「upper-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(209ページ目) - Weblio英語例文検索

In the decorative body in which a foil is covered directly or indirectly on a substrate and a plurality of painted layers are formed on an upper part, a compound having two or more hydroxyl groups are added to the paint for forming at least one layer of the plural coated layers.例文帳に追加

基材上に直接又は間接的に箔を被覆し、その上層部に複数の塗膜層を形成した装飾体において、前記複数の塗膜層の少なくとも一層を形成するための塗料に水酸基を２個以上持った化合物を添加した装飾体。 - 特許庁

Related to the BiCMOS, the upper surface of an N-type base 104a of the LPNP is shielded with a conductive layer 107 (gate electrode material) of the same material as a gate electrode of an MISFET through an insulating film 106 thicker than a gate insulating film 105 of the MISFET.例文帳に追加

本発明のＢｉＣＭＯＳでは、ＬＰＮＰのＮ型ベース１０４ａの上面が、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０５よりも膜厚の厚い絶縁膜１０６を介して、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と同一材質の導電層１０７（ゲート電極材料）でシールドされている。 - 特許庁

For JPO, as mentioned above, regarding to the feature of "thickness of 0.05 to 0.3 mm", both the upper and lower thickness limits of the polyethylene resin layer in the claim are only an appropriately defined number that represents a matter of design in the earlier patent documentation to be appropriately selected by a person skilled in the art. 例文帳に追加

JPOでは、上述の通り、「厚さ0.05～0.3mm」という特徴について、請求項におけるポリエチレン樹脂層の厚さの限定は、その上限、下限とも、当業者によって適宜選択される数字を適宜に特定したものであり、先の特許文献の設計的事項を表わしたにすぎない。 - 特許庁

To prevent lowering of wavelength conversion efficiency due to deterioration of a periodic polarization reversal structure in a miniaturized harmonic wave generator in which a wavelength conversion layer including a channel type optical waveguide provided with a periodic polarization reversal structure is held between a support substrate and an upper substrate.例文帳に追加

支持基板と上側基板との間に、周期分極反転構造が設けられたチャンネル型光導波路を備える波長変換層が挟まれた形態の小型化された高調波発生素子において、周期分極反転構造の劣化による波長変換効率の低下を防止する。 - 特許庁

The ladder type thin film bulk wave resonator filter is provided with two series FBAR 10 and two parallel FBAR 11 each comprising a thin film bulk wave resonator (FBAR) having a lower electrode 25, upper electrodes 24, 27 and a piezoelectric layer held between them.例文帳に追加

はしご型の薄膜バルク波共振子フィルタは、それぞれ下部電極２５と上部電極２４，２７とこれらに挟まれた圧電層とを有する薄膜バルク波共振子（ＦＢＡＲ）よりなる２つの直列ＦＢＡＲ１０および２つの並列ＦＢＡＲ１１を備えている。 - 特許庁

The electrostatic chuck is characterized in that a groove is provided on the attracting surface and the groove connects regions at the upper part of the opening of the attracting electrode layer and extends to the peripheral part of the attracting surface or to one or a plurality of predetermined positions.例文帳に追加

吸着面に溝を施し、その溝が前記吸着電極層の開口部分上部の領域を連接し、前記吸着面の前記吸着面の周辺部又は一つ若しくは複数の定められた箇所へ延長することを特徴とする静電チャックとする。 - 特許庁

A photoresist film 5 is applied by photolithography to a laminate Josephson junction element base composed of a lower electrode 1 formed on a substrate 7, a insulation layer 3 formed thereon and an upper electrode 2 formed thereon, except a Josephson junction forming portion, thus performing a masking process.例文帳に追加

基板７上に下部電極１が形成され、その上に絶縁層３が形成され、さらにその上に上部電極２が形成されて成る積層ジョセフソン接合素子基盤に、フオトリソグラフィ技術を使ってジョセフソン接合させる部分を除き、フオトレジスト膜５を塗布してマスキング処理を行う。 - 特許庁

The multilayer wiring board comprises a plurality of insulation film layers 4 of organic resin and wiring conductor layers 3 formed in multilayer on a substrate 1, and an overcoat layer 6 having steam transmission of 5 g/(m2.24 h) formed on the exposed upper surface of the insulation film layers 4.例文帳に追加

