「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(206ページ目) - Weblio英語例文検索

In the layer structure M, warp 10a made of flat monofilaments is confounded with the upper and lower high shrinkage yarns 11 and holds the interval to maintain the communicating gap parts 12, and the warp 10a supports the skelton formation of the communicating gap parts 12.例文帳に追加

層構造Ｍでは、扁平モノフィラメントからなる経糸１０ａが上下の高収縮糸１１に交絡して間隔を保持することで連通空隙部１２が維持されるようになっており、経糸１０ａが連通空隙部１２の骨格形成を担っている。 - 特許庁

In a circuit apparatus, a projection 60 projecting in a thickness direction is provided on the upper surface of and the lower surface of a conductive pattern 11 of a metal core layer, and an interlayer connection for making wiring layers conduct to each other is provided on a region in which the projection 60 is provided.例文帳に追加

回路装置では、金属コア層である導電パターン１１の上面および下面に厚み方向に突出する突出部６０を設けており、この突出部６０が設けられた領域に、各配線層同士を導通させる層間接続部を設けている。 - 特許庁

An optical sheet layer 5 of a diamond shape capable of changing angles of light in the wide range from a shallow angle to a vertical upper side according to an angle of light emitted from a light guide plate 2 is provided in an optical path from the light guide plate 2 to a liquid crystal panel 7.例文帳に追加

導光板２から液晶パネル７の間の光路中に、導光板から出光する光線角度に応じて光を浅い角度から垂直上方まで幅広く変角することができる菱形形状の光学シート層５を設けることとした。 - 特許庁

In an area wherein the battery case and a positive electrode collector face each other via the separator without a positive electrode mix layer of the positive plate, an insulating member with an optimum width is arranged on the separator of an outermost circumference in a position facing both upper and lower end parts of the positive electrode collector.例文帳に追加

電池ケースと前記正極板の正極合剤層が無く正極集電体とがセパレータを介して対向する領域では正極集電体の上下両端部に対向する位置の最外周のセパレータ上に絶縁部材を最適な幅で配設する。 - 特許庁

Also, the protective member is an upper winding tape 6 wound around the outer periphery of a slot in a slot type optical cable 1, and the protective member is the yarn of a buffer layer 16 filled between a pipe-like jacket and an optical fiber unit in a non-slot type optical cable 11.例文帳に追加

なお、スロット型光ケーブル１においては、保護部材が、スロットの外周に巻かれた上巻きテープ６であり、非スロット型光ケーブル１１においては、保護部材が、パイプ状の外被と光ファイバユニットの間に充填された緩衝層１６のヤーンである。 - 特許庁

By such a connection, a gate insulating film 8 can be prevented from being broken due to the charge-up of the n-channel MISFET in the logical section, and all channels on the upper layer formed in the following steps can be used for wiring in the cell or between the cells.例文帳に追加

この接続により、論理部のｎチャネルＭＩＳＦＥＴのチャージアップによるゲート絶縁膜８の破壊を防ぐことができ、さらに後の工程において形成される上層の配線のチャネルを全てセル内またはセル間の配線に用いることができる。 - 特許庁

The heat-treated surface of the steel material is exposed on the ball rolling groove (raceway surface) 51, upper surface (mounting reference surface) 52, and left side surface (mounting reference surface) 53 of a slider 5, and the synthetic resin layer containing the fluororesin is formed on the other surfaces with intermediate layers disposed therebetween.例文帳に追加

スライダ５のボール転動溝（軌道面）５１、上面（取り付け基準面）５２、および左側面（取り付け基準面）５３に、鋼材の熱処理面を露出させ、これ以外の面に、中間層を介して、フッ素樹脂を含有する合成樹脂層を形成する。 - 特許庁

Then the parts of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b are etched by RIE similarly to the above-mentioned method using a part of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as masks to form a magnetic part 100.例文帳に追加

続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ(1) とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁

The substrate part 3 is constituted to bring an under face into contact with an upper end of a terminal pin 12 projected from a substrate abutting part 1a provided in the stem 1 toward the substrate part 3 to be fixed bondedly, and an insulating layer 6 is formed only in the substrate mounting part 1a, in the stem 1.例文帳に追加

そして、基板部３は下面をステム１に設けた基板当接部１ａより基板部３に向けて突出させた端子ピン１２の上端に当接して端子ピン１２に接合固定され、ステム１は基板搭載部１ａのみに絶縁層６を形成している。 - 特許庁

