「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

The upper rubber layer 12 has at least one cord layer 20 formed by connecting a number of pieces of weft 22 extended in the belt width direction, in a state of being arranged in the belt longitudinal direction.例文帳に追加

また、上ゴム層１２には、ベルト幅方向に延びる多数の経糸２２，２２，…をベルト長さ方向に並べて連結してなる少なくとも１層のスダレ層２０を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the wiring board includes the steps of: preparing the insulating layer having the conductive layers 11 formed on an upper surface; coating the upper surface of the insulating layer with ceramic sol containing ceramic particles and a solvent; forming the ceramic structure 13 including ceramic particles by drying the solvent; and forming the resin layer 10 on the upper surface of the insulating layer.例文帳に追加

また、本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、上面に導電層１１が形成された絶縁層を準備する工程と、絶縁層上面に、セラミック粒子と溶剤とを含むセラミックゾルを塗布する工程と、溶剤を乾燥させることにより、セラミック粒子を有するセラミック構造体１３を形成する工程と、絶縁層上面に樹脂層１０を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

The EL element comprises at least a first electrode layer, an insulating layer formed to cover an edge part of the first electrode layer, a liquid repellency part disposed on the upper surface of the insulating layer, a light emitting layer formed like a pattern on the first electrode layer, and a second electrode layer formed on the light emitting layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも第１電極層を有する基板と、前記第１電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた撥液性部と、前記第１電極層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とするＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

A floor panel 1 is laid all over on beams 11, 13 so that an upper surface becomes a horizontal plane, roof backing materials 2 are arranged on this upper surface, and a waterproof sheet 4 as a waterproof layer is arranged on an upper surface of the roof backing materials 2 to constitute a flat roof C by constituting a drainage slope on an upper surface of a water increasing sheet 4.例文帳に追加

梁11，13に上面が水平面になるように床パネル１を敷き込み、この上面に屋根下地材２を配置し、更に、屋根下地材２の上面に防水層としての防水シート４を配置し、該増水シート４の上面に水勾配を構成することで陸屋根Ｃを構成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor chip with a penetrating wiring, an element wiring layer 21 is formed on the front surface side of a substrate 20 or a wafer at first and the upper side of the element wiring layer 21 is covered by a protective layer 22 having an opening.例文帳に追加

貫通配線付き半導体チップの製造方法では、先ず、ウェハである基板２０の表面側に素子配線層２１を形成し、開口部を有する保護層２２によって素子配線層２１上を被覆する。 - 特許庁

The LC device has a substrate 100, a support layer 120 formed on the substrate, inductors formed on either the upper or lower side of the support layer, and capacitors formed in the opposite side of the support layer.例文帳に追加

ＬＣ素子は基板１００と、基板上に形成された支持層１２０と、支持層の上部及び下部のうちいずれか一つに形成されるインダクタＬ及び支持層のもう一つに形成されるキャパシタＣを有する。 - 特許庁

Further, a swollen part swollen from the end edge of an opening of an insulation film formed on the upper side of the collector region is formed at the opening of a base leading layer, and the swollen part connects the intrinsic base layer to the base leading layer.例文帳に追加

さらに、ベース引出し層の開口に、コレクタ領域の上面に形成した絶縁膜の開口部の端縁よりも張出した張出し部を形成し、この張出し部で、真性ベース層とベース引出し層とを接続する。 - 特許庁

This makes the insulating layer 25 look to be as if it were formed adjacent to the inner side of the frame 19 when seen from the upper surface side, and the first conductive layer 21 is seen between the frame 19 and the insulating layer 25.例文帳に追加

これにより、上面側から見た場合、枠部１９の内側に隣接して絶縁層２５が形成されているように見え、枠部１９と絶縁層２５の間には、第１導電層２１は見られない。 - 特許庁

An Al_2O_3 bottom barrier layer 4, an Al rich Al_2+xO_3 charge storage layer 5, and an Al_2O_3 top barrier layer 6, an n-type polysilicon gate 7 are deposited in succession on an upper surface of a p-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の単結晶シリコンン基板１の上面にＡｌ_2Ｏ_3のボトム障壁層４、ＡｌリッチのＡｌ_2+xＯ_3の電荷蓄積層５、Ａｌ_2Ｏ_3のトップ障壁層６、ｎ型ポリシリコンゲート７を順次堆積して形成する。 - 特許庁

