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threshold methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1579件
To provide a semiconductor device containing a MOSFET wherein influence of thermal process is little, control of a threshold value is easy when micronization is advanced, and a source/drain region and a gate are constituted of mutually inverse conductivity type semiconductor, and a method of manufacturing the device.例文帳に追加
熱工程の影響を受け難く、微細化が進んでもしきい値の制御が容易に行なえる、ソース,ドレイン領域とゲートが互いに逆導電型の半導体で構成されるMOSFETを含んだ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A lifetime estimation method allows a computer system to obtain a time point at which the amount of copper used in a wiring pattern of a printed board to be corroded by a corrosive gas or a mixed gas reaches a predetermined threshold of the corrosion amount, so as to estimate the lifetime of the printed board.例文帳に追加
コンピュータシステムにより、プリント基板の配線パターンを構成する銅の腐食性ガスや混合ガスによる腐食量が予め設定された腐食量しきい値に達する時点を求めてプリント基板の寿命を推定する寿命推定方法に関する。 - 特許庁
The examination method further has a categorization step in which the acquired attribute information and each item of the personal information that the admission wisher has inputted are subjected to a scoring engine and are digitized, and the digitized result is divided into three categories of OK, NG, and gray by a predetermined threshold.例文帳に追加
取得した属性情報と前記入会希望者の入力した個人情報の各項目をスコアリングエンジンに掛けて数値化し、数値化された結果をあらかじめ定めた閾値によりOK、NG、グレーの三つのカテゴリーに分けるカテゴリー化ステップとを備える。 - 特許庁
This slag-remelting method includes refining a metal in a degree of vacuum in a range of 100 to 600 Torr by using a slag containing 20 to 80 wt.% CaF_2 and the balance mainly CaO and (or) Al_2O_3, while maintaining a threshold pressure condition at which the slag does not substantially start boiling.例文帳に追加
CaF_2を20〜80重量%含有し、残りが主としてCaOおよび(または)Al_2O_3からなるスラグを使用し、真空度が100〜600Torrの範囲内で、スラグのボイリングが実質上生じない限界の圧力条件を維持しながら、精錬を行なう。 - 特許庁
To provide a highly reliable semiconductor device capable of preventing the occurrence of a phenomenon (hump characteristics) in which a difference is generated in sub-threshold characteristics by removing a parasitic transistor caused by shapes of a border between an STI and a element region, accompanied by micro-processing and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
微細加工に伴うSTIと素子領域の境界の形状に関る寄生トランジスタをなくし、サブスレッシホールド特性に段差ができる現象(ハンプ特性)が発生することを防止する高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device whose S value is excellent in an electric characteristic in a region lower than the threshold value, in the semiconductor using nearly single-crystalline grains of a semiconductor material in the channel forming region thereof.例文帳に追加
半導体材料の略単結晶粒をチャネル形成領域に用いた半導体装置において、閾値下領域の電気特性であるS値の優良な半導体装置を得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a high-speed roaming method that can conduct roaming in a very short time by applying subscription operation to an adjacent access point having the best communication environment at a time when a beacon quality of a connected access point reaches a threshold value or below.例文帳に追加
接続しているアクセスポイントのビーコンクオリティーが閾値以下となった場合にその時点で最も通信環境の良い隣接アクセスポイントに対して直ちに加入動作を行うことにより、極めて短時間にローミングを行うことができる高速ローミング方法の提供。 - 特許庁
This method can be obtained by defining a state A in which it is controlled that the first switch is OFF and the second switch is ON and the condenser is allowed to be charged, thereby stabilizing a drain voltage of the HEMT around a HEMT gate threshold voltage.例文帳に追加
この方法は状態Aを定義することによって達成され、第1のスイッチはOFFに、第2のスイッチはONになるように制御されコンデンサが帯電されることを可能にし、HEMTゲート閾値電圧の周辺でHEMTのドレイン電圧を安定させる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a fin field effect transistor that alleviates the concentration of an electric field to the top end (angular portion) of a fin-shape active region, inhibits a decrease in the threshold voltage of the fin effect transistor, and has high current drive capability, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
