「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(207ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-clad layer is composed of an upper surface part 64a having (0001) surface, a slope part 64b having a slope of (11-22) surface, and a flat part 64c extending along (11-20) surface from the lower end of the tilted part, with a ridge structure embedded.例文帳に追加

ｎ−クラッド層は、（０００１）面を有する上面部６４ａと、（１１−２２）面の傾斜面を有する傾斜面部６４ｂと、傾斜部の下端から（１１−２０）面に沿って延びる平坦部６４ｃとから構成されていて、リッジ構造を埋め込んでいる。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure comprising an active element provided with an ohmic electrode and an MIM capacitor having a dielectric layer interposed between a lower electrode and an upper electrode, on a semiconductor substrate, wherein the lower electrode and the ohmic electrode have the same structure.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板上に、オーミック電極を備えた能動素子と、下側電極と上側電極との間に誘電体層が介在するＭＩＭキャパシタとが設けられた構造を有し、下側電極とオーミック電極とが同じ構造を有する。 - 特許庁

Alternatively, from a water base organic composite coating material obtained by adding at least one or more corrosion inhibitors selected from tiosulfuric ions, sulfurous ions and hydrogen sulfite ions to the above coating material, an organic composite film is formed on the upper layer of a plated metallic sheet.例文帳に追加

あるいは、上記の塗料に、チオ硫酸イオン、亜硫酸イオンおよび亜硫酸水素イオンから選ばれる少なくとも１種類以上の腐食抑制剤を加えた水性有機複合塗料から、めっき金属板の上層に有機複合皮膜を形成する。 - 特許庁

The capacitor of a semiconductor device is characterized by a lower electrode 43 of a single layer formed of noble metal alloy or oxide thereof, a dielectric film 44 arranged on the lower electrode 43, and an upper electrode 46 arranged on the dielectric film 44.例文帳に追加

貴金属合金またはその酸化物よりなる単層の下部電極４３と、この下部電極４３上に配置された誘電膜４４と、この誘電膜４４上に配置された上部電極４６とを含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタ。 - 特許庁

A rectangular block 1 of foamed synthetic resin is fixed in place on top of a leveling layer 29 and an upper block 1A is laid on top of the block 1 via a framed joint member 9, with their piled condition provided over a predetermined spread in the horizontal direction as well.例文帳に追加

レベリング層２９の上にまず矩形状発泡合成樹脂製ブロック１が配設固定され、更にこの上に枠状接合部材９を介して上位ブロック１Ａが積層され、この積層状態が水平方向にも所定の広さにわたって施工される。 - 特許庁

In the phosphor forming process, a nozzle 200 is positioned at the upper part of the guide barrier rib 127, and a phosphor paste is made to contact the guide barrier rib 127, then, the nozzle 200 is moved to form the end part of the phosphor layer on the guide barrier rib 127.例文帳に追加

蛍光体形成工程において、ノズル２００をガイド隔壁１２７の上方に位置させ、蛍光体ペーストをまずガイド隔壁１２７に接触させてから、ノズル２００を移動させることにより、蛍光体層の端部をガイド隔壁１２７上に形成した。 - 特許庁

The upper tank part and the lower tank part form the layer of the thermal insulation material on the inner surface before joining or after joining.例文帳に追加

温水タンク内面に断熱材の層を形成したこと、温水タンクは、下面開口の上タンク部と上面開口の下タンク部とがそれぞれ接合して一体化される構成であり、上タンク部と下タンク部は、接合前または接合後に内面に断熱材の層を形成すること。 - 特許庁

Silicon nitride film 5 is deposited on the silicon oxide film 4, silicon oxide film 6 is formed on the surface of silicon nitride film 5 (Fig.(c)) by using a method, by which the surface of the silicon nitride film 5 is oxidized, and the like, and upper layer electrode 7 is formed thereon (Fig.(d)).例文帳に追加

そして、そのシリコン酸化膜４上にシリコン窒化膜５を堆積し、そのシリコン窒化膜５の表面を酸化させる方法などにより、シリコン窒化膜５の表面にシリコン酸化膜６を形成し（図（ｃ））、その上に上層電極７を形成する（図（ｄ））ものである。 - 特許庁