基板１上に、有機樹脂から成る複数の絶縁フィルム層４と配線導体層３とを多層に積層するとともに、絶縁フィルム層４の露出する上面に水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ^2・24ｈ）以下のオーバーコート層６を形成した多層配線基板である。 - 特許庁

Each vertical transfer 200 comprises the vertical transfer channel and a plurality of vertical transfer electrodes formed on the upper layer of the vertical transfer channel, which is formed so as to meander among the respective photoelectric conversion devices 100 constituting a corresponding photoelectric conversion device string.例文帳に追加

垂直転送部２００は、垂直転送チャネルと、垂直転送チャネルの上層に設けられた複数本の垂直転送電極とを含み、垂直転送チャネルは、対応する光電変換素子列を構成する各光電変換素子１００間を蛇行するように設けられる。 - 特許庁

The slit 41 closed by the lower electrode layer 2 and the upper electrode 3 makes a cavity 5, a part of which is filled with a static capacitance medium 6, thereby the common electrode 22 and the opposite electrodes 32 and 33 are immersed in the static capacitance medium 6.例文帳に追加

そして、下部電極層２と上部電極層３とにより閉塞されたスリット４１をキャビティ５として、そこにはその容積の一部を占めるように静電容量媒体６が注入され、これにより共通電極２２及び対向電極３２，３３が静電容量媒体６に浸漬されている。 - 特許庁

Gate electrodes 22 are formed on an upper surface, both right and left side surfaces and bottom surface of a semiconductor layer 11a for channel formation formed by processing a semiconductor substrate 11 into a Fin shape and a channel region is included which is surrounded on four sides by the gate electrodes 22.例文帳に追加

半導体基板１１をＦｉｎ状に加工して形成されたチャネル形成用半導体層１１ａの上面、左右両側面及び底面にゲート電極２２が形成され、ゲート電極２２により４面を囲まれるチャネル領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

Among the incident light, the light reflecting on an upper surface of a gate electrode 504 of the transfer MOS transistor, is reflected on a first layer metal 521 right above a poly silicon, and a plurality times of reflection are repeated before coming into the floating diffusion part, thereby, the light reduces sufficiently, and a false signal becomes very small.例文帳に追加

入射光のうち、転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極５０４上面で反射した光は、ポリシリコン直上の第一層メタル５２１で反射されるので、フローティングディフュージョン部に入射する前に複数回の反射を繰り返すので、充分に減衰し、偽信号はきわめて小さくなる。 - 特許庁

And the substrate part 3, with its under face being in contact with the upper end of a terminal pin 12 protruding from a substrate mounting part 1a provided in the stem 1 toward the substrate part 3, is joined and fixed to the terminal pin 12, and in the stem 1 an insulating layer 6 is formed only in a substrate mounting part 1a.例文帳に追加

そして、基板部３は下面をステム１に設けた基板当接部１ａより基板部３に向けて突出させた端子ピン１２の上端に当接して端子ピン１２に接合固定され、ステム１は基板搭載部１ａのみに絶縁層６を形成している。 - 特許庁

The structure (100') for mounting the semiconductor includes: a substrate (104); a silicon substrate (103), on which side part arc-shaped dents (120) are provided; a semiconductor chip (101) that is mounted on the silicon substrate (103); and an insulating layer (105) that covers the semiconductor chip (101) and sealing an upper surface of the silicon substrate.例文帳に追加

半導体実装構造体（１００‘）は、基板（１０４）と、側面に凹凸部（１２０）が設けられたシリコン基板（１０３）と、シリコン基板（１０３）の上に実装された半導体チップ（１０１）と、半導体チップ（１０１）と覆おうと共にシリコン基板の上面を封止する絶縁層（１０５）とを備える。 - 特許庁

A cavity part 27 is provided in a part of at least a surface layer of the circuit board 21 and a circuit forming material 1 formed under a wiring rule finer than that for the circuit board 21 is laminated in the cavity part 27 to obtain a structure in which an upper part of the circuit forming material 1 does not protrude.例文帳に追加

回路基板２１の少なくとも表層の一部にキャビティ部２７を設け、そのキャビティ部２７内に、回路基板２１より高精細な配線ルールで形成された回路形成材１を積層した構成とすることにより、回路形成材１の上部が飛び出ない構造としている。 - 特許庁