フィントランジスタにおいて、フィン状の活性領域の上端部(角部)における電界集中を緩和し、フィントランジスタの閾値電圧の低下を抑制し、電流駆動能力の高いフィントランジスタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Then, the method monitors the ratio of a reflected light or reflected light intensity, and detects the end point of plasma etching to the film to be etched on condition that the ratio or the intensity is increased or reduced more than a prescribed threshold.例文帳に追加
そして、本発明に係る方法は、反射波の比率又は反射波強度をモニタリングするとともに、該比率又は強度が、所定閾値より増加又は減少すること等を条件として、前記被エッチング膜に対するプラズマエッチングの終点検出を行う。 - 特許庁
To provide a method for forming an oxynitride film that can secure film characteristics, improved much more than characteristics of a film obtained from a pure silicon film, and minimize variations in the threshold voltage of a transistor caused by trapped electric charge.例文帳に追加
本発明は、純粋シリコン酸化膜から得られる膜の特性より著しく向上した膜特性を確保することができ、トラップ電荷によるトランジスタのしきい値電圧の変化を最小化することが可能なオキシナイトライド膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
The loop detecting method includes the steps of: detecting a mobile state of terminals whose packets with the same sender address respectively entering different ports; counting the number of times of detecting the mobile states of the terminals by each port; and treating it that a loop takes place in a port when the number of times of the detected states of the port exceeds a threshold value.例文帳に追加
同一の送信元アドレスのパケットが異なるポートに入力した端末移動状態を検出し、各ポート毎に端末移動状態を検出した回数をカウントし、該回数が閾値を越えたとき、そのポートにループが発生していると見做す。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a metal gate CMOS device capable of easily and efficiently controlling WF and a threshold voltage of each transistor type metallic gate electrode, and independent of the geometry and/or dimensions of the transistor or of the gate dielectric used.例文帳に追加
各々のトランジスタータイプの金属ゲート電極のWFと閾値電圧とを簡単かつ能率的にコントロールでき、使用されるトランジスタ又はゲート絶縁体のジオメトリ及び/または大きさから独立した、金属ゲートCMOSデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an originating connection control method or the like to maintain all the number of originating connections up to around the number of threshold connections of a service providing facility as an entire system with regard to a communication broadcasting cooperation system even in the case that an overflow occurs at a part of base station.例文帳に追加
通信放送連携システムについて、一部の基地局でオーバフローを発生した場合であっても、システム全体として、サービス提供設備の限界接続数付近まで全発信接続数を維持することができる発信接続制御方法等を提供する。 - 特許庁
To provide a memory controller and memory control method having processing ability capable of dealing with signal input of a high speed by overcoming the threshold that the input speed of the signals is restricted by the sum total of the processing ability of individual signal processing means.例文帳に追加
個々の信号処理手段の処理能力の総計により信号の入力速度が制限されるという限界を克服し、高速な信号入力に対応し得る処理能力を有するメモリ制御装置およびメモリ制御方法を提供する点にある。 - 特許庁
When the congestion decision section 31d detects that a quene length exceeds the congestion decision threshold, the EFCI bit setting section 31e sets a congestion notice signal to an EFCI field of an information cell received by the connection according to an EFCI marking method.例文帳に追加
輻輳判定部31dが、キュー長が輻輳判定しきい値を越えたことを検出すると、EFCIビット設定部31eは、EFCIマーキングの方法に従って、そのコネクションが入力する情報セルのEFCIフィールドに輻輳通知信号を設定する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a field-effect transistor-type gas sensor for suppressing threshold variation without impairing a gate insulation film when forming an electrode of a sensitive material corresponding to a detecting object gas after previously forming a transistor structure.例文帳に追加
電界効果トランジスタ型のガスセンサにおいて、あらかじめトランジスタ構造を形成した後、検知対象のガスに対応した感応材料の電極を形成する際に、ゲート絶縁膜を損なうことなく、かつ、閾値ばらつきを抑制する製造方法を供給する。 - 特許庁
The data protection method includes: setting a logical unit number (LUN) key area; obtaining a data change amount when data in a preset LUN key area is changed; determining whether the data change amount exceeds a preset threshold; and creating a snapshot if the data change amount exceeds the preset threshold.例文帳に追加