A cap insulating film 102 is formed on a low-dielectric-constant film 101, and the cap insulating film and upper portions of the low-dielectric-constant film are etched to form trenches 103, penetrating the cap insulating film, in the low-dielectric-constant film in a region where a wiring layer 105a is formed.例文帳に追加

低誘電率膜１０１上にキャップ絶縁膜１０２を形成し、キャップ絶縁膜および低誘電率膜の上部をエッチングして、配線層１０５ａを形成する領域にキャップ絶縁膜を貫通して低誘電率膜にトレンチ１０３を形成する。 - 特許庁

Next, a portion of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b is etched by the similar RIE by using a portion of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as a mask to form a magnetic pole part 100.例文帳に追加

続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ（１） とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁

The air cleaner 10 itself is composed of a foam body such as foam urethane, and is formed into a two-layer structure for covering a side surface part 13 and an upper surface part 12 of a substantially truncated cone-shaped first foam body 15 for forming the hollow part 14 with a second foam body 16.例文帳に追加

エアクリーナ１０自体は、発泡ウレタンなどの発泡体から構成されており、中空部１４を形成する略円錐台形の第一発泡体１５の側面部１３と上面部１２を第二発泡体１６が覆う二層構造となっている。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which a faulty connection in a storage capacitor element caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to conductive contamination or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

A mask 10 having a machining pattern for a laser machining is formed of a mask member layer 12 made of a metallic material having the machining pattern and a first and a second base plate members 11 and 13, composed of a laser beam transmissible material, which clamp the mask member layers on the upper and lower faces.例文帳に追加

レーザ加工用の加工パターンを持つマスク１０を、前記加工パターンを持つ金属材料によるマスク部材層１２と、該マスク部材層を上下両面から挟んでいるレーザ光の透過材料より成る第１、第２の基板部材１１、１３とで形成した。 - 特許庁

A selectively absorptive wire-grid polarizer 10a for polarizing incident light 12 comprises a thin film lamination layer 18 disposed on an upper side of a substrate 14, composed of a wire-grid array of elongated metal elements 26 having a period less than half of wavelength of the light.例文帳に追加

入射光１２を偏光するための選択吸収性ワイヤーグリッド偏光素子１０ａは、基体１４の上側に配設され、光の波長の半分よりも短い周期を有する延設金属素子２６のワイヤーグリッド配列からなる薄膜積層１８を備えている。 - 特許庁

An III-family nitride-system compound semiconductor laser diode 100 is provided with a substrate 1, a III-family nitride-system compound semiconductor layer 3, and a resonator Rd in a rectangular parallelepiped shape being formed by etching by laminating a plurality of III-family nitride-system compound semiconductor layers at the upper portion.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体レーザダイオード１００は、基板１と、III族窒化物系化合物半導体層３と、その上部に複数のIII族窒化物系化合物半導体層を積層しエッチングで形成された直方体状の共振器Ｒｄを有する。 - 特許庁

The substrate for an inkjet recording head 11 is equipped with a planarized layer 1 having a plane upper surface which is formed in the position corresponding to a lower end surface 21b connected to a side-wall 21a of the foaming chamber 22 in the periphery of the foaming chamber 22 of the flow path forming member 21.例文帳に追加

このインクジェット記録ヘッド用基板１１において、流路形成部材２１の、発泡室２２の周縁であって発泡室２２の側壁２１ａに繋がる下端面２１ｂに対応する位置に形成された、上面が平坦な平坦化層１を有する。 - 特許庁

An underground column 10 is established by filling an active carbon bag 14 at the upper space of the layer of the recycled concrete crushed stones 11, water is poured into the underground column 10, and the generation of hydrogen sulfide is restrained by the water leached from the vicinity of the recycled concrete crushed stones 11.例文帳に追加

コンクリート再生砕石１１層の上部空間に活性炭袋１４を充填して地中コラムを造成１０し、地中コラム１０に注水して、コンクリート再生砕石１１近傍から浸出した用水で、硫化水素の発生を抑止する。 - 特許庁

The heat insulation material packs 7 which are compressed in the thickness direction and the length or width direction, are set in a space between a venting layer 12 and an internal wall 13 formed of a plaster board, at upper and lower edge of a heat insulation material 15 obtained according to an ordinary production method.例文帳に追加