In the nonslip tape manufactured by using the metallic foil as the base, a transparent resin film is mounted on the upper surface of a metallic foil base, and the display layer composed of the pattern, etc., is formed in the rear surface of the resin film, that is, the surface facing the metallic foil base.例文帳に追加

金属箔をベースとして滑り防止テープを製造するとともに、その金属箔ベースの上面に、透明な樹脂フィルムを設けるとともに、樹脂フィルムの裏面、すなわち、金属箔ベースに対向する面に、模様等からなる表示層を形成する。 - 特許庁

In a clean room being of three-layer structure comprising a main clean room, a return space combined with utility being the lower part of the main clean room, and a plenum chamber being the upper part of the main clean room, cooling coils are installed at the return space combined with the utility and the plenum chamber.例文帳に追加

メインクリーンルームと、このメインクリーンルームの下部のユーティリティ兼リターン空間と、前記メインクリーンルームの上部のプレナムチャンバの３層構造から成るクリーンルームにおいて、前記ユーティリティ兼リターン空間と、前記プレナムチャンバとに、冷却コイルを設置して成る。 - 特許庁

To provide a tape cartridge which always keeps a magnetic tape in an appropriate state by dissolving damage of a tape edge due to that the vicinity of the latter half outer edge of a tape winding layer conflicts to a case wall when drop impact is caused in a state in which the upper side and the lower side are reversed.例文帳に追加

上下に反転した状態で落下衝撃を受ける場合に、テープ巻層の後半外縁付近がケース壁と衝突してテープ縁が傷付くのを解消し、以て磁気テープを常に好適な状態に維持できるテープカートリッジを提供する。 - 特許庁

Then, since the projection part 34 is inserted to the through-hole 18 and deformed, a portion of the projection part 34 is engaged with the substrate 10, and the reflection frame body 30 is fixed on the substrate 10 in a state of being in thermal contact with the upper surface side conductor layer 14.例文帳に追加

そして、突出部３４が貫通孔１８に挿入されて変形することにより、突出部３４の一部が基板１０と係合し、反射枠体３０が上面側導体層１４と熱接触した状態で基板１０上に固定されている。 - 特許庁

To provide an optical waveguide manufacturing method capable of matching optical characteristics in TE and TM polarizations, by suppressing mismatch of the stresses in the horizontal and in the vertical directions caused by the difference of a thermal expansion coefficient in an upper and a lower clad layer.例文帳に追加

上部クラッド層、下部クラッド層の熱膨張係数差に起因する応力の水平方向、垂直方向での不整合を抑圧し、光学特性をＴＥ偏波及びＴＭ偏波で整合させることができる光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for precisely carrying out formation by recognizing an alignment mark for aligning a pattern to be formed in the upper layer even if a CMP(chemical mechanical polishing) method is used for forming buried wiring.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学機械的研磨）法を用いて埋め込み配線を形成する場合であっても、その上層に形成するパターンを位置合わせするためのアライメントマークを認識できるかたちで的確に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The finish layer 4 includes a tread face finish portion 4a which covers an upper surface 2a of the base plate 2, and a front surface finish portion 4b which is adjacent to the tread surface finish portion 4a and covers a front surface 2b on a side of a stair edge D of the base plate 2.例文帳に追加

前記仕上げ層４は、前記基板部２の上面部２ａを覆う踏み面仕上げ部４ａと、この踏み面仕上げ部４ａに連なりかつ前記基板部２の段鼻Ｄ側の前面部２ｂを覆う前面仕上げ部４ｂとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Then, an interlayer insulating film is formed at the upper layer of the etching stopper film, and a contact hole for exposing the etching stopper film is opened by such etching as the interlayer insulating film is selectively removed from the etching stopper film, before the etching stopper film at the bottom of the contact hole is removed.例文帳に追加