論理ユニット番号(LUN)キー領域を設定することと、予め設定されるLUNキー領域中のデータが変更されているとき、データ変更量を取得することと、データ変更量が、予め設定されているしきい値を超えているかどうかを決定することとを含み、データ変更量が、予め設定されているしきい値を超えている場合、スナップショットが生成されるデータ保護装置と、データ保護装置を含む記憶デバイスとを構築する。 - 特許庁
In a write control method of the data storage system, this method includes a step of counting the execution frequency of a write mode on an adjacent track by a track, and a step of reading data stored on the track and a step of writing again read data on the track, if a counted value of the execution frequency of the write mode on the track adjacent to the track exceeds a predetermined threshold.例文帳に追加
データ保存システムのライト制御方法において,トラック別に隣接トラックでライトモードを実行した回数をカウントする段階,当該トラックの隣接トラックでライトモードを実行した回数のカウント値が所定の閾値を超過する場合に,当該トラックに保存されたデータを読出す段階及び読出したデータを当該トラックに再び書込む段階を含む。 - 特許庁
In the method of forming the high sound pressure area by controlling the phase and volume of sound signals from the respective speakers of the speaker array composed by linearly or planarly arranging the plurality of speakers, the interference of the sound is suppressed by cutting the spectrum of strength equal to or lower than a predetermined threshold in an area where the sound overlaps by a frequency band selection method.例文帳に追加
複数のスピーカを直線状又は平面状に配置してなるスピーカアレイの各スピーカからの音声信号の位相及び音量を制御して高音圧領域を形成する方法において、音が重なる領域における予め定めた閾値以下の強度のスペクトラムを周波数帯域選択法によりカットすることにより音の干渉を抑制する。 - 特許庁
To provide a measurement method of a profile, an etching dispersion estimation method and a measurement device capable of previously estimating or reducing dimensional dispersion after etching by measuring resist pattern width with a plurality of threshold values to detect the difference of a resist profile in a length measurement SEM, and capable of improving the quality of a product and the manufacturing yield.例文帳に追加
測長SEMにおいて、複数の閾値でレジストパターン幅を測定し、レジストプロファイルの違いを検知し、エッチング後の寸法ばらつきを未然に予測または低減することができ、製品の品質向上および製造歩留まりを向上させることができるプロファイルの測定方法、エッチングばらつき予測方法および測定装置を提供すること。 - 特許庁
The claimed method does not include the step with an action of a medical doctor or the step with an influence on the human body by the device. The operation of the magnetic resonance imaging device to shift to high resolution imaging when the signal strength within the desired domain drastically changes from the threshold value, i.e., the function of the magnetic resonance imaging device, is represented as a method. 例文帳に追加
請求項には、医師が行う工程も、機器による人体に対する作用工程も含まれておらず、磁気共鳴撮影装置が、設定された領域の信号強度が閾値より大きく変化したら、撮影する解像度を上げるように作動するという、磁気共鳴撮影装置自体に備わる機能が方法として表現されている。 - 特許庁
The vehicle behavior estimating method is a method measuring yaw rate γ and a roll angle ψ generated in a vehicle (ST09), calculating a differential value f' of the roll angle to the yaw rate (ST10), and estimating that the vehicle is in a driving state that may roll over if the differential value exceeds predetermined estimated threshold values LM2.例文帳に追加
車両の挙動推定方法は、車両に発生するヨーレイトγ及びロール角φを計測し(ST09)、このヨーレイトに対するロール角の微分値f’を算出し(ST10)、この微分値が予め設定された推定しきい値LM2を超えた場合に、車両が横転する可能性のある運転状態であると推定する(ST13)方法である。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can easily obtain superior characteristics by preventing the threshold deterioration caused by the short channel effect by preventing the concentration variation of an impurity near the joint surface of a p-n junction and a method for manufacturing the device.例文帳に追加
pn接合における接合面近傍において不純物濃度が変化することを防止することができ、これにより、短チャネル効果によるしきい値の低下を防止して良好な特性を容易に得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A method of implementing a fault-tolerant avionics architecture in a vehicle includes using parity logic to monitor the functionality of at least three non-fault-tolerant inertial measurement units during a parity check and calculating a threshold from expected inertial measurement unit performance during a parity check.例文帳に追加
耐故障性アビオニクスアーキテクチャをビークルにおいて実装する方法は、パリティロジックを使用して、パリティチェック中に少なくとも3つの非故障性慣性測定装置の機能を監視すること、及びパリティチェック中に慣性測定装置期待性能から閾値を計算することを含む。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a p-type semiconductor element with which the surface of a polysilicon layer can be oxidized selectively and, in addition, can suppress the threshold voltage fluctuation of a semiconductor element caused by post-oxidation as much as possible, when the post- oxidation is performed on a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加