The method for producing the soymilk having the improved taste comprises treating soy milk produced from a soybean material with a high-speed centrifugal machine, separating the product into two layers after centrifugation, before removing a float in the upper layer, and collecting only the residual soy milk in the lower layers.例文帳に追加

大豆原料から製造した豆乳を高速遠心分離機にかけ、遠心分離作用後に二層に分離したものの上層の浮遊成分を除去し、下層に残った豆乳のみを分取することを特徴とする呈味改善された豆乳の製造方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a reflective mask capable of repairing a defect if a missing part is larger in a bottom part than in an upper part on the side surface of an absorber layer therefore realizing the reflecting mask with high reliability and improved yield.例文帳に追加

本発明は、吸収層の側面において下部が上部よりも欠落している場合に、その欠陥を補修し、信頼性の高い反射型マスクを得ることが可能であり、さらには歩留まりの向上を図ることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To provide a sintering machine capable of manufacturing high-strength and high-quality sintered ore safely in high yield while maintaining the blowing height of gas fuel with respect to the upper surface of a charged layer at a prescribed value, as a downward suction type sintering machine, and to provide an operation method of the sintering machine.例文帳に追加

下方吸引式の焼結機において、装入層の上面に対する気体燃料の吹込み高さを所定値に維持して、高強度高品質の焼結鉱を、高歩留りでかつ安全に製造することができる焼結機及び焼結機の操業方法を提供する。 - 特許庁

Upon detecting "input absent" based on the bit configuration of parallel data P, a second detection circuit 132 outputs a second control signal ctr2 for allowing the upper layer to output the power supply control signal ctr0 for turning off the power supply of each of the receiver circuit 120 and the recovery conversion circuit 122.例文帳に追加

第２の検出回路１３２は、パラレルデータＰのビット構成に基づいて「入力無し」を検出したときに、レシーバー回路１２０とリカバリ変換回路１２２の電源をオフする電源制御信号ｃｔｒ０を上位層に出させるための第２の制御信号ｃｔｒ２を出力する。 - 特許庁

In the formation step, a lower electrode 11 is formed; a capacitor dielectric film 12, including a crystalline metal oxide at a temperature not more than the heat-resistant temperature of the substrate resin layer 3 and not less than the ambient temperature is formed; and an upper electrode 13 which faces the lower electrode 11 is formed on the top surface thereof.例文帳に追加

その形成工程では、下部電極１１を形成し、基板樹脂層３の耐熱温度以下、室温以上で結晶質金属酸化物を含むキャパシタ誘電体膜１２を形成し、その上面で下部電極１１と対向する上部電極１３を形成する。 - 特許庁

The oscillating element includes a supporting substrate 13, an oscillating substrate 11 which is the oscillating substrate 11 made of a non-linear optical crystal and having an upper face, a bottom face and an incident face where the pump waves enter, and an adhesive layer 12 for adhesively bonding the supporting substrate 13 and the oscillating substrate 11.例文帳に追加

発振素子は、支持基板１３、非線形光学結晶からなる発振基板１１であって、上面、底面、および前記ポンプ波が入射する入射面を備えている発振基板１１、および支持基板１３と発振基板１１とを接合する接着層１２を備えている。 - 特許庁

First, an embedded light receiving element has a photoelectric conversion region with a first conductivity type for generating and accumulating signal charge in response to incident light, and a surface region with a second conductivity type provided on an upper layer of the photoelectric conversion region for preventing surface depletion.例文帳に追加

まず、埋め込み型の受光素子は、入射光に応じて信号電荷を生成して蓄積する第１導電型の光電変換領域と、光電変換領域の上層に設けられて表面空乏化を阻止する第２導電型の表面領域とを有する。 - 特許庁

This gas shower member 1 has a sintered aluminum-nitride base material member 10, having a thickness of 5 mm or smaller and having a plurality of through-holes 11, and has a conductive layer formed on the sintered aluminum-nitride base material member 10 as a heater circuit pattern 12 or an upper plasma electrode 14.例文帳に追加

