「upper layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(123ページ目) - Weblio英語例文検索

The foot part 50 is provided with a laminated body 30 laminated with a lower plate 13b, an impact absorbing layer 14 and an upper plate 13a in this order, and a link mechanism 20 connecting the lower plate 13b and the upper plate 13a to each other.例文帳に追加

足部５０は、下板１３ｂ、衝撃吸収層１４、及び上板１３ａがこの順で積層された積層体３０と、下板１３ｂ及び上板１３ａを相互に連結させるリンク機構２０と、を備える。 - 特許庁

The device further includes first and second through-holes 31, 32 extending from an upper surface of the second insulating film 8 to upper surfaces of the lower layer wirings 11, 12 with their side walls constituted with the first insulating film 6 and the second insulating film 8.例文帳に追加

第２絶縁膜８の上面から下層配線１１,１２の上面まで延びると共に、側壁が第１絶縁膜６と第２絶縁膜８とで構成された第１、第２スルーホール３１,３２を有する。 - 特許庁

The capacitance insulating film 15 is arranged from a part positioned on an upper surface of the upper layer electrode in the aperture to a part surrounding the aperture, and forms a recessed part U1 which corresponds to the aperture part.例文帳に追加

容量絶縁膜１５は、開口部内の上層電極の上面に位置する部分から開口部を囲む部分に亘って設けられており、容量絶縁膜１５は、開口部に対応する凹部Ｕ_1を形成する。 - 特許庁

The conductive material pillars 16 are formed by metal or low-resistance silicon, their upper end parts are connected to the shunt lines SLs, and their lower end part are connected to cell sources CSs which are formed on the upper layer parts of the silicon substrate.例文帳に追加

導電体ピラー１６は、金属又は低抵抗のシリコンによって形成し、その上端部をシャント配線ＳＬに接続し、下端部をシリコン基板の上層部分に形成されたセルソースＣＳに接続する。 - 特許庁

Upper surfaces of the complete isolating oxide film 10f and the partial isolation film 10p are higher than the upper surfaces of the SOI layer 3 of the thick film SOI region 101 and the thin film SOI region 102.例文帳に追加

完全分離酸化膜１０ｆ及び部分分離酸化膜１０ｐの上面は厚膜ＳＯＩ領域１０１及び薄膜ＳＯＩ領域１０２におけるＳＯＩ層３の上面よりも高く形成される。 - 特許庁

In this case, frustum-shaped protruding electrodes 17 formed integrally on the lower surface of the upper-layer rewiring 16 encroach on the insulating film 15 to make them contact respectively to the upper surface centers of pillar-shaped electrodes 12.例文帳に追加

この場合、上層再配線１６の下面に一体的に形成された裁頭円錐形状の突起電極１７は、絶縁膜１５に食い込むように柱状電極１２の上面中央部に接続する。 - 特許庁

The upper electrode extends so as to at least run on the spacer insulating film, and the existence of the spacer insulating film increases an inter-layer distance between an end face of the lower electrode and that of the upper electrode.例文帳に追加

上側電極は、スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在しており、スペーサ絶縁膜の存在によって、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離が増大されている。 - 特許庁

Accordingly, the hydrogen barrier film 17 and the barrier metal 28 can be formed to have substantially the same thickness on the electrode upper layer 16, and the failure in coverage of a film on the upper electrode 14 can be prevented.例文帳に追加

したがって、電極上層１６上で水素バリア膜１７およびバリアメタル２８をほぼ均一な厚さに形成することができ、上部電極１４上での膜のカバレッジ不良の発生を防止することができる。 - 特許庁

The method of producing wired glass uses an upper roller 34 and a belt conveyor 22 which sandwich a net 16 in a non-contact manner through a thin layer 32 of a vapor film, as a pair of the upper and lower supporting bodies which sandwich the net 16 between two layered glass ribbons 12, 14.例文帳に追加

網１６を二層の硝子リボン１２、１４でサンドイッチする上下一対の支持体として、蒸気膜の薄層３２を介して非接触でサンドイッチする上ローラ３４とベルトコンベア２２とを採用する。 - 特許庁

