「variable resistance type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

NONVOLATILE MEMORY CELL, RESISTANCE VARIABLE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND DESIGN METHOD OF NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセル、抵抗可変型不揮発性メモリ装置および不揮発性メモリセルの設計方法 - 特許庁

To provide a variable resistance layer that is composed of a metal oxide layer containing Hf suitable for a resistance changing operation in a resistance change type nonvolatile memory element.例文帳に追加

抵抗変化型の不揮発性記憶素子において、抵抗変化動作に適したHfを含有する金属酸化物層からなる可変抵抗層を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device further includes a resistance variable layer 7 having a value of resistance varied with an application of a voltage, constituting a resistance variable type memory element and formed on the second electrode 6 while being in contact with the second electrode.例文帳に追加

また、さらに、電圧の印加により抵抗値が変化し、抵抗変化型の記憶素子を構成し、第２電極６上に接して形成された抵抗変化層７を含む半導体装置を構成する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element having a simple structure, requiring no forming process and exhibiting bipolar type I-V characteristics by using a titanium oxide, and a resistance variable non-volatile memory element.例文帳に追加

チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のＩ−Ｖ特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

This resistance variable type degree of vacuum measuring device 10 measures the degree of vacuum by arranging a sensing resistance RS made of a thermosensible resister in the atmosphere.例文帳に追加

抵抗変化型真空度測定装置１０は感熱抵抗から成る感知抵抗Ｒ_Sを雰囲気に配置して真空度を測定する。 - 特許庁

To provide compact pulleys for a belt-type continuously variable transmission excellent in wear resistance of the sheave surfaces, durable for use in a high torque area, and a belt-type continuously variable transmission.例文帳に追加

シーブ面の耐摩耗性に優れ、高トルク領域での使用に耐え得る、よりコンパクトなベルト式無段変速機用プーリー、及びこれを用いたベルト式無段変速機を提供すること。 - 特許庁

Whether to permit mode switching is determined based on the variable speed ratio of a toroidal type continuously variable transmission at that point of time and traveling resistance applied to a vehicle.例文帳に追加

モード切換を許可するか否かを判定を、その時点のトロイダル型無段変速機の変速比と車両に加わる走行抵抗とに基づいて行なう。 - 特許庁

The pressure sensitive material has at least one of a variable resistance and a variable capacitance based on the amount or type of pressure that is applied to the material.例文帳に追加

圧力感知要素は、要素に加えられる圧力の大きさまたは種類に基づく可変抵抗および可変容量のうちの少なくとも一方を有する。 - 特許庁

A standard adjustment data has been measured in advance by using the variable resistance element of the same type as the variable resistance element to be adjusted, and also a standard unit change amount is acquired.例文帳に追加

これから調整しょうとする可変抵抗素子と同タイプの可変抵抗素子を用いて事前に標準的な調整データを測定するとともに、標準的な単位変化量を求める。 - 特許庁

To provide an orthogonal magnetic flux type variable inductance transformer of simplified structure assuring high resistance for impact and not allowing leakage of magnetic flux.例文帳に追加

構造が簡単で衝撃等に強く、また磁束漏れのない直交磁束型可変インダクタンストランスを提供する。 - 特許庁

To provide a forming method for a resistance-change type memory device by which a forming operation can be finished in a short period of time and a highly reliable memory operation can be performed by applying the voltage of appropriate extend to a variable resistance element during the forming operation of the variable resistance element, and to provide the resistance-change type memoy device.例文帳に追加

可変抵抗素子のフォーミングの動作時に、可変抵抗素子に適切な大きさの電圧を印加することにより短時間でフォーミングの動作を終了し、高信頼性のメモリ動作を可能とする抵抗変化型メモリ装置のフォーミング方法および抵抗変化型メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The pressure sensitive materials 16, 20 and 24 have at least one of a variable resistance and a variable capacitance based on the amount or type of pressure that is applied to the materials.例文帳に追加

感圧材料１６，２０，２４は、該材料へと加わる圧力の大きさ又は種類にもとづく可変の抵抗及び可変の容量の少なくとも一方を有している。 - 特許庁

To provide a measuring device using a resistance variable type sensor and a measuring method expanding the dynamic range in measurement.例文帳に追加

抵抗変化型センサーを用いた計測におけるダイナミックレンジを拡大できる計測装置、および計測方法を提供すること。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL, ITS MANUFACTURING METHOD, RESISTANCE VARIABLE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING THE NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法 - 特許庁