通気層１２と石膏ボードからなる内壁１３との空間内で且つ通常の製法で得られた断熱材１５の上下に厚み方向と長さまたは幅方向に圧縮された状態の本発明に係る断熱材パック７がセットされている。 - 特許庁

This illumination device is specially provided with a first reflection layer (204) on an upper surface (203) facing the light radiation surface (11) of the channels, and also an input joining of light to the light guide plate is proceeded from the side walls (201, 202) of the channels.例文帳に追加

この照明装置は、特に、前記チャネルの光放射表面（１１）に面するそれらの上面（２０３）に第１反射層（２０４）が設けられ、且つ前記導光板への光の入力結合が前記チャネルの側壁（２０１、２０２）から行なわれる点を特徴とする。 - 特許庁

A metallic plate 2 with hooks is used as a core material of this gasket 1, the hooks 2a originally projecting to upper and lower parts (front and rear faces) of the metallic plate 2 main body part are collapsed, and a compound layer 3 is formed in a state of covering the collapsed hooks 2a.例文帳に追加

ガスケット１は、芯材としてフック付金属板２を使用しているが、当初フック付金属板２本体部の上下（表裏面）に突出していたフック２ａが潰された状態となっており、潰されたフック２ａを覆うようにコンパウンド層３が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a protective film of dense film quality at a low temperature of ≤200°C on an upper part of a pixel controlling element and a wiring pattern for preventing mixing of impurities into a liquid crystal cell layer when the pixel controlling element is selectively transferred to a liquid crystal display substrate.例文帳に追加

液晶ディスプレイ基板に画素制御素子を選択的に転写するにあたり、液晶セル層への不純物混入を防止するため、画素制御素子及び配線パターンの上部に、緻密な膜質の保護膜を２００℃以下の低温で形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensing element which prevents abnormal expansion of a tungsten film which is an upper layer film of a transfer electrode due to absorption of oxygen and increase of resistivity of a transfer electrode, and prevents damage of the shape of a clearance part, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

転送電極の上層膜であるタングステン膜が酸素を吸収して異常膨張することおよび転送電極の抵抗率の増大が防止され、また、間隙部の形状の損壊が防止される固体撮像素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a sample holder 10, a layer 16 working as a diffraction plane positioned on the bottom of a recessed part 13a of a base plate 13 with which a filter 14 mounting the samples on its upper surface is treated or processed so that the direction of metallic crystal is not intentionally aligned.例文帳に追加

試料ホルダ１０において、上面に試料を装荷するフィルタ１４を嵌め込む基底板１３の凹部１３ａの底部に位置する回折面となる層１６を、金属結晶の方向が意図的に揃わないような処理又は加工が施されたものとする。 - 特許庁

The press-mold 1 is for press-molding a glass material G, a raw material, to form a glass disk member 50 and consists of an upper mold 10 having a protective film layer 12 formed on the surface 11 for forming the disk member 50 and a lower mold 20.例文帳に追加

プレス用金型１は、原材料である硝材Ｇをプレス成形してガラス製のディスク部材５０をつくり出すためのものであり、ディスク部材５０を成形する側の面１１に保護膜層１２が形成されている上型１０と、下型２０とからなる。 - 特許庁

In the liquid crystal display device 1, a semiconductor layer 14 constituting the channel of a thin-film transistor 12 is arranged on the upper side of a gate line 11 formed of a metallic material and, thereby, a part of the gate line 11 also serves as the gate of the thin-film transistor 12.例文帳に追加

液晶表示装置１は、薄膜トランジスタ１２のチャネルを構成する半導体層１４を、金属材料によって形成されるゲート線１１の上方に配置することにより、ゲート線１１の一部が薄膜トランジスタ１２のゲートを兼ねる構成になっている。 - 特許庁

Moreover, contact plug 10 for connecting the second electrodes 8 to upper-layer metallic wiring 14a are buried in areas surrounded by the sidewalls 9 and a metal silicide 12 and metal nitride films 13 are formed at the connections between the contact plugs 10 and metallic wiring 14a.例文帳に追加

また、第二電極８と上層の金属配線１４ａとを接続するためのコンタクトプラグ１０をサイドウォール９で囲まれる領域に埋め込み、コンタクトプラグ１０と金属配線１４ａとの接続部に、金属シリサイド１２と窒化金属膜１３とを形成する。 - 特許庁