次に、エッチングストッパ膜の上層に層間絶縁膜を形成し、エッチングストッパ膜に対して選択的に層間絶縁膜を除去するエッチングによりエッチングストッパ膜を露出させるコンタクトホールを開口し、次に、コンタクトホール底部のエッチングストッパ膜を除去する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor comprises the steps of the forming an n+ type epitaxial layer 2a first on a substrate, forming a SiO_2 film on the substrate and opening a capacitor dielectric film region and an upper electrode contact region by means of photo lithography and etching.例文帳に追加

このキャパシタの製法は、まずＳｉ基板１上にｎ型エピタキシァル層２ａを形成し、次に基板１の表面にＳｉＯ_２膜を形成し、フォトリソ工程とエツチ工程により、キャパシタ誘電体膜領域と上側電極コンタクト領域を開口する。 - 特許庁

On a semiconductor device 1, a primary interlayer dielectric film 50 overlies the upper layer side of a gate electrode 15, while source-drain electrodes 20 and 40 are electrically connected with source-drain regions 12 and 13 respectively through contact holes 51 and 52 on a primary interlayer dielectric film 60.例文帳に追加

半導体装置１では、ゲート電極１５の上層側に第１層間絶縁膜５０が形成され、ソース・ドレイン電極２０、４０は各々、第１層間絶縁膜６０のコンタクトホール５１、５２を介してソース・ドレイン領域１２、１３に電気的に接続されている。 - 特許庁

In a step before mounting a first Y driver IC14 after attaching the resin layer 24 for adhesion to the electrode 22, the ACF 23 having the nonadhesive film is kept in a condition scarcely causing adhesion of impurities such as dust by the nonadhesive film 26 provided on the upper surface.例文帳に追加

接着用樹脂層２４を電極２２に貼り付けた後で第１のＹドライバＩＣ１４を実装する前の段階において、非粘着膜付きＡＣＦ２３は、上面の非粘着膜２６によって、ゴミなどの不純物が付着しずらい状態になっている。 - 特許庁

The levelling method of the present invention is constituted of disintegrating process loosening the upper layer part of the ground by a rake 1 having a plurality of vibrating tines (protrusions) 14, a rolling process by a roller, and a levelling process to level the surface by a leveling brush or a smoothing mat.例文帳に追加

本発明のグラウンド整地方法は、揺動する複数のタイン（突起）１４を有するレイキ１でグラウンド１００の上層部をほぐすほぐし工程と、ローラーをかける転圧工程と、整地ブラシや整地マットで表面をならすならし工程とを有する。 - 特許庁

A common electrode 21 is formed on a wide region of an upper side electrode layer 4a constituting the liquid crystal display, and antennae 22a, 22b are formed on a region of an end edge portion where the common electrode 21 is not formed inside a region of a surface side glass 2.例文帳に追加

液晶表示器を構成する上部電極層４ａの広い領域に共通電極２１が形成され、共通電極２１が形成されていない端縁部の領域で表面側ガラス２の領域内には、アンテナ２２ａ、２２ｂが形成されている。 - 特許庁

This cosmetics impregnated sheet is made by impregnating cosmetics into a fiber structure body with at least three layers of fiber structure comprising an inner layer comprising mainly hydrophobic fiber aggregate and upper and lower outer layers comprising mainly hydrophilic fiber aggregate.例文帳に追加

疎水性繊維を主成分とする繊維集合体からなる内層と、親水性繊維を主成分とする繊維集合体からなる上下外層で構成された少なくとも３層の構造を有する繊維構造体に、化粧料を含浸してなる化粧料含浸シート。 - 特許庁

A 2nd grounding section 7 is arranged so as to surround an electrode terminal 11, connected to a solder ball 2 of the radio communication module provided on an upper face of a mother board 8, and the wiring pattern from the electrode terminal 11 is provided in the internal layer of the mother board 8.例文帳に追加

マザーボード８の上面に設けられた無線通信モジュールの半田ボール２と接続する電極端子１１を囲むように第二のアース部７を設けるとともに、電極端子１１からの配線パターンをマザーボード８の内層に設けた構成を有している。 - 特許庁

An upper groove 110 is formed by etching and removing only a third insulation film 108 among a cap layer 104 deposited on a lower interconnection 101, a first insulation film 105, an intermediate stopper film 10, a second insulation film 107 and the third insulation film.例文帳に追加

