「upper layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(163ページ目) - Weblio英語例文検索

A stage section 2d is provided to the upper part of an area loading the transparent surface layer plate 3 in the substrate 2, and an area mounting an opening and closing controlling handle 30 of the door 1 therein is ensured.例文帳に追加

基板２における透明表層板３が装着される領域の上部に段部２ｄを設け、扉１の開閉操作用の把手３０を取り付ける領域を確保する。 - 特許庁

On upper surfaces of flat parts 82 of the second clad layer 8 that remains without being removed and on both sides of the ridge 10, doped high- resistance current block layers 12 are formed.例文帳に追加

除去されずに残った第２クラッド層８の平坦部８２の上面およびリッジ部１０の両側面に、不純物が添加された高抵抗の電流ブロック層１２が形成される。 - 特許庁

A case 1 is made of a soft laminated film of a plurality of resin layers containing an intermediate metal layer, and a gas vent valve 4 is heat welded to an upper side of the case 1.例文帳に追加

容器１は複数の樹脂層に金属の中間層を含む柔軟な積層フィルムから形成され、容器１の上部にガス抜きバルブ４を熱溶着により組み付ける。 - 特許庁

By heat treating the upper clad layer which is the adhesive at a time when laser diodes, photodetectors or the like are mounted by soldering, a printed circuit board which mounts electric and optical elements is produced by a batch reflow method.例文帳に追加

レーザダイオードやフォトディテクタなどのハンダ実装と同時に接着剤である上部クラッド層を熱処理することにより、一括リフローで電気・光混載配線板作製する製造方法。 - 特許庁

The pressing device 6 has a pressing member 20 bonded with a silicone plate 48 for pressing the upper surface 2a of the bread crumb layer 2 and a vertically moving mechanism 18 to vertically reciprocate the pressing member 20.例文帳に追加

押付装置(6)は、パン粉の層(2)の上面(2a)を押すためのシリコン板(48)が接着された押圧部材(20)と、この押圧部材(20)を上下方向に往復移動させるための上下移動機構(18)を有する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head having an upper core layer whose shape is highly precisely controlled for realizing a high recording density of magnetic recording medium, and a method for manufacturing the thin film magnetic head.例文帳に追加

磁気記録媒体の高記録密度化を実現することができる、精度高く形状制御された上部コア層を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the air spring having the diaphragm inflated by the air on the upper part of the laminated rubber 1, the rubber layer 3 is interposed between the laminated rubber 1 and the diaphragm 2.例文帳に追加

積層ゴム１の上部に空気で膨らませるダイヤフラム２を取付けた空気ばねにおいて、前記積層ゴム１と前記ダイヤフラム２の間に、さらにゴム層３を直列に介在させる。 - 特許庁

The composite glass plate (6) is bent downward around a dividing line by providing mechanical force for peeling an adhesive layer existing in the area of the dividing line from the upper side.例文帳に追加

分断線の領域にある接着剤層を引き剥がすための機械的な力を上側から分断線にもたらして、分断線のまわりに下方へ複合ガラス板（６）を曲げる。 - 特許庁

When the layer 2 is clogged, washing water is introduced into the tank 1 from the upper part at ≥1 m/minute flow velocity and discharged from the lower part.例文帳に追加

ろ過によりこの浮上ろ材の充填層２が閉塞したとき、下部から排水するとともに、上部から洗浄水を１ｍ/分以上の流速で充填層２内に導入する。 - 特許庁

Since the fuel penetrating the upper bracket 3 is diffused in the atmospheric layer 12 and does not penetrate into the case 5, it is possible to prevent intrusion of fuel into the case 5.例文帳に追加

従って、アッパーブラケット３を浸透してきた燃料は、大気層１２に拡散してケース５に浸透することないため、燃料がケース５内に浸入することが防止されている。 - 特許庁

A charge storage layer at the upper part of a channel region 12 is removed by etching, charge storage layers 18a and 18b are formed, then an oxide film is deposited, and a gate electrode is formed thereafter.例文帳に追加

チャネル領域１２上部の電荷蓄積層をエッチングで除去し、電荷蓄積層１８ａ、１８ｂを形成した後、酸化膜を堆積し、その後ゲート電極を作製する。 - 特許庁

To provide a means for measuring a three-dimensional charging material profile of a blast furnace from temperature pattern information of a charging material layer upper surface by a pair of infrared cameras arranged on the top of the blast furnace.例文帳に追加

