| 例文 |
value elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4760件
Misregistration of the piezoelectric element 10 and the capacitor element 20 is detected by measuring ripple and comparing the magnitude thereof with a reference value.例文帳に追加
そこで、リップルを測定し、リップルの大きさを基準値と比較することにより、圧電素子10のコンデンサ素子20に対する位置ずれ不良を検出する。 - 特許庁
To prevent the non-defective rate of a power element from decreasing, even when the chip size is increased and to detect the value of the current flowing in the power element.例文帳に追加
チップサイズを大形化した場合でも、良品率が低下することを防止すると共に、パワー素子に流れる電流の大きさを検出する。 - 特許庁
Accordingly the line of magnetic force across the GMR element 354 is extremely reduced to drastically and largely change an electric resistance value of the GMR element 354.例文帳に追加
これにより、GMR素子354を横切る磁力線が極端に減少して、GMR素子354の電気抵抗値が急激且つ大幅に変化する。 - 特許庁
A flicker correction part 10 adjusts the shutter value of the imaging element 2 when the power source of the imaging element 2 is turned on, based on the stored frequency mode.例文帳に追加
フリッカ補正部10は、記憶された周波数モードに基づいて、撮像素子2の電源オン操作時に撮像素子2のシャッタ値を調整する。 - 特許庁
A state that each saturation element is in a saturated state is detected by a saturation detection function and the forced 0 value change-over switch corresponding to the saturation element is switched.例文帳に追加
各飽和要素が飽和状態にあることを飽和検出機能により検出し、対応する飽和時強制0値切り替えスイッチを切り替える。 - 特許庁
When the impact level is the head retreating standard value or less, it is decided whether the impact level is a heater-OFF standard value or more and the heater element is turned OFF when the impact level is the heater-OFF standard value or more.例文帳に追加
衝撃レベルがヘッド退避基準値以下であった場合は、衝撃レベルがヒータオフ基準値以上か否か判断し、衝撃レベルがヒータオフ基準値以上であった場合は、ヒータ素子をオフにする。 - 特許庁
When a present measured value d_1 of the weather condition variable generates a deviation of a predetermined value εor more from a reference value, the first arithmetic processing element 110 generates weather change detection information expressing the deviation.例文帳に追加
そして、当該気象状況変数の今回測定値d_iが基準値に対して所定値ε以上の乖離度を生じた場合、当該乖離度を表わす気象変化検知情報を生成する。 - 特許庁
A SAT model value computing element 16 estimates a self aligning model value to be the synthetic value of the self aligning torque of each of the left and right wheels in the case of no load moving to the left and right wheels.例文帳に追加
SATモデル値演算器16は、スリップ角に基づいて、左右車輪に荷重移動がない場合の左右車輪各々のセルフアライニングトルクの合成値であるセルフアライニングモデル値を推定する。 - 特許庁
The capacitance value of the variable capacitive element VC3 configuring the parallel resonance circuit is turned to a variable width within the range of the capacitance value smaller than the capacitance value at which the parallel resonance circuit resonances and larger than zero.例文帳に追加
該並列共振回路を構成する可変容量素子VC3の容量値を、該並列共振回路が共振する容量値未満でゼロより大きい容量値の範囲内の可変幅とする。 - 特許庁
The valve-opening command value, which corresponds with an output value of a potentiometer at the time when the poppet valve element of the vacuum-proportion opening and closing valve is in contact with a valve seat, is determined as a temporary valve-opening command value in S3.例文帳に追加
また、真空比例開閉弁の再組立後において、真空比例開閉弁の開度と弁開度指令値の対応関係のずれを補正する真空圧力制御システムを提供する。 - 特許庁
Still further, a sheet resistivity value of the whole element is adjusted to be from 10 Ωμm^2 to 40 Ωμm^2, and a sheet resistivity value of the upper insulation layer 16U is adjusted to be higher than a sheet resistivity value of the lower insulation layer 16L.例文帳に追加
また素子全体の面積抵抗値が10Ωμm^2以上、40Ωμm^2以下であり、上側の絶縁層の面積抵抗値は、下側の絶縁層の面積抵抗値より高くする。 - 特許庁
The maximum value of the detected voltage value of a photodiode 142 having received the laser beam from the semiconductor laser element 141 is stored in an amplifying/peak holding circuit 151, and the peak holding value P1V can be outputted.例文帳に追加
半導体レーザ素子141からのレーザ光を受光したフォトダイオード142の検出電圧値の最大値を増幅・ピークホールド回路部151で記憶し、ピークホールド値P1Vとして出力する。 - 特許庁