In the intermediate structure, to form an opening to be the discharge opening, a through hole formed in the nozzle forming material layer penetrates only the upper solid layer and reaches the lower layer.例文帳に追加

並びに、吐出口となる開口部を形成するために前記ノズル形成材料の層に形成された貫通口が2層の固体層のうち上層のみを貫通し下層に達している、前記方法の中間構造体。 - 特許庁

A white dielectric layer 11 is formed on the inner face of this barrier rib, and a phosphor layer 12 is formed on the upper face of the glass substrate 5 and on the side face of the bridge part on the dielectric layer 11.例文帳に追加

そして、この隔壁の内面に白色誘電体層１１を形成し、この白色誘電体層１１上におけるガラス基板５の上面上及びブリッジ部の側面上に蛍光体層１２を形成する。 - 特許庁

The step sheet 10 provided at the upstream side of a document feeding direction on the read glass has a multi-layered structure of an upper surface layer 11, an intermediate layer 12, a lower surface layer 13 and adhesive layers 14a, 14b.例文帳に追加

読取りガラス上の原稿搬送方向上流側に設けた段差シート１０は、上側表面層１１、中間層１２、下側表面層１３及び接着層１４ａ，１４ｂの多層構造とされている。 - 特許庁

Thermosensitive paper 1 is prepared by forming a thermosensitive coloring layer 3 on one side of a long length of base 2 and by applying an adhesive 5 on the other, and a protective layer 4 is formed on the upper side of the thermosensitive coloring layer 3.例文帳に追加

長尺状の基材２の一方の面に感熱発色層３が形成され、他方の面に接着剤５が塗布された感熱紙１において、感熱発色層３の上面に保護層４を形成する。 - 特許庁

In the submount, having a mounting part 3a for mounting an electronic element on one main face of an insulating substrate 1, a resistor layer 4, an insulating layer 5 and a solder layer 6 are sequentially laminated on an upper face of the mounting part 3a.例文帳に追加

絶縁基１板の一主面に電子素子を実装するための実装部３ａを有するサブマウントにおいて、実装部３ａの上面に抵抗体層４、絶縁層５および半田層６を順次積層した。 - 特許庁

This method for constructing the floor mat comprises laying the waterproof layer part on the whole or a part of a fixed floor face (5) and constructing the mat upper layer part in a laminated state so as to include the waterproof layer part and to cover the whole of a fixed floor face.例文帳に追加

施工方法は、所定床面（５）の全面又は一部面に防水層部を敷設し、防水層部を含み所定の所定床面の全体を覆うようにマット上層部を積層状に敷設する。 - 特許庁

On both end sides in the direction of the thickness of an optical resonator 3, a lower reflective layer 4 and an upper reflective layer 5 are provided, respectively, and at the central part in the direction of the thickness of the optical resonator 3, a main active layer 6 is provided.例文帳に追加

光共振器３の厚さ方向の両端側には下部反射層４および上部反射層５をそれぞれ設けると共に、光共振器３の厚さ方向の中央部には主活性層６を設ける。 - 特許庁

Control boards CB1-CBn each are mounted with FPGA (Field Programmable Gate Array) 1-FPGA m that are lower layer devices controlled from an upper layer device, and configured by one group of the lower layer devices, and have the same configuration.例文帳に追加

制御基板ＣＢ１〜ＣＢｎは、上位層デバイスからの制御を受ける下位層デバイスであるＦＰＧＡ１〜ＦＰＧＡｍを搭載しており、下位層デバイスの１つのグループで構成され、何れも同じ構成を有している。 - 特許庁

A middle paper 20 is so constructed by forming a weak adhesive agent layer 12 through a permeation preventing agent layer 11 on the under surface 4 of one end part 2 of the sheet material 1 and by forming a release processing layer 15 on the upper surface 3 of one end part 2.例文帳に追加

