「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(205ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent a semiconductor wafer from being easily warped in hardening a sealing film formed of a liquid resin when manufacturing a semiconductor device with an upper surface, side surfaces and an undersurface of a silicon substrate covered with the sealing film formed of an organic resin, a side part protective film and a lower layer protective film.例文帳に追加

シリコン基板の上面、側面および下面を有機樹脂からなる封止膜、側部保護膜および下層保護膜で覆った半導体装置の製造に際し、液状樹脂からなる封止膜を硬化させるとき、半導体ウエハが反りにくいようにする。 - 特許庁

When a reception block 101 receives a wake-up frame from another node, an upper layer processing block 105 puts the reception block into a sleep mode until the time designated by the wake-up frame to prevent it from receiving any frames so that any collisions are prevented from occurring hereafter.例文帳に追加

受信ブロック１０１が他ノードからのウェイクアップフレームを受信した際に、上位層処理ブロック１０５がウェイクアップフレームで指定されている時刻まで受信ブロックをスリープモードにしてフレームを受信させないようにして以降のコリジョンを発生させないようにする。 - 特許庁

An insulation film formed on a Si substrate and containing Hf or Zr and a deposited film present on the upper or lower layer thereof or in the film are removed by repeating dry etching and wet etching one or more times by putting the wet etching first.例文帳に追加

Si基板上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜とその上層あるいは下層あるいは膜中に存在するMg,YあるいはAlとを含む堆積膜の除去を、ドライエッチングとウエットエッチングを、ウエットエッチングを先にして少なくとも1回繰り返して行う。 - 特許庁

The ferroelectric memory 1 comprises the ferroelectric capacitor 2 composed of a lower electrode 8, an upper electrode 10, and a ferroelectric layer 9 held between the pair of electrodes; and a metal wire 33 provided in the interlayer insulating films 25, 14.例文帳に追加

下部電極８及び上部電極１０とこれら一対の電極間に挟持された強誘電体層９とからなる強誘電体キャパシタ２と、層間絶縁膜２５，１４中に設けられる金属配線３３とを備えた強誘電体メモリ１である。 - 特許庁

Furthermore, the piezoelectric resonator 1 has an impedance-adjusting portion 20 provided on the piezoelectric thin film 15, connected with the upper electrode 16, has a grounding electrode 17 provided under the lower barrier layer 12, and is provided at a position facing the impedance-adjusting portion 20.例文帳に追加

圧電共振子１は、更に、圧電薄膜１５の上に配置されると共に上部電極１６に接続されたインピーダンス調整部２０と、下部バリア層１２の下において、インピーダンス調整部２０と対向する位置に配置された接地電極１７とを備えている。 - 特許庁

On a TFT array substrate 10 of the reflection type electro- optical device 100, a comparatively large contact hole 7b is formed in an upper layer insulating film 7a, a reflecting electrode 8a is electrically connected with a transmissive electrode 9a via this contact hole 7b.例文帳に追加

反射型電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０において、上層絶縁膜７ａに大きめのコンタクトホール７ｂを形成し、このコンタクトホール７ｂを介して透光性電極９ａに反射性電極８ａを電気的に接続する。 - 特許庁

When the thickness of the upper clad layer of a first actual refractive index-guiding type laser section is controlled to a prescribed value, the surface of the laser section can be planarized sufficiently and a second laser section having good crystallinity can be laminated upon the planarized surface.例文帳に追加

実屈折率ガイド型の第１のレーザ部の上側クラッド層の層厚を所定の厚みとすることにより、第１のレーザ部の表面を十分に平坦化することが可能となり、その上に結晶性の良好な第２のレーザ部を積層することができる。 - 特許庁

An elastic layer 143 having a plane coplanar to an upper face of an insulation substrate 141 is formed by filling an elastic material such as synthetic rubber in a recessed part 142 formed in a measured device mounting portion 141A of the insulation substrate 141 constituting a measuring substrate 14.例文帳に追加

測定用基板１４を構成する絶縁基板１４１の被測定デバイス載置箇所１４１Ａに形成した凹部１４２内に合成ゴム等の弾性材を充填することにより、絶縁基板１４１の上面と一致する平面の弾性層１４３を形成する。 - 特許庁

Since the lower light shielding film 42, the upper light shielding film 56 and the side light shielding film 55 are provided with no gap, a semiconductor film 44 becoming the active layer of a TFT can be prevented from being irradiated with light in any direction.例文帳に追加