To provide a shaft construction method and a shaft structure on sloped ground which can reduce work labor, working hours and construction cost and successfully prevent sliding of an upper layer ground and falling forward of an inverted lining wall at the upper part of a shaft.例文帳に追加

作業労力、時間、建造コストを軽減しつつ上層地盤の滑動及び立坑上部の逆巻き壁の前倒れを良好に防止する傾斜地盤の立坑築造工法及び立坑構造を提供する。 - 特許庁

Then, a p-side electrode wiring 3-k is so formed as to extend from the upper part of an LED light-emitting part 2-k to the upper part of the electrode stage part 5 via the separating groove 7 filled with the insulating flattening layer.例文帳に追加

次に、絶縁性平坦化層により埋め込まれた分離溝７上を経由してＬＥＤ発光部２−ｋ上から電極台座部５上に至るようにｐ側電極配線３−ｋを形成する。 - 特許庁

Further, a slope 10a inclined in a direction away from the track width regulation part 14 is formed on the upper surface of the upper core layer 10, and thus the generation of light fringing is properly prevented.例文帳に追加

さらに下部コア層１０の上面にはトラック幅規制部１４から離れる方向に向かって傾斜する傾斜面１０ａが形成されており、これによりライトフリンジングの発生を適切に防止することができる。 - 特許庁

Further, an opening 64 is formed in that portion of the cooling plate 62 with which the upper evaporator 34 is not in contact, and a receiving space 66 is formed in that portion of the upper insulating layer 54 to which the opening 64 faces.例文帳に追加

また、冷却プレート６２における上部エバポレータ３４が接触していない部位に開口部６４を開設すると共に、上部断熱層５４における該開口部６４が臨む部位に収納スペース６６を画成する。 - 特許庁

After the carrying out of the lower side middle zone recording operation, an upper side middle zone recording operation is carried out for recording prescribed data into the middle zone MZ0 of the upper side recording layer L0 from the disk inner peripheral side to the disk outer peripheral side.例文帳に追加

下位側ミドルゾーン記録動作の実行後は、上位側記録層Ｌ０のミドルゾーンＭＺ０に規定データをディスク内周側からディスク外周側へ記録する上位側ミドルゾーン記録動作が実行される。 - 特許庁

In a vibration part 20, upper/lower faces of a thin film having piezoelectric thin film 16 having not less than one layer and formed on the hollow part 17 are sandwiched by an upper electrode 15b and a lower electrode 15a by making them face each other.例文帳に追加

空洞部１７上に形成されている１層以上の圧電薄膜１６を有する薄膜部の上下面を上部電極１５ｂおよび下部電極１５ａを対向させて挟む振動部２０を設ける。 - 特許庁

A plurality of semiconductor devices are formed on the upper surface of a substrate, a groove 6 is formed at the boundary position of the semiconductor devices from the upper surface of the substrate, and at least both sides inside the groove are covered with a protecting thin film layer 8.例文帳に追加

基板上面側に複数個の半導体素子を形成し、半導体素子の境界位置に基板の上面側から溝６を形成し、溝内の少なくとも両側面を保護用の薄膜層８にて被覆する。 - 特許庁

The upper end of a conductor pin 100 is inserted in the conductor through-hole 70 from the lower surface side of the core board 50, and the upper end of the conductor pin 100 is connected with a conductor layer 90 of the conductor through-hole by using solder 110.例文帳に追加

導体スルーホール７０には、導体ピン１００の上端をコア基板５０下面側から挿入して、その導体ピン１００の上端を導体スルーホールの導体層９０にはんだ１１０を用いて接続する。 - 特許庁

Since an insulating layer 21 provided on an upper surface of the base board 1 around the semiconductor component 2 has a second insulating layer 23 made of a thermoplastic resin, the insulating layer 21 can be relatively easily peeled off by heating when any kind of trouble happens after an insulating layer 21 is formed.例文帳に追加

なお、半導体構成体２の周囲におけるベース板１の上面に設けられた絶縁層２１は熱可塑性樹脂からなる第２の絶縁層２３を備えているので、絶縁層２１を形成した後に、何らかのトラブルが発生したら、加熱することにより、絶縁層２１を比較的容易に剥離することができる。 - 特許庁

