「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(208ページ目) - Weblio英語例文検索

Throat height TH_T in the film thickness direction upper part which is a medium running direction trailing side of the main pole layer 34 and a throat height TH_L in the film thickness direction lower part being a medium running direction leading side are controlled, and the throat height TH_T of the trailing side is smaller than the throat height TH_L of the leading side.例文帳に追加

主磁極層３４の媒体走行方向トレーリング側である膜厚方向上部におけるスロートハイトTH_Tと、媒体走行方向リーディング側である膜厚方向下部におけるスロートハイトTH_Lを制御し、トレーリング側のスロートハイトTH_Tがリーディング側のスロートハイトTH_Lより短くなる構造とする。 - 特許庁

In this base-isolated building constructed of a base isolating frame with the base isolating device 2 interposed between a column 3 and a foundation 1, a floor in a lowest layer is supported to a support part 7 for supporting the floor 6 below, through a sliding means 8 with the upper end and the lower end relatively movable in a lateral direction.例文帳に追加

柱３と基礎１との間に免震装置２を介在させた免震架構で構成してある免震建物において、最下層の床６は、床６を下方で支持する支持部７に対して、上端と下端とが横方向に相対移動自在な滑り手段８を介して支持されている。 - 特許庁

When a first surface material 12 is thermally fused on a second surface material 20, the molten first surface material 12 enters the second surface material 20, and the first surface material 12 and the upper half of the second surface material 20 are integrally solidified to form a first layer part 21.例文帳に追加

第２表面材２０に第１表面材１２を熱融着すると、第２表面材２０に、溶融した第１表面材１２が入り込んでいき、第１表面材１２と第２表面材２０の上半部とが一体に固化してなる第１層部２１が形成される。 - 特許庁

The flexible wire anchor 8 is inserted into an anchor insertion hole 4 formed in a ground 3, and at least a part is anchored onto an unmovable layer 5 composed of a hard geological section such as a baserock while the upper section of the wire anchor 8 is executed under the state in which it is bent in the direction of tensile force.例文帳に追加

地盤３に形成したアンカー挿入孔４に可撓性を有するワイヤアンカー８を挿入して、少なくとも一部を岩盤等の硬い地質部分からなる不動層５に定着させるとともに、ワイヤアンカー８の上部を引張力の方向に曲げた状態に施工する。 - 特許庁

The spacers for the liquid crystal display device are arranged for the purpose of keeping thickness of the liquid crystal layer of the liquid crystal display device, with the liquid crystal sealed in between substrates placed opposite to each other, constant wherein a surface with a fine irregular shape is formed on an upper surface of each of the spacers.例文帳に追加

対向させて配設された基板間に液晶が封入された液晶表示装置の該液晶層の厚さを一定に保つために配設される液晶表示装置用スペーサーであり、該スペーサー上面に微小な凹凸形状の表面が形成されている液晶表示装置用スペーサー。 - 特許庁

The silica glass crucible has a large number of recesses formed in the circumference direction in the initial melt line zone or an upper region including the zone on the generally smooth inner surface of a transparent layer, with each recess having a projection at the edge of the recess protruding by 20 to 1,000 μm from the smooth inner surface.例文帳に追加

本シリカガラスルツボは、透明層の全体的に滑らかな内表面の初期メルトライン帯域あるいはこれを含む上部域に、多数の凹部が円周方向に沿って設けられ、この各凹部の端部に滑らかな内表面から２０〜１０００μｍ突出する凸部が設けられる。 - 特許庁

An emission air chamber 61 is provided in the tip of the paper feed tray 3 and air emission ports 61h, 61i, and 61j for blowing air are provided in the upper layer part in the tip face of a sheet bundle S in projection parts 61e and 61f and in the side part of a sheet bundle in the projection part 61g.例文帳に追加

給紙トレイ３の先端部に吐出エアチャンバ６１が設けられ、凸部６１ｅ、６１ｆにはシート束Ｓの先端面の上層部に、凸部６１ｇにはシート束の側面部にエアを吹き込むためのエア吐出口６１ｈ、６１ｉ、６１ｊが設けられている。 - 特許庁

