「upper layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(159ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent degradation of an electron emission characteristic caused by increase of a work function due to deposit on an upper electrode, in an image display device having an array of thin-film electron sources each having a lower electrode, an upper electrode, and an electron acceleration layer comprising an insulating material and a semiconductor between them, and emitting electrons from the upper electrode, and a phosphor screen.例文帳に追加

下部電極と上部電極、その間に絶縁体や半導体からなる電子加速層を有し、上部電極から電子を放出する薄膜電子源アレイと蛍光面を有する画像表示装置において、上記上部電極への付着物による仕事関数の増大に金する電子放出特性の低下を抑制する。 - 特許庁

Dielectric characteristics in the ferroelectric layer positioned between the upper electrode and the lower electrode can be greatly improved by applying metal oxide such as strontium ruthenium oxide onto the upper electrode and/or the lower electrode, thereby enabling the system to solve the particle problem in a process generating during the formation of the upper/lower electrodes.例文帳に追加

ストロンチウムルテニウム酸化物などの金属酸化物を上部電極及び／又は下部電極に適用することで、上部と下部電極との間に位置する強誘電体層の誘電特性を大きく改善することができ、上部電極及び下部電極を形成する間に発生する工程上のパーティクル問題を解決することができる。 - 特許庁

Three semiconductor laser elements 10 on the left, right and upper sides respectively have an N-type GaAs substrate 11 with an L-shaped section, a luminous layer 12 and an electrode 15 which are laminated in order on the upper surface 11a on the left side of this substrate 11, and an electrode 15 formed on the upper surface 11b on the right side of the substrate 11.例文帳に追加

左右上側の３個の半導体レーザ素子１０は、断面Ｌ字状のＮ型GａＡｓ基板１１と、このＮ型G ａＡｓ基板１１の左側上面１１ａに順次積層された発光層１２及び電極１５と、Ｎ型G ａＡｓ基板１１の右側上面１１ｂに形成された電極１５とをそれぞれ有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first wiring layer includes a first wiring 11a located in the upper part of a first element region 1a, a second wiring 11d located in the upper part of a second element region 1b, and a third wiring 11b located in the upper part of the second element region 1b to have a potential different from that of the second wiring 11d.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置において、第１配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第１配線１１ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置する第２配線１１ｄと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて第２配線１１ｄとは異なる電位になる第３配線１１ｂを具備する。 - 特許庁

The electrode used for a ferroelectric device comprises a lower electrode, a ferroelectric layer and an upper electrode; and the upper electrode is formed on the ferroelectric layer, formed in combination with a metal which contains a first metal selected from the group, consisting of platinum and iridium and a second metal selected from the group consisting of aluminum and titanium, and functions as a protective layer.例文帳に追加

本発明による強誘電体デバイスで使用するための電極は、下部電極と、強誘電体層と、上部電極であって、上部電極は該強誘電体層上に形成され、プラチナおよびイリジウムからなる金属の群から選択される第１の金属と、アルミニウムおよびチタンからなる金属の群から選択される第２の金属とを含む金属の組み合わせによって形成され、保護層として機能する、上部電極とを含む。 - 特許庁

The hole of the middle layer is set to a cavity 208 where a metal pattern is formed on an internal wall, and upper and lower surfaces are closed by the metal plate 202 and the ground pattern of the dielectric substrate 204, respectively.例文帳に追加

中間層の穴は内壁に金属パターンを形成してあり、下面を金属板２０２、上面を誘電体基板２０４の接地パターンで閉じられた空洞２０８となる。 - 特許庁

In the interior of the chamber 2, the vapor growth device 1 is provided with an upper liner 16 and a lower liner 17; and a susceptor 4, in which a wafer W for performing the vapor phase growth of an epitaxial layer is laid in a top surface thereof.例文帳に追加

チャンバー２内部には、アッパーライナー１６およびロアライナー１７と、上面にエピタキシャル層を気相成長させるためのウェーハＷが載置されるサセプタ４を備える。 - 特許庁

A hair implanted layer 5 implanted inclined in supply direction of the fiberglass mat 1 is fixed to the upper surface of the slider 3 so that it may contact the lower face of the fiberglass mat 1 in the stocker 2.例文帳に追加

スライダ３の上面には、ガラスマット１の供給方向に傾けて稙毛した植毛層５をストッカ２中の最下層のガラスマット１の下面に接触するように固定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a passive matrix drive organic EL element capable of making an upper electrode separated in high definition, without causing degradation of function of an organic EL luminous layer.例文帳に追加