高炉炉頂に配した一対の赤外線カメラによる装入物層上面の温度パターン情報から、高炉の三次元的な装入物プロフィルを測定する手段を提供する。 - 特許庁

In a mask shape calculating step, taper shape of a mask material which serves as a mask on upper layer part of the circuit pattern formed on a substrate at the time of processing of the circuit pattern is calculated.例文帳に追加

マスク形状算出ステップは、基板上に形成する回路パターンの上層部で前記回路パターンを加工する際のマスクになるマスク材のテーパー形状を算出する。 - 特許庁

To realize a trench gate type semiconductor device, in which contact resistances of a gate lead-out portion 28 and a wiring layer 22 are rather small and dielectric breakdown hardly occurs at the upper corner area of trench 70.例文帳に追加

ゲート引出し部２８と配線層２２の接触抵抗が小さく、トレンチ上側コーナー部７０での絶縁破壊が生じにくいトレンチゲート型半導体装置を実現する。 - 特許庁

A surface light emitting type semiconductor laser element chip, having a resonator structure including reflecting mirrors which are provided in the upper part and the lower part of an active layer emitting light, is specified as a laser chip.例文帳に追加

レーザチップは、光を発生する活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。 - 特許庁

Two or more markers 16, together with a lower layer wiring 13, an upper wiring 14 and a via 15, are formed with a predetermined topography to the via 15 in an analysis region 10.例文帳に追加

解析領域１０に、下層配線１３、上層配線１４およびビア１５と共に、そのビア１５に対する所定の位置に、所定の形状で、複数のマーカ１６を形成する。 - 特許庁

Also, needless medium intrasurface magnetic field at an off-track position is reduced by providing difference in level of a projection having wider width than width of the upper part magnetic pole tip layer on the lower part magnetic pole tip part.例文帳に追加

また、下部磁極先端部の上に上部磁極先端層の幅より広い幅を有する突起段差を設けることによりオフトラック位置での不要な媒体面内磁界を低減する。 - 特許庁

Then, a Cu film 107 is deposited on the barrier metal film 106, and then the Cu film 107 and the barrier metal film 106 are polished to form a via plug 108 and an upper layer interconnection 109.例文帳に追加

次に、バリアメタル膜１０６上にＣｕ膜１０７を堆積し、Ｃｕ膜１０７及びバリアメタル膜１０６を研磨してビアプラグ１０８及び上層配線１０９を形成する。 - 特許庁

As the metal smelting furnace, it is desirable to be a vertical type furnace having a plurality of tuyeres arranged at the upper and the lower parts for blowing high temperature air into a packing layer of a carbon-base solid reducing agent.例文帳に追加

金属製錬炉としては、炭素系固体還元剤の充填層に高温空気を吹込む上下に設けられた複数の羽口を有する竪型炉であることが好ましい。 - 特許庁

The upper transparent electrode 10 of the organic light-emitting element 2 is electrically connected with a current supply line 121 located in the same layer as a scanning line 106 and extended in a parallel direction in a contact hole section 122.例文帳に追加

走査線１０６と同層で平行な方向に延びた電流供給線１２１に有機発光素子２の上部透明電極１０を、コンタクトホール部１２２で電気的に接続する。 - 特許庁

A terminal voltage (stand-by voltage) of an electric double layer capacitor EDLC is set to be close to an upper limit value in a rated voltage range of the external wiring at no-load time and normal load time of an electromotive system.例文帳に追加

電気二重層キャパシタＥＤＬＣの端子電圧（待機電圧）は、き電系統の無負荷時および通常負荷時には外線の定格電圧範囲の上限電圧近くにしておく。 - 特許庁

Then, a second conductive film 31 having a width larger than that of the opening width of the opening section 20a is formed in the upper layer of the first conductive film 30(30a), and then the sacrificial film 20 is removed.例文帳に追加

次に、第１導電膜３０（３０ａ）の上層に、開口部２０ａの開口幅よりも大きな幅を有する第２導電膜３１を形成し、次に、犠牲膜２０を除去する。 - 特許庁

Each tool side connection portion 10a is positioned such that an upper portion thereof is located immediately below an air layer 3c inside a wall body 3 when fitted into the recess 1a formed in the continuous footing 1.例文帳に追加

