「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(206ページ目) - Weblio英語例文検索

The regulation portion 20 is provided on the upper surface of the insulating layer 12 between an electrode 14a which is not connected to the semiconductor element 16 among the plurality of electrodes, and the semiconductor element 16 to regulate the flow of the sealing resin to the electrode 14a on an outer peripheral side.例文帳に追加

規制部２０は、絶縁層１２の表面において、複数の電極のうち半導体素子１６と接続されていない電極１４ａと半導体素子１６との間に設けられ、封止樹脂が外周側の電極１４ａへ流れることを規制する。 - 特許庁

Two layer encasing sections are prepared with each separate body of independent sheet of fabric, which are composed of an upper step encasing section formed with an opening portion on top of the body inside, and a lower step encasing section formed with an opening portion in an approximately middle region on one face side or another face side of the body.例文帳に追加

別生地体で一体となった本体内部の上方に開口部を形成した上段収納部と、本体の一面側又は、他面側の略中間部位に開口部を形成した下段収納部との、二層の収納部を各々別体で設けた。 - 特許庁

An n-clad layer is composed of an upper surface part 64a having (0001) surface, a slope part 64b having a slope of (11-22) surface, and a flat part 64c extending along (11-20) surface from the lower end of the tilted part, with a ridge structure embedded.例文帳に追加

ｎ−クラッド層は、（０００１）面を有する上面部６４ａと、（１１−２２）面の傾斜面を有する傾斜面部６４ｂと、傾斜部の下端から（１１−２０）面に沿って延びる平坦部６４ｃとから構成されていて、リッジ構造を埋め込んでいる。 - 特許庁

In the layer structure M, warp 10a made of flat monofilaments is confounded with the upper and lower high shrinkage yarns 11 and holds the interval to maintain the communicating gap parts 12, and the warp 10a supports the skelton formation of the communicating gap parts 12.例文帳に追加

層構造Ｍでは、扁平モノフィラメントからなる経糸１０ａが上下の高収縮糸１１に交絡して間隔を保持することで連通空隙部１２が維持されるようになっており、経糸１０ａが連通空隙部１２の骨格形成を担っている。 - 特許庁

In a circuit apparatus, a projection 60 projecting in a thickness direction is provided on the upper surface of and the lower surface of a conductive pattern 11 of a metal core layer, and an interlayer connection for making wiring layers conduct to each other is provided on a region in which the projection 60 is provided.例文帳に追加

回路装置では、金属コア層である導電パターン１１の上面および下面に厚み方向に突出する突出部６０を設けており、この突出部６０が設けられた領域に、各配線層同士を導通させる層間接続部を設けている。 - 特許庁

An optical sheet layer 5 of a diamond shape capable of changing angles of light in the wide range from a shallow angle to a vertical upper side according to an angle of light emitted from a light guide plate 2 is provided in an optical path from the light guide plate 2 to a liquid crystal panel 7.例文帳に追加

導光板２から液晶パネル７の間の光路中に、導光板から出光する光線角度に応じて光を浅い角度から垂直上方まで幅広く変角することができる菱形形状の光学シート層５を設けることとした。 - 特許庁

In an area wherein the battery case and a positive electrode collector face each other via the separator without a positive electrode mix layer of the positive plate, an insulating member with an optimum width is arranged on the separator of an outermost circumference in a position facing both upper and lower end parts of the positive electrode collector.例文帳に追加

電池ケースと前記正極板の正極合剤層が無く正極集電体とがセパレータを介して対向する領域では正極集電体の上下両端部に対向する位置の最外周のセパレータ上に絶縁部材を最適な幅で配設する。 - 特許庁

Also, the protective member is an upper winding tape 6 wound around the outer periphery of a slot in a slot type optical cable 1, and the protective member is the yarn of a buffer layer 16 filled between a pipe-like jacket and an optical fiber unit in a non-slot type optical cable 11.例文帳に追加

なお、スロット型光ケーブル１においては、保護部材が、スロットの外周に巻かれた上巻きテープ６であり、非スロット型光ケーブル１１においては、保護部材が、パイプ状の外被と光ファイバユニットの間に充填された緩衝層１６のヤーンである。 - 特許庁

By such a connection, a gate insulating film 8 can be prevented from being broken due to the charge-up of the n-channel MISFET in the logical section, and all channels on the upper layer formed in the following steps can be used for wiring in the cell or between the cells.例文帳に追加