ガスシャワー体１は、基材の厚みが５ｍｍ以下であり、複数の貫通孔１１を有する窒化アルミニウム焼結体基材１０と、窒化アルミニウム焼結体基材１０に形成された導電層としてヒータ回路パターン１２またはプラズマ上部電極１４とを備える。 - 特許庁

Accordingly, light from the light emitting member 11 transmits through the thin metal layer 15 having light translucency and the light translucent color member 36 in this order, an upper face side is illuminated by the colored light transmitted through the light translucent color member 36, and time can be confirmed even in the dark.例文帳に追加

従って、発光部材１１からの光が、光透過性を有する薄膜金属層１５、および光透過性カラー部材３６を順に透過し、この光透過性カラー部材３６を透過した有色の光によりその上面側を照明することができ、暗い所でも時刻を知ることができる。 - 特許庁

The damping material 3 is formed of a woody fiberboard of which the average density is 0.85-1.05 g/cm^3 and the densities of the upper and rear layers of the woody fiberboard are smaller than the density of the layer 5 including the central part in the thickness direction of the woody fiberboard.例文帳に追加

制振材３は、木質繊維板で形成され、この平均密度が０．８５ｇ／ｃｍ^３から１．０５ｇ／ｃｍ^３の範囲に入る値を有し、木質繊維板の表裏層の密度が木質繊維板の厚み方向の中央を含む層５の密度よりも小さく形成される。 - 特許庁

The adhesive agent 14 is applied to the translucent substrate 15; the applied face is directed to downward and pasted on an upper face of the display panel on which an adhesive layer is formed; the vicinity of the frame opening portion is filled with the adhesive agent without mixing voids; and the adhesive agent is cured.例文帳に追加

そして、透光性基板１５に接着剤１４を塗布し、その塗布面を下方に向けて接着層が形成された表示パネルの上面に貼り合わせ、枠体開口端部の近傍に空隙を混入することなく接着剤を充填し、接着剤を硬化する。 - 特許庁

To provide a chip-type electric double layer capacitor capable of miniaturizing, weight saving, surface mounting by improving an upper-plate structure, and effectively preventing the problem of leakage of electrolyte, and further, improving a coupling structure of an external terminal and a lower case.例文帳に追加

小型化及び軽量化が可能で、上板構造物を改善して、表面実装が可能で、電解液の液出問題を効果的に防止するチップ型電気二重層キャパシタ、及び、さらに、外部端子と下部ケースの結合構造を改善したチップ型電気二重層キャパシタの提供。 - 特許庁

A dummy metal pattern 6 made of a plurality of dummy metals 5 is formed only at an arrangement region of the connection wiring 3 or within a range corresponding to an area near the arrangement region thereof in at least one wiring layer of the upper and lower layers of the connection wiring 3 among the plurality of wiring layers.例文帳に追加

複数のダミーメタル５からなるダミーメタルパターン６を、複数の配線層のうち、接続配線３の上層と下層とのうちの少なくとも何れか１つの配線層において、接続配線３の配置領域及びその近傍と対応する範囲にのみ形成する。 - 特許庁

This chemical sensor includes a semiconductor layer where a body region is formed between a drain region and a source region, the sensitive film formed at the upper surface side of the body region, a gate insulation film formed at the under surface side of the body region, and a gate electrode formed at the under surface side of the gate insulation film.例文帳に追加

化学センサは、ドレイン領域とソース領域との間にボディ領域が形成された半導体層と、ボディ領域の上面側に形成された感応膜と、ボディ領域の下面側に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の下面側に形成されたゲート電極と、を具備する。 - 特許庁

In a method for constructing a road surface, a construction section 2 of a road 1 worn by abrasion is cleaned; sand, moisture, etc. are removed; the high-strength resin consolidated material 3 is spread and leveled, and spread and consolidated; and the high-strength resin paste 4 is applied as a surface layer with an application thickness of 3 cm or less to an upper section.例文帳に追加

磨耗による損耗した道路1においては、施工部分2を清掃し、砂・水分等を除去し、高強度樹脂固結物3を敷き均し、更に敷き固め、高強度樹脂ペースト4を施工厚さ３cm以下で表層として上部に施工する路面の施工法。 - 特許庁