下部遮光膜４２及び上部遮光膜５６及び側部遮光膜５５は、それぞれに、間隙を生ずることなく設けられているので、あらゆる方向からの光がＴＦＴの活性層となる半導体膜４４に照射されることを防止することができる。 - 特許庁

Moreover, contact plug 10 for connecting the second electrodes 8 to upper-layer metallic wiring 14a are buried in areas surrounded by the sidewalls 9 and a metal silicide 12 and metal nitride films 13 are formed at the connections between the contact plugs 10 and metallic wiring 14a.例文帳に追加

また、第二電極８と上層の金属配線１４ａとを接続するためのコンタクトプラグ１０をサイドウォール９で囲まれる領域に埋め込み、コンタクトプラグ１０と金属配線１４ａとの接続部に、金属シリサイド１２と窒化金属膜１３とを形成する。 - 特許庁

Then, when a voltage is applied between the upper electrode 61 and the lower electrode 62 to generate an electric field on the display layer 5 (housing section 33), the particles A in the dispersion liquid 4 locally concentrate so as to form arrays along the electric field direction.例文帳に追加

そして、上部電極６１および下部電極６２間に電圧を印加して、表示層５（収容部３３）に電界を生じさせたとき、分散液４中の粒子Ａが電界の方向に沿って列を作るように局所的に集中するよう構成している。 - 特許庁

To provide a display device capable of reducing connection resistance between a source electrode made of Cr etc., and an external connection terminal for a drain line, and a pixel electrode made of metal oxide such as ITO and an external connection terminal for an upper-layer drain line, and its manufacturing method.例文帳に追加

液晶表示装置において、Ｃｒなどからなるソース電極およびドレインライン用外部接続端子とＩＴＯなどの金属酸化物からなる画素電極および上層ドレインライン用外部接続端子との間の接続抵抗値を低くする。 - 特許庁

The n^+ epitaxial layer 5 has a projection part 19 on the upper surface 5a, contacting the anode electrode 9, and the p-type impurity region 13 is formed to reach a region R closer to the lower surface 3b side of the n-type substrate 3 than to the tip of the projection part 19.例文帳に追加

ｎ^+エピタキシャル層５はアノード電極９と接触する上面５ａに突起部１９を有しており、ｐ型不純物領域１３は突起部１９の先端よりもｎ型基板３の下面３ｂ側の領域Ｒに達するように形成されている。 - 特許庁

On the main surface of the semiconductor substrate, a conductive layer 50 which is electrically connected to the upper side faces of the electrodes in the capacity sections are formed so as to surround the tops of the electrodes of the capacity sections buried in the groove sections 24c and 24d.例文帳に追加

半導体基板の主面には溝部２４ｃ，２４ｄ内部に埋め込まれた容量部の電極の上部を取り囲むように配置され、容量部の電極の上部のすべての側面と電気的に接続された導電性層５０が形成される。 - 特許庁

A reflection layers 16 reflecting light are formed partially on a lower substrate 2 and spacers 17 coated with a sticking layer whose sticking force is lowered by UV irradiation are disposed between the lower substrate 2 and an upper substrate 1 selectively above the reflection layers 16.例文帳に追加

光を反射する反射層１６を下基板２上に部分的に形成し、下基板２と上基板１との間に、紫外線照射によりその固着力が低下する固着層により被覆されてなるスペーサー１７を、反射層１６の上方に選択的に配設した。 - 特許庁

An upper cladding layer 20 is formed by curing the ultraviolet-curing resin 20a in an optical waveguide region of the optical waveguide mother board by covering an unnecessary part of the optical waveguide mother board with a mask 36a and irradiating the ultraviolet-curing resin 20a with ultraviolet rays.例文帳に追加

光導波路親基板の不要部分をマスク３６ａで覆って紫外線硬化樹脂２０ａに紫外線を照射することによって光導波路親基板の光導波路領域で紫外線硬化樹脂２０ａを硬化させて上部クラッド層２０を成形する。 - 特許庁

Data lines crossing the gate lines and having source electrodes and drain electrodes separated from the data lines are formed at the upper part of the gate insulating film and conductor bodies for shielding light are formed to be parallel to the data lines in same layer as the data lines and the drain electrodes.例文帳に追加

ゲート絶縁膜上部には、ゲート線と交差してソース電極を有するデータ線とデータ線と分離されているドレイン電極とが形成され、データ線及びドレイン電極と同一層には、光遮断用導電体が、データ線と平行に形成されている。 - 特許庁