この接続により、論理部のｎチャネルＭＩＳＦＥＴのチャージアップによるゲート絶縁膜８の破壊を防ぐことができ、さらに後の工程において形成される上層の配線のチャネルを全てセル内またはセル間の配線に用いることができる。 - 特許庁

The heat-treated surface of the steel material is exposed on the ball rolling groove (raceway surface) 51, upper surface (mounting reference surface) 52, and left side surface (mounting reference surface) 53 of a slider 5, and the synthetic resin layer containing the fluororesin is formed on the other surfaces with intermediate layers disposed therebetween.例文帳に追加

スライダ５のボール転動溝（軌道面）５１、上面（取り付け基準面）５２、および左側面（取り付け基準面）５３に、鋼材の熱処理面を露出させ、これ以外の面に、中間層を介して、フッ素樹脂を含有する合成樹脂層を形成する。 - 特許庁

Then the parts of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b are etched by RIE similarly to the above-mentioned method using a part of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as masks to form a magnetic part 100.例文帳に追加

続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ(1) とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁

The substrate part 3 is constituted to bring an under face into contact with an upper end of a terminal pin 12 projected from a substrate abutting part 1a provided in the stem 1 toward the substrate part 3 to be fixed bondedly, and an insulating layer 6 is formed only in the substrate mounting part 1a, in the stem 1.例文帳に追加

そして、基板部３は下面をステム１に設けた基板当接部１ａより基板部３に向けて突出させた端子ピン１２の上端に当接して端子ピン１２に接合固定され、ステム１は基板搭載部１ａのみに絶縁層６を形成している。 - 特許庁

A cap insulating film 102 is formed on a low-dielectric-constant film 101, and the cap insulating film and upper portions of the low-dielectric-constant film are etched to form trenches 103, penetrating the cap insulating film, in the low-dielectric-constant film in a region where a wiring layer 105a is formed.例文帳に追加

低誘電率膜１０１上にキャップ絶縁膜１０２を形成し、キャップ絶縁膜および低誘電率膜の上部をエッチングして、配線層１０５ａを形成する領域にキャップ絶縁膜を貫通して低誘電率膜にトレンチ１０３を形成する。 - 特許庁

A spout 20 including a tubular passage for leading contents is fixed, at the center of an upper end of the packaging bag 1 constituted by gluing films having a sealant layer on its internal surface to each other, between the respective films forming a front and a rear of the packaging bag.例文帳に追加

内面にシーラント層を有するフィルムを貼り合わせて構成した包装袋１の上端部の中央に、内容物を導出する管状の通路を備えた注出口２０を包装袋の正面と背面をなす各フィルム間に挟んで固着する。 - 特許庁

Next, a portion of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b is etched by the similar RIE by using a portion of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as a mask to form a magnetic pole part 100.例文帳に追加

続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ（１） とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁

The air cleaner 10 itself is composed of a foam body such as foam urethane, and is formed into a two-layer structure for covering a side surface part 13 and an upper surface part 12 of a substantially truncated cone-shaped first foam body 15 for forming the hollow part 14 with a second foam body 16.例文帳に追加

エアクリーナ１０自体は、発泡ウレタンなどの発泡体から構成されており、中空部１４を形成する略円錐台形の第一発泡体１５の側面部１３と上面部１２を第二発泡体１６が覆う二層構造となっている。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which a faulty connection in a storage capacitor element caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to conductive contamination or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

A mask 10 having a machining pattern for a laser machining is formed of a mask member layer 12 made of a metallic material having the machining pattern and a first and a second base plate members 11 and 13, composed of a laser beam transmissible material, which clamp the mask member layers on the upper and lower faces.例文帳に追加

レーザ加工用の加工パターンを持つマスク１０を、前記加工パターンを持つ金属材料によるマスク部材層１２と、該マスク部材層を上下両面から挟んでいるレーザ光の透過材料より成る第１、第２の基板部材１１、１３とで形成した。 - 特許庁

The substrate for an inkjet recording head 11 is equipped with a planarized layer 1 having a plane upper surface which is formed in the position corresponding to a lower end surface 21b connected to a side-wall 21a of the foaming chamber 22 in the periphery of the foaming chamber 22 of the flow path forming member 21.例文帳に追加