Reflecting plates (13) are driven in from the vicinity of the upper surface of a subsurface layer (3) to the depth of the lower end of a footing (5) in the outer periphery of a group of structures (4), and wave-dissipating concrete blocks (12) made of concrete blocks such as tetrapods are piled up on the reflecting plates (13) to form a surface-wave bulwark against earthquake.例文帳に追加

構造物（４）群の外側周囲に表層地盤（３）の上表面近くから基礎版（５）下端までの深さに反射板（１３）を打ち込み、反射板（１３）の上にテトラポッドのようなコンクリートブロック製の消波ブロック（１２）を積み重ねて地震表面波防波堤とする。 - 特許庁

In the stiffness treatment apparatus S with a built-in heater, a back pad layer 10a is brought into contact with the upper part of the back of a woman F from its back side back pad part, and both of left and right side shoulder and breast pad layers 10b and 10c are brought into contact with both of the left and right breasts from both of the left and right shoulders of the women F.例文帳に追加

ヒータ内蔵凝り治療器Ｓにおいて、背中当て層１０ａが、その裏側背中当て部から女性Ｆの背中の上部に当たるようにして、左右両側肩胸当て層１０ｂ、１０ｃにて、女性Ｆの左右両肩から左右両胸に当てられている。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which can avoid the crystal orientation degradation of the intermediate and recording layers caused by oxidation in the upper part of a backing layer and can achieve higher density recording than before, and also provide its manufacturing method and a magnetic recording device using this magnetic recording medium.例文帳に追加

裏打層の上部の酸化による中間層及び記録層の結晶配向性の低下を回避でき、従来に比してより一層の高密度記録が可能な磁気記録媒体、その磁気記録媒体の製造方法、及びその磁気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供する。 - 特許庁

An annular seal ring contact 26 made of the same material as a first plating resist film 23 for forming wiring 8 is formed inside a connection terminal 7a, for plating on the upper surface of a substrate metal layer 7 formed on the entire surface of a semiconductor wafer 21.例文帳に追加

半導体ウエハ２１上の全面に形成された下地金属層７の上面においてメッキ用接続端子部７ａの内側には、配線８形成用の第１のメッキレジスト膜２３と同一の材料からなるリング状のシールリング接触部２６が形成されている。 - 特許庁

The nitriding layer 2 with HV 700 or more and the hard film 4 by ion plating are provided while mutually separating and not contacted near at least one side corner of the corner part formed by the upper/lower surfaces and outer periphery surface and its separating interval is a range of 0.001-0.3 mm.例文帳に追加

ＨＶ７００以上の窒化層２とイオンプレーティングによる硬質皮膜４は、上下面と外周面とで形成されるコーナ部の少なくとも片方のコーナ部付近で、接しておらず、互いに離間して設け、その離間間隔は、０．００１〜０．３ｍｍの範囲にある。 - 特許庁

Since such a structure separates flowing-in air from upper ends of the protrusions 230 to re-contact it with the tabular body 210 then thins a film of an existing temperature interface layer to increase a friction coefficient, a cooling efficiency is further improved owing to the promotion of the heat transfer.例文帳に追加

このような構成によれば、流入空気が乱流促進形突出物の上端から分離され平板形胴体に再接触されることにより既存の温度境界層を薄膜化して摩擦係数を増加させるので、熱伝達率の促進により冷却効率がさらに向上される。 - 特許庁

The method includes steps of positioning a macro region 1b in which a macro is to be stored in an upper layer, and positioning a wiring path 2" so as to be passed through the macro region 1b to transmit a transmission signal from a first position 4a outside of the macro region 1b to a second position 4d.例文帳に追加

上位レイヤに、マクロが格納されるマクロ領域１ｂを配置するステップと、マクロ領域１ｂの外側にある第１位置４ａから、第２位置４ｄに伝送信号を伝送するための配線経路２”を、マクロ領域１ｂを通るように配置するステップとを備えている。 - 特許庁

After the capacity element comprising an upper part electrode 106A, a crystallized capacity insulating film 107B, and a lower part electrode 108A is formed on a semiconductor substrate 101, an aluminum oxide layer 109 containing such impurities as is removed by thermal treatment is so deposited as to cover the capacity element.例文帳に追加