器具側接続部10ａは、布基礎１の凹部１ａに嵌め込んだ際に器具側接続部10ａの上方が壁体３内部の空気層３ｃの略直下となるように位置決めされている。 - 特許庁

A surface protective resin film 6 is formed on the upper side of the film 5, and a mat colored ink layer 7 is formed on the surface of the film 6 to form a grain pattern.例文帳に追加

艶消フィルム５の上側に表面保護樹脂被膜６を形成し、表面保護樹脂被膜６の表面に艶消着色インキ層７を設けて木目柄を形成する。 - 特許庁

The upper shielding layer 26 is formed of the structure in which the magnetic layers 33, 35 are converted into the single domains by the multilayered structure and that the shielding function and core function may be simultaneously improved.例文帳に追加

また上部シールド層２６は、多層構造により磁性層３３，３５が単磁区化されており、しかもシールド機能とコア機能とを同時に向上できる構造となっている。 - 特許庁

To uniquely provide NextHopID in ARP learning while preventing the processing of an ARP learning request or the like from being concentrated into a certain processing system in an upper layer.例文帳に追加

上位層の一部の処理系にＡＲＰ学習要求等の処理が集中するのを防ぎつつ、ＡＲＰ学習においてＮｅｘｔＨｏｐＩＤを一意に付与できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device has a multilevel metallization structure formed on a silicon substrate 1, and a plurality of thin film resistor elements 5 and 6 are arranged on a layer upper than a metal line 3 in the multilevel metallization structure.例文帳に追加

シリコン基板１の上に多層配線構造を有し、この多層配線構造における金属配線３よりも上層において複数の薄膜抵抗素子５，６が配置されている。 - 特許庁

An outer bottom 3 of an indoor footwear 1 has an outer bottom center 31, the under surface of the outer bottom center 31, and an outer bottom skin layer 32 which covers the surrounding portions of the under, surrounding, and upper surfaces of the outer bottom center 31 and is connected to the outer bottom center 31.例文帳に追加

室内履物1の外底3は、外底芯31と、外底芯31の下面、周面および上面周縁部を覆いかつ外底芯31に接合される外底表皮32とを備える。 - 特許庁

To simultaneously form a conductive circuit bridging over an upper surface, a lower surface and an inner wall surface of a frame-shaped substrate, and a shield layer extended over the entire surface of the outer wall of the substrate.例文帳に追加

枠型の基体の上側表面、下側表面、及び内壁の面に跨る導電性回路と、この基体の外壁の全表面に亘たるシールド層とを同時に形成する。 - 特許庁

The hard mask layer HM is removed in the chamber same as the chamber where the etching for forming the groove TR for wiring is formed, thereby exposing the upper surface of the Low-k film II2.例文帳に追加

配線用溝ＴＲ形成のためのエッチングを行なったチャンバーと同じチャンバー内でハードマスク層ＨＭが除去されてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２の上面が露出される。 - 特許庁

The upper surface of the barrier layer 7 acts as a barrier wall against a positive hole or electron and prohibits transmission of the positive hole or electron generated deeper than the impurity region 7, reducing noises at entering of α ray.例文帳に追加

また、バリア層７上面が正孔又は電子の障壁となり、不純物領域７以深に生成した正孔又は電子を透過しないので、α線入射時のノイズが小さい。 - 特許庁

The metal layer 4 may be directly joined with the valve-acting metal sheet in the state where the dielectric oxide coated film is removed or may be joined from an upper portion of the dielectric oxide coated film.例文帳に追加

金属層４は、誘電体酸化皮膜が除去された状態で弁作用金属シートに直接接合されていても良いし、誘電体酸化皮膜の上から接合されていても良い。 - 特許庁

The display of a display plate disposed in the lower part of the glass plate 1 for the cooking device is formed so that it is visible from the upper part of the glass top plate 1 for the cooking device through the touch panel layer 3.例文帳に追加

調理器用ガラストッププレート１の下方に配置される表示板の表示を、タッチパネル層３を介して調理器用ガラストッププレート１の上方から視認可能に構成されている。 - 特許庁

A difference between this embodiment and prior arts resides in that a plurality of voids 8 are provided to each layer of a piezoelectric film 6 and an upper electrode 7 on the surface of a diaphragm part 3 in this embodiment.例文帳に追加