Then, an electrode forming region is exposed within the upper side surface of a heterostructure layer by wet etching using a room-temperature ammonia water as an etchant with a resist pattern as a mask to remove a part of the amorphous AlN thin film corresponding to the electrode forming region.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとし、室温アンモニア水をエッチャントとして用いたウェットエッチングを行うことにより、電極形成領域に対応するアモルファスＡｌＮ薄膜の部分を除去して、ヘテロ構造層の上側表面内の電極形成領域を露出させる。 - 特許庁

A pair of terminal electrodes 22 formed adjacent to both the short sides of the ceramic substrate 2 makes continuity with a pair of connection electrodes 21 on the upper surface of the substrate via inner wiring, and makes continuity with a side wiring layer 28 via a corner electrode 22c.例文帳に追加

セラミック基板２の両短辺に近接して形成されている一対の端子電極２２は、基板上面の一対の接続電極２１と内部配線を介して導通しており、また、コーナー電極２２ｃを介して側面配線層２８に導通している。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の不純物拡散層からなる下部電極２上にセラミック誘電体膜３を形成する工程と、セラミック誘電体膜３上に上部電極４ａを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

A heat conducting film 8 made of material with high heat diffusivity is provided in an inner-layer resin film 4 formed on an upper face of a semiconductor chip 1, so the heat generated on the semiconductor chip 1 can be diffused effectively in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体チップ１上面に形成された内層樹脂膜４の内部に熱拡散率の高い材料でなる熱伝導膜８を設けたことにより、半導体チップ１上で発生した熱を半導体装置内に効果的に拡散することができる。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes the above film for optics disposed in at least the upper side or lower side of a liquid crystal cell having two glass substrates with electrodes at least one of which is transparent and having a liquid crystal layer disposed between the glass substrates.例文帳に追加

電極を有する２枚のガラス基板の少なくとも一方が透明であり、このガラス基板の間に液晶層を配置した液晶セルにおいて、液晶セルの少なくとも上側又は下側に上記の光学用フィルムを配置してなる液晶表示装置。 - 特許庁

Substantially similar rhombic driving electrodes 20A are formed at positions corresponding to respective ink chambers 19A on the upper surface of the first piezoelectric layer 21, and a land pattern 20B is formed continuously from the acute angle part of the driving electrode 20A.例文帳に追加

また、第１圧電層２１上面部の各インク圧力室１９Ａに対応する位置には、相似形状の略菱形形状の駆動電極２０Ａが形成されると共に、この駆動電極２０Ａの鋭角部から連続してランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁

Matrix-like grooves are then formed in a direction where an upper portion of the spacer is excluded from an acoustic matching layer side of the block body, and in a direction where the piezoelectric material in a short strip shape is separated into a plurality of parts, and the piezoelectric material in the short strip shape is separated into individual elements corresponding to the lead wires.例文帳に追加

その後、ブロック体の音響整合層側からスペーサーの上部を排除する方向と、短冊状の圧電材を複数に分離する方向にマトリックス状の溝を形成し、短冊状の圧電材を各引出線に対応した個別素子に分離する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which the faulty connection in a storage capacitor element as caused by a short circuit between storage capacitor electrodes due to a conductive foreign material or a pinhole in an insulating layer or by a short circuit between a data signal line and a storage capacitor upper electrode can be repaired with ease.例文帳に追加

導電性異物や絶縁膜のピンホールによる保持容量電極間の短絡や、データ信号線と保持容量上電極との短絡により発生する保持容量素子の不良を容易に修復することが可能なアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

The reflection faces 34A and 34B of the core 32 face to the cavity part 35 sealed by the upper clad layer 36 and are not exposed, thus adhesives 12 and 22 do not come into contact with the reflection face 34A and 34B even though the optical waveguide 30 and substrates 10 and 20 are bonded.例文帳に追加

コア３２の反射面３４Ａ，３４Ｂが上部クラッド層３６により封止された空隙３５に面しており、露出していないため、光導波路３０を基板１０，２０に接着しても、接着剤１２，２２が反射面３４Ａ，３４Ｂに接することがない。 - 特許庁

Even if the alignment of the upper layer wiring A to the via hole is deviated, since the area in contact with the wiring A on the side face of the plug B is hard to be reduced, the increase of resistance at the via part is suppressed and the local increase of the current density can be suppressed.例文帳に追加

ビア孔に対する上層配線Ａのアライメントがずれても、プラグＢの側面で配線Ａに接触している面積は低下し難いので、ビア部における抵抗の増大を抑え、電流密度の局所的な上昇を抑えることができる。 - 特許庁

