「upper layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(125ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface sheet 1A of the absorbent articles is configured by joining a lower layer 3 including a heat-shrinkable fiber and an upper layer 2 provided on the lower layer 3 by a plurality of thermal adhesion embosses 4 provided regularly and by thermally shrinking the heat-shrinkable fiber.例文帳に追加

本発明の吸収性物品の表面シート１Ａは、規則的に配された多数の熱接着エンボス４により、熱収縮性繊維を含む下層３と下層３上に配された上層２とが貼り合わされ、熱収縮性繊維が熱収縮されてなる。 - 特許庁

In the two layer coating system, an upper coating layer consists of tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene, vinylidene difluoride/tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene or tetrafluoroethylene/perfluorodioxole and a lower coating layer consists of vinylidene difluoride/tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene, vinyl fluoride/tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene, vinyl acetate/tetrafluoroethylene/hexafluoroisobutylene or tetrafluoroethylene-graft poly(vinyl alcohol).例文帳に追加

２層被覆系では、上方の被覆層をＴＦＥ／ＨＦＰ、ＶＦ_2／ＴＦＥ／ＨＦＰまたはＴＦＥ／パーフルオロジオキソールで構成させそして下方の被覆層をＶＦ_2／ＴＦＥ／ＨＦＰ、ＶＦ／ＴＦＥ／ＨＦＰ、ＶＡｃ／ＴＦＥ／ＨＦＩＢまたはＴＦＥグラフト化ＰＶＯＨで構成させる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element has: a base layer comprising a group III nitride compound semiconductor that is grown from the sides of the grooves and that covers the top of the surface 10a of the sapphire substrate and the upper surface 15a of the dielectric 15; and an element layer that configures a light-emitting element formed on the base layer.例文帳に追加

溝の側面から成長し、サファイア基板の面１０ａ上及び誘電体１５の上面１５ａを覆うIII族窒化物系化合物半導体から成る基底層と、基底層上に形成された発光素子を構成する素子層とを有する。 - 特許庁

The transistors TR11-TR14 are driven so as to be turned on when a chip is layered on a lower layer and a chip is not layered on an upper layer, in a state where a control voltage VDD and a reference voltage VSS are applied from a chip of the lowermost layer to chips of respective layers.例文帳に追加

制御電圧ＶＤＤと基準電圧ＶＳＳを最下層から各層のチップに対して印加した状態で、トランジスタＴＲ１１乃至１４は、下層にチップが積層され、上層にチップが積層されないときにオンとなるように駆動する。 - 特許庁

The protective mat is laid down on the upper surface side of an impermeable sheet installed at the installation site such as a waste repository, and is configured to include a base layer and a slipperiness-giving layer formed on the base layer.例文帳に追加

本発明の保護マットは、廃棄物処分場などの設置対象場所に設置される遮水シートの上面側に敷設される保護マットであって、該保護マットがベース層と該ベース層上に形成された滑り性付与層から構成されることを特徴とする。 - 特許庁

The method for culturing epithelial cells on a porous membrane is performed by filling medium into both of upper layer part and lower layer part separated by the porous membrane as the boundary, and always feeding the medium from the lower layer through the porous membrane while the cells are cultured.例文帳に追加

上皮系細胞を多孔膜上で培養させる際、その多孔膜を境に上層部及び下層部の双方を培地で満たし、細胞が培養されている間は常に多孔膜を介して培地が下層から細胞に供給されている培養方法とすること。 - 特許庁

To provide a reflection type liquid crystal display device in which an uneven layer thickness of an organic film and an overcoat layer is hard to occur, in which the organic film or the overcoat layer and a film or a substrate formed on its upper or lower side are hard to be peeled from each other and which has an excellent displaying state.例文帳に追加

有機膜およびオーバーコート層の膜厚むらが発生しにくく、有機膜またはオーバーコート層と、その上下に形成される膜または基板とが剥離しにくく、表示状態が良好な反射型液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

A transparent electrode 2, a lower part insulating layer 3, a luminous layer 4 by electrolumiescence, an upper part insulating layer 5 and a rear face electrode 6 are laminated in this order on the substrate 1 made of translucent polycrystalline substance that has a perovskite crystal structure as a main crystal phase.例文帳に追加

