「upper layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(156ページ目) - Weblio英語例文検索

The EL element is provided between a pixel electrode of a lower layer and a transparent electrode of an upper layer to the substrate, the pixel electrode is electrically connected to the pixel circuit, and the transparent electrode is electrically connected to common wiring through a contact hole.例文帳に追加

ＥＬ素子は、基板に対して下層の画素電極と上層の透明電極との間に設けられ、画素電極は画素回路に電気的に接続され、透明電極はコンタクトホールを介して共通配線に電気的に接続される。 - 特許庁

That is, after forming a hole transport layer 5 and an electron transport layer 9 of the organic light-emitting element 2 on the whole display range, the contact hole section 122 is removed, and the current supply line 121 and the upper transparent electrode 10 are electrically connected.例文帳に追加

すなわち、有機発光素子２の正孔輸送層５と電子輸送層９とを表示領域全体に形成した後、コンタクトホール部１２２を除去して、電流供給線１２１と上部透明電極１０とを電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor element with a two-step continuous wet etching step by using different etching solutions for providing an insulating margin between contacts that are self-aligned with a lower conductive layer and an upper conductive layer.例文帳に追加

下部導電層と下部導電層によって自己整列されるコンタクト間の絶縁マージンを確保するために相異なる蝕刻液を使用した２段階の連続的な湿式蝕刻工程を用いる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This slider is provided with a waveguide and a head portion including an electrode layer positioned at a lower part of this waveguide, difference in level in which a wall surface is an upper surface of the electrode layer is provided at an end plane being opposite side to a medium opposing surface of this head part.例文帳に追加

このスライダは、導波路と、この導波路の下方に位置する電極層とを含むヘッド部を備えており、このヘッド部の媒体対向面とは反対側の端面に、壁面が電極層の上面となっている段差が設けられている。 - 特許庁

To provide a passive element of a semiconductor device in which a fault of bringing about a decrease in etching rate or ashing rate by storing a charge between a lower layer electrode and an upper layer electrode in the case of plasma working, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

プラズマによる加工の際に、電荷が下層電極と上層電極間にチャージされてエッチングレートや、アッシングレート等の低下が生じるといった不具合が生じることのない半導体装置の受動素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thickness is reduced by an amount corresponding to the thickness of an adhesive layer as compared with a case where the lower surface of the silicon substrate 3 of the semiconductor structure 2 is bonded to an upper surface of a base plate 1 through an adhesive layer of die bond material.例文帳に追加

これにより、ベース板１の上面に半導体構成体２のシリコン基板３の下面をダイボンド材等からなる接着層を介して接着する場合と比較して、接着層の厚さに相当する分だけ薄型化することができる。 - 特許庁

The element 10 is constituted so that the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed by making a current in the in-face direction flow through the storage layer 4 to the element 10, and the information is recorded to the storage layer 4.例文帳に追加

また、上記磁気記憶素子１０に対して、記憶層４にその面内方向の電流を流すことにより、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層１，３の磁化の向きを変化させて、記憶層４に情報の記録を行う。 - 特許庁

The respective quilt parts 22 and 23 are composed of upper layer bodies 26 and 29 having Adler hems 26a and 29a, lower layer bodies 27 and 30 having Adler hems 27a and 30a at peripheral edges and gore tapes 28 and 31 for connecting the base ends of the Adler hems 26a, 27a, 29a and 30a to each other.例文帳に追加

各布団部２２，２３を周縁にアドラーヘム２６ａ，２９ａを有する上層体２６，２９と、周縁にアドラーヘム２７ａ，３０ａを有する下層体２７，３０と、アドラーヘム２６ａ，２７ａ，２９ａ，３０ａの基端部間を連結するマチテープ２８，３１とで構成する。 - 特許庁

In the superimposed part of the tape 14 constituting the surrounding body 15, the plastic layer 14b positioned at the edge part 14A positioned on the lower side is removed to bring the upper part and the lower part of the foil layer 14a in the superimposed part into contact with each other.例文帳に追加

テープ包囲体１５を構成するテープ１４の重ね合わせ部分において、下側に位置する他方の端縁部分１４Ａのプラスチック層１４ｂを除去し、この重ね合わせ部分におけるアルミ箔層１４ａ同士を接触させる。 - 特許庁

Using CVD method that employs an MPA source as a precursor, a metal layer 130 having low specific resistance is selectively vapor-deposited only on an upper part of the barrier metal layer 120, and is flattened to form a metal wiring 140 after heat treatment is carried out.例文帳に追加

