera during panning over scenes includes a step of moving the camera over the scenes and a step of capturing the plural scene segments where the respective scenes are captured in accordance with the prescribed movement threshold.例文帳に追加

シーンに亘るパンニング時にカメラによりフレームを自動的にトリガする方法であって、シーンに亘って前記カメラを移動させるステップと、それぞれが所定の動きしきい値に基づいて捕捉されるシーン部分を複数個捕捉するステップと、を含む方法。 - 特許庁

To provide a method and circuit for effectively setting a threshold to a symbol timing detection circuit for OFDM signal demodulation even if the rate of noise power to reception signal power is increased, and the peak of correlation is recessed.例文帳に追加

受信信号電力に対する雑音電力の割合が高くなっても、相関のピークが凹んだ状態になっても、ＯＦＤＭ復調用シンボルタイミング検出回路に効果的に閾値を設定する方法及び回路を提供することである。 - 特許庁

In the method of processing the semiconductor device which has a semiconductor at least as a component light having a longer wavelength than an absorption edge wavelength of the semiconductor is irradiated to the semiconductor to change a threshold voltage of the semiconductor device.例文帳に追加

少なくとも半導体を構成要素として有する半導体素子の処理方法であって、前記半導体の吸収端波長より長波長の光を該半導体に照射することにより、前記半導体素子の閾値電圧を変化させる。 - 特許庁

This motor controller/abnormality diagnostic method has a shifted moving average part 9 for inputting a torque command signal 2 to output a difference between the maximum value and the minimum value of the noise component removed signal, and diagnoses the abnormality, based on comparison of the difference with a preset threshold value.例文帳に追加

トルク指令信号２を入力して前記雑音成分除去信号の最大値と最小値との差を出力するシフィテッド移動平均部９を備え、前記差と予め設定された閾値との比較に基づいて、システムの異常診断をする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where desired driving capability is obtained by suppressing raising of the threshold voltage of a transistor to which a high-k film is applied as a gate insulation film and a polysilicon film is applied as a gate electrode, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ゲート絶縁膜としてｈｉｇｈ−ｋ膜を適用し、ゲート電極としてポリシリコン膜を適用したトランジスタのしきい値電圧の上昇を抑制し、所望の駆動能力が得られる半導体装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

A method is provided to judge whether or not the charge is trapped by the insulating layer or the interface between the semiconductor layer and the insulating layer in accordance with whether or not the threshold voltage and a flat band voltage before and after load is applied are in a predefined range.例文帳に追加

負荷前後の閾値電圧とフラットバンド電圧が一定の範囲内に存在するか否かにより、電荷が絶縁層にトラップされているか、半導体層と絶縁層の界面にトラップされているかを判別する方法を提供する。 - 特許庁

Similarity in a vector space method is obtained as a matching degree A by using the keyword and the degree of importance used as weight vector, whether the matching degree A is larger than a threshold value T_A of the matching degree is checked to determine whether it is appropriate as relevant information.例文帳に追加

キーワードと重みベクトルとして使用する重要度とを用いてベクトル空間法における類似度を適合度Ａとして求め、適合度Ａが適合度の閾値Ｔ_Ａより大きいかどうかチェックし、関連情報として適切かどうか判断する。 - 特許庁

This method for detecting improper mounting of the sensor on the vehicle comprises the steps of monitoring an output signal of the sensor, determining a noise level in the output signal, and a comparing the noise level from the output signal with a threshold noise value to determine whether the sensor is properly mounted or not.例文帳に追加

この方法は、センサの出力信号をモニタし、該出力信号の中の雑音レベルを決定し、該出力信号からの雑音レベルをスレッショルド雑音値と比較して、センサが適正に取り付けられているかを判断する各ステップを含む。 - 特許庁

To eliminate one of short-channel effects by allowing gate's work function to be different, for suppressing roll-off of a threshold without having to adopt difficult means, such as combining different materials for a gate for use, related to a semiconductor device and manufacturing method therefor.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートに異なる材料を複合して用いるなどの難しい手段を採ることなく、ゲートの仕事関数を異ならせてしきい値のロールオフを抑止し、短チャネル効果の一つを排除しようとする。 - 特許庁

Concerning the area of a low noise level included in the source image data of a CG image or the like, half-tone processing is performed by adding a random noise to a threshold value to be used for the method of error diffusion and picture quality reduction caused by forming a dot in a regular pattern is avoided.例文帳に追加