ポリメタル構造を有するゲート電極に対する後酸化を行うとき、ポリシリコン層の表面を選択的に酸化することができ、しかも、後酸化に起因した半導体素子の閾値電圧の変動を出来る限り抑制し得るp形半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for compensating for malfunctioning nozzle of inkjet image forming apparatus comprises a step 1100 for detecting a malfunctioning nozzle among nozzles installed in an inkjet image forming apparatus and a step 1110 for increasing a dithering threshold of an adjacent print position to a compensation position printed by the detected malfunctioning nozzle.例文帳に追加
インクジェット画像形成装置のノズルのうち、欠陥ノズルを検出する段階1100と、検出された欠陥ノズルにより印刷される補償位置に隣接した印刷位置のディザリングスレショルドを増加させる段階1110と、を含むインクジェット画像形成装置の欠陥ノズル補償方法。 - 特許庁
To provide an image processor, image forming apparatus, image processing method, image processing program and computer readable recording medium with image processing program recorded thereon in which storage capacity of a threshold matrix required for half-tone processing is reduced and high-quality image data are outputted.例文帳に追加
中間調処理に必要な閾値マトリクスの記憶容量を削減し、高画質な画像データを出力する画像処理装置、画像形成装置、画像処理方法、画像処理プログラムおよび画像処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁
A software program in a micro computer 500 captures an integrated value from a OPD (Optical Detector) 470, compares and analyzes a luminance histogram with each prescribed threshold value, corrects a luminance histogram smoothed in average by utilizing the B-spline interpolation method or the like, and applies input output control to a gamma correction circuit 460.例文帳に追加
OPD470からの積分値をマイクロコンピュータ500内のソフトウエアに取り込み、輝度ヒストグラムを所定の閾値毎に比較解析し、B−スプライン補間法等を利用し、輝度ヒストグラムが平均的に滑らかになるように補正して、γ補正回路460の入出力の制御を行う。 - 特許庁
To provide a compound which can especially form a stable thin film on a bottom contact type organic transistor by a solution-coating method, and can form an organic semiconductor film having high mobility and a low threshold voltage and enabling stable operations in the atmosphere, and to provide an organic transistor using the compound.例文帳に追加
溶液塗布法、特にボトムコンタクト型の有機トランジスタにおいて安定した薄膜形成が可能で、高い移動度および低い閾値電圧を有し、大気中で安定な動作を可能とする有機半導体膜を構成する化合物および該化合物を用いた有機トランジスタを提供すること。 - 特許庁
Based on the feature amount subjected to feature amount extraction, a threshold selecting section 1702 selects one of a plurality of quantized thresholds, where at least the former of existence of periodic oscillation and the amplitude of oscillation is different, being employed for performing error diffusion method.例文帳に追加
閾値選択部1702は、特徴量抽出後の特徴量に基づいて、周期的な振動の有無及び振動が有る場合の振幅の大きさのうち少なくとも前者が異なる複数の量子化閾値の中から誤差拡散法の実行に用いるものを選択する。 - 特許庁
The control method of a stereoscopic image display device comprises: detecting difference data which shows a motion amount of an input image (step S1); and, when the difference data is smaller than a threshold (step S2: YES), setting a shutter open time shorter than in the case of the difference data being larger, and increasing display light intensity (step S3, S4).例文帳に追加
入力映像の動き量を示す差分データを検出し(ステップS1)、この差分データがしきい値に対して小の場合に(ステップS2:YES)、差分データが大の場合よりもシャッターの開時間を短く設定すると共に表示光量を増大させるようにした(ステップS3,S4)。 - 特許庁
For example, the method calculates a degree of attention of each object by using a feature including at least one of a kind, a luminance, a size, and a position of the object by each detected object and trims the imaged image in a way of including the object whose degree of attention is a prescribed threshold or larger.例文帳に追加
例えば、検出されたオブジェクト毎にそのオブジェクトの種類、輝度、大きさおよび位置のうち少なくとも1つを含む特徴を用いて各オブジェクトの注目度を算出し、その注目度が所定の閾値以上であるオブジェクトを含むように撮像画像をトリミングする。 - 特許庁
In a receiver for digital broadcasting, an signal error rate considered the degree of signal deterioration of viewer's perception is newly calculated based on the decode error frequency produced at a video decoder and an audio decoder, and at a crossing of the calculated error rate beyond a predetermined threshold level, a demodulation method is switched from a high layer to a low layer.例文帳に追加