Each output resistance adjustment section 1-k includes a variable resistance circuit for varying the resistance to have a value substantially the same as the output resistance depending on variation in output resistance of a DA conversion processing section connected with other output resistance adjustment section and constituted as a resistance string type DA conversion circuit.例文帳に追加

出力抵抗調整部１〜ｋの各々は、他の出力抵抗調整部が接続され抵抗ストリング型のＤＡ変換回路として構成されるＤＡ変換処理部の出力抵抗値の変化に応じて、当該出力抵抗値と略同じ抵抗値になるように抵抗値を変化させる可変抵抗回路を含む。 - 特許庁

To suppress temperature drifts due to environment temperature with the heightened ratio of effective area of the pixels of a resistance variable-type infrared detector.例文帳に追加

抵抗変化型赤外線検出器の画素の有効面積比率を大きくしたまま環境温度による温度ドリフトを抑えること。 - 特許庁

To provide a variable resistance element that can perform a bipolar type operation in a predetermined operation principle and can be used as a memory device.例文帳に追加

所定の動作原理においてバイポーラ型の動作が可能であって記憶素子として利用可能な抵抗変化型素子を提供する。 - 特許庁

Here, the load correcting circuit 10 further includes a variable capacitor X_C for power-factor adjustment connected to the open-circuit guaranteeing resistance R_CO and variable resistance R_CM for load adjustment in parallel, so that power-factor characteristics of the transformer for capacitor type instrument can be corrected.例文帳に追加

ここで、開放保証抵抗Ｒ_COおよび負担調整用可変抵抗Ｒ_CMと並列接続された力率調整用可変コンデンサＸ_Cをさらに具備すれば、コンデンサ型計器用変圧器の力率特性も補正することができる。 - 特許庁

The load correcting circuit 10 for correcting load characteristics of the transformer for capacitor type instrument comprises a short-circuit guaranteeing resistance R_CS, an open-circuit guaranteeing resistance R_CO connected to the short-circuit guaranteeing resistance R_CS in series, and a variable resistance R_CM for load adjustment connected to the open-circuit guaranteeing resistance R_CO in parallel.例文帳に追加

コンデンサ型計器用変圧器の負担特性を補正するための負担補正回路１０は、短絡保証抵抗Ｒ_CSと、短絡保証抵抗Ｒ_CSと直列接続された開放保証抵抗Ｒ_COと、開放保証抵抗Ｒ_COと並列接続された負担調整用可変抵抗Ｒ_CMとを具備する。 - 特許庁

To reduce the series resistance of a differential voltage controlled variable capacitor, a p-type electrode embedded on an n-type semiconductor 25 is divided into a first p-type electrode 3 and a second p-type electrode 9 and they are made compact.例文帳に追加

差動型電圧制御可変容量の直列抵抗を低減するため、Ｎ形半導体２５上に埋め込まれたＰ型電極を、第１Ｐ型電極３と第２Ｐ型電極９として複数個に分割して形成し、かつ小型化する。 - 特許庁

The fluctuations in production variations of the resistance value of the polysilicon resistive element 1 is cancelled by the variable adjustment of the resistance value of the P-type MOS transistor 2, and the combined resistance of the polysilicon resistive element 1 and the P-type MOS transistor 2 is adjusted to the characteristic impedance of the transmission line with high accuracy.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗素子１の抵抗値の製造ばらつきの変動は、前記Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２の抵抗値の可変調整によって吸収され、ポリシリコン抵抗素子１とＰ型ＭＯＳトランジスタ２との合成抵抗は前記伝送路の特性インピーダンスに高精度に調整される。 - 特許庁

To improve the abrasion resistance of a belt type continuously variable transmission while facilitating assembling and disassembling, and to shorten the axial length thereof.例文帳に追加

組み付けや分解が容易であるともに耐摩耗性にも優れ、その軸方向長さの短縮を可能としたベルト式無段変速機を提供することにある。 - 特許庁

To provide a waveguide type optical variable attenuator capable of accurately controlling light attenuation quantity regardless of the fluctuation of a heater resistance value due to a long-term operation.例文帳に追加

長期運用によるヒータ抵抗値の変動に関係なく、光減衰量を正確に制御できる導波路型光可変減衰器を提供する。 - 特許庁

To unnecessitate a negative potential generating circuit, and to shorten a data read-out time, in a semiconductor memory device including a variable resistance type memory element.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子を備えた半導体記憶装置において、負電位発生回路を不要にすると共に、データ読み出し時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a belt type continuously variable transmission constructed to sufficiently satisfy both a high friction coefficient between a pulley and a metal belt and wear resistance.例文帳に追加