ＣＧ画像など原画像データに含まれるノイズレベルが低い領域については、誤差拡散法で用いられる閾値にランダムノイズを付加してハーフトーン処理し、ドットが規則的パターンで形成されることによる画質低下を回避する。 - 特許庁

In the method of erasure decoding of acknowledgement (ACK)/negative acknowledgement (NACK) feedback information, a state of received ACK/NACK feedback information for associated sent data is detected based on at least one threshold derived using an objective function.例文帳に追加

肯定応答（ＡＣＫ）／否定応答（ＮＡＣＫ）フィードバック情報の消失復号化の方法において、関連する送信データでの受信ＡＣＫ／ＮＡＣＫ状態が、目的関数を使用して導出された少なくとも１つの閾値に基づいて検出される。 - 特許庁

To provide a radio communication system, a radio base station and a threshold value setting method, capable of assigning a plurality of communication channels to a radio terminal and guaranteeing the communication capacity and communication quality in each of radio base stations and assuring equality between the radio base stations when assigning channels by utilizing carrier sense.例文帳に追加

通信チャネルを無線端末に複数割り当て可能であり、且つキャリアセンスを利用してチャネル割り当てを行う場合において、各無線基地局における通信容量や通信品質を保証し、無線基地局間の公平性を担保する。 - 特許庁

To provide an obstacle detector of power supply in which a decision is made that a power supply is faulty when variation in output voltage from a power supply (voltage load variation) exceeds a predetermined threshold by supplying a current periodically to a power supply place, and to provide an obstacle detection program and method.例文帳に追加

電源供給先に電流を周期的に供給することによる電源の出力電圧の変動（電圧負荷変動）が所定閾値を越えた場合にその電源を不良と判定する、電源の障害検出装置、プログラム、及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device containing a MOSFET wherein influence of thermal process is little, control of a threshold value is easy when micronization is advanced, and a source/drain region and a gate are constituted of mutually inverse conductivity type semiconductor, and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

熱工程の影響を受け難く、微細化が進んでもしきい値の制御が容易に行なえる、ソース，ドレイン領域とゲートが互いに逆導電型の半導体で構成されるＭＯＳＦＥＴを含んだ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method can be obtained by defining a state A in which it is controlled that the first switch is OFF and the second switch is ON and the condenser is allowed to be charged, thereby stabilizing a drain voltage of the HEMT around a HEMT gate threshold voltage.例文帳に追加

この方法は状態Ａを定義することによって達成され、第１のスイッチはＯＦＦに、第２のスイッチはＯＮになるように制御されコンデンサが帯電されることを可能にし、ＨＥＭＴゲート閾値電圧の周辺でＨＥＭＴのドレイン電圧を安定させる。 - 特許庁

When the residual power of the battery is judged to be lower than a set threshold value by the residual power of the battery measuring section connected to the battery, a dialog box 41 to inquire whether a power saving method is executed or not is displayed on a diagnosis screen 40.例文帳に追加

バッテリに接続されたバッテリ残量測定部によって、バッテリの残量が設定されたしきい値よりも低くなったと判断された場合に、診断画面４０上に省電力方法の実施の可否を問い合わせるダイアログボックス４１を表示する。 - 特許庁

To provide a high-efficiency semiconductor laser which suppresses the increase of its threshold current and the decline of its slope efficiency and intermittently performs laser oscillation, and to provide a method for manufacturing the laser, a semiconductor laser array, a display device, a sensor system, and a semiconductor light emitting device.例文帳に追加

閾電流の増大やスロープ効率の低下を抑制し、間欠的にレーザ発振を行う高効率の半導体レーザ装置およびその製造方法および半導体レーザアレイおよび表示装置およびセンサシステムおよび半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an oxynitride film that can secure film characteristics, improved much more than characteristics of a film obtained from a pure silicon film, and minimize variations in the threshold voltage of a transistor caused by trapped electric charge.例文帳に追加

本発明は、純粋シリコン酸化膜から得られる膜の特性より著しく向上した膜特性を確保することができ、トラップ電荷によるトランジスタのしきい値電圧の変化を最小化することが可能なオキシナイトライド膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mobile radio communication device and a transmission data rate judgment method that can judge a data rate with the largest possibility where a threshold determined merely by a movement speed of a reception movement terminal where the primary factor of state change is single is used for transmission.例文帳に追加

状態変化の要因が単一である受信移動端末の移動速度のみによって決定した閾値を用いて送信された可能性の最も高いデータレートの判定が行える移動通信装置及び送信データレート判定方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal display panel without uneven threshold voltage and with high display quality in a method for its manufacturing containing a step to rub an alignment layer formed on a surface of a substrate with a rubbing roller to impart an aligning property to a liquid crystal.例文帳に追加