半導体基板１０１上に、上部電極１０６Ａ、結晶化容量絶縁膜１０７Ｂ及び下部電極１０８Ａよりなる容量素子を形成した後、熱処理によって除去可能な不純物を含有するアルミニウム酸化物層１０９を容量素子を覆うように堆積する。 - 特許庁

The magnetic recording and reproducing device using a vertical recording medium 30 with a soft magnetic backing layer 32 is provided with a soft magnetic shield 22 on the upper part and side face of a slider 12 for mounting a magnetic head thereon, and the distance C between the shield and the medium is made smaller than the distances A, B between the shield and the slider.例文帳に追加

軟磁性裏打ち層３２を有する垂直記録媒体３０を用いた磁気記録再生装置において、磁気ヘッドを搭載するスライダ１２の上部及び側面に軟磁性シールド２２を設け、シールドと媒体との距離Ｃを、シールドとスライダとの距離Ａ，Ｂよりも小さくする。 - 特許庁

An opening 20b for formation of an upper electrode 24b of the capacitor is made in an interlayer insulating film 19 simultaneously with a via hole 20a, a silicon nitride film 19a as the lowermost layer film of the interlayer insulating film 19 is left on the bottom of the opening to be used for a dielectric film 25 of the capacitor.例文帳に追加

キャパシタの上部電極２４ｂ形成の為の開口部２０ｂはビアホール２０ａと同時に層間絶縁膜１９に開口し、その底部に層間絶縁膜１９の最下層膜であるシリコン窒化膜１９ａを残してキャパシタの誘電体膜２５に用いる。 - 特許庁

The piezoelectric film 16 contains aluminum nitride as a principal component, the lower electrode 15 and the upper electrode 17 contain molybdenum as a principal component, and the vibrating part 121 includes at least a part of an insulating layer 13, bonded to the piezoelectric layered body structure 14, containing silicon nitride as a principal component.例文帳に追加

圧電体膜１６は窒化アルミニウムを主成分とするものであり、下部電極１５および上部電極１７がモリブデンを主成分とするものであり、振動部１２１は圧電積層構造体１４に接合された窒化シリコンを主成分とする絶縁層１３の少なくとも一部を含んでなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can ensure the flatness of the surface of an upper layer formed on a semiconductor substrate on at least on an element formation area, as well as reduce the quantity of pattern data necessary to form a pattern for ensuring the flatness.例文帳に追加

少なくとも素子形成領域上において、半導体基板上に形成される上層の表面の平坦性を確保することができながら、その平坦性の確保のためのパターンの形成に必要なパターンデータの量の低減を図ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

The stress releasing layers may be configured of a plastically deformable metal material such as indium (In) or an In-Ag alloy, and the upper and lower sides thereof may be sandwiched by an alloying prevention layer made of a completely unalloyable metal with indium (In), e.g., aluminum (Al).例文帳に追加

応力緩和層を、インジウム（Ｉｎ）あるいはＩｎ−Ａｇ合金などの塑性変形可能な金属材料により構成し、その上側および下側を、インジウム（Ｉｎ）と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる合金化防止層で挟んでもよい。 - 特許庁

A vulcanized inner nucleus 19 is held within an injection mold 1 having upper and lower molds 2, 3 so that a spherical shell-shaped gap is provided between the inner nucleus and the inner surface of a mold cavity and an unvulcanized rubber material 21 is injected in the gap to mold a spherical intermediate product wherein an unvulcanized rubber layer 22 is laminated to the inner nucleus 19.例文帳に追加

上型２と下型３を有する射出成形用金型１内に、加硫済みの内核19を、キャビティ内面との間に球殻状空隙をもって保持しつつ、未加硫のゴム材料21を空隙に射出成形して、内核19に未加硫ゴム層22を積層して球状中間品23を形成する。 - 特許庁

The container 2 opened at its upper part, to which dried objects 3 composed of tablets or powder and granular material are charged, is stored in a vacuum chamber 1, and the air is slightly leaked to a lower area of a lamination layer of the dried object 3 in the container 2 while keeping the vacuum chamber 1 in a vacuum state.例文帳に追加

錠剤又は粉粒体からなる被乾燥物３が投入された上部開口の容器２を真空室１内に収容し、真空室１内を真空状態に保ちながら前記容器２の被乾燥物３の積層内の下部領域にエアーを僅かにリークさせる。 - 特許庁