「w-pa」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This wire harness fixture has a baseplate 11 fixed to the wire harness W and the anchor projection 1 inserted into and locked on the locking hole Pa of the panel P.例文帳に追加

ワイヤーハーネスＷに固定されるベース板１１と、パネルＰの係止孔Ｐａに差し込み係止されるアンカー突起１とを具備する。 - 特許庁

The temperature of a panel surface corresponding to a cell is measured and driving voltage pulses Py and Pa are varied in pulse width W according to temperature variation.例文帳に追加

セルに対応したパネル表面の温度を測定し、温度変化に合わせて駆動電圧パルスＰｙ，Ｐａのパルス幅Ｗを変更する。 - 特許庁

A substrate P having a liquid repellent part H and a lyophilic part Pa to a functional fluid is coated with the functional fluid to form a pattern W.例文帳に追加

機能液に対する親液部Ｐａ及び撥液部Ｈを有する基板Ｐに機能液を塗布してパターンＷを形成する。 - 特許庁

In the method, a side door beam Pb is connected to a door inner panel Pa by a spot welding and assembled as an intermediate assembly body W.例文帳に追加

ドアインナパネルＰａにサイドドアビームＰｂをスポット溶接にて結合して中間組立体Ｗとして組み立てる方法である。 - 特許庁

A plasma generator 30 releases plasma by the control of a general controller 94 and removes particles PA adhered to the work W.例文帳に追加

プラズマ発生部３０は、全体制御部９４の制御の下、プラズマを放出し、ワークＷに付着したパーティクルＰＡを除去する。 - 特許庁

Then, the workpiece W is machined while the rotary tool T is moved on a tool travel path L in accordance with the machining program to avoid the workpiece W, so that the machining load becomes lower than the first setting value Pa after the machining load exceeds the first setting value Pa (2) (5).例文帳に追加

そして、加工負荷が第一設定値Ｐａを超えた後に加工負荷が第一設定値Ｐａ以下となるように、被加工物Ｗに対して回転工具Ｔを加工プログラムによる工具移動経路Ｌから回避移動させながら被加工物Ｗを加工する（２）（５）。 - 特許庁

When the distance between the prescribed positions Pa, Pb is set to L and the distance from the prescribed position Pa to a present point (a present parts conveyance position) is set to a, the width W of the conveyance area of the present point is obtained by operation of W=Wa-(Wa-Wb)×a÷L.例文帳に追加

例えば、所定位置Ｐａ，Ｐｂ間の距離をＬ、所定位置Ｐａから現在点（現在の部品搬送位置）までの距離をａとし、現在点の搬送エリアの幅Ｗを、Ｗ＝Ｗａ−（Ｗａ−Ｗｂ）×ａ÷Ｌの演算で求める。 - 特許庁

After the positions of a maximum eccentricity part PA and a notch NT are detected by a sensor 44 during the rotation of the substrate W, the substrate W is rotated so that the maximum eccentricity part PA is located at a position that opposes a press block 41.例文帳に追加

基板Ｗの回転の間に最大偏心部位ＰＡおよびノッチＮＴの位置がセンサ４４により検出された後、該最大偏心部位ＰＡが押圧ブロック４１と対向する対向位置に位置するように基板Ｗが回転される。 - 特許庁

The cooling wind (W) which is increased in temperature by depriving heat from the liquid crystal panels (9A to 9C) and polarizing plates (PA to PC and QA to QC) is discharged to the outside of the projector through wind guide paths (19A and 19B) on the discharge side disposed between the optical block (20) and the liquid crystal panel driving substrate (16).例文帳に追加

液晶パネル(9A〜9C)や偏光板(PA〜PC,QA〜QC)から熱を奪って温度が高くなった冷却風(W)は、光学ブロック(20)と液晶パネル駆動基板(16)との間に設けられている排気側の導風路(19A,19B)を通ってプロジェクター外へ排出される。 - 特許庁

The exposure apparatus irradiates a workpiece W with a light beam of exposure light from an illumination optical system 160 through a mask M, and transfers a pattern Pa of the mask M to the workpiece W.例文帳に追加

露光装置は、照明光学系１６０からの露光光の光束をマスクＭを介してワークＷに照射し、マスクＭのパターンＰａをワークＷに転写する。 - 特許庁

Power of microwaves, RF power applied to the target, gas pressure in sputtering, the flow rate of argon, and the flow rate of O, are set at 800 W, 500 W, 0.13 Pa, 20 sccm (97.6 vol.%), and 0.5 sccm (2.4 vol.%), respectively.例文帳に追加