有機ＥＬ発光層の機能低下を伴うことなしに、高精細に分離した上部電極を作製することができるパッシブマトリクス駆動有機ＥＬ素子の作製方法の提供。 - 特許庁

A first protective film 6 made of Sr-SION is formed on the upper side of a heating element 3 and an electrode layer 4, and then, the heat treatment is carried out under a state of a vacuum degree of 2 to 30 Pa (Figure (e)).例文帳に追加

発熱体３および電極層４の上側に、Ｓｒ−ＳＩＯＮからなる第１保護膜６を形成してから、真空度２〜３０Ｐａの真空中で熱処理を施す（図（ｅ））。 - 特許庁

And a substrate film 14 of the wiring plug P2 for connecting the local wiring 12 to an upper wiring 16 is formed by an IrO_X film 14A and an Ir film 14B successively from the lower layer side.例文帳に追加

また、局所配線１２と上部配線１６とを接続する配線プラグＰ２の下地膜１４を、下層側から順にＩｒＯ_X 膜１４ＡとＩｒ膜１４Ｂとを形成する。 - 特許庁

A second electronic component 8 having an adhesive layer 9 formed on its rear surface is held with a normal temperature suction tool 22, and gradually moved down from the upper part of the first electronic component 5.例文帳に追加

裏面側に接着剤層９が形成された第２の電子部品８を、常温の吸着ツール２２で保持して第１の電子部品５の上方から徐々に下降させる。 - 特許庁

In the fixture material, a coating layer 6 containing pigment 8 is provided on a recessed part 3 face of a wood material, and paint 7 containing luminous pigment 10 is filled in its upper part.例文帳に追加

木質材の凹み部３面に顔料８を含有するコーティング層６が設けられ、その上部に蓄光顔料１０を含有する塗料７が充填塗布された木質造作材。 - 特許庁

While the detection element 21 is a CPP-type element, the monitor element 22 is formed as a CIP-type element by forming an upper shield layer 32 on each end I of the monitor element 22.例文帳に追加

磁気検出素子２１がＣＰＰ型素子であるのに対し、モニタ素子２２の素子両側端部Ｉ上に上部シールド層３２を形成し、前記モニタ素子２２をＣＩＰ型素子にする。 - 特許庁

To provide an apparatus for measuring the position of the mirror of a diffractive light modulator and performing positional compensation with which the position of an upper micromirror layer is measured and compensated and to provide a method of controlling the apparatus.例文帳に追加

上部マイクロミラー層の位置を測定して補償することが可能な回折型光変調器のミラー位置測定および補償装置とその制御方法を提供する。 - 特許庁

A refractive index waveguide mechanism consisting of a ridge shaped stripe 24 which confines light in the lateral direction is formed in the first upper clad layer 23 to interrupt modes other than a basic lateral mode.例文帳に追加

そして上部第一クラッド層23に、横方向に光を閉じ込めるリッジ状ストライプ24からなる屈折率導波機構を形成して、基本横モード以外のモードを遮断する。 - 特許庁

According to an embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a core member 20 which includes a constriction between an upper end and a lower end, on a foundation layer.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、上端と下端との間にくびれた部分を有する芯材２０を、下地層上に形成する工程を備えている。 - 特許庁

The second SRAM circuit 13 realizes the SRAM function with the SRAM cell and the wirings formed in the fourth to sixth wirings in the upper layer side among the wiring layers of six layers.例文帳に追加

第２ＳＲＡＭ回路１３は、ＳＲＡＭセルと、６層の配線層のうち、上層側の第４〜第６配線に形成された配線とによってＳＲＡＭ機能が実現されている。 - 特許庁

When electrical power is supplied to the blue light emitting chip, the chip emits the assumed white light by respectively pumping the red fluorescent material at the bottom layer and the green fluorescent material at the upper part of the periphery.例文帳に追加

青色発光チップが通電すると、底層の赤色蛍光材及び周辺より上部位の緑色蛍光材を各々励起して予定した白色光を形成する。 - 特許庁

A plurality of plate-type heat receiving layers 101-105 are laminated and bonded, and an LD array 17 that produces heat is bonded to the upper surface of the top heat receiving layer 101.例文帳に追加

熱を受け取る板状の受熱体１０１〜１０５が複数層積層されて接合され、最上層の受熱体１０１の上面に熱を発生するＬＤアレイ１７が接合されている。 - 特許庁

For removing a part of the external portion of the conductive layer 14, the upper surface of an polishing object is first polished chemically using a composition for a first polishing including a film forming agent.例文帳に追加