A drain region is provided on the upper part of the distorted semiconductor layer and the second semiconductor layer, a source region is provided on the lower part of the distorted semiconductor layer and the second semiconductor layer and on the surface of the semiconductor substrate, and a vertical type MISFET for which a wiring body is connected to each region is configured.例文帳に追加

歪み半導体層及び第２の半導体層の上部にはドレイン領域を設け、歪み半導体層及び第２の半導体層の下部且つ半導体基板の表面にはソース領域を設けておき、配線体をそれぞれの領域に接続した縦型のＭＩＳＦＥＴを構成すること。 - 特許庁

This X-ray barium sulfate contrast medium sol having a two- layer structure, characterized the under layer comprising a aqueous suspension of barium sulfate particles with pharmacologically orally administrable suspending agent and having a higher barium sulfate concentration than that of the usual suspension sol and the upper layer comprising a water layer which may contain a suspending agent in a bottle.例文帳に追加

薬理学上経口投与可能な懸濁化剤の水溶液に硫酸バリウム粒子を懸濁させた、使用濃度より硫酸バリウム濃度の高い水懸濁液からなる下部層の上に、懸濁化剤を含有していてもよい水層を上部層として充填した、２層構造のゾル状Ｘ線硫酸バリウム造影剤。 - 特許庁

In a magnetic recording medium having a magnetic layer 2 including a lower layer 2a and an upper layer 2b which is formed by vapor-depositing cobalt twice performing oxygen introduction on a non-magnetic supporting body 1, it is the most important feature that the lower layer is oxidized excessively and a small quantity of cobalt having magnetism is included.例文帳に追加

非磁性支持体１上に酸素導入を行いながらコバルトを二度蒸着して形成された、下層２ａと上層２ｂを含む磁性層２を有する磁気記録媒体において、下層を過度に酸化させ、かつ下層に磁性をもつコバルトを少量含有させることを最も重要な特徴とする。 - 特許庁

The inter-layer wiring 41 includes: a conductive layer 42 formed, in an opening formed in the wiring layer, between an upper end portion and a lower end portion of the opening so as to cover a part of the wall surface; and a land pattern 44 formed around the opening for connecting the wiring pattern 21 and the conductive layer 42.例文帳に追加

層間配線４１は、配線層に形成された開口部において、その壁面の一部を覆うように開口部の上端部と下端部との間に形成された導電層４２と、開口部の周囲に形成され、配線パターン２１と導電層４２とを接続するランドパターン４４とを有している。 - 特許庁

To prevent an operation failure of a piezoelectric actuator 21 resulting from void parts 22b, 23b and 24b generated to a piezoelectric layer 23, etc., in a thin film formation process when the piezoelectric layer 23, an upper electrode layer 24 and a lower electrode layer 22 of the piezoelectric actuator 21 are formed into a thin film to make an ink jet head H small.例文帳に追加

圧電アクチュエータ２１の圧電層２３、上部電極層２４及び下部電極層２２を薄膜化してインクジェットヘッドＨを小型化する場合に、その薄膜形成過程で圧電層２３等に生じる空乏部２２ｂ，２３ｂ，２４ｂに起因する圧電アクチュエータ２１の作動不良の発生を、簡単な方法で防止する。 - 特許庁

The pattern of the barrier metal layer 4 is formed so as to have a cylindrical exposed face, and the oxygen-barrier conductive film 5 on the barrier metal layer 4 is made to come into contact not only with the upper surface of the barrier metal layer 4, but also with the cylindrically formed contact face of the barrier metal layer 4 having an axis in a direction vertical to a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

バリアメタル層４のパターンを、円筒状の露出面を備えて形成し、バリアメタル層４とその上の酸素バリア導電膜５とが、該バリアメタル層４上面だけでなく、半導体基板１に対し垂直方向を軸とする円筒状に形成された接触面を有して接触させる。 - 特許庁