シート材１の一端部２の下面４に、浸透防止剤層１１を介して弱接着剤層１２を形成し、一端部２の上面３に、剥離加工層１５を形成して、中用紙２０を構成する。 - 特許庁

Moreover, a photoresist pattern having T-shaped sectional plane is formed with lower and upper layer resist and ion etching of a thickness equal to the thickness of the laminated body of the lower dielectric material layer 2-the protective dielectric material layer 6 is performed onto the substrate 1.例文帳に追加

さらに、下層レジスト及び上層レジストで断面がＴ字型のフォトレジストパターンを形成し、下部誘電体層２〜保護誘電体層６の積層厚と等しい厚さだけ基板１にイオンエッチングを施す。 - 特許庁

By forming a lower clad layer 11a on a substrate 10, providing a Y-branched optical waveguide 9 on the lower clad layer 11a and covering the optical waveguide 9 with an upper clad layer 11b, an optical element 8 is produced.例文帳に追加

基板１０の上に下クラッド層１１ａを形成し、下クラッド層１１ａの上にＹ分岐した光導波路９を設け、光導波路９を上クラッド層１１ｂで覆うことにより光学素子８を製作する。 - 特許庁

The catalyst layer 11b consists of the catalyst layer of two layers of upper and lower sides, wherein a carrying amount A, B of Pd per unit weight on first alumina and a Ce-Zr-La-Y alumina complex substance of the lower layer is nearly equivalent.例文帳に追加

触媒層１１ｂを上下２層の触媒層に構成し、下層の第１アルミナ及びＣｅ・Ｚｒ・Ｌａ・Ｙアルミナ複合化物への単位重量当たりのＰｄの担持量Ａ，Ｂは略同じとする。 - 特許庁

To provide an organic EL device capable of preventing deterioration of a functional layer by moisture by preventing generation of a crack in a counter electrode formed in an upper layer of the functional layer.例文帳に追加

機能層の上層に形成された対向電極にクラックが発生することを防止して、機能層が水分により劣化することを防止することのできる有機ＥＬ装置およびそれを用いた電子機器を提供すること。 - 特許庁

An outer layer 12 and an inner layer 13 are bonded to both upper and rear surfaces of the matrix material comprising stainless steel through a bonding layer 14 by the hot rolling of stainless steel made of SUS 329J4L to form a stainless-clad steel.例文帳に追加

ステンレス鋼よりなる母材１１の表裏両面に対し、ＳＵＳ３２９Ｊ_4Ｌ製のステンレス鋼を熱間圧延して外層１２と内層１３を接合層１４により接合し、ステンレスクラッド鋼１５を形成する。 - 特許庁

When representing the oscillating wavelength of the laser beam as λ, an optical film thickness T of the summation of the contacting layer 114 and an uppermost layer 112c of the upper DBR which is contacted with the contacting layer 114 is made smaller than λ/4.例文帳に追加

レーザ光の発振波長をλとしたとき、コンタクト層１１４と当該コンタクト層１１４が接する上部ＤＢＲの最上膜１１２ｃとの光学膜厚Ｔがλ／４よりも小さいことを特徴とする。 - 特許庁

Between free magnetic layers 6 (upper side magnetic layers) formed on an insulating barrier layer 5 formed of an insulating oxide such as titanium oxide or the like, an enhance layer 6a is formed at a position contacted with the insulating barrier layer 5.例文帳に追加

酸化チタン等の絶縁酸化物で形成された絶縁障壁層５の上に形成されるフリー磁性層６（上側磁性層）のうち前記絶縁障壁層５と接する位置にエンハンス層６ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a two-dimensional photonic crystal laser which can avoid deterioration of performance of a two-dimensional photonic crystal layer as a resonator, in forming an upper layer on the two-dimensional photonic crystal layer by an epitaxial method.例文帳に追加

２次元フォトニック結晶層の上部層をエピタキシャル法により形成する際に、２次元フォトニック結晶層の共振器としての性能を低下させないようにした２次元フォトニック結晶レーザを提供する。 - 特許庁

In the junction field effect transistor 1; a p-type lower epitaxial layer 3, an n-type epitaxial layer 4, and a p-type upper epitaxial layer 5 are stacked on a semiconductor substrate 2 in this order from the side of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ１では、半導体基板２上に、ｐ型下エピタキシャル層３、ｎ型エピタキシャル層４およびｐ型上エピタキシャル層５が、半導体基板２側からこの順に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device consists of an organic semiconductor layer which has a laminated structure, wherein at least the upper organic semiconductor layer has polycrystallinity or single crystallinity and the lower organic semiconductor layer is composed of a material which functions as a channel.例文帳に追加