このインクジェット記録ヘッド用基板１１において、流路形成部材２１の、発泡室２２の周縁であって発泡室２２の側壁２１ａに繋がる下端面２１ｂに対応する位置に形成された、上面が平坦な平坦化層１を有する。 - 特許庁

An underground column 10 is established by filling an active carbon bag 14 at the upper space of the layer of the recycled concrete crushed stones 11, water is poured into the underground column 10, and the generation of hydrogen sulfide is restrained by the water leached from the vicinity of the recycled concrete crushed stones 11.例文帳に追加

コンクリート再生砕石１１層の上部空間に活性炭袋１４を充填して地中コラムを造成１０し、地中コラム１０に注水して、コンクリート再生砕石１１近傍から浸出した用水で、硫化水素の発生を抑止する。 - 特許庁

The conducive electric connection part 4 is so provided on the stress reducing layer 3 in the through-hole 2 as to close a lower surface opening 21, electrically communicating the lower surface 10 with the upper surface 11 of the substrate 1.例文帳に追加

一方、電気接続部４は、導電性を有し、スルーホール２において、応力緩和層３上に設けられるとともに、下面開口２１を閉塞するように設けられているものであり、基板１の下面１０及び上面１１の導電領域と導通する。 - 特許庁

The base parts of a large number of the hydrophilic fiber bodies 16 for cleaning treatments in a raised state are planted and fixed in the overall surface of an embedding and fixing layer 12 made of a water-insoluble and non-permeable synthetic resin provided for the upper surface of a nonwoven fabric 10 made of a non-hydrophilic synthetic fiber.例文帳に追加

非吸水性合成繊維製の不織布１０上面に設けた非水溶性且つ非透水性の合成樹脂製の埋入固定層１２の全面にわたり、多数の吸水性清掃処理用繊維体１６の基部を起立状態で埋入固定する。 - 特許庁

A cooling water feed pipe 27 is embedded at a tip side thereof in a recessed groove 26 of the impeder body, discharges cooling water onto the protective layer through a passage 21a between the ferrite core 21 and the upper surface part 25, and allows the cooling water to flow in the carrying direction of the tube P before spatter powder is solidified.例文帳に追加

冷却水供給管２７はインピーダ本体の凹溝２６に先端側を埋め込みフェライトコア２１と上面部２５との通路２１ａを通して保護層上に冷却水を吐出してスパッタの粉を固まる前に管Ｐ搬送方向前方に流す。 - 特許庁

To protect an electronic part 30, especially an elastic surface- wave element which absorbs moisture and is sensitive to a noise, from moisture absorption, it is covered with a metal conductor layer 12 where the upper surface and the side surface of the inside surface of the area for mounting the electronic part 30 comprise a metal film.例文帳に追加

電子部品３０の中でも吸湿やノイズに敏感で弱い弾性表面波素子を吸湿やノイズから防ぐため電子部品３０を実装するエリア内面の上面部と側面部が金属膜である金属導体層１２で覆うものである。 - 特許庁

To keep the ventilation in a blast furnace good and to obtain a stable operation for injecting high blend of pulverized fine coal by reducing the pressure loss in the charged material layer at the upper part of the furnace, in the blast furnace operation performed by injecting the pulverized fine coal at ≥180 kg par ton of molten iron.例文帳に追加

微粉炭を溶銑トン当り１８０ｋｇ以上吹き込んで行う高炉操業において、炉上部の装入物層での圧力損失を低減することにより炉内通気性を良好に保ち、安定した高微粉炭吹き込み操業を実現する。 - 特許庁

In the region at the upper surface of the recording gap layer 9 to arrange a connecting portion 16 of a thin film coil 16, a bottom-up pattern 41 is formed and a thin film coil 16 is formed on this bottom-up pattern 41 in order to layout the connecting portion 16a.例文帳に追加

記録ギャップ層９の上面であって、薄膜コイル１６の接続部１６ａが配置される領域には、底上げパターン４１が形成され、この底上げパターン４１の上に接続部１６ａが配置されるように薄膜コイル１６が形成されている。 - 特許庁

The method further includes the steps of forming second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) at an upper side of the second layer wiring 11 on the substrate 1, and removing by etching an unnecessary position including a pad forming region in the second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) by using a mask 16.例文帳に追加