This radiographic image detector is layered with a photoconductive layer 13 for generating the charge by receiving the irradiation of the recording electromagnetic wave carrying the radiographic image, an upper electrode 14 impressed with a voltage forming an electric field in the photoconductive layer, a voltage resistant layer 16 having voltage resistivity, and an anti-moisture permeability layer 17 having anti-moisture permeability, in this order.例文帳に追加

放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する光導電層１３と、光導電層に電界を形成する電圧が印加される上部電極１４と、耐電圧性を有する耐電圧層１６と、耐透湿性を有する耐透湿層１７とをこの順に積層して構成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device 100 includes: a step in which an insulating layer formed on the upper surface of a silicide layer 104 containing Ni is dry-etched to expose the silicide layer 104 containing Ni; and a step for cleaning the silicide layer 104 containing Ni in a return flow having reducibility.例文帳に追加

半導体装置１００の製造方法は、Ｎｉを含むシリサイド層１０４の上面に形成された絶縁層をドライエッチングして、Ｎｉを含むシリサイド層１０４を露出させる工程と、Ｎｉを含むシリサイド層１０４を還元性を有する還元水で洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The MOS device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; and first and second source/drain regions of second conductivity types, 206 and 204, respectively, formed in the semiconductor layer proximate to the upper surface of the semiconductor layer and spaced laterally apart relative to each other, the first and second source/drain regions 206, 204 formed in an active region of the semiconductor layer.例文帳に追加

ＭＯＳデバイスが、第１導電型の半導体層、およびこの半導体層内で上面に近接して形成され、互いに横方向に間隔を置いて設置され、半導体層の活性領域内に形成される第２導電型の第１ソース／ドレイン領域２０６および第２ソース／ドレイン領域２０４を備える。 - 特許庁

An upper substrate having an opening and formed with a circuit and an insulation coating layer on a surface layer, an inter-substrate connection sheet having an opening and having a conductive hole having a through-hole filled with conductive paste, and a lower substrate formed with a circuit and an insulation coating layer on a surface layer are laminated, and heat and pressure are applied thereto.例文帳に追加

開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板と、開口部を有し貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を有する基板間接続シートと表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を積層し加熱加圧する。 - 特許庁

A water absorptive sheet 2 having a plurality of openings is laid on a base layer 1, and a surface layer 4 of drainage high-viscosity asphalt or water-permeable concrete is rolled to cover the upper surface of the sheet, whereby the surface layer 4 and the base layer 1 are integrated together to form a pressure-proof support column 4a.例文帳に追加

複数の開口を設けた吸水シート２を基層１上に敷設し、上部に排水用高粘度アスファルトまたは透水性コンクリートの表層４を転圧覆工することで開口を貫通して表層４と基層１とを一体化した耐圧支柱４ａを形成するように構成する。 - 特許庁

The display apparatus includes a first insulating layer 116 disposed above a first substrate 110; a lower electrode 118b disposed on the first insulating layer 116; a dielectric layer 120a formed to surround the top and side surfaces of the lower electrode 118b; and an upper electrode 122a disposed on the dielectric layer 120a.例文帳に追加

表示装置は、第１基板１１０上に位置する第１絶縁層１１６と、第１絶縁層１１６上に位置する下部電極１１８ｂと、下部電極１１８ｂの上面及び側面を囲むように形成された誘電体層１２０ａと、誘電体層１２０ａ上に位置する上部電極１２２ａと、を備える。 - 特許庁

The submount 10 comprises a submount substrate 11, a solder layer 14 formed on the upper surface of the submount substrate 11 for bonding a semiconductor laser element 20, and a spacer layer 15 provided with an area smaller than the solder layer 14 and formed between the submount substrate 11 and the solder layer 14.例文帳に追加

このサブマウント１０は、サブマウント基板１１と、サブマウント基板１１の上面上に形成され、半導体レーザ素子２０を接合するための半田層１４と、半田層１４よりも小さい平面積を有するとともに、サブマウント基板１１と半田層１４との間に形成されたスペーサ層１５とを備えている。 - 特許庁

A plug electrode reaching an upper face of an inter-layer insulating film from a semiconductor substrate is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13, and the first plug electrode 5 and the second plug electrode 13 are connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and is used as an etching stop layer.例文帳に追加