プーリと金属ベルトとの間における高摩擦係数と耐磨耗性との双方を十分に満足し得る構成のベルト式無段変速機を提供する。 - 特許庁

To provide a data rewriting method improving deterioration in write and erasing speed when continuously rewriting data of a cross point type memory cell array of a variable resistance element of which the electric resistance is varied by applying electric stress, control of a resistance value of the variable resistance element after write and erasure is facilitated, and high reliability can be attained.例文帳に追加

電気的ストレスの印加により電気抵抗が変化する可変抵抗素子のクロスポイント型メモリセルアレイのデータを連続的に書き換える場合の書き込み及び消去速度の劣化を改善し、書き込み及び消去後の可変抵抗素子の抵抗値の制御を容易化し、高い信頼性を実現可能なデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rolling bearing for a belt type continuously-variable transmission pulley shaft of long service life, capable of being properly used in the belt type continuously variable transmission by securing the hardness under high temperature environment, the stability in its dimension, the resistance to peeling fatigue and the resistance to white tissue separation, and selecting and strengthening a rolling element.例文帳に追加

高温環境下での硬さ、寸法安定性、耐ピーリング疲労特性、および耐白色組織剥離特性を確保し、且つ転動体を選定して強化することで、ベルト式無段変速機に好適に用いることができる長寿命なベルト式無段変速機プーリ軸支持用転がり軸受を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell which has a large resistance ratio of a resistance before a voltage is applied to a resistance after it is applied and additionally indicates a high speed response, its manufacturing method, a resistance variable type nonvolatile memory device, and a method for designing the nonvolatile memory cell.例文帳に追加

本発明は、電圧を印加する前の抵抗と印加した後の抵抗との抵抗比が大きいことに加えて、高速応答性を示す不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法を提供する。 - 特許庁

The three-dimensional cross-point type variable resistance memory array has a current detector 32, connected with a bit line to read memory bits of a memory cell 30 and is configured as a multi-layer memory array.例文帳に追加

３次元クロスポイント型可変抵抗メモリアレイは、メモリセル３０の記憶ビットを読み出すビット線と接続する電流検知器３２を備え、多層メモリアレイとして構成される。 - 特許庁

The p-type electrodes are arranged like a lattice mutually in four directions, thereby reducing a series resistance among voltage controlled variable capacitors as a differential pair.例文帳に追加

各Ｐ型電極３，９を格子状かつ上下左右方向に対して交互に配置し、差動対である電圧制御可変容量間の直列抵抗を低減させる。 - 特許庁

A pull-up resisting part 21a is connected in series between the input port IN and a power supply Vdd for outputting a voltage to the partial pressure type remote controller 6, and has a variable resistance value.例文帳に追加

プルアップ抵抗部２１ａは、リモートコントローラ６に電圧を出力する電源Ｖｄｄと入力ポートＩＮとの間に直列に接続され、抵抗値が可変である。 - 特許庁

To provide a control device for a belt type continuously variable transmission for preventing the temperature rise of oil by reducing the agitating resistance of the lubricating oil due to a belt.例文帳に追加

ベルトによる潤滑用の油の攪拌抵抗を小さくして油の温度の上昇を防止することができるベルト式無段変速機の制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element that can perform a bipolar-type operation in its predetermined principle of operation and can be used as a memory element, and its manufacturing method.例文帳に追加

所定の動作原理においてバイポーラ型の動作が可能であって記憶素子として利用可能な抵抗変化型素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

PRODUCT ARITHMETIC UNIT INCLUDING RESISTANCE CHANGE TYPE VARIABLE RESISTOR ELEMENT, PRODUCT SUM ARITHMETIC UNIT, NEURAL NETWORK PROVIDING EACH NEURON ELEMENT WITH THESE ARITHMETIC UNITS, AND PRODUCT ARITHMETIC METHOD例文帳に追加

抵抗変化型可変抵抗素子を備えた積演算装置、及び積和演算装置、これらの装置を各ニューロン素子に備えるニューラルネットワーク、並びに積演算方法 - 特許庁

Specifically, mode switching is not permitted unless the traveling resistance at that point of time does not meet predetermined conditions even if the variable speed ratio of the toroidal type continuously variable transmission regulated to a target variable speed ratio corresponding to the running state at that point of time reaches a preset mode switching point.例文帳に追加

より具体的には、その時点の走行状態に対応する目標変速比に調節されるトロイダル型無段変速機の変速比が、予め設定されたモード切換ポイントに達しても、その時点の走行抵抗が所定の条件を満たさなければ、上記モード切換を許可しない様にする。 - 特許庁