Then, when a voltage is applied between the upper electrode 61 and the lower electrode 62 to generate an electric field on the display layer 5 (housing section 33), the particles A in the dispersion liquid 4 locally concentrate so as to form arrays along the electric field direction.例文帳に追加

そして、上部電極６１および下部電極６２間に電圧を印加して、表示層５（収容部３３）に電界を生じさせたとき、分散液４中の粒子Ａが電界の方向に沿って列を作るように局所的に集中するよう構成している。 - 特許庁

Since the lower light shielding film 42, the upper light shielding film 56 and the side light shielding film 55 are provided with no gap, a semiconductor film 44 becoming the active layer of a TFT can be prevented from being irradiated with light in any direction.例文帳に追加

下部遮光膜４２及び上部遮光膜５６及び側部遮光膜５５は、それぞれに、間隙を生ずることなく設けられているので、あらゆる方向からの光がＴＦＴの活性層となる半導体膜４４に照射されることを防止することができる。 - 特許庁

Furthermore, the piezoelectric resonator 1 has an impedance-adjusting portion 20 provided on the piezoelectric thin film 15, connected with the upper electrode 16, has a grounding electrode 17 provided under the lower barrier layer 12, and is provided at a position facing the impedance-adjusting portion 20.例文帳に追加

圧電共振子１は、更に、圧電薄膜１５の上に配置されると共に上部電極１６に接続されたインピーダンス調整部２０と、下部バリア層１２の下において、インピーダンス調整部２０と対向する位置に配置された接地電極１７とを備えている。 - 特許庁

On a TFT array substrate 10 of the reflection type electro- optical device 100, a comparatively large contact hole 7b is formed in an upper layer insulating film 7a, a reflecting electrode 8a is electrically connected with a transmissive electrode 9a via this contact hole 7b.例文帳に追加

反射型電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０において、上層絶縁膜７ａに大きめのコンタクトホール７ｂを形成し、このコンタクトホール７ｂを介して透光性電極９ａに反射性電極８ａを電気的に接続する。 - 特許庁

When the thickness of the upper clad layer of a first actual refractive index-guiding type laser section is controlled to a prescribed value, the surface of the laser section can be planarized sufficiently and a second laser section having good crystallinity can be laminated upon the planarized surface.例文帳に追加

実屈折率ガイド型の第１のレーザ部の上側クラッド層の層厚を所定の厚みとすることにより、第１のレーザ部の表面を十分に平坦化することが可能となり、その上に結晶性の良好な第２のレーザ部を積層することができる。 - 特許庁

An elastic layer 143 having a plane coplanar to an upper face of an insulation substrate 141 is formed by filling an elastic material such as synthetic rubber in a recessed part 142 formed in a measured device mounting portion 141A of the insulation substrate 141 constituting a measuring substrate 14.例文帳に追加

測定用基板１４を構成する絶縁基板１４１の被測定デバイス載置箇所１４１Ａに形成した凹部１４２内に合成ゴム等の弾性材を充填することにより、絶縁基板１４１の上面と一致する平面の弾性層１４３を形成する。 - 特許庁

To provide a display device capable of reducing connection resistance between a source electrode made of Cr etc., and an external connection terminal for a drain line, and a pixel electrode made of metal oxide such as ITO and an external connection terminal for an upper-layer drain line, and its manufacturing method.例文帳に追加

液晶表示装置において、Ｃｒなどからなるソース電極およびドレインライン用外部接続端子とＩＴＯなどの金属酸化物からなる画素電極および上層ドレインライン用外部接続端子との間の接続抵抗値を低くする。 - 特許庁

The n^+ epitaxial layer 5 has a projection part 19 on the upper surface 5a, contacting the anode electrode 9, and the p-type impurity region 13 is formed to reach a region R closer to the lower surface 3b side of the n-type substrate 3 than to the tip of the projection part 19.例文帳に追加

ｎ^+エピタキシャル層５はアノード電極９と接触する上面５ａに突起部１９を有しており、ｐ型不純物領域１３は突起部１９の先端よりもｎ型基板３の下面３ｂ側の領域Ｒに達するように形成されている。 - 特許庁

On the main surface of the semiconductor substrate, a conductive layer 50 which is electrically connected to the upper side faces of the electrodes in the capacity sections are formed so as to surround the tops of the electrodes of the capacity sections buried in the groove sections 24c and 24d.例文帳に追加