半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁

A cover layer 20D of the diffraction element 20 is constituted of a cover lower layer 20Du made of a second UV cured resin 100B and joined to a diffraction pattern PTc for a CD and a cover upper layer 20Do made of a third UV cured resin 100C and joined to the cover lower layer 20Du.例文帳に追加

本発明の回折素子２０におけるカバー層２０Ｄは、第２のＵＶ硬化樹脂１００Ｂでなり、ＣＤ用回折パターンＰＴｃに接合されたカバー下層２０Ｄｕと、第３のＵＶ硬化樹脂１００Ｃでなり、当該カバー下層２０Ｄｕに接合されたカバー上層２０Ｄｏとによって構成されるようにする。 - 特許庁

In the solder joining structure of a wafer level package, there is provided an air pad solder joining structure comprising an air layer formed in a predetermined substrate layer, a connection pad formed in the upper portion of the air layer, and a part of the air layer including in a side face thereof a region passing over an exposed connection pad.例文帳に追加

本発明はウェーハレベルパッケージのハンダ接合構造において、所定の基底層に形成された空気層と、前記空気層の上部に形成された接続パッドとからなり、前記空気層の一部が側面に前記接続パッドを超過して露出された領域を含むことを特徴とする空気パッドハンダ接合構造である。 - 特許庁

The device has a configuration such that a ground line is formed for supplying the grounding voltage GND to a metal wiring layer 206 of a third layer (3M) of the upper layer of metal wiring layers 207, 208 so as to be electrically connected to the metal wiring layers 204, 209 of the second layer (2M), respectively via contact holes 215 and 216.例文帳に追加

金属配線層２０７，２０８の上層の第３層（３Ｍ）の金属配線層２０６に接地電圧ＧＮＤを供給する接地線を形成し、コンタクトホール２１５および２１６をそれぞれ介して第２層（２Ｍ）の金属配線層２０４，２０９と電気的に結合した構造となっている。 - 特許庁

A hole injection layer 7, an α-NPD vapor deposited film 8, an n-doped electron transportation layer 11 and a p-doped hole transportation layer 12 which are patterned to the same size as a B sub-pixel, a DNA vapor deposited film 13, an electron injection layer 14 and an upper electrode 15 are formed on a lower electrode 5 in the B sub-pixel.例文帳に追加

Ｂサブ画素において、下部電極５の上に、正孔注入層７、α−ＮＰＤ蒸着膜８、Ｂサブ画素と同等のサイズにパターニングしたｎドープ電子輸送層１１及びｐドープ正孔輸送層１２、ＤＮＡ蒸着膜１３、電子注入層１４、上部電極１５を形成する。 - 特許庁

This head is provided with a write-in head element having a coil conductor in which a write-in current is made to flow and a yoke, an overcoat layer laminated on the write-in head element, and a heat block layer formed in the overcoat layer being an upper part of the coil conductor and made of a material having lower heat conductivity than this overcoat layer.例文帳に追加

書込み電流が流れるコイル導体及びヨークを有する書込みヘッド素子と、書込みヘッド素子上に積層されたオーバーコート層と、コイル導体の上方のオーバーコート層内に形成されておりこのオーバーコート層より低い熱伝導率を有する材料による熱ブロック層とを備えている。 - 特許庁

This conducts heat to a high-radiating base board near the lower face of the lower layer circuit board 1 through the thermal via 14 from the bottom face of the heating component 100, and also to the base board through the upper layer circuit board 2, the inter-layer connecting members 3 and the lower layer circuit board 1 from the top face of the heating component 100.例文帳に追加

これにより、発熱部品１００の底面からサーマルビア１４を介して下層回路基板１の下面に近接する放熱性の高いベース基板に熱が伝導されるとともに、発熱部品１００の天面から上層回路基板２、層間接続部材３、下層回路基板1を介してベース基板に熱が伝導される。 - 特許庁