The spin valve type magnetic head having a high resistance variable factor and high electric resistance is obtained by using a free layer formed by laminating a high resistance soft magnetic film which is a laminated composite layer consisting of a nonconductive material and a metal, a nonconductive intermediate layer consisting of an oxidized film, etc., and a conductive soft magnetic layer.例文帳に追加

非導電体と金属の複合積層膜による高抵抗軟磁性膜と酸化膜などの非導電性中間層、良導電性軟磁性層を積層した自由層を用い、抵抗変化率と電気抵抗の高いスピンバルブ型磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

To provide a structure improving the radiation performance of heat generated in meshing between gears while retaining lubricity, rust prevention, and abrasion resistance as a non-lubrication method in a dry type continuously variable transmission.例文帳に追加

乾式無段変速機において、無潤滑方式として潤滑性、防錆および耐摩耗性を維持しながら歯車間の噛合に伴う発生熱の放熱性を改良した構造の提供。 - 特許庁

To provide a variable reluctance-type angle detector capable of decreasing the resistance of an excitation winding, increasing the excitation current without boosting the excitation supply voltage, and reducing the effect of noise.例文帳に追加

励磁巻線の抵抗を減らし、励磁電源電圧を上げることなく励磁電流を増やし、ノイズの影響を低減することのできるバリアブルリラクタンス型角度検出器を提供する。 - 特許庁

To prevent the saturation of an amplification circuit at a temperature drift caused by a change or the like in environmental temperature, in the amplification circuit which amplifies a variable resistance-type infrared detection element that is not temperature-controlled.例文帳に追加

温度制御をされていない抵抗変化型赤外線検知素子を増幅する増幅回路について、環境温度変化等による温度ドリフトでの増幅回路の飽和を防止する。 - 特許庁

The color-tunable LED luminaire includes a plurality of LED rows having different irradiation colors, and a volume-type variable resistor capable of changing a value of resistance is provided for each of the LED rows.例文帳に追加

色調式ＬＥＤ照明具は、色の異なる複数のＬＥＤ列を備え、各ＬＥＤ列毎に、抵抗値を変更することができるボリューム式可変抵抗器を設けている。 - 特許庁

To provide an oscillating plate type variable displacement compressor using a peculiar constant velocity joint mechanism, capable of improving precision of swash plate minimum inclination regulation and improving abrasion resistance of an inner ring rotation preventing mechanism.例文帳に追加

特有の等速ジョイント機構を用いた揺動板式可変容量圧縮機において、斜板最小傾角規制の精度を向上し、内輪回転阻止機構の耐磨耗性を向上する。 - 特許庁

The variable resistor part R_0f is located at a part acting like an output section of the inverter main body 52 and includes a CMOS transistors comprising a P type transistor p_2 and an N type transistor n_2 and the resistance value is changed in response to a control voltage V_C.例文帳に追加

可変抵抗部Ｒ_0fは、インバータ本体５２の出力部となる部分に設けてあって、Ｐ型トランジスタｐ_2とＮ型トランジスタｎ_2とからなるＣＭＯＳによって形成され、制御電圧Ｖ_Cに応じて抵抗値が変化する。 - 特許庁

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子１は、ｐ型シリコン基板１０に、２箇所の不純物拡散領域１１とゲート電極１３およびゲート絶縁層１２から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極１９と上部電極２１とで可変抵抗層２０を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁

The voltage controlled oscillator includes an inductor circuit 110, C-coupling type variable capacitance circuits 120 and 140, a direct-coupling type variable capacitance circuit 130, and a negative resistance circuit 160, which are connected in parallel, and a reference voltage generating section 180 that generates reference voltages Vref1 and Vref2.例文帳に追加

本発明の電圧制御発振器は、並列接続されたインダクタ回路１１０、Ｃ結型可変容量回路１２０及び１４０、直結型可変容量回路１３０、及び負性抵抗回路１６０と、基準電位Ｖｒｅｆ１及びＶｒｅｆ２を生成する基準電位発生部１８０とを備える。 - 特許庁

To improve the readout margin, while taking into account a leak current varied according to the resistance value of a memory cell to be read out consisting of a variable resistance element for storing multi-value information, in a semiconductor storage device having a memory cell array of a cross point type.例文帳に追加

クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、多値情報を記憶する可変抵抗素子からなる読出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を考慮して、読出しマージンの向上を図る。 - 特許庁