A gas sensor control unit 190 changes the value of a second pump voltage Vp2 applied between a pair of second porous electrodes 125 in an NOx gas sensor element 10 from a control voltage value to a determination voltage value.例文帳に追加
ガスセンサ制御装置190は、NOxガスセンサ素子10の一対の第2多孔質電極125間に印加される第2ポンプ電圧Vp2の値を、制御電圧値から判定電圧値に変化させる。 - 特許庁
To provide a word line boosting circuit of which boosting voltage is adjusted in a range of the upper limit value and the lower limit value of distribution of threshold voltage of a semiconductor non-volatile memory element independently of a value of power source voltage.例文帳に追加
電源電圧の値にかかわらず、昇圧電圧が半導体不揮発性メモリ素子の閾値電圧の分布の上限値および下限値の範囲内に収まるようなワード線昇圧回路を提供する。 - 特許庁
The load resistance element 62 serves to control speeds of charging and discharging of electric charges to and from a liquid crystal layer through a scanning electrode 6, and its resistance value has its upper-limit value and lower-limit value determined.例文帳に追加
負荷抵抗素子62は、走査電極6を通して電荷が液晶層に充放電される速度を制御する役目を有しており、その抵抗値は、上限値及び下限値が決定される。 - 特許庁
The microcomputer 4-1 PWM-controls the on/off operation of the switching element 4-2 so that a difference ΔDI between an actual current value DIpv converted into a digital value and a target current value DIsp is zero.例文帳に追加
マイクロコンピュータ4−1は、デジタル値に変換した実際の電流値DIpvと目標電流値DIspとの差ΔDIを零とするように、スイッチング素子4−2のオン/オフをPWM制御する。 - 特許庁
In the next step, the color-to-color distance 16 of the brightness numerical value and/or hue and/or saturation of the previously determined color numerical value is enlarged to determine the numerical value of a new color element.例文帳に追加
次のステップにおいて、先に判定された色数値の明度数値および/または色相および/または彩度の色間距離(16)を拡大することによって新規の色要素の色数値を決定する。 - 特許庁
While the ambient temperature of the semiconductor laser element 12 is held by a heater 18 above an operating temperature range set for the element, the semiconductor laser element 12 is cooled by a Peltier element 13, at all times, based on the measured value of the element temperature of the semiconductor laser element 12 obtained by a temperature sensor 14 for maintaining the element temperature to within the operating temperature range.例文帳に追加
ヒータ18により半導体レーザ素子12の周囲温度をその素子に対して設定されている動作温度域よりも高く維持しながら、温度センサ14により得られる半導体レーザ素子12の素子温度の測定値に基づいて、ペルチェ素子13により半導体レーザ素子12を常に冷却し、素子温度を動作温度域に維持する。 - 特許庁
A fault in the infrared detection heat-sensitive element 10 and a transmission line is detected based on the value acquired by converting the first output voltage into the digital value, and a fault of the temperature compensation heat-sensitive element 11 and the transmission line is detected based on the value acquired by converting the second output voltage into the digital value.例文帳に追加
また前記第1の出力電圧をデジタル値に変換した値を基に前記赤外線検知用感熱素子10および伝送路の故障を検知し、前記第2の出力電圧をデジタル値に変換した値を基に前記温度補償用感熱素子11および伝送路の故障を検知する。 - 特許庁
When it is connected to the external device, the electronic musical instrument obtains a level value or a state value of a prescribed signal output from the external device, decides which illumination means of the operation element to light in the plurality of operation elements based on the obtained level value or the state value, and lights the decided illumination means of the operation element.例文帳に追加
外部機器と接続したとき、該外部機器から出力される所定の信号のレベル値または状態値を取得し、取得したレベル値または状態値に基づいて、前記複数の操作子のどの操作子の照明手段を点灯させるかを決定し、決定した操作子の照明手段を点灯させる。 - 特許庁
The descramble circuit 20 includes: a one-shift computing element 24 for shifting an inputted scramble value for one byte according to a generating function Φ(x) to generate a new scramble value, and a 209 shift computing element 25 for shifting the inputted scramble value for 209 bytes according to the generating function Φ(x) to generate a new scramble value.例文帳に追加
デスクランブル回路20は、入力されたスクランブル値を、生成多項式Φ(x)に従って1バイト分シフトさせて新たなスクランブル値を生成する1シフト演算器24と、生成多項式Φ(x)に従って209バイト分シフトさせて新たなスクランブル値を生成する209シフト演算器25とを備える。 - 特許庁