また、マイクロ波のパワーは８００Ｗ、ターゲットに印加するＲＦパワーは５００Ｗ、スパッタ時のガス圧は０．１３Ｐａ、アルゴンの流量は２０sccm（９７．６ｖｏｌ％）、Ｏの流量は０．５sccm（２．４ｖｏｌ％）とする。 - 特許庁

A droplet cleaning liquid is delivered onto the surface of the substrate W that is rotated on the rotation stop Pa of the substrate W from a cleaning nozzle.例文帳に追加

基板Ｗの回転中止Ｐａを中心として回転させられている基板Ｗの表面上に、洗浄ノズル７より液滴の洗浄液が吐出される。 - 特許庁

The method for cleaning the substrate comprises the steps of discharging the cleaning force of a liquid droplet from a cleaning nozzle 7 onto the surface of the substrate W rotated at a rotation stopping Pa of the substrate W as a center.例文帳に追加

基板Ｗの回転中止Ｐａを中心として回転させられている基板Ｗの表面上に、洗浄ノズル７より液滴の洗浄液が吐出される。 - 特許庁

The imaging apparatus images at an imaging timing based on a reference pulse PA by making a work pulse PW, which is output in a interval synchronized with a shape part (W1) of a rotating work W, as a trigger, and images at a imaging timing based on the reference pulse PA every time when the reference pulse PA is output from this imaging timing by a pulse number NP between work pulses PW.例文帳に追加

回転中のワークＷにおける形状部分（Ｗ１）に同期した間隔で出力されるワークパルスＰＷをトリガーとして、基準パルスＰＡを基準にした撮像タイミングで撮像し、この撮像タイミングから基準パルスＰＡが、ワークパルスＰＷ間のパルス数ＮＰだけ出力される毎に、基準パルスＰＡを基準にした撮像タイミングで撮像するようにした。 - 特許庁

The substrate center Wc which is slow in moving speed relative to a nozzle 5 is cleaned by reciprocating the nozzle 5 between the boundary position Ka and the rotational center Pa of the substrate W in a state wherein the processing liquid is discharged out from the externally mixed-type nozzle 5 which causes little damage to the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗに与えるダメージが少ない外部混合型ノズル５から処理液の液滴を吐出した状態で、ノズル５を境界位置Ｋａと基板Ｗの回転中心Ｐａとの間で移動させることによって、ノズルに対する相対速度が遅い基板中央部Ｗｃを洗浄処理する。 - 特許庁

The fermented soymilk containing a homogeneous composition is obtained by mixing a fermented soymilk having viscosity of ≥6.0 Pa s with an aqueous seasoning, has pH ≤4.7, and contains 20-35 wt.% (w/w) of the fermented soymilk based on the whole of the fermented soymilk containing a homogeneous composition.例文帳に追加

粘度が６．０Ｐａ・ｓ以上の豆乳発酵物と水性調味液とを混合し、ｐＨが４．７以下である均質組成物であって、豆乳発酵物含有均質組成物全体に対し該豆乳発酵物を２０〜３５％（ｗ／ｗ）含有する豆乳発酵物含有均質組成物を調製する。 - 特許庁

The Pt film 4 is subjected to oxygen plasma treatment under an oxygen pressure of 66.7 Pa at an output of 450 W in an oxygen plasma device for 60 seconds.例文帳に追加

次に、酸素プラズマ装置中でＰｔ膜４を出力４５０Ｗにて６６．７Ｐａの酸素圧力の下で６０秒間酸素プラズマ処理する。 - 特許庁

Thus, a reformed layer can be formed at arbitrary positions in the wafer W, for example, at the relatively shallow position Pa, a substantially intermediate position Pb and the relatively deep position Pc.例文帳に追加

したがって、ウェハＷ内の任意の位置、例えば比較的浅い位置Ｐａ、ほぼ中間の位置Ｐｂ、比較的深い位置Ｐｃに、それぞれ改質層を形成することができる。 - 特許庁

A first position A of a rotary tool T relative to a workpiece W is stored when a machining load exceeds a first setting value Pa in basic machining based on a machining program.例文帳に追加

加工プログラムに基づく基本加工において加工負荷が第一設定値Ｐａを超えた時における被加工物Ｗに対する回転工具Ｔの第一位置Ａを記憶する。 - 特許庁

A gas cartridge B is stored in a storage space 111a formed in a cartridge storage part 111 and supplies compressed gas PA for shooting a bullet W.例文帳に追加