下層配線１０１上に積層されたキャップ層１０４、第１の絶縁膜１０５、中間ストッパ膜１０６、第２の絶縁膜１０７及び第３の絶縁膜１０８のうち、第３の絶縁膜１０８のみをエッチング除去して上溝１１０を形成する。 - 特許庁

Thereby current poured from an electrode of the emission surface side is diffused efficiently, and luminous efficiency is improved, without deteriorating crystal quality of the whole pn junction by film-thickening/heavily doping the whole second upper clad layer 6.例文帳に追加

これにより、第２上クラッド層６全体を厚膜化・高濃度化することによるｐｎ接合全体の結晶品質の低下を伴うことなく、発光面側の電極から注入された電流を効率よく拡散し、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

Since the RIE process is ended when the first and second RIE stopper layers 36 and 42 located at the substantially same height are exposed, variation in height of the upper surface of a lamination 22 and the upper surface of a region where the bias layer 41 is formed to spread to the opposite sides thereof can be reduced and variation in distance between shields can be reduced as compared with prior art.例文帳に追加

このＲＩＥ工程を、ほぼ同じ高さ位置にある第１のＲＩＥストッパ層３６と第２のＲＩＥストッパ層４２が露出したときに終了することで、積層体２２の上面と、その両側に広がるバイアス層４１が形成されている領域の上面との高さ寸法のばらつきを小さくでき、従来に比べて、シールド間距離のばらつきを小さくすることが可能である。 - 特許庁

Particularly, the insulation coating layer is formed by being protrusively dotted on a surface of the upper substrate or the lower substrate on the side laminated and stuck on the inter-substrate connection sheet, and the area of the opening of the inter-substrate connection sheet is formed larger than that of the opening of the upper substrate, thereby this multilayer circuit board having a cavity structure and a full-thickness IVH structure having high interlayer connection reliability can be manufactured.例文帳に追加

特に、絶縁被膜層は、上側基板または下側基板の基板間接続シートと積層接着する側の面に凸状に点在して形成され、基板間接続シートの開口部の面積を上側基板の開口部の面積より大きく形成することにより、キャビティ構造および高い層間接続信頼性を備えた全層ＩＶＨ構造を有する多層の回路基板を製造することができる。 - 特許庁

In the electrolytic capacitor, anode parts of a plurality of electrolytic capacitor elements constituting the stack are stacked on the connection terminals, and the joint 51 of the connection terminal and the anode part of an electrolytic capacitor of lowermost layer is located between the lower surface 21 and the upper surface 22 of the stack.例文帳に追加

電解コンデンサにおいては、接続端子上に、積層体を構成する複数の電解コンデンサの陽極部が積層されており、接続端子と最下層の電解コンデンサの陽極部との接続部５１が、積層体の下面２１と上面２２との間に位置している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can form an insulating film, without generating air gaps under eaves, when the upper protective layer of wiring turns into eaves type, and bury the insulating film in a part between wirings arranged with high density, without generating air gaps by an HDP-CVD method.例文帳に追加

配線の上部保護層がひさし状になっても、その下に空隙を生じずに絶縁膜を形成し、高密度に配置された配線間に空隙を生じずにＨＤＰ−ＣＶＤ法により絶縁膜を埋め込むことができる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-pressure fuel gas emitting system which prevents a temperature decrease of a device by selectively supplying the fuel gas in a high-temperature region of the upper layer part inside the fuel vessel to the fuel supply line, through the use of a temperature distribution of the fuel gas inside a fuel vessel.例文帳に追加

燃料容器内の燃料ガスの温度分布を利用して、燃料容器内の上層部の温度の高い領域の燃料ガスを燃料供給ラインに選択的に供給してデバイスの温度低下を抑制する高圧燃料ガス放出システムを提供すること。 - 特許庁

The tube for supplying water to plants has small water-supply holes formed for supplying water or liquid fertilizer to plants, and is provided with a light-blocking hose main body and a reflection layer to reflect heat or light from outside formed at a part corresponding to an upper surface when the tube is set up.例文帳に追加