This electromagnetic wave-suppressing heat-radiating sheet is an electromagnetic wave-suppressing heat-radiating sheet 10 in which on both upper and lower surfaces of a thin plate-shaped ferrite sintered compact 12, a gel heat radiating layer having slight adherence and having a thermal conductivity of 0.7 W/mK or more is provided and both of these gel heat radiating layers are gel sheets 14, 16.例文帳に追加

薄板状のフェライト焼結体１２の上下両面に、微粘着性を有し熱伝導率０．７Ｗ／ｍ・Ｋ以上のゲル状放熱層が設けられており、それら両方のゲル状放熱層が共にゲル状シート１４、１６である電磁波抑制放熱シート１０である。 - 特許庁

The construction management device is also equipped with a swelling height dimension management rod 4 which can be connected in a serial state to an upper end of the rolling thickness dimension management rod 3 for managing the rolling thickness dimension of the uppermost layer, and which is provided with a scale 14 for measuring the swelling height dimension on the top surface of the improvement body.例文帳に追加

最上層の転圧厚さ寸法を管理する転圧厚さ寸法管理棒３の上端部に直列状態に連結可能で、かつ、改良体上面の膨張高さ寸法測定用の目盛り１４の付いた膨張高さ寸法管理棒４も備えられている。 - 特許庁

To easily mold a container which is a foamed resin molded container having a skin layer on the inner face of the container, and a step by at least one of a recess and a projection, and holds an enough shape holding strength even at the step at the upper end of the projection, or at the step at the lower end of the recess or the like.例文帳に追加

容器内面に表皮層を有しかつ凹部及び凸部の少なくとも一方による段差部を有する発泡樹脂成形容器で、凸部上端の段部あるいは凹部下端の段部等においても充分な保形強度を保有できる容器を容易に成形できるようにする。 - 特許庁

The steel sheet is preferably characterized by a chromate film without including at least organic resin, which is formed under the chromate film including the organic resin and the phosphoric acid, and which has the total Cr coating weight of the upper and lower layer of 10-40 mg/m2 and the phosphoric acid coating weight of PO4/Cr=0.5-4.0.例文帳に追加

また好ましくは、有機樹脂及びリン酸を含むクロメート皮膜の下層に少なくとも有機樹脂を含まないクロメート皮膜を形成し、下層及び上層の合計のＣｒ付着量を１０〜４０ｍｇ／ｍ^２、リン酸付着量をＰＯ_４／Ｃｒ＝０．５〜４．０とする。 - 特許庁

A Schottky diode 30 includes an SiC layer 11, an anode electrode 13 formed on an upper main surface of the SiC 11, a cathode electrode 12 formed on a lower main surface of an SiC substrate 10, and a p-type impurity area 15 formed both edges of a facet.例文帳に追加

ショットキーダイオード３０は、ＳｉＣ層１１と、ＳｉＣ層１１の上部主面に形成されたアノード電極１３と、ＳｉＣ基板１０の下部主面に形成されたカソード電極１２と、ファセットの両端部に形成されたｐ型不純物領域１５とを備えている。 - 特許庁

Further, an organic polymer material film 30 for burying the hole pattern and accelerating an etching velocity except a dye component is formed, and its upper layer is coated with an organic antireflection material film 32, thereby forming a uniform film by a multi-stage process.例文帳に追加

さらに、ホールパターン埋め込み用で、かつ色素成分を除いてエッチング速度を大きくしている有機系高分子材料膜３０を形成し、その上層に有機系反射防止材料膜３２を塗布することにより、多段階プロセスで均一な膜を形成することができる。 - 特許庁

By irradiating the recording layer 4 of only one area 132 among the plurally divided areas 131 of a medium with both of object light 6 and the reference light 71 selectively from the upper side or lower side of the medium, information is recorded as a hologram.例文帳に追加

物体光６及び参照光７１をともに媒体１３０の複数に分割された領域１３１のうちの１つの領域１３２のみの記録層４に対して、選択的に、媒体の上方あるいは下方から照射することによって情報をホログラムとして記録する。 - 特許庁