The control circuits 2 and 3, by making the falling shapes of the first and second voltage pulse be different from each other, change the variable resistive element VR from the first resistance value to the second resistance value by the first voltage pulse, and change the variable resistive element VR from the second resistance value to the first resistance value by the second voltage pulse.例文帳に追加
制御回路2,3は、第1及び第2の電圧パルスの立ち下り形状を異ならせることにより、第1の電圧パルスにより可変抵抗素子VRを第1の抵抗値から第2の抵抗値に変化させ、第2の電圧パルスにより可変抵抗素子VRを第2の抵抗値から第1の抵抗値に変化させる。 - 特許庁
Finish polishing is carried out in a slider shape, the resistance value of a resistance detection element formed in a slider is detected in an in-process and, when the detected resistance value or the height dimension of the MR element converted from the resistance value reaches a predetermined value, the polishing is stopped.例文帳に追加
上記課題は、スライダ形態で仕上げ研磨加工を行い、スライダ内に形成されている抵抗検知素子の抵抗値をインプロセスで検出し、検出した抵抗値または抵抗値から換算したMR素子高さ寸法が所定の値に達した場合に研磨加工を停止することで解決することができる。 - 特許庁
The module 10 indicates a low-resistance value (the resistance value of the low-state of the PTC element 1) in a normal temperature state, and is switched with the PTC element 1 so as to indicate mutually different high resistance values (the resistance value of the resistor 2) in a temperature abnormality state.例文帳に追加
モジュール10は通常の温度状態では低抵抗値(PTC素子1のロー状態の抵抗値)を示し、温度異常状態では互いに異なる高抵抗値(抵抗器2の抵抗値)を示すようにPTC素子1により切り換え可能である。 - 特許庁
The reset voltage control part 16, for example, obtains a voltage value equivalent to the charging voltage of an accumulation node due to dark currents generated by the photoelectric conversion element of a sensor element 33, and variably controls the value of the reset voltage Vrst 1 according to the obtained voltage value.例文帳に追加
リセット電圧制御部16は、例えば、センサ素子33の光電変換素子で発生する暗電流による蓄積ノードの充電電圧に相当する電圧値を取得し、その電圧値に応じてリセット電圧Vrst1の値を可変制御する。 - 特許庁
Then, a temperature difference value which is differentiated difference of an inner surface temperature Th of the windowpane obtained by a glass temperature detection element 8 from the condensation temperature Tk of the element and a temperature threshold value which is set at a value higher than 0°C (for example, at 3.5°C) are compared in the microcomputer 20.例文帳に追加
ついで、ガラス温度検出素子8より取得した窓ガラスの内表面温度Thから素子結露温度Tkを差分した温度差分値と、0℃より大きい値に設定された温度しきい値(例えば、3.5℃)とをマイクロコンピュータ20内にて比較する。 - 特許庁
For an element of the first type, an object arrangement management part 44 changes a location or a direction of the element according to a relation between a parameter value which is associated with another object arranged in a virtual space and a parameter value which is associated with the element.例文帳に追加
オブジェクト配置管理部44は、第1種の要素について、仮想空間内に配置されている他のオブジェクトに関連付けられているパラメータの値と、当該要素に関連付けられているパラメータの値と、の関係に応じて、当該要素の位置又は向きを変化させる。 - 特許庁
In the element impedance detector 1, the detection precision of the element impedance is thereby restrained from getting low, since the first low-pass filter 71 is provided to restrain the holding value of the voltage variation ▵Vs (the element resistance value signal Rpvs) from being erroneously detected.例文帳に追加
したがって、素子インピーダンス検出装置(1)は、第1ローパスフィルタ(71)を備えることで電圧変化量ΔVs(素子抵抗値信号Rpvs)のホールド値の誤検出を抑制できるため、素子インピーダンスの検出精度の低下を抑制することができる。 - 特許庁
When the gradation value D is within a range RM of higher gradations than the range RL, the data signal S2[j] for making the electrooptical element E2 has a gradation corresponding to the gradation value D is output to the element part U2.例文帳に追加
階調値Dが範囲RLよりも高階調側の範囲RM内にある場合、電気光学素子E2を当該階調値Dに対応した階調とする電圧値Vdのデータ信号S2[j]が素子部U2に出力される。 - 特許庁
To provide a document design correction device and a document design correction program, allowing presentation of a document element designated to a value having a different attribute value of the document element to be identical to a document preparator.例文帳に追加