ペロブスカイト型結晶構造を主結晶相とする、透光性を備えた多結晶体である基板１上に、透明電極２、下部絶縁層３、エレクトロルミネセンスによる発光層４、上部絶縁層５、および背面電極６をこの順にて積層する。 - 特許庁

Thereafter, a conductor plating layer 14 is formed by electrolytic plating on the exposed part of the substrate conductor layer 11, the conductor plating layer 14 is formed higher than the resist pattern mask, and the conductor line 2 is formed as a sectional shape having a rounded upper part and no corner.例文帳に追加

その後、下地導体層１１の露出部分に電解めっきにより導体めっき層１４を形成し、該導体めっき層１４を前記レジストマスクパターンよりも高くかつ上部が丸みを帯びた角の無い断面形状として導体線路２を形成する。 - 特許庁

The optical waveguide is manufactured by successively forming the lower clad layer, the optical waveguide core and the upper clad layer which are each made of organic materials after providing the buffer layer made of the silicon oxide or the spin-on glass on the inorganic substrate except the silicon substrate.例文帳に追加

この光導波路は、シリコン基板を除く無機基板上に酸化シリコンまたはスピンオングラスからなるバッファー層を設けた後、各々有機材料からなる下部クラッド層、光導波路コアおよび上部クラッド層を順次形成することより製造される。 - 特許庁

Furthermore, a uniform film exhibiting good step coverage can be deposited by forming the carbon layer 5 for reducing a reverse bias current by sputtering, and since an upper heterojunction layer (mixture layer 3) can be formed easily, the diode can be formed stably.例文帳に追加

さらに、逆バイアス電流低減のためのカーボン層５をスパッタリング法によって形成することでステップカバレッジの良い均一な膜を形成することができ、上部へのヘテロ接合層（混合層３）の形成が容易になることから安定したダイオード形成が可能になる。 - 特許庁

The antireflection film has such a structure that a layer consisting of an active energy ray-curing urethane (meth)acrylate or an active energy ray-curing composition containing the urethane (meth)acrylate formed as an upper layer on a base film and further an antireflection layer formed thereon.例文帳に追加

反射防止フィルムは、活性エネルギー線硬化性ウレタン（メタ）アクリレート又は同ウレタン（メタ）アクリレートを含有する活性エネルギー線硬化性組成物からなる層が基材フィルムの上層に設けられ、さらにその上層に反射防止層が設けられた構成となっている。 - 特許庁

In the capacitor comprising a silicon substrate, a lower electrode, a dielectric layer formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the dielectric layer, the dielectric layer is formed of a substance, containing a composite oxide of a transition metal and a lanthanum-based substance.例文帳に追加

シリコン基板と、下部電極と、下部電極上に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された上部電極と、を備えるキャパシタにおいて、誘電体層は、遷移金属及びランタン系物質の複合酸化物を含む物質で形成される。 - 特許庁

The optical waveguide 10 includes the quartz substrate 11, a buffer layer 12 prepared on the quartz substrate 11, cores 13a, 13b prepared on the buffer layer 12, and an upper clad 14 prepared on the buffer layer 12 covering the cores 13a, 13b.例文帳に追加

本発明による光導波路１０は、石英基板１１と、石英基板１１上に設けられたバッファ層１２と、バッファ層１２上に設けられたコア１３ａ，１３ｂと、コア１３ａ，１３ｂを覆ってバッファ層１２上に設けられた上部クラッド１４とを備える。 - 特許庁

The respective body supports 62 and 63 are provided with lower layer parts 62b and 63b for supporting the body side part back surface of the baby from below and upper layer parts 62a and 63a shifted and positioned at the outer side part on the lower layer parts 62a and 63b and abutted to the body side part of the baby from the side.例文帳に追加

各胴サポート６２，６３は、乳児の胴側部背面を下から支える下層部６２ｂ，６３ｂと、この下層部６２ｂ，６３ｂ上で外側方にずれて位置し乳児の胴側部に横から当接する上層部６２ａ，６３ａとを含む。 - 特許庁