ＭＰＡソースを前駆体として用いるＣＶＤ法を用い、障壁金属層１２０の上部にのみ選択的に比抵抗が低い金属層１３０を蒸着し、熱処理を実施した後、平坦化して金属配線１４０を形成する。 - 特許庁

A first common gate 10G is composed of a gate insulating film 32 formed of silicon oxide on a semiconductor substrate 32, a bimetal layer 34 formed of titanium nitride, and a gate upper layer 35 formed of tungsten.例文帳に追加

第１共有ゲート１０Ｇは、半導体基板３０上に形成された酸化シリコンからなるゲート絶縁膜３２、ポリシリコンからなるゲート下部層３３、窒化チタンからなるバリアメタル層３４及びタングステンからなるゲート上部層３５により構成されている。 - 特許庁

The adhesion layer 31 is deformed by sucking air in the division space 37 through the through hole 38, and a suction collet 70 sucks a chip 13 from the upper surface side thereof thus picking up the chip 13 from the adhesion layer 31.例文帳に追加

貫通孔３８を通して区画空間３７内の空気を吸引して密着層３１を変形させるとともに、チップ１３の上面側から吸着コレット７０がチップ１３を吸引して、チップ１３を密着層３１からピックアップする。 - 特許庁

Since the cavity is formed in the upper and lower layer substrates to accommodate the semiconductor chip mounted on the lower-layer substrate in the cavity, the package-on-package with the cavities formed and its manufacturing method can reduce the entire thickness of the package.例文帳に追加

キャビティの形成されたパッケージオンパッケージ及びその製造方法は、上層基板と下層基板にともにキャビティを形成して下層基板に実装された半導体チップがキャビティに収容されるのでパッケージの全体的な厚みを減らすことができる。 - 特許庁

In the composite piezoelectric vibrating plate consisting of a composite piezoelectric body comprising a piezoelectric ceramics and a high polymer member and of electrodes formed to an upper face and a lower face of the piezoelectric body, the electrodes are made up of a gold layer or a copper layer made of electroless plating.例文帳に追加

圧電セラミックスと高分子材との複合圧電体と、その上面および下面に形成した電極とを有してなる複合圧電振動子板において、その電極を無電解メッキで形成された金層または銅層で構成する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 6 coating a ferroeelctric capacitor structure 1 formed by a platinum electrode layer 3, a PZT film 4, and an upper platinum electrode layer 5 is formed on a Si substrate 2 by a plasma CVD method to open a contact hole 6A.例文帳に追加

Ｓｉ基板２上に白金電極層３、ＰＺＴ膜４、上部白金電極層５をもつて形成された強誘電体キャパシタ構造１を覆って層間絶縁膜６をプラズマＣＶＤ法により形成し、コンタクトホール６Ａを開口する。 - 特許庁

In the multiplier element, a distributed resin organic semiconductor layer 3 is formed on a lower electrode 2 of a transparent ITO electrode formed on a glass substrate 1, and on the distributed resin organic semiconductor layer 3, an upper electrode 4 of a gold deposited film is formed.例文帳に追加

ガラス基板１上に形成されたＩＴＯ透明電極の下部電極２上に樹脂分散有機半導体層３が形成され、その樹脂分散有機半導体層３上に金蒸着膜の上部電極４が形成されている。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element capable of sufficiently reducing contact resistance between a contact layer in the upper part of a ridge or mesa shape semiconductor layer and an electrode, and selecting an electrode material at a high degree of freedom, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

リッジ形状又はメサ形状の半導体層上部のコンタクト層と電極とのコンタクト抵抗を十分に低減するとともに、高い自由度で電極材料を選択することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the ferroelectric capacitor, a lower electrode, a dielectric layer, and an upper electrode are sequentially stacked, wherein the dielectric layer is composed of a plurality of layers of ferroelectric films sequentially stacked, and neighboring two ferroelectric films have mutually different compositions or composition ratios.例文帳に追加

下部電極、誘電層及び上部電極が順次に積層された強誘電体キャパシタにおいて、誘電層は、複数層の強誘電膜が順次に積層されたものであるが、隣接した２つの強誘電膜は組成または組成比が異なる。 - 特許庁

An arched structure 8 being joined with intermediate columns 2b reaching upper layer floors and transmitting the column axial force of the intermediate columns 2b to an external wall 6 positioned on the outer circumferential section of the building 1 is mounted on a lowermost floor 5 or lower layer floors containing the lowermost floor.例文帳に追加