Reinforcing metal and/or inorganic particles are contained in a Sn group overlay 5, while gradually or continuously changing its content in such manner that a content of the reinforcement metal and/or inorganic particles is high in an intermediate layer 5b of the Sn group overlay 5, and 0 or less than that of the intermediate layer 5b in a lower layer 5a and an upper layer 5c.例文帳に追加

Ｓｎ基オーバレイ５に強化金属および／または無機物粒子を含有させ、その強化金属および／または無機物粒子の含有割合を、Ｓｎ基オーバレイ５の中層５ｂでは高く、下層５ａおよび上層５ｃでは０または中層５ｂより小となるように、段階的にまたは連続的に変化させる。 - 特許庁

Thereafter the mask insulation film 5 is masked by etching, anisotropic etching is performed until an insulation layer 2 exposes the semiconductor layer 3, and after a separation groove 7 is formed on the element separation area of the semiconductor layer 3, a thin side wall insulation film 8 is formed on the upper end and the side of the semiconductor layer 3 exposed in the separation groove 7.例文帳に追加

その後、マスク絶縁膜５をエッチングマスクにして、半導体層３を絶縁層２が露出するまで異方性エッチングを行って、半導体層３の素子分離領域に分離溝７を形成した後、分離溝７内に露出する半導体層３の上端部及び側面に薄い側壁絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric element formed on the surface of a diaphragm opposite to a pressure chamber 12 has a multilayered structure provided with a piezoelectric layer 31 consisting of an upper layer piezoelectric material 34 and a lower layer piezoelectric material 35 which are alternately laminated, and electrode layers 36, 37, 35 for generating an electric field to be applied to the layer 31.例文帳に追加

圧力室１２とは反対側の振動板表面に形成された圧電素子は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備えた多層構造とする。 - 特許庁

The nonvolatile memory element comprises a lower electrode 21 composed of a conductive substance, a dielectric layer 22 formed on the lower electrode 21, a voltage control layer 23 formed on the dielectric layer 22 and containing an antiferromagnetic substance, and an upper electrode 24 formed on the voltage control layer 23 and composed of a conductive substance.例文帳に追加

伝導性物質よりなる下部電極２１と、下部電極２１上に形成された誘電体層２２と、誘電体層２２上に形成されて反強磁性物質を含む電圧制御層２３と、電圧制御層２３上に形成された、伝導性物質よりなる上部電極２４と、を備える。 - 特許庁

With the organic electroluminescent element including a substrate, a lower electrode, an organic EL luminous layer, and a upper electrode, the lower electrode is of a double-layer structure of a flat application layer including an amorphous alloy or a microcrystalline metal and a reflective application layer including a reflective metal or alloy.例文帳に追加

基板と、下部電極と、有機ＥＬ発光層と、上部電極とを含む有機ＥＬ発光素子において、下部電極は、アモルファス合金または微結晶金属を含む平坦性付与層と、反射性金属または合金を含む反射性付与層との２層構造であることを特徴とする有機ＥＬ発光素子。 - 特許庁

When the medium access control layer measures the traffic volume, the medium access control layer measures the traffic volume in the unit of transmission channels, the medium access control layer measures the traffic volume in the unit of transmission channels for a predetermined period in the periodic mode and reports the traffic volume to the upper layer as to all the transmission channels.例文帳に追加

また、媒体接続制御階層でトラフィックボリュームを測定する時、伝送チャネル単位でトラフィックボリュームを測定し、その測定される伝送チャネル単位のトラフィックボリュームを周期的なモードでは定められた周期に測定して、全ての伝送チャネルに対して上位階層にトラフィックボリュームを報告する。 - 特許庁

By using such semiconductor material as containing TI for a high-refractive index layer constituting the upper-part semiconductor multilayer film reflection layer 7 on an optical exit side, the differential value between the refractive index of the high-refractive index layer and that of the low-refractive index layer is reduced as a temperature rises, relaxing or settling the drop of slope efficiency.例文帳に追加

光出射側の上部半導体多層膜反射層７を構成する高屈折率層をＴｌを含む半導体材料を使用することで、温度上昇に伴って高屈折率層の屈折率と低屈折率層の屈折率との差分値を減少させ、スロープ効率の減少を緩和もしくは解消する。 - 特許庁