In a process where a counter board 2 is manufactured, an upper electrode, a first charge blocking layer, and a semiconductor layer 19 are laminated in this order on a support board, and then ceramic particles 23 are blown against the surface of the semiconductor layer 19 by the use of an abrasive discharge nozzle 22.例文帳に追加

対向基板２の製造工程において、支持基板上に上部電極、第１の電荷阻止層、半導体層１９がこの順に形成された後、該半導体層１９の表面に砥粒吐出ノズル２２によりセラミック粒子２３を吹き付ける。 - 特許庁

A yoke layer 135 is formed in contact with the main pole layer 24, and the width dimension of the yoke layer 135 gradually or continuously spreads toward the backside in the height direction, and toward a lower surface from an upper surface.例文帳に追加

前記主磁極層２４に接してヨーク層１３５が形成されており、前記ヨーク層１３５は、ハイト方向後方に向かって、段階的または連続的に幅寸法が広がるとともに、上面から下面に向って段階的または連続的に幅寸法が広がる。 - 特許庁

A p-side GRIN-SH layer 6 is constructed so as to make the composition continuously vary from a 1.15 μm band to InGaAlAs corresponding to a 1.0 μm band starting from the MQW absorption layer 5 to a p-type InP upper cladding layer 7.例文帳に追加

ｐ側ＧＲＩＮ−ＳＣＨ層６は、前記ＭＱＷ吸収層５から図１に示したｐ型ＩｎＰ上部クラッド層７へ向かって、組成が１．１５μｍ帯から１．０μｍ帯相当のＩｎＧａＡｌＡｓへと連続的に変化するように構成される。 - 特許庁

The semiconductor laser which is equipped with a refractive index waveguide structure and a current stricture structure and oscillates in basic lateral mode has light guide layers 5 and 7 above and below a quantum wall layer 6, and the upper light guide layer 7 is made thicker than the lower light guide layer 5.例文帳に追加

屈折率導波構造および電流狭窄構造を備えた基本横モード発振する半導体レーザにおいて、量子井戸層６の上下に光ガイド層５，７を備え、上部光ガイド層７の厚みを下部光ガイド層５の厚みより薄くする。 - 特許庁

A sheet body 2 includes a liquid-absorbing layer 3 which absorbs a drip coming out of the seafood portion 1b of a sushi 1, and a porous film 6 which overlies the upper surface of the liquid-absorbing layer 3 and is provided with a number of pores for leading the drip to the liquid-absorbing layer 3.例文帳に追加

シート本体２は、握り鮨１のたね部分１ｂから出るドリップを吸収する吸液層３と、吸液層３の上面に一体に積層されて、前記ドリップを吸液層３に導くための多数の小孔が全面的に設けられた多孔フィルム６とを含む。 - 特許庁

The catalyst comprises a lower coat layer 2 which is formed from the powder of an oxide whose reactivity with a NOx occlusion material is lower than that of alumina and applied on the surface of a substrate and an upper coat layer 3 which is formed from powder mainly containing an acidic oxide and applied on the surface of the lower coat layer 2.例文帳に追加

ＮＯ_ｘ 吸蔵材との反応性がアルミナより低い酸化物の粉末から形成され基材表面にコートされた下コート層２と、酸性酸化物を主とする粉末から形成され下コート層２表面にコートされた上コート層３と、からなる。 - 特許庁

To provide an upper electrode for a touch panel configured by adhering a laminate and a conductive laminate, the laminate having a hard coat layer and an adhesive layer with cushioning property which is excellent in adhesiveness between an adhesive layer and a base material film, particularly, heat-resistant water adhesiveness.例文帳に追加

ハードコート層とクッション性のある粘着層を有し、粘着層と基材フィルムとの接着性、特に耐熱水接着性に優れた積層体を見出し、この積層体と導電性積層体を貼り合わせた構成のタッチパネル用上部電極を提供する。 - 特許庁

The conductive member 5 to connect a primary electrode 11 of a lower layer and a secondary electrode 21 of an upper layer is arranged on a partial surface or the whole surface of a recess portion that is depressed in a horizontal direction formed in an adhesion layer 3 located between the primary electrode 11 and the secondary electrode.例文帳に追加