導体層１４の外側部分の一部を除去する際にはまず、膜形成剤を含有する第１研磨用組成物を用いて、研磨対象物の上面が化学機械研磨される。 - 特許庁

An upper protective layer 107 is arranged in an area including the heat application portion 108 so that it is electrically connected so as to serve as an electrode which generates an electrochemical reaction with ink.例文帳に追加

熱作用部１０８を含む領域に、インクとの電気化学反応を生じさせるための電極となるよう電気的接続が可能に配置された上部保護層１０７を配置する。 - 特許庁

Whereby the wasteful outflow of the cold air and the unnecessary inflow of hot air can be prevented, the proper cold air reservoir is formed indoors, and only the warm air in the upper layer of the cold air reservoir is discharged.例文帳に追加

これにより無駄な冷気流出、不要な熱気流入を防ぎ、室内に良好な冷気溜りを形成させるとともに、冷気溜り上層の暖気のみを排出させる。 - 特許庁

The depth distribution of the upper insulation film 14 is made to be uniform and the depth distribution of the lower insulation film 12 is made not to be uniform, and a thick portion along a predetermined passage is formed on the silicon layer 13.例文帳に追加

上層絶縁膜１４の深さ分布を均一とし、下層絶縁膜１２の深さ分布を不均一とし、シリコン層１３に、所定の経路に沿った肉厚部を形成する。 - 特許庁

After that, the cleaning liquid 102 that is floated and separated on the upper layer of the liquid 103 in a supercritical state is discharged, and the liquid 103 in the supercritical state is put to a supercritical state.例文帳に追加

この後、超臨界状態となる液体１０３の上層に浮遊分離した洗浄液１０２を排出し、超臨界状態となる液体１０３を超臨界状態にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device formed by mounting two stacked semiconductor chips or more on a substrate that can layer the semiconductor chips of the same size or the same kinds onto upper and lower stages.例文帳に追加

２以上の半導体チップを積層して搭載する半導体装置において、上段と下段に同一のサイズや同一の種類の半導体チップを積層できるようにする。 - 特許庁

In the expansion joint device 10, the hardness of part of approximately 1/3 in the thick direction from the upper surface of an elastic body section 11 has a high hardness layer 11a higher than that of under part thereof.例文帳に追加

伸縮継手装置１０は、弾性体部１１は、上面から厚さ方向の略１／３の部分の硬度が、その下の部分より高い高硬度層１１ａとなっている。 - 特許庁

In addition, a PS part 81 which serves both for the spilling prevention of the conductor fragments and rise prevention of the conductor is arranged on the upper layer side of the laser irradiation part for putting the point defect on the defensive.例文帳に追加

また、点欠陥を守勢するためのレーザ照射部の上層側に、導体破片の飛び散り防止用および導体の盛り上がり防止用を兼ねたＰＳ部８１を配置する。 - 特許庁

To enable manufacturing of high-quality surface-treated steel sheet in a manufacturing method of a metal belt applying a plurality of resin coating films, by accurately controlling a resin thickness of the upper layer.例文帳に追加

複数の樹脂塗膜を塗布する金属帯の製造方法において、精度よく上層の樹脂膜厚を制御できるので、高品質の表面処理鋼板の製造が可能である。 - 特許庁

Further, an unnecessary magnetic field is reduced on a medium at off-track positions by forming a projection level difference wider than the upper magnetic pole tip layer on the lower magnetic pole tip.例文帳に追加

また、下部磁極先端部の上に上部磁極先端層の幅より広い幅を有する突起段差を設けることによりオフトラック位置での不要な媒体面内磁界を低減する。 - 特許庁

Further, since the necessity of routing the lower electrode 20 can be eliminated, a dual layer of the lower electrode and the upper electrode is not required on the routing portion in a conventional technique, an element area can be reduced.例文帳に追加

また、下部電極２０の引き回しを無くせるので、従来のように引き回し部分で上部電極と２層に形成する必要は無く、素子面積を縮小することができる。 - 特許庁

When the porous film of the lower layer is constituted of periodically repetitive three primary colors of RGB or a color filter is disposed on the upper transparent substrate 3, color display can be also performed.例文帳に追加

下層の多孔質膜をＲＧＢ３原色などが周期的に繰返すようにしたり、透明な上基板３上にカラーフィルタを配置すれば、カラー表示を行うこともできる。 - 特許庁

When an upper wiring layer (not illustrated) is connected to the Cu wiring member 12 via a via hole VH by etching the first insulation film 101, a considerable alignment allowance can be expected.例文帳に追加