上層階にも至る中柱２ｂに接合して、該中柱２ｂの柱軸力を建物１の外周部に位置する外周壁６に伝達するアーチ状構造体８を最下階５または最下階を含む下層階に設けた。 - 特許庁

To provide a stator for an electric motor which can enhance a space factor of a coil as much as possible by effectively preventing the winding displacement of the coil caused by the interruption of an upper layer winding to a lower layer winding accompanied by the winding of the coil by a simple constitution.例文帳に追加

簡単な構成によって、コイルの巻回に伴って上層の巻線が下層の巻線に割り込むことによるコイルの巻きずれを効果的に防止し、可能な限りコイルの占積率が高められる電動モータのステータを提供すること。 - 特許庁

Since the recessed part 17 is provided on the upper surface 16A of the second conductivity type semiconductor layer 16, a current density difference between currents flowing in an optical semiconductor layer can be reduced to improve the emission unevenness.例文帳に追加

このように第２導電型半導体層16の上面16Ａに凹部17が設けられていることから、光半導体層に流れる電流の電流密度の差を小さくすることができ、発光ムラを改善させることができる発光素子１を提供する。 - 特許庁

When constructing a marine structure 10 such as an existing breakwater as the partitioned revetment of a waste disposal place, improvement processing is applied to a water permeable layer such as an upper sedimentation layer 3 of the seat bottom ground 1 so as to become the water impermeable ground.例文帳に追加

既設の防波堤等の海洋構造物１０を、廃棄物処分場の仕切護岸として構築するに際して、海底地盤１の上部の堆積層３のような透水層に対して、不透水性地盤となるように改良処理を施工する。 - 特許庁

FB's 11 equipped with debugging function are arranged in an array state by a lower wiring layer 22, macro functional units FU's are allocated to them, the FB's are customized by an upper wiring layer 21, and thus the integrated circuit module 10 is manufactured.例文帳に追加

下位配線層２２により、デバッグ機能を備えたＦＢ１１をアレイ状に配置すると共に、それらにマクロ機能ユニットＦＵを割り付け、上位配線層２１によりＦＵをカスタマイズすることにより集積回路モジュール１０を製造する。 - 特許庁

The nonlinear element 10x is a TFD element that is provided with a lower electrode 13x, an insulation layer 14x covering the surface side of the lower electrode 13x, and an upper electrode 15x facing the lower electrode 13x with the insulation layer 14x in-between.例文帳に追加

非線形素子１０ｘは、下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、およびこの絶縁層１４ｘを介して下電極１３ｘに対向する上電極１５ｘを備えたＴＦＤ素子である。 - 特許庁

To overcome the problem such that since there is a difference between the width dimensions of a lower core layer and a upper core layer in a thin film inductive head, the recording magnetic field applied to a recording medium from both core layers protrudes from a track width, so that it is easy to generate write flinging.例文帳に追加

薄膜のインダクティブヘッドでは、下部コア層の幅寸法と上部コア層の幅寸法とで差があるため、両コア層から記録媒体に与えられる記録磁界がトラック幅からはみ出し、ライトフリンジングが発生しやすくなっている。 - 特許庁

Only a first silicon oxide film 30 (a lower-layer film 30-1 and an upper-layer film 30-2) having a thickness, for example, 40 nm or smaller is interposed between a semiconductor substrate 20 and a shielding film 32 on a photoelectric converter 23 of the solid-state image pickup device.例文帳に追加

固体撮像素子の光電変換部２３上において半導体基板２０と遮光膜３２との間に、厚さ例えば４０ｎｍ以下の第１シリコン酸化膜３０（下層膜３０−１と上層膜３０−２）のみが介在するようにする。 - 特許庁

At the time of exposing a drain electrode constituting the laminate structure of a metallic film in a lower layer and an aluminum film in an upper layer, the exposure of only a partial region is changed, a region whose resist thickness is thinner than the other region is formed, then patterning is carried out as usual.例文帳に追加

下層の金属膜と上層のアルミ膜の積層構造をなすドレイン電極の露光時に一部領域のみ露光量を変えることによりレジスト厚が他よりも薄い領域を形成した後に、通常どおりのパターニングを行う。 - 特許庁

The drain pipes 9 to be passed through the holes 8a are vertically inserted into a liquefied ground 1 through the holes 8a until its upper end portions are located in the drainage layer 10 of the mat slab 8 to allow the liquefied ground to communicate with the drainage layer 10 through the drain pipes 9.例文帳に追加