同一であるべき文書要素の属性値が異なる値に指定された文書要素を文書作成者に提示することができる文書デザイン修正装置及び文書デザイン修正プログラムを提供する。 - 特許庁
The drive circuit of a piezoelectric element includes a transformer (electromagnetic coupling transformer 2) having a turn ratio exceeding the ratio of the power supply side voltage value to the load side specification voltage value, a switch circuit 3, a reactance element 4, a pulse generation circuit 5, and a duty ratio control circuit 6.例文帳に追加
電源側電圧値と負荷側の仕様電圧値との比率を超えた巻数比としたトランス(電磁結合トランス2)、スイッチ回路3、リアクタンス素子4、パルス発生回路5、および、デューティ比制御回路6を有する。 - 特許庁
Furthermore, the device includes a wavelength converting film for converting the light of the wavelength, for which the sensitivity of the imaging element of the imaging apparatus is lower than the predetermined value, into light of a wavelength for which the sensitivity of the imaging element is higher than the predetermined value.例文帳に追加
また、該装置は、該撮像装置の撮像素子の感度が所定値より低い波長の光を、撮像素子の感度が所定値より高い波長の光に波長変換する波長変換膜を備える。 - 特許庁
Picture element 2 observes in a picture element circuit 4 whether a charge, obtained in a sensor unit 3 through photoelectric conversion of light, is generated more than a predetermined value or not and outputs the result of observation by a digital signal having the value of "0" or "1".例文帳に追加
画素2は、センサ部3で光を光電変換して得た電荷が所定値以上発生しているか否かを画素回路4で観測し、その観測結果を「0」または「1」の値のデジタル信号として出力する。 - 特許庁
From the corrected value characteristics for the temperature changes of the angular velocity sensing element section 3a stored in advance, a corrected value C_S corresponding to the detected temperature T_S of the angular velocity sensing element section 3a is determined.例文帳に追加
そして、予め記憶された角速度センシング素子部3aの温度変化に対する補正値特性から、検出された角速度センシング素子部3aの温度T_Sに対応する補正値C_Sを決定する。 - 特許庁
The resistance value of the PTC element 100 changes in accordance with the application time of the identification processing voltage signal, and the characteristic detection part 101 outputs data for determination based on the resistance value change of the PTC element 100.例文帳に追加
PTC素子100は識別処理用電圧信号の印加時間に応じて抵抗値が変化し、特性検出部101は、このPTC素子100の抵抗値変化に基づく判定用データを出力する。 - 特許庁
A dummy pixel circuit includes a first specified light-emitting element which is allowed to emit light at a specified gradation value in a first mode, and a second specified light-emitting element which is allowed to emit light at the specified gradation value in a second mode.例文帳に追加
ダミー画素回路は、第1モードにおいて特定の階調値で発光させる第1の特定発光素子と、第2モードにおいて前記特定の階調値で発光させる第2の特定発光素子とを備える。 - 特許庁
In this constitution, a Q value of the tank circuit 1 can be reduced, and a variation of impedance of the tank circuit 1 can be restricted without receiving an influence by variation of element value of each circuit element which constitutes the tank circuit 1.例文帳に追加
この構成により、タンク回路1のQ値が低下するとともに、タンク回路1を構成する各回路素子の素子値バラツキに影響されることなく、タンク回路1のインピーダンスの変動が抑圧される。 - 特許庁
The evaluation value computing part 6 computes an evaluation value representing the degree of disobedience to the allocation condition for allocating the element values to the respective element and the additional condition.例文帳に追加
評価値計算部6は、勤務表作成処理部10が作成した勤務表が、各要素へ要素値を割り付けるための割付条件と上記追加条件にどれだけ違反しているかを示す評価値を算出する。 - 特許庁
This initialization table 11 is so constituted that a control signal set to a value to cancel the variations of element parts and the display panel with respect to a control signal of a prescribed value may be supplied to each of the element parts.例文帳に追加
この初期設定テーブル11は、規定値の制御信号に対して各要素部品及び表示パネルのばらつきを打ち消す値とされた制御信号を、各要素部品に供給するように構成される。 - 特許庁
To achieve highly precise logic simulation even under such circumstances that an element delay value varies due to duration of a signal by setting an element delay value under the consideration of the influence of the duration of the signal of an input signal.例文帳に追加
入力信号の信号の持続時間の影響を加味した素子遅延値を設定し、信号の持続時間によって素子遅延値が変動する状況においても精度の高い論理シミュレーションを実現する。 - 特許庁