下層の第１電極１１と上層の第２電極２１の間の接着層３に形成された横方向に窪んだ凹部４の一部または全ての面に、第１電極１１および第２電極２１を接続する導電部材５が設けられている。 - 特許庁

Moreover, on an upper surface of the fuel electrode layer 12, there are formed in lamination very uniformly in a plane view a porous layer 14 composed of a porous insulator having a smaller thermal expansion ration than the fuel electrode layer 12 and a terminal 15 to take out a generated power.例文帳に追加

更に、燃料極層１２の上側面には、燃料極層１２よりも熱膨張率が小さい多孔質の絶縁体からなる多孔質層１４と、発電した電力を外部へ取り出す端子１５とが平面視にて極めて均一に積層・形成されている。 - 特許庁

A bottom insulating layer 14, a layer of a super-lattice structure having a sandwich structure in which intermediate insulating layers 16A, 16B are inserted into between electronic accumulated layers 15A, 15B and 15C, a top insulating layer 17, and a gate electrode 18 are laminated sequentially on the upper surface of a channel region.例文帳に追加

チャネル領域の上面に、ボトム絶縁層１４と、電子蓄積層１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃの間に中間絶縁層１６Ａ，１６Ｂを介挿させサンドイッチ構造とした超格子構造の層と、トップ絶縁層１７と、ゲート電極１８とを順次積層する。 - 特許庁

A fiber reinforcing layer 3 arranged between an inner layer rubber 2 and an outer layer rubber 4 constituting the shell 5 of the sea buoy 1 is formed of twisted cord mainly composed of high strength fiber of strength of 13 cN/dtex or more and having an upper twist coefficient α of 1,000-2,000.例文帳に追加

海中ブイ１の外殻５を構成する内層ゴム２と外層ゴム４との間に配置された繊維補強層３を、強度が１３ｃＮ／ｄｔｅｘ以上の高強度繊維を主成分とし、かつ上撚り係数αが１０００〜２０００である撚りコードから構成する。 - 特許庁

Further the venting layer 14 is formed on an upper side of the heat insulation sheet 4 so as to reach a ridge beam 2 along the inclined beam 1, and therefore air ascending through a venting layer 13 between the rafters 2 can be lead via the venting layer 14 to the ventilation ridge above the ridge beam 2.例文帳に追加

また断熱シート４の上側に、登り梁１に沿って棟木２に至る通気層１４を形成することができ、垂木２間の通気層１３を上昇してきた空気をこの通気層１４を通して棟木２の上の換気棟に導くことができる。 - 特許庁

A MOSFET 10 is provided with an n^+-type semiconductor substrate 11, an n-type 1st semiconductor layer 12 is formed on the main surface of the substrate 11, and a p-type 2nd semiconductor layer 13 is formed on the upper surface of the 1st semiconductor layer 12.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１０はＮ^＋型の半導体基板１１を備え、半導体基板１１の主面にＮ型の第１の半導体層１２が設けられ、第１の半導体層１２の上面には、Ｐ型の第２の半導体層１３が設けられている。 - 特許庁

This method for culturing multiply layered epithelial cells is provided by filling the both of upper layer part and lower layer part separated by a boundary of a porous membrane in culturing the epithelial cells on the porous membrane, and always feeding the medium from the lower layer through the porous membrane while the cells are cultured.例文帳に追加

上皮系細胞を多孔膜上で培養させる際、その多孔膜を境に上層部及び下層部の双方を培地で満たし、細胞が培養されている間は常に多孔膜を介して培地が下層から細胞に供給されている培養方法とすること。 - 特許庁

In the organic EL device 100, the sealing membrane 60 is formed over a region wider than a pixel region 10a on the upper layer of a second electrode layer 83, and in this state, the first substrate 10 and the second substrate 20 are stuck with an adhesive layer 91.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１００では、第２電極層８３の上層に画素領域１０ａよりも広い領域にわたって封止膜６０を形成しておき、この状態で、第１基板１０と第２基板２０とを接着剤層９１で貼り合せる。 - 特許庁

To prevent the generation of a spike in a semiconductor device constituted such that a metal silicide layer is laid on the top of the upper surface of a base extraction electrode of a base layer constituted of a silicon-germanium mixed crystal layer, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