A metal layer to serve as a source electrode 12 or a drain electrode 13 is formed so as to have a part overlapping with the upper light shielding film 16 on the periphery of a contact hole 19 for the pixel electrode when viewed from the direction vertical to the surface of a transparent substrate 1.例文帳に追加

ソース電極１２またはドレイン電極１３となる金属層を、透明基板１の基板面に垂直な方向から見て、画素電極用コントクトホール１９の周囲にて、該金属層と上部遮光膜１６とが重なる重なり部を有するように形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device having the DRAM region provided with a stacked capacitor and the logic region on a semiconductor substrate, etching is performed when a cell plate pattern is formed in such a manner that an upper capacitor electrode layer 124 is left at least partly in the logic region.例文帳に追加

半導体基板上にスタックキャパシタを有するＤＲＡＭ領域と、ロジック領域とを有する半導体装置の製造方法において、セルプレートパターン形成時に、ロジック領域にも少なくとも部分的に上部キャパシタ電極層１２４を残してエッチングする。 - 特許庁

To provide a highly reliable optical element, wherein distance between lower and upper electrodes is reduced as much as possible, voltage applied to a core layer is efficiently and satisfactorily secured to reduce voltage consumption, and optical loss of an optical waveguide is reduced.例文帳に追加

下部電極と上部電極との距離を可及的に小さく抑え、コア層に印加する電圧を効率良く十分に確保して消費電圧を低減させると共に、光導波路の光損失量を小さく抑える信頼性の高い光学素子を提供する。 - 特許庁

The main surface side of a single crystal silicon substrate 10 is flattened by spin coatingn an SOG film on the main surfaee side, and the clearance formed on a silicon nitride film on a diffused resistor wiring 15 is buried by the SOG film to flatten a metallic layer for bonding 17, whereby the generation of clearance with respect to an upper stopper is prevented.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁

To provide a solar water heater, in which the forward end part of a hot-water collecting pipe is prevented from sinking due to floating of a float on the hot water surface in a hot-water storage tank and high temperature hot water, can be taken out and delivered at all times, from the upper layer of the hot-water storage tank.例文帳に追加

フロートが貯湯槽内の温水の水面上に浮き上がることにより採湯管の先端部が沈み込むことを防止し、常に貯湯槽の上層の温度の高い温水を取り出して出湯することを可能とする太陽熱温水器を提供する。 - 特許庁

This high frequency composite switch module 10 is configured in a laminating direction(vertical direction) by arranging a conductor pattern for the branching filter circuit at the lower part of the multi-layer substrate, and arranging a conductor pattern for the switch circuit at the upper part of the conductor pattern for the branching filter circuit.例文帳に追加

この高周波複合スイッチモジュール１０は、前記多層基板の下部に分波回路用の導体パターンが配置され、当該分波回路用の導体パターンの上部に前記スイッチ回路用の導体パターンが配置される、積層方向（縦方向）の構成とする。 - 特許庁

In the layer structure M, the warp yarns 10a made of flat monofilaments are confounded with upper and lower high shrinkage yarns 11 to maintain the interval whereby the continuous spaces 12 are retained and the warp 10a supports the frame skeleton of the continuous gap space.例文帳に追加

層構造Ｍでは、扁平モノフィラメントからなる経糸１０ａが上下の高収縮糸１１に交絡して間隔を保持することで連通空隙部１２が維持されるようになっており、経糸１０ａが連通空隙部１２の骨格形成を担っている。 - 特許庁

Between the two main ground conductor post arrays 6 in the main ground conductor layer 4 on the upper side, a plurality of lines of substantially elongated slits 8 extending substantially in the width direction of the main ground conductor post array 6 are provided in the length direction of the main ground conductor post array 6.例文帳に追加

上側の主接地導体層４における２列の主接地導体ポスト列６の間には、該主接地導体ポスト列６の略列幅方向へ延びる略長孔状のスリット８が該主接地導体ポスト列６の列長方向へ複数列設されている。 - 特許庁

A p-side electrode 24 is formed on slopes 26 and 28 of the upper clad layer 22 parallel to the first and second slopes 12 and 14 of the GaAs substrate 16, while an n-side electrode 30 is formed on the rear surface of the GaAs substrate 16.例文帳に追加

ｐ側電極２４が、ＧａＡｓ基板１６の第１の傾斜面１２及び第２の傾斜面１４に平行な上クラッド層２２の傾斜面２６及び傾斜面２８上に、また、ｎ側電極３０がＧａＡｓ基板１６に裏面に、それぞれ、形成されている。 - 特許庁