孔８ａを貫通するドレーンパイプ９は、その上端部が前記マットスラブ８の排水層１０に位置するまで、孔８ａから液状化地盤１の内方に鉛直に挿入され、排水層１０とドレーンパイプ９により連通される。 - 特許庁

The inkjet recording medium is manufactured by a method wherein a lower layer containing a water-absorbing inorganic pigment, a latex and boric acid or a salt thereof and an upper layer containing a submicron pigment and polyvinyl alcohol are provided by coating on a base and subjected to calendering and then casting.例文帳に追加

基材上に、吸水性無機顔料、ラテックス、ホウ酸またはその塩を含有する下層、サブミクロン顔料、ポリビニルアルコールを含有する上層を塗工し、カレンダ処理を施した後に、キャスト処理をして製造されてなるインクジェット記録媒体。 - 特許庁

This electronic equipment is provided with a display part, a hard translucent protection layer provided in an upper face side of the display part, and an ultraviolet sensor provided between a backface of protection layer and the display part, thereby eliminates the constraint on the design.例文帳に追加

この携帯用電子機器は、表示部と、表示部上面側に設けられた透光性を有する硬質の保護層と、該保護層背面と前記表示部の間に設けられた紫外線センサと、を備えることにより、デザイン上の制約を解消する。 - 特許庁

If the radiation is irradiated after a resist layer 3 is laminated on the circuit, a portion positioned at the upper part of the hollow E of the resist layer 3 is exposed to a dosage which is lower than a threshold of development of a resist only by primary flux F1.例文帳に追加

レジスト層３が回路上に積層された後に放射線を照射すると、レジスト層３の、くぼみＥの上方に位置する部分は、１次フラックスＦ１のみによりレジストの現像のしきい値よりも小さい放射線量にさらされる。 - 特許庁

A laminate 50, which is obtained by laminating an insulating layer and a conductor layer, is arranged between a pair of the hot press plates 20a and 20b of the hot press 10 and heated and pressed from both upper and under surfaces thereof by the hot press plates 20a and 20b to manufacture the multilayered substrate.例文帳に追加

熱プレス機１０の一対の熱プレス板２０ａ，２０ｂ間に、絶縁層と導体層とを積層してなる積層体５０を配置し、積層体５０の上下両面から熱プレス板２０ａ，２０ｂにより加熱・加圧して多層基板を製造する。 - 特許庁

This base material for brassier cups is such one as to comprise at least each one upper and lower layers and one intermediate layer which are mutually jointed through needle punching and have coarse-dense-coarse relationship, wherein an elastic dispersed-in-water type emulsion polymer is contained mainly in the intermediate layer.例文帳に追加

ニードルパンチ加工により接合された、少なくとも各１層の上下層と１層の中間層とが粗−密−粗の関係を有し、かつ主として中間層に弾性を有する水中分散型エマルジョンポリマーを含有して成る。 - 特許庁

When anodizing treatment is performed, the anode junction of the substrate 24 is performed on the lower surface of the substrate 21, and the anode junction of the layer 31 under the substrate 28 is simultaneously performed on the upper surface of the layer 30 disposed on the substrate 21.例文帳に追加

そして、陽極酸化処理を行うと、シリコン基板２１の下面に第１ガラス基板２４が陽極接合されると同時に、シリコン基板２１上のガラス層３０の上面に第２ガラス基板２８下の金属層３１が陽極接合される。 - 特許庁

Next, the magnetic layer is separated by forming a separating groove part roughly surrounding the recessed part for the magnetic pole formation on the outer side of the recessed part for the magnetic pole formation, and a cover insulating film capable of covering an entire surface on the upper side is formed on the separated magnetic layer.例文帳に追加

次に、磁極形成用凹部の外側に磁極形成用凹部を概ね取り囲む分離用溝部を形成することによって磁性層を分離し、分離された磁性層に上側全面をカバーし得るカバー絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A first-conductivity semiconductor layer 7, having higher concentration than the epitaxial layer, is arranged in the gap among the plurality of second-conductivity embedded layers, or at least at one of upper portions, in a region in which the second-conductivity embedded layers are arranged.例文帳に追加

複数の第二導電型埋め込み層の間の間隙中、または第二導電型埋め込み層が配置された領域の上部の少なくとも一方に、エピタキシャル層よりも高濃度の第一導電型半導体層７が配置される。 - 特許庁