上層の配線層（図示せず）が第１絶縁膜１０１のエッチングによりビアホールＶＨを介してＣｕ配線部材１２と接続される場合、相当の合わせ余裕が見込める。 - 特許庁

Eddy current is, therefore, induced in the nonmagnetic conductive member 15 by recording current and the magnetic field leaking from the upper magnetic pole layer 14 is suppressed by the eddy current.例文帳に追加

そのため、記録電流によって非磁性導電性部材１５の内部に渦電流が誘起され、この渦電流によって上部磁極層１４から漏れる磁界が抑制される。 - 特許庁

A portion of the luminous flux made incident to the light transmission body 1 becomes transmissive light and is emitted from the upper face of the multilayer film 2 when a predetermined electric voltage is applied on the defective layer 3.例文帳に追加

導光体１に入射した光束は、欠陥層３に所定の電圧が与えられているとき、光束の一部が透過光となって多層膜２上面から出射する。 - 特許庁

A registration mark 2 is a part of a resist pattern 35 formed on the upper reference layer 33 through a thin film 34 and is an aggregate of holes 21 arranged on four sides of a square.例文帳に追加

合わせマーク２は、上側基準層３３の上に薄膜３４を介して形成されたレジストパターン３５の一部であり、正方形の４辺に配置された穴２１の集合体である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of improving yield without spreading the upper part of a wiring layer, in a fine working technique using side wall formation.例文帳に追加

サイドウォール形成による微細加工技術において，配線層の上部が広がった形になることなく，歩留まりを上げることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An embedded conductor layer with a flattened top end has a multilayer structure comprising lower conductive layers 4 and 7 formed of different kinds of conductive materials and upper conductive layers 6 and 9 formed of different kinds of conductive materials.例文帳に追加

上端が平坦化された埋込導電体層を、互いに異種の導電材料からなる下部導電層４，７と上部導電層６，９からなる多層構造で構成する。 - 特許庁

And a water contact regulating pipe 3 for spraying the fully ripened liq. manure M or its dilute soln. is disposed at the upper part of the biological inhabitation layer, and a sucking means 16 is mounted at a discharge port.例文帳に追加

また生物生息層の上部に完熟液肥Ｍ又はその希釈液を散布するための水分調整管（３）を配設し、排気口にば吸引手段（１６）を取り付けている。 - 特許庁

The upper wiring 2 and the different layer wiring 3 are formed adjacent to each other, and the interlayer insulating film 4 is interposed between the adjacent wirings 2 and 3.例文帳に追加

上層配線２と異層の配線３とは隣り合うように形成されており、異層の配線３は隣り合う上層配線２との間に層間絶縁膜４を挟んで形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a n-type silicon carbide layer 12 provided on a silicon carbide substrate 11 has an upper surface that is off cut in a direction from a (0001) surface to a <11 to 20>.例文帳に追加

本発明の半導体素子では、炭化珪素基板１１の上に設けられたｎ型の炭化珪素層１２は、（０００１）面から＜１１−２０＞方向にオフカットされた上面を有している。 - 特許庁

A defect automatic classification system recognizes an image 22 as an image of the side face of the most upper layer of the pattern by detecting an image having the width which is consistent with the calculated value.例文帳に追加

欠陥自動分類システムは、その算出された値と一致する大きさの幅の像を検出することで、像２２がパターン最上層側面の像であることを認識する。 - 特許庁

In various embodiments of this invention, a separate wireless bearer can be set for each CN area and/or upper layer protocol and/or 1 group of RRC message.例文帳に追加

本発明の様々な実施例では、個々のＣＮ領域及び／又は上位層プロトコル用及び／又は１グループのＲＲＣメッセージ用として別々の無線ベアラの設定が可能となる。 - 特許庁

The EVOH solution splash contained in the mixed vapor of water and methanol is trapped by the water layer formed in an upper direction of the first introducing part and hardly being introduced to the condenser 6.例文帳に追加

水とメタノールの混合蒸気中に含まれるＥＶＯＨ溶液飛沫は第１導入部２よりも上方に形成された水層にトラップされ、コンデンサ６に導出され難くなる。 - 特許庁

Then, the longitudinal impurity density of the guard ring layer 13 is given a gradient to be relatively high on a lower side and relatively low on an upper side on the whole, or made fixed.例文帳に追加

そして、ガードリング層１３の縦方向の不純物濃度を、全体的に下側が相対的に高く上側が相対的に低くなるように傾斜させるか、又は一定とする。 - 特許庁