In the liquid phase epitaxial growth method by which a semiconductor substrate 14 is vertically stood and is brought into contact with a growth solution 13 to make the epitaxial layer grow on the semiconductor substrate 14, the semiconductor substrate 14 is rotated so as to change places between the upper and the lower sides during growth.例文帳に追加

半導体基板１４を縦置きにして成長溶液１３と接触させてその半導体基板１４上にエピタキシャル層を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、成長中に上記半導体基板１４を上下入れ替るように回転させる。 - 特許庁

The via plug 111 and upper-layer wiring 112 each have first and second barrier metal films 107 and 108 and a Cu film 110 laminated in order, wherein the first barrier metal film 107 contains nitrogen and the second barrier metal film 108 contains platinum group metals.例文帳に追加

ビアプラグ１１１および上層配線１１２では、それぞれ、第１および第２のバリアメタル膜１０７，１０８とＣｕ膜１１０とが順に積層されており、第１のバリアメタル膜１０７は窒素を含有し、第２のバリアメタル膜１０８は白金族元素を含有している。 - 特許庁

As the resistors 9 are arranged under the electrode pad 31, infiltration of impurity ions, electric charges, moisture, hydrogen or the like to the resistors 9 from a upper layer side than the electrode pad 31 is prevented, and stability of the resistance values of the resistors 9 is improved.例文帳に追加

抵抗体９は電極パッド３１下に配置されているので、電極パッド３１よりも上層側からの抵抗体９への不純物イオンや電荷、水分、水素などの侵入を防止することができ、抵抗体９の抵抗値の安定性を向上させることができる。 - 特許庁

With the suction sheet 13 fitted to the electronic component module 10, the upper surfaces of some relatively high electronic components 12 are embedded in the thermosetting resin layer 14, and a clearance is formed between the suction sheet 13 and the substrate 11.例文帳に追加

電子部品モジュール１０に吸着シート１３を取り付けた状態では、比較的高さのあるいくつかの電子部品１２の上面が熱硬化性樹脂層１４中に埋め込まれた状態となっており、吸着シート１３と基板１１との間には隙間が形成されている。 - 特許庁

Diffusion of ruthenium or the like into hafnium dioxide, or the like, is suppressed by inserting tantalum pentaoxide or niobium oxide, having a dielectric constant larger than that of the insulating film as a cap layer insulating film into the interface between the upper electrode of ruthenium or ruthenium oxide and the insulating film of hafnium dioxide or zirconium oxide.例文帳に追加

ルテニウム或いは酸化ルテニウムの上部電極および二酸化ハフニウム或いは酸化ジルコニウムの絶縁膜の界面に、キャップ層絶縁膜として前記絶縁膜よりも誘電率の大きな五酸化タンタル或いは酸化ニオブを挿入し、ルテニウム等の二酸化ハフニウム等中への拡散を抑制する。 - 特許庁

At least a part of a region corresponding to a hollow portion G in a conductive pattern layer 17 is displaceable with respect to a substrate surface by means of an electrostatic actuator including a lower electrode 121, an upper electrode 122 and a drive voltage supplier 19.例文帳に追加

導電体パターン層１７における中空部Ｇに対応する領域の少なくとも一部分が、下部電極１２１、上部電極１２２および駆動電圧供給部１９からなる静電アクチュエータによって、基板面に対して変位可能となっているようにする。 - 特許庁

The manufacturing method for the optical integrated circuit further includes a step of applying second photoresist on the optical waveguide layer and the first mask, removing the second photoresist from a position corresponding to the end face to the position corresponding to the upper end of the slant face and forming a second mask.例文帳に追加

光集積回路の製造方法はさらに、光導波路層及び第１のマスク上に第２のフォトレジストを塗布し、端面に対応する位置から斜面の上端に対応する位置までの第２のフォトレジストを除去して第２のマスクを形成するステップを含んでいる。 - 特許庁

A logic gate cell includes a special terminal structure and then when logic gate cells are arranged at specified near positions, a wiring connection is made using only first and second metal wiring layers to increase wiring re sources of an upper layer, thereby reducing the layout area.例文帳に追加