シリコン−ゲルマニウム混晶層からなるベース層のベース引出電極部上面に金属シリサイド層を重合してなる半導体装置及びその製造方法において、スパイクの生起を抑止可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The upper surface layer 3 and the lower surface layer 5 are formed respectively of thermoplastic synthetic fibers 11 and 12, as main materials, each having a fiber length of 25-70 mm and a fineness of 0.7-3.5 dtex, while the intermediate layer 6 is formed of a pulp fiber 13 as the main material.例文帳に追加

上部表面層３と下部表面層５とのそれぞれは、繊維長２５〜７０ｍｍ、繊度０．７〜３．５ｄｔｅｘの熱可塑性合成繊維１１，１２のそれぞれを主体にして形成され、中間層６がパルプ繊維１３を主体にして形成される。 - 特許庁

The discharging head B3 includes a liquid guide mechanism for discharging from the nozzle 41 the liquid discharged from each dispenser container in a foam form or in a viscous liquid form in a cross sectional pattern having a layer structure where at least the upper surface of the first liquid layer is covered by the second liquid layer.例文帳に追加

各吐出用容器体から泡状或いは粘性液状に吐出された液を、少なくとも第１液層の上面を第２液層が被覆する層構成を備えた断面パターンで、ノズル41から吐出する液誘導機構を吐出ヘッドB3内に備えている。 - 特許庁

A structure of bus wiring (scanning line) to supply power to the electron source is formed to be a laminated structure of the lower layer 17 composed of a CrMo alloy, an intermediate layer 18 composed of Al or an Al alloy, and an upper layer 19 composed of Cr successively from the side nearer to a cathode substrate 10.例文帳に追加

電子源に給電するためのバス配線（走査線）の構造を、陰極基板１０に近いほうから、ＣｒＭｏ合金からなる下層１７、Ａｌ又はＡｌ合金からなる中間層１８、Ｃｒからなる上層１９の積層構造とする。 - 特許庁

Next, a COF 50 is arranged at the upper surface of piezoelectric layer 42, the land 52, and the conductive bump 46 are electrically connected and the base material 51 and the piezoelectric layer 42 are bonded by heating the projected part 56 with a heater H, while the projected part is pressed against towards the piezoelectric layer 42.例文帳に追加

次に、ＣＯＦ５０を圧電層４２の上面に配置し、ヒータＨにより、突出部５６を圧電層４２に向かって押圧しながら加熱することでランド５２と導電性バンプ４６とを電気的に接続するとともに、基材５１と圧電層４２とを接合する。 - 特許庁

A GaN seed layer 12 for ELOG is formed on a sapphire substrate 11 through the intermediary of a low-temperature GaN buffer layer, and stripe-shaped protuberant parts 12a extending in the plane direction of the substrate and separating from one another by a certain space are provided to the upper part of the GaN seed layer 12.例文帳に追加

サファイアからなる基板１１上に、ＧａＮからなる低温バッファ層を介してＥＬＯＧ用のＧａＮからなるシード層１２を形成し、該シード層１２の上部に基板面方向に互いに間隔をおいて延びるストライプ状の凸部１２ａを形成する。 - 特許庁

In this semiconductor optical device and its manufacturing method, a quantum well active layer which includes an InxGa1-xNyAs1-y (0<x≤1, 0<y≤1) quantum well layer and GaNzAs1-z (0<z≤1) barrier layers which are adjacent to the upper part and the lower part of the quantum well layer is arranged on a substrate.例文帳に追加

Ｉｎ_xＧａ_1-XＮ_yＡｓ_1-y（０＜ｘ≦１，０＜ｙ≦１）井戸層と、該井戸層の上下に隣接するＧａＮ_zＡｓ_1-z（０＜ｚ≦１）バリア層とを含む量子井戸活性層を基板上に有することを特徴とする半導体光デバイス装置及びその製造方法。 - 特許庁

This greening structure is such that a sheet waterproof layer 20 where the edge portions of a waterproof sheet material 2 are joined together through polymerization on the upper surface part 11 of a receiving member 1 arranged along the drainage slope of the roof of a building or construction is formed, and a culture soil layer 3 is formed on the sheet waterproof layer so as to plant plants 4.例文帳に追加