To provide an ink jet writing paper which improves an edge blanking at the upper end of a frameless writing when ink jet recording is made on the opposite surface of an ink receiving layer after an entire ink jet frameless recording is provided on the ink receiving layer, as well as being excellent in printing quality.例文帳に追加

インク受理層にインクジェット縁なし全面記録行った後、その反対面にインクジェット記録を行った際に、縁なし記録の上端部が白く欠けてしまうメクレを改善し、かつ印字品質に優れたインクジェット記録用紙を提供する。 - 特許庁

By the composite action of the predetermined surface treatment film as the lower layer film and the upper layer film obtained by blending a rust-proofing additive and a predetermined organometallic compound into a solvent-based organic resin, particularly excellent planar part and corrosion resistance after working or the like can be obtained.例文帳に追加

下層皮膜である特定の表面処理皮膜と、溶剤系有機樹脂に防錆添加剤と特定の有機金属化合物を配合した上層皮膜との複合作用により、特に優れた平板および加工後の耐食性などが得られる。 - 特許庁

To provide an array type ultrasonic probe equipped with the uppermost acoustic matching layer having a low attenuating rate and proper acoustic impedance, which is excellent in dicing workability, thermal resistance and adhesiveness to upper and lower layers among an acoustic matching layer formed of at least three layers.例文帳に追加

３層以上の音響整合層のうち、低減衰率でダイシング加工性、耐熱性、上下層との接着性に優れ、かつ適切な音響インピーダンスを有する最上層の音響整合層を備えたアレイ式超音波プローブを提供する。 - 特許庁

To provide a vertical magnetic recording medium with a continuous layer which is enhanced in overwrite characteristics by improving intervals of crystal particles of an upper magnetic recording layer, and a method for manufacturing the vertical magnetic recording medium.例文帳に追加

本発明は、上方磁気記録層の結晶粒子の間隔を工夫することで、オーバーライト特性を向上させた連続層を備える垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device of surface light emission, a Bragg reflection mechanism comprising DBR multi-layer reflectors 64 and 69 on upper and lower layers sandwiching an active layer 66 is provided to restrict light emitting patterns by light quantum containment effect by the Bragg reflection mechanism.例文帳に追加

面発光型の半導体発光素子において、活性層66を挟む上下層にＤＢＲ多層反射鏡64および69からなるブラッグ反射機構を備え、ブラッグ反射機構による光の量子閉じ込め効果により発光パターンを制限する。 - 特許庁

Since the phosphor layer is formed continuously on the upper surface of the arranged chip row and no phosphor layers exist in the chip clearance, the luminance unevenness and the chromaticity unevenness caused by the clearance or a phosphor layer existing in the clearance can be reduced.例文帳に追加

蛍光体層が配列したチップ列上面に連続して形成されており、しかもチップ間隙には蛍光体層が存在しないので、間隙あるいは間隙に存在する蛍光体層に起因する輝度ムラや色度ムラを低減できる。 - 特許庁

A gold plating layer on the surface of an electrode is removed at a connection part between an inner electrode 3, connected with an outer electrode 2a formed on the end face of a base substrate 1 and an upper connection electrode 4, so as to form an exposed part 9 which exposes a nickel layer.例文帳に追加

ベース基板１の端面に形成した外部電極２ａと接続される内部電極３、上部接続電極４の接続部で、電極表面の金メッキ層を除去してニッケル層を露出させる露出部９を形成してなる。 - 特許庁

Another shot having measurement mark regions in the same positions as in the shot 1, each mark region having a line pattern extending parallel to the directions of two adjacent sides constituting the shot is transferred onto an upper layer on the undercoat layer where the shot 1 is transferred.例文帳に追加

また、当該ショット１が転写された下地層の上層には、ショットを構成する隣接する２辺と平行な方向沿って伸びるラインパターンを備えた測定マーク領域をショット１と同一の位置に具備するショットが転写される。 - 特許庁

When voltage is applied between the lower electrode 12 and the upper electrode 17, the wettability of the insulating film 13 to the polar liquid layer 15 is changed, and the polar liquid layer 15 is deformed so as to increase the contact area with the insulating film 13.例文帳に追加

下部電極１２と上部電極１７との間に電圧が印加されると、絶縁膜１３の極性液体層１５に対する濡れ性が変化し、極性液体層１５は絶縁膜１３との接触面積を増大するように変形する。 - 特許庁