有機半導体層を積層構造とし、少なくとも上層の有機半導体層は多結晶状態、又は単結晶状態を有し、下層の有機半導体層はチャネルとして機能する材料からなる。 - 特許庁

The capacitor 3 has a lower conductor layer 10 formed on the substrate 2, a dielectric film 20 formed on the lower conductor layer 10, and an upper conductor layer 30 formed on this dielectric film 20.例文帳に追加

キャパシタ３は、基板２の上に配置された下部導体層１０と、この下部導体層１０の上に配置された誘電体膜２０と、この誘電体膜２０の上に配置された上部導体層３０とを有している。 - 特許庁

The optical waveguide substrate with an optical fiber fixation groove is produced by forming a lower cladding layer on a base substrate using a male stamp produced from a female stamp and then successively forming a core layer and an upper cladding layer thereon.例文帳に追加

光ファイバ固定溝付き光導波路基板は、凹型から作製された凸型を用いて、ベース基板上に下部クラッド層を形成した後、コア層および上部クラッド層を順次形成することにより製造される。 - 特許庁

As for via holes connecting the internal layer wiring electrode to a plane terminal, the via diameter of at least ≥1 layer is made larger than that of any other internal layer in upper and lower layers where the plane terminal electrode is formed.例文帳に追加

また、内層配線電極を平面の端子に接続するビアにおいて、平面端子電極が形成される上下層において、少なくとも１層以上のビア径が他の内層ビア径よりも大きく形成する。 - 特許庁

When the resist 3 of an upper layer has been eliminated, etching gas is changed for mixture gas of O2 gas and N2 gas, the resist 1 of a lower layer is etched, by using the SiO2 film 2 as a mask, and a pattern of an SiO2 film is transferred to the resist 1 of a lower layer.例文帳に追加

上層のレジスト３が消滅したら、エッチングガスをＯ_2 ガスとＮ_2 ガスとの混合ガスに換え、ＳｉＯ_2 膜２をマスクにして下層のレジスト１をエッチングし、ＳｉＯ_2 膜のパターンを下層のレジスト１に転写する。 - 特許庁

Then, an epitaxial layer 4 is formed on the upper layer of the n-type silicon substrate, and the light-receiving part 6 and a vertical potential transfer 7 are formed within the epitaxial layer 4, and a transfer electrode 8 and a light-shielding film 10 are also formed therein.例文帳に追加

その後、ｎ型シリコン基板の上層にエピタキシャル層４を形成し、このエピタキシャル内に受光部６及び垂直電荷転送部７を形成すると共に、転送電極８及び遮光膜１０を形成する。 - 特許庁

A silicon substrate 31 having an upper surface(111) is prepared, a buffer layer 34 composed of Si_xGe_1-x layer(0<x≤1) is formed on the silicon substrate 31, and a nitride single crystal 35 is formed on the buffer layer 34.例文帳に追加

上面に（１１１）面を有するシリコン基板３１を用意し、シリコン基板３１の上面にＳｉ_xＧｅ_1-x層（０＜ｘ≦１）から成るバッファ層３４を形成し、バッファ層３４上に窒化物単結晶３５を形成する。 - 特許庁

In the CPP type magnetic detecting element, the upper and lower portions of the fixed magnetic layer 23 having an artificial ferristructure are sandwiched by non-magnetic metal magnetostriction enhancement layer 22 and a non-magnetic material layer 24 having a lattice constant that is larger than that of Cu.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気検出素子において、人工フェリ構造の固定磁性層２３の上下を非磁性金属製の磁歪増強層２２と、Ｃｕよりも格子定数の大きい非磁性材料層２４で挟む。 - 特許庁

To increase luminous efficiency in a semiconductor light-emitting element where at least an n-type nitride semiconductor layer, a luminous layer, and a p-type nitride semiconductor layer are laminated on a substrate, and an irregular structure is provided on an upper surface.例文帳に追加

基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層し、上面に凹凸構造を有する半導体発光素子において、発光効率を高くする。 - 特許庁