建築物や構造物の屋根の水勾配に沿って配設した受け部材１の上面部１１上にて防水シート材２の端部を重合接続したシート防水層２０を形成し、その上に培土層３を形成し、植物４を植裁した。 - 特許庁

An earthen pot 1 comprises a pot body 2, a lid 4 for covering an opening 3 formed at the upper part of the pot body 2, the heat generation layer 6 provided at the bottom part 5 of the pot body 2 for generating heat by the electromagnetic induction, and a protective layer 7 for protecting the heat generation layer 6.例文帳に追加

土鍋１は、鍋本体２と、鍋本体２の上部に形成された開口部３を覆う蓋４と、鍋本体２の底部５に設けられ、電磁誘導により発熱する発熱層６と、発熱層６を保護するための保護層７と、を備えている。 - 特許庁

This heavy-duty corrosion-inhibitive coated steel has an organic resin primer layer, formed on the surface of a steel stock and a polyurethane resin corrosion-inhibitive layer with not less than 100% tensile elongation and not less than 9 MPa tensile strength, formed on the upper surface of the organic resin primer layer, in that lamination order.例文帳に追加

本発明の重防食被覆鋼材とは、鋼材の表面に、有機樹脂プライマー層を有し、該有機樹脂プライマー層の上層に、引張伸びが100％以上で、かつ、引張強さが9MPa以上のポリウレタン系樹脂防食層を順次積層被覆してなる。 - 特許庁

This abrasive sheet 10a is manufactured by mixing two or more kinds of abrasive grains 12, 13 in a first adhesive 14 on the surface of a base material 11 to form a lower layer 15, and by covering the lower layer 15 with a second adhesive 16 to form an upper layer 17.例文帳に追加

基材１１の面上に研磨砥粒１２，１３の２種類以上が第１接着剤１４に混入されて下層１５が形成され、第２接着剤１６にて下層１５を覆って上層１７が形成された研磨シート１０ａを製造した。 - 特許庁

A region on the surface of the flattening layer 8 demarcated by the pixel electrodes 9 and the common electrode 10 is specified to be an aperture part 11 and the electric field shielding layer 7 is an upper layer of the signal lines 5 and is disposed at a lower part of the aperture part 11.例文帳に追加

画素電極９と共通電極１０とによって画定される平坦化層８表面上の領域を開口部１１とし、電界遮蔽層７は、信号線５の上層であって、かつ開口部１１の下部に配置された構造を有する。 - 特許庁

An inclination angle sensor device 1 is structured so that a layer (slit layer 4) positioned in the middle of a layering direction is put between lower and upper electrode layers 2 and 3 while layer forming materials are given symmetry in the layering direction.例文帳に追加

傾斜角センサ装置１は、積層方向の中央に位置する層（スリット層４）が下部電極層２と上部電極層３とにより両側から挟み込まれるように構成されるとともに、層の形成材料について積層方向に対称性が持たせられている。 - 特許庁

Especially the ink receptive layer is formed of at least two layers, and the lower layer near a waterproof base material contains the fluorescent brightner and the upper layer apart from the waterproof base material contains the hydrazine derivative, the sulfur compound and at least one kind of the saccharides.例文帳に追加

特に、インク受容層が２層以上であり、耐水性支持体に近い下層が蛍光増白剤を含有し、耐水性支持体から離れた上層がヒドラジン誘導体、含イオウ有機化合物、および糖類の少なくとも１種を含有するインクジェット用記録材料。 - 特許庁

The forming method of a nitride semiconductor has a process for performing selective transverse direction growth for a second GaN layer 5 on an upper surface of a first GaN layer 3, and a process for forming a quantum dot 6 on the second GaN layer 5 which is subjected to selective transverse direction formation.例文帳に追加

この窒化物系半導体の形成方法は、第１ＧａＮ層３の上面上に、第２ＧａＮ層５を選択横方向成長させる工程と、選択横方向成長された第２ＧａＮ層５上に、量子ドット６を形成する工程とを備えている。 - 特許庁