映像や音声デコーダで生じるデコードエラーの頻度から、視聴者が知覚する信号の劣化度を想定した、信号の誤り率を新たに算出し、誤り率があらかじめ設定した閾値を超えた場合に、高階層から低階層へ変調方式を切替える。 - 特許庁
In this method of manufacturing semiconductor device, the impurity ion implantation which is performed for forming a well, and the impurity ion implantation which is performed for adjusting the threshold of a transistor formed in the well, are performed on the active area of a silicon substrate by using the same resist pattern as a mask.例文帳に追加
シリコン基板の活性領域に、同一のレジストパターンをマスクとして、ウエル形成用の不純物イオン注入と、該ウエル内に形成されるトランジスタの閾値調整用の不純物イオン注入とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁
To provide a method for safely manufacturing a lead-free fine metal hydrazine nitrate used in an igniter, an initiating explosive, a base charge and the like using a microreacter with a specific passage below the detonation threshold diameter, and to provide a metal hydrazine nitrate composition of which the friction sensitivity is desensitized.例文帳に追加
点火薬、起爆薬或いは添装薬等に用いることができる鉛の含まない微細な金属ヒドラジン硝酸塩を、爆轟限界径以下の特定流路を有するマイクロリアクターを用いて安全に製造する方法と、摩擦感度を鈍感化した金属ヒドラジン硝酸塩組成物を提供する。 - 特許庁
To reduce the generation of a pseudo-defect when a lightness difference exists between two compared images, in an image defect inspection device and a method for detecting a difference between fellow picture elements corresponding to the two images to detect a picture element portion as a defect when the difference exceeds a detection threshold.例文帳に追加
2画像の対応する各画素同士の画素値の差分を検出して、この差分が検出閾値を超えるとき画素部分を欠陥として検出する画像欠陥検査装置及び方法において、比較する2画像に明度差がある場合の疑似欠陥の発生を低減する。 - 特許庁
To provide a method for operating a brake system including: at least one brake device which can be controlled by a brake pedal; a means for acquiring a change rate dependent on operation of the brake pedal; and a device for comparing the acquired change rate with a preset threshold value.例文帳に追加
ブレーキペダルによって制御可能の少なくとも一つのブレーキ装置、及びブレーキペダルの操作に依存している変化率の把捉のための手段、並びに、把捉された変化率を事前設定可能な閾値と比較するための装置、を備えた、ブレーキシステムの作動のための方法 - 特許庁
The method further includes the execution of protection switching to a signal received via the second path from the signal received via the first path in response to decision that the reference power level exceeds a power strength of the signal received via the first path by a predetermined threshold.例文帳に追加
この方法は更に、第1のパスを介して受信された信号のパワー強度を基準パワーレベルが所定の閾値だけ上回るとの判定に応答して、第1のパスを介して受信された信号から第2のパスを介して受信された信号にプロテクションスイッチングを行うことを含む。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a non-volatile memory device capable of effectively embodying an NOR flash cell array composed using a 2-beat sidewall floating gate element having self-convergence characteristics, where a threshold voltage converges to a fixed value in erasing.例文帳に追加
本発明はイレイズの時しきい電圧が決まった値打ちに収斂する特性を枝は自体に収斂する2ビートサイドワル・フローティングゲート素子を使って構成したNORフラッシュセルアレイを効果的に具現することができる不揮発性メモリー素子の製造方法に関するのである。 - 特許庁
To (1) provide an organic thin film having regularly lined up optical function areas of a submicron size an a method of manufacturing the same and to (2) provide an optical recording medium which permits recording and reproducing at the recording density exceeding the diffraction threshold of a pickup lens which cannot be embodied with the conventional optical recording medium.例文帳に追加
(1)サブミクロンサイズの規則的に並んだ光機能性部位を有する有機薄膜とその製造方法の提供、(2)従来の光記録媒体では実現不可能なピックアップレンズの回折限界を超えた記録密度で記録再生可能な光記録媒体の提供。 - 特許庁
In the method of protecting the torque converter for the automatic transmission from overheating during driving slip, an energy loss converted in the torque converter or a numeric value in proportion to the energy loss is calculated, and engine torque is decreased when the energy loss and the numeric value in proportion to the energy loss exceeds a predetermined threshold.例文帳に追加