半導体基板の主面には溝部２４ｃ，２４ｄ内部に埋め込まれた容量部の電極の上部を取り囲むように配置され、容量部の電極の上部のすべての側面と電気的に接続された導電性層５０が形成される。 - 特許庁

A heat conducting film 8 made of material with high heat diffusivity is provided in an inner-layer resin film 4 formed on an upper face of a semiconductor chip 1, so the heat generated on the semiconductor chip 1 can be diffused effectively in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体チップ１上面に形成された内層樹脂膜４の内部に熱拡散率の高い材料でなる熱伝導膜８を設けたことにより、半導体チップ１上で発生した熱を半導体装置内に効果的に拡散することができる。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes the above film for optics disposed in at least the upper side or lower side of a liquid crystal cell having two glass substrates with electrodes at least one of which is transparent and having a liquid crystal layer disposed between the glass substrates.例文帳に追加

電極を有する２枚のガラス基板の少なくとも一方が透明であり、このガラス基板の間に液晶層を配置した液晶セルにおいて、液晶セルの少なくとも上側又は下側に上記の光学用フィルムを配置してなる液晶表示装置。 - 特許庁

Substantially similar rhombic driving electrodes 20A are formed at positions corresponding to respective ink chambers 19A on the upper surface of the first piezoelectric layer 21, and a land pattern 20B is formed continuously from the acute angle part of the driving electrode 20A.例文帳に追加

また、第１圧電層２１上面部の各インク圧力室１９Ａに対応する位置には、相似形状の略菱形形状の駆動電極２０Ａが形成されると共に、この駆動電極２０Ａの鋭角部から連続してランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁

An insulation film formed on a Si substrate and containing Hf or Zr and a deposited film present on the upper or lower layer thereof or in the film are removed by repeating dry etching and wet etching one or more times by putting the wet etching first.例文帳に追加

Si基板上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜とその上層あるいは下層あるいは膜中に存在するMg,YあるいはAlとを含む堆積膜の除去を、ドライエッチングとウエットエッチングを、ウエットエッチングを先にして少なくとも1回繰り返して行う。 - 特許庁

Matrix-like grooves are then formed in a direction where an upper portion of the spacer is excluded from an acoustic matching layer side of the block body, and in a direction where the piezoelectric material in a short strip shape is separated into a plurality of parts, and the piezoelectric material in the short strip shape is separated into individual elements corresponding to the lead wires.例文帳に追加

その後、ブロック体の音響整合層側からスペーサーの上部を排除する方向と、短冊状の圧電材を複数に分離する方向にマトリックス状の溝を形成し、短冊状の圧電材を各引出線に対応した個別素子に分離する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which the faulty connection in a storage capacitor element as caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to a conductive foreign material or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

The reflection faces 34A and 34B of the core 32 face to the cavity part 35 sealed by the upper clad layer 36 and are not exposed, thus adhesives 12 and 22 do not come into contact with the reflection face 34A and 34B even though the optical waveguide 30 and substrates 10 and 20 are bonded.例文帳に追加

コア３２の反射面３４Ａ，３４Ｂが上部クラッド層３６により封止された空隙３５に面しており、露出していないため、光導波路３０を基板１０，２０に接着しても、接着剤１２，２２が反射面３４Ａ，３４Ｂに接することがない。 - 特許庁

A metal layer to serve as a source electrode 12 or a drain electrode 13 is formed so as to have a part overlapping with the upper light shielding film 16 on the periphery of a contact hole 19 for the pixel electrode when viewed from the direction vertical to the surface of a transparent substrate 1.例文帳に追加

ソース電極１２またはドレイン電極１３となる金属層を、透明基板１の基板面に垂直な方向から見て、画素電極用コントクトホール１９の周囲にて、該金属層と上部遮光膜１６とが重なる重なり部を有するように形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device having the DRAM region provided with a stacked capacitor and the logic region on a semiconductor substrate, etching is performed when a cell plate pattern is formed in such a manner that an upper capacitor electrode layer 124 is left at least partly in the logic region.例文帳に追加

半導体基板上にスタックキャパシタを有するＤＲＡＭ領域と、ロジック領域とを有する半導体装置の製造方法において、セルプレートパターン形成時に、ロジック領域にも少なくとも部分的に上部キャパシタ電極層１２４を残してエッチングする。 - 特許庁