論理ゲートセルの端子構造を特別なものとし、論理ゲートセル同士を特定の近接位置に配置したときに、第一および第二の金属配線層のみで配線接続を完結することにより、上層の配線資源を増加させることでレイアウト面積を削減する。 - 特許庁

The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.例文帳に追加

周辺トランジスタは、第３及び第４拡散層間の第２チャネル領域上に第２ゲート絶縁膜１６Ａ，１６Ｂを介して形成される下部電極１７と、下部電極１７上に第２電極間絶縁膜１８を介して形成される上部電極３，１９とを有する。 - 特許庁

The interval of the columnar electrodes 12 arranged on the third virtual circulating line from the inner side is such an interval that two of the upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first and second virtual circulating lines from the inner side can be put around.例文帳に追加

内側から３番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目及び２番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を２本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁

To provide a slip sheet removing method and device for releasing a slip sheet overlapped on an upper face of a panel in the uppermost layer from the panel and pulling it up easily when removing the slip sheets from a panel stacked body constituted by stacking panels through the slip sheets in a layered state.例文帳に追加

合紙を介してパネルが積層状に積み重ねられたパネル積層体から合紙を取り除くに際し、最上層のパネルの上面に重ね合わされる合紙をそのパネルから容易に剥離して引き上げることができる合紙除去方法および合紙除去装置を提供すること。 - 特許庁

In this pneumatic radial tire, a composite cord composed by bundling at least two aramid lower twisting yarns made by adding lower twisting to an aramid fiber bundle, and a polyester lower twisting yarn made by adding lower twisting to a polyester fiber bundle, and adding upper twisting is used as a reinforcing cord of a carcass layer.例文帳に追加

空気入りラジアルタイヤは、アラミド繊維束に下撚りを加えてなる少なくとも２本のアラミド下撚り糸とポリエステル繊維束に下撚りを加えてなる１本のポリエステル下撚り糸とを束ねて上撚りを加えてなる複合コードが、カーカス層の補強コードとして用いられる。 - 特許庁

The resistance change layer RW is made of an amorphous film including N, and includes Si and C as main components, which can reversibly change the resistive state among a plurality of different resistive states by an electrical signal flowing from the upper electrode film TE side to the lower electrode film BE side.例文帳に追加

前記抵抗変化層ＲＷは、前記上部電極膜ＴＥ側から前記下部電極膜ＢＥ側に流れる電気的信号によって、複数の異なる抵抗状態間を可逆的に変化させることが可能なＳｉ，Ｃを主成分とし、Ｎを含むアモルファスの膜からなる。 - 特許庁

The semiconductor laser device contains a substrate 11, a semiconductor multilayer film 20 which contains an active layer and is formed on the substrate 11, a first electrode 13 that is brought into contact with the upper surface of the semiconductor multilayer film 20, and a second electrode 14 that is brought into contact with the backside of the substrate 11.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ装置は、基板１１と、基板１１上に形成され活性層を含む半導体多層膜２０と、半導体多層膜２０の上面と接触する第１の電極１３と、基板１１の裏面側に接触する第２の電極１４とを含む。 - 特許庁

This simulation device changes an input port block having a configuration for receiving data from a block outside a subsystem block and inside an upper layer system, among a block group constituting the subsystem block, into a variable reading block acquiring a value set in a prescribed memory area (S220, S225).例文帳に追加

シミュレーション装置は、サブシステムブロックを構成するブロック群の内、サブシステムブロック外であって上層システム内のブロックからデータを受け取る構成にされた入力ポートブロックを、所定のメモリ領域に設定された値を取得する変数読出ブロックに変更する（Ｓ２２０，Ｓ２２５）。 - 特許庁

An upper layer outside electrode (a second outside electrode) 6 electrically connected to a spiral coil formed in a sintered body 10 is formed by respectively immersing the both end parts of the sintered body 10 with foundation outside electrodes (first outside electrodes) 4, 5 formed into an Ag/Pd paste bathig fluid.例文帳に追加