A transparent resin 16 is formed so as to cover an upper face of the p-type GaN layer 13 in a portion around the end 14 and the p-side electrode 15, and a reflective film 17 is formed so as to coat the entire of the transparent resin 16 and the p-side electrode 15.例文帳に追加

端面１４およびｐ側電極１５の周囲の部分のｐ型ＧａＮ層１３の上面を覆うように透明樹脂１６を形成し、この透明樹脂１６およびｐ側電極１５の全体を覆うように反射膜１７を形成する。 - 特許庁

To provide a display device that can stably keep the operation characteristic in a bottom-gate type organic thin-film transistor without being affected by an electrode formed in its upper layer and that can allow high reliable display by using it as a driving element.例文帳に追加

ボトムゲート型の有機薄膜トランジスタにおける動作特性を、その上層に設けた電極の影響を受けることなく安定した特性に維持することが可能で、これを駆動素子とすることにより信頼性の高い表示が可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

The pad PDx is disposed on an upper layer of the electrostatic protective element so as to allow the arrangement direction of the pad and the rectangular direction of a region where the electrostatic protective element ESDx is formed to be in parallel and to be overlapped on a part or all of the electrostatic protective element ESDx.例文帳に追加

パッドの配列方向と静電気保護素子ＥＳＤｘが形成される領域の長辺方向とが平行となり静電気保護素子ＥＳＤｘの一部又は全部と重なるように、該静電気保護素子の上層にパッドＰＤｘが配置される。 - 特許庁

The display device is composed of a base plate, an EL display element arranged on the above base plate and a damage protection layer which is arranged facing an upper part of the above EL display element and is composed of a material having a hardness of a Mohs hardness 2.5 or more.例文帳に追加

本発明は、基板、前記基板の上に設置されたＥＬ表示素子、および前記ＥＬ表示素子の上方に対応して設置され、モース硬度２.５以上の硬さを有する材料から構成される傷防止層を含むことを特徴するディスプレイ装置とした。 - 特許庁

The manufacturing method of this IC card includes a process by which contact terminals of the antenna are exposed negative-molding a layer of the card body on the upper part of the antenna and forming a cavity in the card body, and a following process by which the electronic module is installed in the cavity 17 of the card body.例文帳に追加

製造方法には、カード本体の層をアンテナの上部で雌型成形し、カード本体に空洞を形成してアンテナのコンタクト端子を露出させる工程並びに続いてカード本体の空洞１７に電子モジュールを設置する工程を含む。 - 特許庁

A thin-film resin board made from a polyimide is used as material for a base material 15, in a high-frequency module having a high-frequency circuit component 33 mounted on the base material 15 fitted with a wiring layer containing distributing wires 36, 37 for a high-frequency circuit formed at least on the upper surface of the base material 15.例文帳に追加

少なくとも上面に高周波回路配線３６，３７を含む配線層が形成された基材１５に高周波回路部品３３が搭載された高周波モジュールにおいて、基材１５の材質としてポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いる。 - 特許庁

To provide a lid member capable of reducing a taste deterioration of food caused by reflected light entering from a side face of a transparent container containing the food such that the lid member having a metal foil layer is fitted over the transparent container to form a seal, thereby shielding the upper face from light, and to provide a package sealed with the lid member.例文帳に追加

透明容器に金属箔層を有する蓋材を被せて密封して上面を遮光した食品において、側面から入る反射光で起こる風味劣化を軽減することができる蓋材及びその蓋材で密封された包装物の提供。 - 特許庁

Separate from the bump, a projected part 56 is formed on a part opposite to a land 52 in the upper surface of a base material 51, where the land 52 and a wire 53 are formed at the lower surface, and then a thermosetting-bonding agent layer 55 is formed at the lower surface of the base material 51.例文帳に追加

そして、これとは別に、下面にランド５２及び配線５３が形成された基材５１の上面におけるランド５２と対向する部分に突出部５６を形成し、続いて基材５１の下面に熱硬化性の接着剤層５５を形成する。 - 特許庁

A metal plate accessory (10) for a building, which is constituted by folding back a metal plate, cut in predetermined dimensions, in a prescribed shape, is characterized in that an upper edge portion (22) including a cut surface (20) formed by cutting working is coated with a resin coating layer (24).例文帳に追加

所定の寸法に切断された金属板を所定の形状に折返し加工してなる建物用金属板製役物（１０）において、切断加工による切断面（２０）を含む上端縁部（２２）が樹脂皮膜層（２４）により覆われていることを特徴とする。 - 特許庁