灌水用チューブには植栽物に向けて水乃至液肥を供給する潅水用小孔が形成されるとともに、遮光性を有するホース本体と、灌水用チューブが設置されたときに上面となる部分に、外方からの熱若しくは光を反射させる反射層を設けた。 - 特許庁

A piezoelectric element 17 formed on the plane of a diaphragm opposite to a pressure chamber 12 includes a piezoelectric member 31, consisting of an upper piezoelectric member 34 and a lower piezoelectric member 35 stacked each other, and an electrode layer 33, 36, 37 for generating an electric field applied to the piezoelectric member 31.例文帳に追加

圧力室１２とは反対側の振動板表面に形成された圧電素子１７は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備える。 - 特許庁

An electrically conductive film 9c made of ITO film formed simultaneously with the common electrode 9a over the whole region superimposed planarly with the contact hole 6a is formed on the upper layer of the interelectrode insulating film 8, wherein the electrically conductive film 9c is electrically separated from the common electrode 9.例文帳に追加

電極間絶縁膜８の上層には、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域の全体にわたって共通電極９ａと同時形成されたＩＴＯ膜からなる導電膜９ｃが形成され、導電膜９ｃは、共通電極９ａと電気的に分離された状態にある。 - 特許庁

To provide an electrophoretic display device and a method for manufacturing the device, for suppressing decrease in an adhesive force and improving structural durability or display durability of the electrophoretic display device even when an upper face of a structural body is adhered to a counter electrode substrate with an adhesive layer.例文帳に追加

接着剤層を介して構造体の上面と対向電極基板とを接着する場合であっても、接着力の低下を抑制し、電気泳動表示装置の構造的耐久性や表示耐久性を向上した電気泳動表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the POI icons of facilities overlap and interfere with each other, whether these facilities can be usable at present or not is read, the POI icon of the facilities usable at present is displayed on the upper layer of the POI icon of the facilities unusable at present so as to be easily viewed.例文帳に追加

施設のＰＯＩアイコンが重なって干渉するとき、それらの施設が現在利用可能であるかをデータベースから読み込み、現在利用できる施設のＰＯＩアイコンについては、現在利用できないＰＯＩアイコンよりも上層に表示し、見やすく表示を行う。 - 特許庁

This wiring structure 40 is constituted by a lower wiring 44 formed on a base insulating film 42, an interlayer insulating film 46 formed on the wiring 44, a contact 48 which penetrates the layer 46, an upper wiring 50 connected with the wiring 44 via the contact 48.例文帳に追加

本配線構造４０は、下地絶縁膜４２上に形成された下層配線４４と、下層配線４４上に成膜された層間絶縁膜４６と、層間絶縁膜４６を貫通するコンタクト４８と、コンタクト４８を介して下層配線４４と接続された上層配線５０とを備える。 - 特許庁

There are provided a first lower layer wiring (31) formed on an insulation film of a semiconductor substrate; a first via hole (61) formed on the first lower wiring; and a MIM capacitor formed on the first via hole being composed of a lower electrode (9), insulating film (8), and upper electrode (12).例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜上に形成された第１の下層配線（３１）と、この第１の下層配線上に形成された第１のビアホール（６１）と、この第１のビアホール上に形成され、下部電極（９）、絶縁膜（８）、及び上部電極（１２）からなるＭＩＭキャパシタと、を備えている。 - 特許庁

A nitride semiconductor laminate 9 including an active layer 5 formed therein with at least a light emitter is provided on an SiC substrate 1, and a pair of upper and lower electrodes 11 and 12 are provided on the rear surface of the SiC substrate 1 and on the front surface of the semiconductor laminate 9, respectively.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１上に、少なくとも発光部が形成される活性層５を含む窒化物半導体積層部９が設けられ、ＳｉＣ基板１の裏面および半導体積層部９の表面側に、一対の上部電極１１および下部電極１２がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

Anodic oxidation is then performed using the lower electrode 13x as anode to transform an aluminum film 17x containing nitrogen into an aluminum oxide film 18x and to form tantalum oxide films 14y and 14z containing nitrogen, as an insulating layer 14x, at the upper surface portion and the side face portion of the lower electrode 13x.例文帳に追加