下地外部電極（第１の外部電極）４，５が形成されている焼結体１０の両端部を、それぞれＡｇ／Ｐｄペースト浴に浸漬させて、焼結体１０内に形成された螺旋状コイルと電気的に接続する上層外部電極（第２の外部電極）６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of certainly performing a bonding connection without damaging any active element under a connection pad and also raising a wiring using efficiency under the connection pad, when the connection pad is arranged at an upper layer of the active element.例文帳に追加

活性素子の上層に接続パッドを配置した場合に、接続パッド下の活性素子を損傷させることなくボンディング接続を確実に行うことができ、なおかつ接続パッド下の配線使用効率も向上させることができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a reliable vertical cavity surface emitting laser which isolates a region where a current of an upper DBR layer having a laser beam emission region exists from a semiconductor surface, and suppresses growth of the dislocation starting at the semiconductor surface is accelerated by the current.例文帳に追加

レーザ光出射領域を備えた上部ＤＢＲ層の電流が存在する領域と半導体表面を分離し、半導体表面を始点とする転移の成長が、電流により加速されることを抑制し、信頼性の高い垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

Furthermore, a plurality of lead-out electrodes 47, corresponding to the plurality of relay electrodes 48 respectively, are arranged on the upper surface of the first piezoelectric layer 40, and the relay electrodes 48 and the lead-out electrodes 47, each of which is continuous by using the conductive material in a plurality of through-holes 38.例文帳に追加

また、第１圧電層４０の上面には、複数の中継電極４８とそれぞれ対向する複数の引き出し電極４７が配列され、複数の中継電極４８と複数の引き出し電極４７は、複数のスルーホール３８内の導電性材料によってそれぞれ導通している。 - 特許庁

To design layout of lower modules of a semiconductor integrated circuit having a plurality of layers while considering a wiring state of an upper layer near the lower modules in each location of the lower modules to be used in a plurality of places.例文帳に追加

複数階層を有する半導体集積回路の階層レイアウトを行なう際に、複数個所で使用される下位モジュールについての各配置箇所における下位モジュール近傍の上位階層の配線状況を考慮して、下位モジュールのレイアウト設計を行なうことを課題とする。 - 特許庁

The plant fiber body is the kenaf fibers Kf with an average fiber length of 0.1-20 mm, which are dispersed in an asphalt layer formed from the asphalt mixture, or a kenaf fiber mesh sheet Ks which is interposed between two upper and lower asphalt layers formed from the formed from the asphalt mixture.例文帳に追加

前記植物繊維体は、アスファルト混合物から形成されるアスファルト層内に分散された平均繊維長０．１〜２０ｍｍのケナフ繊維Ｋｆ、若しくはアスファルト混合物から形成される上下２層のアスファルト層間に介在されるケナフ繊維製のメッシュシートＫｓである。 - 特許庁

A polyester resin sheet with a melt softening temperature of 100 to 140°C and an underlayer plywood 2 are previously bonded together with an adhesive 4; a sliced veneer 2 is disposed on the polyester resin sheet and hot pressed; and the upper layer of the polyester resin sheet and the sliced veneer 2 are melt adhered together.例文帳に追加

予め、溶融軟化温度が１００〜１４０℃のポリエステル樹脂シートと下地合板２とを接着剤４により接着させ、さらに上記ポリエステル樹脂シートの上に突板２を載置してホットプレスを行い、ポリエステル樹脂シートの上部層と突板２とを溶融粘着させて得られた木質床材Ａ。 - 特許庁

A ring-like second seal ring contact part 32 comprising a peripheral part of a second plating resist film 28 for forming a columnar electrode 10 is formed inside a plating connection terminal 8a on the upper surface of a base material metal layer 8 formed over the entire surface on a semiconductor wafer 21.例文帳に追加

半導体ウエハ２１上の全面に形成された下地金属層８の上面においてメッキ用接続端子部８ａの内側には、柱状電極１０形成用の第２のメッキレジスト膜２８の周辺部からなるリング状の第２のシールリング接触部３２が形成されている。 - 特許庁

The etching of the sacrifice layer 48 is executed such that a stress of a laminated body (composite film) comprising a piezoelectric film 44 and the upper electrode 45 is a compressive stress, the composite film is swollen, and the dome shaped air gap 42 can be formed between the lower electrode 43 and the substrate 41.例文帳に追加