液晶に配向性をもたせるために、基板表面に形成された配向膜をラビングロールでラビングする工程を含む液晶表示パネルの製造方法において、しきい値電圧のむらのない表示品位の高い液晶表示パネルが得られるようにする。 - 特許庁

To provide a memory device and its manufacturing method which facilitates adjusting the threshold voltage of the memory device by preventing the short channel effect, and reduces the junction leakage current generated in a storage node junction region to increase the data hold time of the memory device.例文帳に追加

ショートチャネル効果を防止してメモリ素子のしきい電圧の調整を容易にし、ストレージノード接合領域で発生する接合漏れ電流を減少させてメモリ素子のデータ保持時間を増大させることのできるメモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a 3D measurement method, two data obtained by photographing a subject wrapped in mesh cloth is binarized in distrubition, on the basis of the threshold of chroma or luminosity, and a center point or an end part is calculated from the left, right, upper and lower values of a part seen between meshes to be set to the measuring point of an object to be measured.例文帳に追加

メッシュの布を纏った被写体を写した２枚のデータを彩度や明度の閾値により、分布を２値化し、メッシュの間に見える部分の左右上下の値から中心点又は、端部を求め、計測対象物の計測点とする３D測定方法。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that stably operates by allowing formation of a via hole, having a vertical wall, and achieving equalization of threshold voltage characteristics at the upper part and the lower part of the via hole, even when the via hole is formed into a tapered shape, and to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

垂直壁の貫通ホールが形成でき、また、貫通ホールがテーパ状となった場合においても上部と下部とでしきい値電圧特性が均一化でき、安定して動作する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An alternative method of measuring mitotic activity measures a profile of an image region and counts the image region as corresponding to a mitotic figure if its profile is above a threshold at an intensity associated with mitotic figures.例文帳に追加

有糸分裂活性を測定する代替的な方法は、画像領域のプロファイルを測定し、そのプロファイルが有糸分裂像に関連づけられる強度における閾値を上回っている場合は、有糸分裂像に対応するものとして画像領域をカウントする。 - 特許庁

The system and method also evaluate a vehicle situation relative to a phase plane, having axes of relative speed and relative acceleration of the host vehicle relative to a preceding vehicle (14), and compares the vehicle situation to a threshold for a particular region of the phase plane.例文帳に追加

ドライバ警報システム及び方法は又、先行車（１４）に対するホスト車の相対速度及び相対加速度の軸線を有するフェーズ平面に対する車両状況を評価し、この車両状況をフェーズ平面の特定の領域についての閾値と比較する。 - 特許庁

To provide an field-effect transistor excellent in threshold voltage and an on/off-ratio in the field-effect transistor having at least an organic semiconductor layer containing an organic semiconductor comprising a compound having an azaannulene structure on a support substrate, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

支持基板上に、アザアヌレン構造を有する化合物からなる有機半導体を含有する有機半導体層を少なくとも有する電界効果トランジスタにおいて、閾値電圧、及び、Ｏｎ／Ｏｆｆ比の優れた電界効果トランジスタ、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method, events of the first signal level crosses a predeterming threshold are determined out of the signals, the second signals are sampled using the respective events, the samples are coupled to generate an output value, and the delay is determined from the output value.例文帳に追加

本方法は、信号のうちの第１信号のレベルが所定しきい値と交差する事象を判定し、各事象を使用することによって第２信号をサンプリングし、サンプルを結合することによって出力値を生成し、出力値から遅延を求めることを含む。 - 特許庁

To provide a method of correcting the threshold voltage of a semiconductor element or semiconductor device and determining the quality of the semiconductor element or semiconductor device in the middle of manufacturing, and thereby improving the yield of a finished product and achieving reduction in manufacturing cost.例文帳に追加

半導体素子又は半導体装置の閾値電圧を補正し、かつ製造の途中で該半導体素子又は半導体装置の良否を判別することによって、完成品の歩留まりを向上させ、製造コストの低減を実現する方法を提供する。 - 特許庁

Then, the method monitors the ratio of a reflected light or reflected light intensity, and detects the end point of plasma etching to the film to be etched on condition that the ratio or the intensity is increased or reduced more than a prescribed threshold.例文帳に追加

そして、本発明に係る方法は、反射波の比率又は反射波強度をモニタリングするとともに、該比率又は強度が、所定閾値より増加又は減少すること等を条件として、前記被エッチング膜に対するプラズマエッチングの終点検出を行う。 - 特許庁