本実施形態と従来例とは、ダイヤフラム部３の表面において圧電膜６並びに上部電極７の各層に複数の空所８が設けられている点が異なる。 - 特許庁

Current that passes into the device, for example, during back-end of the line charging, is shunted by the local interconnect away from the upper isolation layer 204 and down into the field shield.例文帳に追加

例えば、ＢＥＯＬで帯電している間にデバイス内に流入する電流は、ローカル相互接続によって、上側絶縁分離層を離れフィールド・シールド内へと分流される。 - 特許庁

In addition, the upper shielding layer 26 consists of the structure which is subjected to the single domain formation of the magnetic layers 33 and 35 by the multilayered structure and is capable of simultaneously improving the shielding function and the core function.例文帳に追加

また上部シールド層２６は、多層構造により磁性層３３，３５が単磁区化されており、しかもシールド機能とコア機能とを同時に向上できる構造となっている。 - 特許庁

To prevent contamination of copper metal produced when cleaning a semiconductor substrate before forming a barrier film to form an upper wiring layer and to reduce the number of manufacturing processes.例文帳に追加

上層の配線層のためにバリア層成膜する前の半導体基板のクリーニング処理により発生する銅金属の汚染を防止し、かつ製造工程の工程数を削減する。 - 特許庁

Since it is not necessary to curve and weld a copper core on an upper metal layer of a conventional ceramic cylinder, the manufacturing time can be shortened and work can be simplified.例文帳に追加

従来のセラミック円柱の上部の金属層に銅芯を湾曲させて溶接する必要がないので、製造時間を短くすることができ、作業を簡素化することができる。 - 特許庁

A p impurity region 3 defining an nMOS region 202 is provided from an upper surface of the n^- semiconductor layer 2 to an interface with the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ^-半導体層の内部には、ｎ^-半導体層２の上面からｐ^-半導体基板１との界面にかけて、ｎＭＯＳ領域２０２を区分するｐ不純物領域３が設けられている。 - 特許庁

To provide a moisture-curing urethane composition causing no foaming due to carbon dioxide when cured, excellent in curing properties, and further extremely excellent in adhesiveness to a polyurethane used as the upper layer.例文帳に追加

硬化時に炭酸ガスによる発泡がなく、硬化性に優れ、更に上層に用いられるポリウレタンとの接着性に極めて優れる湿気硬化性ウレタン組成物を提供する。 - 特許庁

A source terminal of the semiconductor switching element 12U on the upper arm side and a drain terminal of the semiconductor switching element 12L on the lower arm side are connected through a first wiring 14 consisting of the wiring layer.例文帳に追加

上アーム側の半導体スイッチング素子１２Ｕのソース端子と、下アーム側の半導体スイッチング素子１２Ｌのドレイン端子とは、配線層からなる第１配線１４により接続される。 - 特許庁

On the polycrystalline silicon film 30 on which the hemispherical swelling portion 31 is formed; an adhesive layer 32, a lower electrode 33, a ferroelectric film 34, and an upper electrode 35 are laminated in order.例文帳に追加

半球状の膨出部３１が形成された多結晶シリコン膜３０上に順次、密着層３２、下部電極３３、強誘電体膜３４及び上部電極３５を積層する。 - 特許庁

A poled piezoelectric material layer 154 of an acoustic stack 150 has an upper side and bottom side 166 and 170 and is formed of a poled piezoelectric material having a first acoustic impedance.例文帳に追加

音響スタック１５０の有ポール圧電材料層１５４は上部側及び底部側１６６、１７０を有し、第１の音響インピーダンスを有する有ポール圧電材料から形成される。 - 特許庁

To provide a drawer-type resin-made housing case, provided with a coupling structure that enables easy and firm coupling of the upper and lower layer cases or adjacent cases.例文帳に追加

引き出しタイプの樹脂製収納ケースにおいて、上下積層ケースや、隣接ケースの連結を、簡単に操作でき且つ堅牢になされる連結構造を備えた収納ケースを提供する。 - 特許庁

The upper electrode of a transparent indium-tin oxide (ITO) is disposed on the Si-containing dielectric layer, and a photo band gap (PBG) Bragg reflector is disposed under the Si lower electrode.例文帳に追加

透明酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）上部電極がＳｉ含有誘電体層の上に配置されており、光バンドギャップ（ＰＢＧ）ブラッグ反射器がＳｉ下部電極の下に配置されている。 - 特許庁