犠牲層４８のエッチングは、下部電極４３、圧電膜４４および上部電極４５からなる積層体（複合膜）の応力が圧縮応力となるように実行され、複合膜が膨れ上がり下部電極４３と基板４１との間にドーム形状の空隙４２を形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which never damages a metal film of an upper layer as a method for manufacturing a semiconductor device including an FET having a T-shaped gate structure such that the gate is both shortened in the length and reduced in resistance at the same time.例文帳に追加

ゲート長の短縮化並びにゲート抵抗の低減化を同時に実現するＴ型ゲート構造を有するＦＥＴを含む半導体装置の製造方法において、上層の金属膜に損傷を与えることのない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film resonator is characterized by having a piezoelectric lamination structure 14 wherein an insulator layer 13 constituted of a dielectric film whose main component is silicon oxide or silicon nitride, a lower electrode 15, a piezoelectric thin film 16 and an upper electrode 17 are laminated in this order at a position facing a viahole 20 of a substrate 12.例文帳に追加

基板１２のビアホール２０に面する位置にて、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主成分とする誘電体膜からなる絶縁体層１３、下部電極１５、圧電体薄膜１６および上部電極１７がこの順に積層された圧電積層構造体１４を備える。 - 特許庁

A vertical magnetic recording medium can be realized, which is capable of forming a fine bit pattern without influencing on recording process of a vertical magnetic film of an upper layer at the time of recording by adopting the granular structure in which such soft magnetic particulates are dispersed.例文帳に追加

このような軟磁性粒子を分散させたグラニュラー構造とすることにより、記録の際に、上層の垂直磁性膜の記録過程に影響を及ぼすことがなく、微細なビットパターンを形成することが可能な垂直磁気記録媒体を提供することが可能である。 - 特許庁

In the method for forming the multilayer interconnection in which the multilayer interconnection 50 is formed on a semiconductor substrate 1, a first aluminum wiring 17 is formed on an ILD (inter layer dielectric) 11 so that the wiring 17 may come into contact with the upper surface of a first plug electrode 13 after the electrode 13 is formed in a contact hole H.例文帳に追加

半導体基板１に多層配線５０を形成する方法であって、コンタクトホールＨ内に第１プラグ電極１３を形成した後、この第１プラグ電極１３の上面と接触するようにＩＬＤ１１上に第１アルミ配線１７を形成する。 - 特許庁

The upper layer 9 in the thick photosensitive pattern is modified into a silica film 10 which is hardly etched when the thin photosensitive film pattern in a recess 5 of the resist is removed by etching so that the thick photosensitive film pattern can maintain its planar profile as the profile before etching.例文帳に追加

レジスト凹部５の薄い方の感光膜パターンをエッチング除去するときに、厚い方の感光膜パターンの上層９をエッチングされにくいシリカ膜１０に改質するので、厚い方の感光膜パターンはその平面形状をエッチング前の形状に維持することができる。 - 特許庁

Then the interconnection groove is completed by etching and removing the second insulation film 107 and the intermediate stopper film 106 using the upper groove 110 as a mask and the via hole is connected with the lower interconnection 101 by etching and removing the cap layer 104 exposing at the bottom of the via hole 112.例文帳に追加

そして、上溝１１０をマスクに第２絶縁膜１０７及び中間ストッパ膜１０６をエッチング除去して配線溝を完成すると共にビアホール１１２の底部に露出したキャップ層１０４をエッチング除去してビアホールを下層配線１０１と接続する。 - 特許庁

To improve a waterproof property and a strength of an existing roof using the roof as it is without producing a construction demolition material while a building may be used during a period of repairing of its roof, by laying a thin cloth on a surface of the existing roof and coating a waterproofing upper layer resin thereon to impregnate the cloth with the resin.例文帳に追加

既設の屋根の表面に薄い布を敷き、この上に防水性の上層樹脂を塗布して布に含浸させ、これにより既設の屋根をそのまま使って屋根の防水性及び強度を向上させ、建築廃材も出ず、屋根改修中も当該建造物を使用することができる。 - 特許庁