The loop detecting method includes the steps of: detecting a mobile state of terminals whose packets with the same sender address respectively entering different ports; counting the number of times of detecting the mobile states of the terminals by each port; and treating it that a loop takes place in a port when the number of times of the detected states of the port exceeds a threshold value.例文帳に追加

同一の送信元アドレスのパケットが異なるポートに入力した端末移動状態を検出し、各ポート毎に端末移動状態を検出した回数をカウントし、該回数が閾値を越えたとき、そのポートにループが発生していると見做す。 - 特許庁

A lifetime estimation method allows a computer system to obtain a time point at which the amount of copper used in a wiring pattern of a printed board to be corroded by a corrosive gas or a mixed gas reaches a predetermined threshold of the corrosion amount, so as to estimate the lifetime of the printed board.例文帳に追加

コンピュータシステムにより、プリント基板の配線パターンを構成する銅の腐食性ガスや混合ガスによる腐食量が予め設定された腐食量しきい値に達する時点を求めてプリント基板の寿命を推定する寿命推定方法に関する。 - 特許庁

The examination method further has a categorization step in which the acquired attribute information and each item of the personal information that the admission wisher has inputted are subjected to a scoring engine and are digitized, and the digitized result is divided into three categories of OK, NG, and gray by a predetermined threshold.例文帳に追加

取得した属性情報と前記入会希望者の入力した個人情報の各項目をスコアリングエンジンに掛けて数値化し、数値化された結果をあらかじめ定めた閾値によりＯＫ、ＮＧ、グレーの三つのカテゴリーに分けるカテゴリー化ステップとを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor device for decreasing resistance at a channel portion and lowering a threshold voltage without an epitaxial growth process, limitation on a taper angle of a trench and limitation of a substrate.例文帳に追加

エピタキシャル成長工程を必要とせず、またトレンチのテーパー角度および使用基板に制限されずに、チャネル部の抵抗を小さくするとともに、しきい値電圧を低くすることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator that obtains a low-threshold current on a semipolar surface of a hexagonal group III nitride, and to provide a method of manufacturing the group III nitride semiconductor laser element.例文帳に追加

六方晶系ＩＩＩ族窒化物の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子と、このＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を安定して作製する方法とを提供する。 - 特許庁

To decrease the number of etching processes and to avoid the occurrence of etching damage when a suitable threshold voltage is actualized by adjusting an effective work function of a complementary transistor employing a high dielectric constant film with respect to a semiconductor device and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率膜を用いた相補型トランジスタの実効仕事関数を調整して適切なしきい値電圧を実現する際に、エッチング工程数を低減するとともに、エッチングダメージの発生を回避する。 - 特許庁

Also, the method has the step of discriminating whether a plastic type making the object 4 is polystyrene (PS) or acrylonitrile butadiene styrene (ABS) by determining the difference in reflection factor between the light L1 and L2 and comparing the magnitude of this difference value and predetermined threshold values.例文帳に追加

そして、各反射率についての差分を求め、この差分値と予め定められた閾値との大小を比較することにより、判別対象物４を構成するプラスチックの種類がポリスチレン(ＰＳ)であるかアクリロニトリルブタジエンスチレン(ＡＢＳ)であるかを判別する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device having a proper threshold voltage even when a metal having a work function higher than a predetermined value is employed as a gate electrode for a P-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor).例文帳に追加

本発明は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲート電極に所定値以上の仕事関数を有するメタルを用いた場合であっても、適正なしきい値電圧を有する半導体装置及び当該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses the mutual diffusion of impurities in gate electrodes between an n-type gate electrode and a p-type gate electrode and reduces variation in the threshold voltage, having a dual gate electrode exhibiting desirable characteristics, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極との間で、ゲート電極中の不純物が相互拡散するのを抑え、しきい値電圧の変動が抑制され、所望の特性を示すデュアルゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After applying the distortion correction processing to the images picked up in the MRI apparatus, binary images are prepared by a threshold derived by a discrimination analysis method for the images, a Gaussian filter is applied to the binary images according to a set filter range parameter and mask images are prepared.例文帳に追加

MRI装置で撮像した画像に対して歪み補正処理を適用した後、その画像を判別分析法で導出した閾値で2値化画像を作成し、設定されたフィルタ範囲パラメータに従ってガウシアンフィルタをその2値化画像に適用してマスク画像を作成する。 - 特許庁