基板１上での第２層目の配線１１の上側に第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）を形成し、マスク１６を用いて第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）におけるパッド形成領域を含む不要箇所をエッチング除去する。 - 特許庁

The upper part of the lamination structure is formed at the same intervals as stripe-shaped ridges 31a to 31f, channel width is successively set to 2.0 to 3.5 μm in 0.3 μm steps, the equivalent refractive index of the active layer is changed, and the oscillation wavelength of each element is changed.例文帳に追加

積層構造の上部は、同じ間隔で、ストライプ状リッジ３１ａから３１ｆとして形成され、チャンネル幅は、順次、０．３μｍ刻みに、２．０μｍから３．５μｍとし、活性層の等価的な屈折率を変化させ、各素子の発振波長を変える。 - 特許庁

To provide a technology which enables an even coat with a thin film that is an upper film on a continuously travelling web having a layer which consists of a coating liquid applied in a first coating process without bubbles entering both ends after coating in a method that multilayer coats the coating liquid.例文帳に追加

塗工液を多層塗布する方法において、第１の塗布工程で塗工液が塗布された層が設けられた連続して走行するウェブに、塗工後に気泡が両端部より進入することなく上層である薄膜を均一塗布する技術を提供する。 - 特許庁

An SiN film 5, having an aperture is formed between the electrodes 7s and 7d and on the upper surface of the layer 4 and a Pt film, which forms a Schottky barrier with respect to the substrate 1 and is formed into a gate electrode 9, is formed in this aperture.例文帳に追加

そして、電極７ｓ，７ｄ間であって、ＧａＡｓ層４の上面には、開口を有したＳｉＮ膜５が形成されており、前記開口において、基板に対してショットキ障壁を形成してゲート電極９となるＰｔ膜が形成されている。 - 特許庁

Most of the cooling air introduced to the fired article cooling device 21 does not flow upwards from the fired article packed layer 23, instead passing through a duct 30 connected to an upper space section 21c and being used as combustion air in a lower combustion chamber 17.例文帳に追加

焼成品冷却装置２１に導入された冷却用空気は、焼成品充填層２３から上方にはほとんど流入せず、上方空間部２１ｃに接続されたダクト３０を通って下部燃焼室１７にて燃焼用空気として使用される。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser 1, having a vertical resonator while sandwiching an active layer 7, includes a hole 21 provided in the laser oscillation of the resonator, and a light-shielding means 26 provided in between at least an upper part of the hole part 21 and a bottom of the same.例文帳に追加

活性層７を挟んで垂直方向の共振器が形成された面発光半導体レーザー１であって、共振器のレーザー発振部に孔部２１を設け、少なくとも孔部２１の上部と底部との間に遮光手段２６を設ける構成とする。 - 特許庁

A bottom widening member 2 is welded to the front end of a pile main body 1 consisting of a steel pipe having a predetermined length, the bottom widening member 2 has a cone section 3 having an outside diamer larger than the pile main body and a side wall section 4, and an earth of a bearing layer can be prevented from flowing to the upper side of the bottom widening member.例文帳に追加

所定長さの鋼管から成る杭本体１の先端に拡底部材２を溶接し、この拡底部材２は杭本体より外径が大きい円錐部3と側壁部４を有し、支持層の土が拡底部材の上側へ流動しないようにしている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is provided with a conductive plug penetrating an insulation film and an upper layer wiring that is formed on the insulation film and is connected thereto, and which can improve the degree of freedom of layout on the insulation film; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁膜を貫通する導電性プラグと、絶縁膜上に形成され導電性プラグに接続する上層配線とを備える半導体装置であって、絶縁膜上のレイアウトの自由度を高める半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An upper cladding layer 20 is formed by curing the ultraviolet-curing resin 20a in an optical waveguide region of the optical waveguide mother board by covering an unnecessary part of the optical waveguide mother board with a mask 36a and irradiating the ultraviolet-curing resin 20a with ultraviolet rays.例文帳に追加

光導波路親基板の不要部分をマスク３６ａで覆って紫外線硬化樹脂２０ａに紫外線を照射することによって光導波路親基板の光導波路領域で紫外線硬化樹脂２０ａを硬化させて上部クラッド層２０を成形する。 - 特許庁