In order to use an MR effect, the lower magnetic layer is formed on the entire surface of the substrate, and the cavities formed in the alumina layer on the lower magnetic layer are filled with an upper magnetic material to form a nano-sized contact.例文帳に追加

本発明は、ＭＲ効果を利用するために、基板の全面に下部磁性層を形成し、の上のアルミナに形成された空孔部に上部磁性体を充填させることによって、微小サイズのコンタクトを形成する。 - 特許庁

When single layer films of Au and Pt are formed and etched using an aqua regia based solution, etching rate of Au employed in the upper layer was about 100 nm/min and etching rate of Pt employed in the lower layer was about 80 nm/min.例文帳に追加

ＡｕとＰｔのそれぞれ単層膜を形成し、王水系の溶液を用いてエッチングしたところ、上層に用いたＡｕはエッチングレートが約１００ｎｍ／分で、下層に用いたＰｔは８０ｎｍ／分であった。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a lower layer, a shielding film 9 and an upper layer and the lower layer includes one at least which is selected from a group constituted of a position detecting mark 6, an element for quality checking and circuit elements.例文帳に追加

下層と遮蔽体膜９と上層とを備える半導体装置であって、下層は位置検出用マーク６と、品質検査用素子と、回路素子とからなる群から選択される少なくとも１つを含む。 - 特許庁

The inorganic EL element 1 has a transparent electrode thin film, an insulating layer 4, a light-emitting layer 5, and an insulating layer 6 as a lower transparent electrode 3 and a transparent electrode thin film as an upper transparent electrode 7 laminated in this order.例文帳に追加

無機ＥＬ素子１は、下部透明電極３としての透明電極薄膜、絶縁層４、発光層５、絶縁層６および上部透明電極７としての透明電極薄膜をこの順に積層する。 - 特許庁

Further, it is preferable that a p+ layer 3 and a p-type electrode 5 connected to the p+ layer and wire-connected to the cathode electrode are provided on an upper surface of the p-type substrate positioned to the outside of the n-well layer.例文帳に追加

さらに、ｎウェル層の外側に位置するｐ型基板の上部表面には、ｐ＋層３と、該ｐ＋層に接続しかつカソード電極に結線されたｐ型電極５と、を更に備えることが好ましい。 - 特許庁

To provide a composite nanometallic paste which, when a layer of paste is sintered in an inert gas under non pressure until the layer turns to a metal layer, attains a shear bond strength between the upper and lower bodies of 10 MPa or higher.例文帳に追加

不活性ガス中で無加圧下でペースト層を金属層まで焼結させたとき、前記金属層による上体と下体間のせん断接合強度が１０Ｍｐａ以上である複合ナノ金属ペーストを提供する。 - 特許庁

The outer peripheral edges of the oxide semiconductor layer 7 and the upper layer insulating film 9 are arranged to keep intervals d1-d4 of 13 μm or more from a channel region 7ch formed in the oxide semiconductor layer 7.例文帳に追加

酸化物半導体層７および上層絶縁膜９の外周縁は、酸化物半導体層７に形成されるチャネル領域７ｃｈに対して１３μｍ以上の間隔ｄ１〜ｄ４を保持して配置されている。 - 特許庁

The oxide thin-film transistor substrate 1 is characterized in that a protection film 10 covering over an oxide semiconductor layer 7 is formed on an upper surface of an interlayer insulating layer 8 being the same layer as a pixel electrode 9 apart from the pixel electrode 9.例文帳に追加

酸化物薄膜トランジスタ基板１は、酸化物半導体層７の上方を覆う保護膜１０を、画素電極９と同一層である層間絶縁層８の上面に、画素電極９とは離間して形成した。 - 特許庁

A source electrode 6, a drain electrode 7 and a semiconductor active layer 8 are formed by etching the second metal films 16a and 16b of the semiconductor active layer, the ohmic contact film 4b, and one part of the upper layer of the semiconductor active film 4a.例文帳に追加

半導体活性部の第２の金属膜１６a、１６b及びオーミックコンタクト膜４bと半導体能動膜４aの上層の一部をエッチングしソース電極６、ドレイン電極７、半導体活性層部８を形成する。 - 特許庁