駆動滑り制御中に、自動変速装置のトルクコンバータを過熱から保護する方法において、トルクコンバータ内で変換される損失エネルギ、またはこれに比例する数値を計算し、且つ、損失エネルギまたはこれに比例する数値が所定のしきい値を超えた場合に、エンジントルクが低下される。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of stabilizing long-term reliability of a product by suppressing occurrence of Fermi level pining so as to furthermore suppress a leak current or the like while suppressing variations in a threshold voltage, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
フェルミレベルピニングの発生を抑制することにより、しきい値電圧の変動を抑制しつつ、さらにリーク電流等の発生を抑制することにより、製品の長期的な信頼性を安定させることの可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁
The method includes a step of sensing acceleration imparted to a portable digital device and a step of moving an image on a display area in accordance with a tilt angle of the portable digital device and a tilt angle history if the sensed acceleration is greater than a first threshold value.例文帳に追加
携帯用デジタル装置に加えられた加速度を感知する段階と、前記感知された加速度の大きさが第1閾値以上の場合、前記携帯用デジタル装置の傾斜角及び傾斜角の履歴にしたがってディスプレイ領域上でイメージを移動させる段階とを含む。 - 特許庁
In this composition estimation method of the concrete hardened body, a multi-valued image of the concrete hardened body is subjected to binarization processing by using a threshold for aggregate amount estimation, and an estimation value of a unit aggregate amount is calculated based on expression (1) from an aggregate area ratio calculated from an acquired binarization-processed image.例文帳に追加
本発明のコンクリート硬化体の配合推定方法は、コンクリート硬化体の多値画像を、骨材量推定用閾値を用いて2値化処理し、得られた2値化処理画像より算出された骨材面積率から、下記式(1)に基づいて単位骨材量推定値を算出する。 - 特許庁
In the corrosion inspection method, in a state where a sheathing material is attached to the measuring target, counted value related to the moisture amount of the sheathing material is measured by a neutron moisture meter; and only when the counted value is higher than a preset threshold, is the wall thickness of the measuring target measured by an eddy current flaw detector.例文帳に追加
腐食検査方法では、被測定物に外装材が取り付けられた状態で、中性子水分計にて、外装材の水分量についてのカウント値を測定し、カウント値が予め設定された閾値よりも高い場合にのみ、渦電流探傷器にて、被測定物の肉厚を測定する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, including an MISFET that contains a gate insulating film of high dielectric constant, capable of controlling a threshold voltage to a shallow value with ease, based on the relation between the work function of a metal gate material and that of the semiconductor substrate, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加
高誘電率膜のゲート絶縁膜を含むMISFETを有する半導体装置に関し、メタルゲート材料の仕事関数と半導体基板の仕事関数との間の関係によって閾値電圧を容易且つ浅い値に制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In a focus adjustment method of a contrast detection system, when wobbling takes place such that the depth of focus is smaller than a threshold, a drive amplitude of the focus lens when the vibration center of the focus lens 105 is moved is set smaller than that of the focus lens when the vibration center of the focus lens is not moved.例文帳に追加
コントラスト検出方式の焦点調節方法において、焦点深度が閾値よりも小さい場合のウォブリングにおいて、フォーカスレンズ105の振動中心を移動する時のフォーカスレンズの駆動振幅は振動中心を移動しない時のフォーカスレンズの駆動振幅よりも小さい。 - 特許庁
To improve the quality of a reference space created based on a group of normal products in an image inspection method and an image inspection device which inspect an image of a target product to be inspected, by comparing an inspection threshold determined based on the reference space with a Mahalanobis distance of the image of the target product.例文帳に追加
正常製品群に基づいて作成された基準空間に基づいて決定された検査閾値と、被検査製品の画像のマハラノビス距離とを比較することでその被検査製品の画像の検査を行う画像検査方法、画像検査装置において、基準空間の質を高めること。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a thin film transistor which has an active layer formed of an amorphous metal oxide semiconductor as a principal component, an improved TFT characteristic feature even if a TFT is applied with heat treatment at a relatively low temperature of 200°C or lower, a small shift in a threshold value for driving, and high reliability.例文帳に追加
アモルファス酸化物半導体を主成分とする活性層を有し、200℃以下の比較的低温の熱処理でもTFT特性が効果的に向上し、駆動時の閾値シフトが小さく、信頼性の高い薄膜トランジスタを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁
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