Data lines crossing the gate lines and having source electrodes and drain electrodes separated from the data lines are formed at the upper part of the gate insulating film and conductor bodies for shielding light are formed to be parallel to the data lines in same layer as the data lines and the drain electrodes.例文帳に追加

ゲート絶縁膜上部には、ゲート線と交差してソース電極を有するデータ線とデータ線と分離されているドレイン電極とが形成され、データ線及びドレイン電極と同一層には、光遮断用導電体が、データ線と平行に形成されている。 - 特許庁

A reflection layers 16 reflecting light are formed partially on a lower substrate 2 and spacers 17 coated with a sticking layer whose sticking force is lowered by UV irradiation are disposed between the lower substrate 2 and an upper substrate 1 selectively above the reflection layers 16.例文帳に追加

光を反射する反射層１６を下基板２上に部分的に形成し、下基板２と上基板１との間に、紫外線照射によりその固着力が低下する固着層により被覆されてなるスペーサー１７を、反射層１６の上方に選択的に配設した。 - 特許庁

Then, an electrode forming region is exposed within the upper side surface of a heterostructure layer by wet etching using a room-temperature ammonia water as an etchant with a resist pattern as a mask to remove a part of the amorphous AlN thin film corresponding to the electrode forming region.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとし、室温アンモニア水をエッチャントとして用いたウェットエッチングを行うことにより、電極形成領域に対応するアモルファスＡｌＮ薄膜の部分を除去して、ヘテロ構造層の上側表面内の電極形成領域を露出させる。 - 特許庁

A pair of terminal electrodes 22 formed adjacent to both the short sides of the ceramic substrate 2 makes continuity with a pair of connection electrodes 21 on the upper surface of the substrate via inner wiring, and makes continuity with a side wiring layer 28 via a corner electrode 22c.例文帳に追加

セラミック基板２の両短辺に近接して形成されている一対の端子電極２２は、基板上面の一対の接続電極２１と内部配線を介して導通しており、また、コーナー電極２２ｃを介して側面配線層２８に導通している。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の不純物拡散層からなる下部電極２上にセラミック誘電体膜３を形成する工程と、セラミック誘電体膜３上に上部電極４ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

The ferroelectric memory 1 comprises the ferroelectric capacitor 2 composed of a lower electrode 8, an upper electrode 10, and a ferroelectric layer 9 held between the pair of electrodes; and a metal wire 33 provided in the interlayer insulating films 25, 14.例文帳に追加

下部電極８及び上部電極１０とこれら一対の電極間に挟持された強誘電体層９とからなる強誘電体キャパシタ２と、層間絶縁膜２５，１４中に設けられる金属配線３３とを備えた強誘電体メモリ１である。 - 特許庁

Matrix-like grooves are then formed in a direction where an upper portion of the spacer is excluded from an acoustic matching layer side of the block body, and in a direction where the piezoelectric material in a short strip shape is separated into a plurality of parts, and the piezoelectric material in the short strip shape is separated into individual elements corresponding to the lead wires.例文帳に追加

その後、ブロック体の音響整合層側からスペーサーの上部を排除する方向と、短冊状の圧電材を複数に分離する方向にマトリックス状の溝を形成し、短冊状の圧電材を各引出線に対応した個別素子に分離する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which the faulty connection in a storage capacitor element as caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to a conductive foreign material or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

The reflection faces 34A and 34B of the core 32 face to the cavity part 35 sealed by the upper clad layer 36 and are not exposed, thus adhesives 12 and 22 do not come into contact with the reflection face 34A and 34B even though the optical waveguide 30 and substrates 10 and 20 are bonded.例文帳に追加

コア３２の反射面３４Ａ，３４Ｂが上部クラッド層３６により封止された空隙３５に面しており、露出していないため、光導波路３０を基板１０，２０に接着しても、接着剤１２，２２が反射面３４Ａ，３４Ｂに接することがない。 - 特許庁

A metal layer to serve as a source electrode 12 or a drain electrode 13 is formed so as to have a part overlapping with the upper light shielding film 16 on the periphery of a contact hole 19 for the pixel electrode when viewed from the direction vertical to the surface of a transparent substrate 1.例文帳に追加

ソース電極１２またはドレイン電極１３となる金属層を、透明基板１の基板面に垂直な方向から見て、画素電極用コントクトホール１９の周囲にて、該金属層と上部遮光膜１６とが重なる重なり部を有するように形成する。 - 特許庁