Furthermore, the analyzer 2 determines the calculation result of the element concentration calculated under the assumption that the theoretical value of the average atomic number is a value corresponding to the average atomic number of the sample S, as the concentration of each element in the sample S.例文帳に追加
更に解析装置2は、平均原子番号の理論値が試料Sの平均原子番号に相当する値になる仮定の元で計算した元素濃度の計算結果を、試料S中の各元素の濃度とする。 - 特許庁
The Coriolis force Fy is detected and the angular velocity is determined by the difference between the capacitance value of a capacitance element C3 formed with the electrodes E3, F3 and the capacitance value of a capacitance element C4 formed of the electrodes E4, F4.例文帳に追加
電極E3,F3からなる容量素子C3の静電容量値と電極E4,F4からなる容量素子C4の静電容量値との差により、コリオリ力Fyを検出し、角速度ωxを求める。 - 特許庁
After a prescribed interval of application of the stress voltage has elapsed, the TMR element is left standing, as it is, until the resistance value of the TMR element, which has dropped due to application of the stress voltage, returns to a resistance value close to the original one (S3).例文帳に追加
ストレス電圧の所定の印加時間が経過すると、ストレス電圧印加により低下したTMR素子の抵抗値が元の抵抗値近くに戻ることができる時間、TMR素子を放置する(S3)。 - 特許庁
When the negative voltage is applied to the input end of the internal circuit, the absolute value of a voltage when the second protective element becomes conductive is set to be smaller than the absolute value of a voltage when the first protective element becomes conductive.例文帳に追加
内部回路の入力端に対する負電圧の印加時に、第2の保護素子が導通するときの電圧の絶対値が、第1の保護素子が導通するときの電圧の絶対値よりも小さくなるようにする。 - 特許庁
A voltage reducing circuit 2 provided in each unit block 1 reduces a voltage value which is inputted as a voltage higher than the voltage value required to drive an EL element and transmits the reduced voltage to a transistor 3 that is a drive element.例文帳に追加
EL素子を駆動するための電圧値よりも高い電圧値を入力とし、各単位ブロック1に設けられた降圧回路2で電圧値を低下させた後に駆動素子であるトランジスタ3に与える。 - 特許庁
The resistance value of each of the high resistance element and the low resistance element can be set to a desired value by adjusting the resistivity of the thin film resistance layer, and the length and the width of the thin film resistance layer in the case of a high resistance element, and an effective plane area in the case of a low resistance element.例文帳に追加
高抵抗素子と低抵抗素子のそれぞれの抵抗値は、薄膜抵抗層の比抵抗と、高抵抗素子の場合は薄膜抵抗層の長さと幅とを調整することにより、低抵抗素子の場合は実効的な平面積を調整することにより、所望の値に設定することができる。 - 特許庁
To provide a method for inspecting a magnetic head element by which a magnetic head element is insppected by measuring a resistance value change when the read core width of the magnetic head element is multiplied with a predetermined magnetic field, and determining the quality of the magnetic head element based on the ratio of the read core width to the resistance value change.例文帳に追加
本発明は、磁気ヘッド素子の検査方法に関し、より詳細には磁気ヘッド素子のリードコア幅と所定の磁界をかけたときの抵抗値変化を測定し、リードコア幅と抵抗値変化の比率に基づいて磁気ヘッド素子の良否を判定する磁気ヘッド素子の検査方法に関するものである。 - 特許庁
A CPU 2 increments or decrements a graph element counter as a value showing the position of a graph element when moving to right or left is instructed by the key operation of an input part 3, changes the value of the relevant graph element counter, displays the selected graph element while aligning the display position and displays a straight line.例文帳に追加
CPU2は、入力部3のキー操作によって右移動又は左移動が指示された場合には、グラフ要素の位置を示す値であるグラフ要素カウンタをインクリメント又はデクリメントして、当該グラフ要素カウンタの値を変更し、選択されたグラフ要素の表示位置を揃えて表示するとともに、直線20を表示する。 - 特許庁
At each time interval Δt, a difference between a temperature change measured value ΔTm of a switching element and a temperature change estimated value ΔTe is determined as a measured value deviation D (n), and further, a measured value deviation-time change rate A as a time change rate thereof is determined.例文帳に追加
時間間隔Δtごとに、スイッチング素子の温度変化測定値ΔTmと、温度変化推定値ΔTeとの差異が測定値偏差D(n)として求められ、さらに、その時間変化率である測定値偏差・時間変化率Aが求められる。 - 特許庁
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