次に、下電極１３ｘを陽極にして陽極酸化を行い、窒素含有アルミニウム膜１７ｘをアルミニウム酸化膜１８ｘとするとともに、下電極１３ｘの上面部および側面部に窒素含有タンタル酸化膜１４ｙ、１４ｚを形成し、絶縁層１４ｘとする。 - 特許庁

The conductive member 20 for electrically interconnecting a conductive layer 44D formed on an upper side of a circuit board 24 and the rear face electrode plate 18 is arranged in a way of elastically pressing the rear face electrode plate 18 between the rear face electrode plate 18 and the circuit board 24.例文帳に追加

回路基板２４の上面に形成された導電層４４Ｄと背面電極板１８とを電気的に接続する導電部材２０を、背面電極板１８と回路基板２４と間において背面電極板１８を弾性的に押圧するように配置する。 - 特許庁

Since an insulation film containing hydrogenation polysiloxane is employed as the interlayer insulation film 103 and etching is carried out using etching gas containing at least fluorocarbon gas and oxidation based gas, such a structure as the deterioration layer 105 of hydrogenation polysiloxane on the processing surface is thick at the upper part and thin at the lower part is obtained.例文帳に追加

水素化ポリシロキサンを含む絶縁膜を層間絶縁膜１０３として用い、エッチングガスとしてフロロカーボンガスと酸化系ガスを少なくとも含むエッチングにより加工するため、水素化ポリシロキサンの加工面での変質層１０５が上部で厚く、下部で薄い構造が得られる。 - 特許庁

To provide an electronic substrate capable of preventing the increase of connection resistance in a configuration wherein upper and lower conductive patterns wired through an inter-layer insulating film are connected by connection wiring after being formed, and reduing a process cycle time when manufacturing this configuration.例文帳に追加

層間絶縁膜を介して配線された上下の導電パターンが、これらの導電パターン形成後に接続配線によって接続された構成において、接続抵抗の上昇を防止でき、さらにこの構成を製造する際のプロセスタクトタイムの削減が図られる電子基板を提供する。 - 特許庁

Each thickness t, t' of the chamfers 16 is 0.10 mm or more, and each chamfering angle θ, θ' of the chamfers is in the range of 30°-60°, and the upper limit value of each thickness t, t' of the chamfers is the thickness when each chamfering face is brought into contact with the coated fuel particle 12 having an overcoat layer 14.例文帳に追加

このチャンファ１６の厚みｔ、ｔ´は、０．１０ｍｍ以上であり、チャンファの面取り角度θ、θ´は３０°〜６０°の範囲内であり、かつ、チャンファの厚みｔ、ｔ´はチャンファ面がオーバーコート層１４を有する被覆燃料粒子１２に接する時の厚みを上限値とする。 - 特許庁

In addition, the separator has: exhaust-side gas passages 5b branched in parallel from an exhaust manifold 10b, having upper ends formed into dead ends 15b and used for recovering the reaction gas from the gas diffusion layer; and barrier ribs 7a for partitioning parts between the gas passages 5a and the gas passages 5b.例文帳に追加

また、排出マニホールド１０ｂから並列に分岐すると共に、上流端が行き止まり１５ｂとされ、ガス拡散層から反応ガスを回収する排出側ガス流路５ｂと、供給側ガス流路５ａと排出側ガス流路５ｂの各間を仕切る隔壁７ａを有する。 - 特許庁

The film unit includes a base film having an area and a thickness as predetermined, and provided with a plurality of openings formed in the direction of the thickness, and a cover layer for covering the upper ends of the plurality of openings to establish self-elasticity using air layers located in sealed spaces of the openings.例文帳に追加

本発明は、所定の面積と厚さを有し、前記厚さ方向に形成された複数の開口部を備えるベースフィルムと、前記開口部の密閉された空間に位置する空気層により自体弾性が形成されるように前記複数の開口部の上端部を塞ぐカバー層とを含む。 - 特許庁