ガスカートリッジＢは、カートリッジ収納部１１１に作られた収納空間１１１ａに収納され、弾丸Ｗの発射するための圧縮ガスＰＡを供給する。 - 特許庁

The hollow part of a roller 2 having many holes P is turned to a negative pressure by a pump, etching liquid L remaining on a substrate W is sucked from a porous part Pa, and thus the liquid is drained.例文帳に追加

多孔Ｐを有するローラー２の中空部をポンプによって負圧し、基板Ｗ上に残存したエッチング液Ｌを多孔部分Ｐａから吸引することによって液切りを行う。 - 特許庁

Successively, oxygen plasma is irradiated under an oxygen volume of 10 sccm, a gas pressure of 10 Pa, and a discharge power of 400 W, for one minute to remove the deposited polymer (Fig. 7(c)).例文帳に追加

引き続き、酸素プラズマを酸素流量１０ｓｃｃｍ、ガス圧力１０Ｐａ、放電電力４００Ｗで１分間照射すると、堆積したポリマーが除去される（図７（ｃ））。 - 特許庁

A method for forming the thin film includes forming the thin film on a substrate by a sputtering method at a power density in the range of 1.5 to 3 W/cm^2 and at a pressure of an inert gas that is in the range of 0.2 to 0.3 Pa.例文帳に追加

本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。 - 特許庁

The center portion of the sheet forms a ridge-shaped folding end Pa and the upstream side portion and the downstream side portion form folding ends Pb of a valley part, and the sheet is subjected to the W fold.例文帳に追加

シートは、中央部分が山形状の折り端Ｐａとなり、上流側部分と下流側部分とが谷部の折り端Ｐｂとなり、Ｗ折りになる。 - 特許庁

When a thermal head is produced by depositing a heating element containing TaSiC on a substrate, deposition pressure of the heating element is set in the range of 0.4-1.5 Pa and deposition power of the heating element is set in the range of 500-2,000 W.例文帳に追加

ＴａＳｉＣを含む発熱体を基板に成膜してサーマルヘッドを製造する際に、発熱体の成膜圧力を０．４〜１．５Ｐａとするとともに、発熱体の成膜電力を５００〜２０００Ｗとする。 - 特許庁

An Ar gas flow rate, pressure in film formation, high-frequency power and a film formation period are set to 10 cc/min, 0.27 Pa, 200 W and 15 min, respectively, and the thickness of the film formed under the conditions is set to around 3,000 Å.例文帳に追加

Ａｒガス流量１０ｃｃ／ｍｉｎ、成膜時の圧力０．２７Ｐａ、高周波電力２００Ｗ、成膜時間１５分とし、この条件で成膜された膜圧は約３０００Åとなる。 - 特許庁

Major surface of a substrate W is separated into a pattern area PA for forming a pattern, and an edge area EA not subjected to pattern formation.例文帳に追加

基板Ｗの主面は、パターン形成が行われるパターン領域ＰＡとパターン形成の対象外である端縁部領域ＥＡとに分離されている。 - 特許庁

In the driving method of the plasma display panel, the temperature of a panel surface corresponding to a cell is measured and the pulse widths W of a driving voltage scan pulse Py and an address pulse Pa are varied in accordance with temperature variation.例文帳に追加

セルに対応したパネル表面の温度を測定し、温度変化に合わせて駆動電圧スキャンパルスＰｙ，アドレスパルスＰａのパルス幅Ｗを変更する。 - 特許庁

A supply position P of cleaning liquid on a wafer W by an ultrasonic nozzle 7 is moved back and forth between a supply start position K and a supply end position F, passing through a rotation center Pa on a wafer upper surface Wa.例文帳に追加

超音波ノズル７によるウエハＷ上の洗浄液の供給位置Ｐは、ウエハ上面Ｗａにおいて供給開始位置Ｋから回転中心Ｐａを通って供給終了位置Ｆまでの間を往復移動する。 - 特許庁

The coating apparatus is provided with a supply path 13 which enables coating Pa, Pb and cleaning liquid W to flow therein and allowing a downstream end to connect with a coating gun 30 and a helical member 40 arranged in the supply path 13.例文帳に追加

塗装装置は、塗料Ｐａ，Ｐｂと洗浄液Ｗが流通するようになっているとともに下流端が塗装ガン３０に接続された供給路１３と、供給路１３内に配置された螺旋部材４０と備えている。 - 特許庁

In this case, when the notch NT is positioned at the maximum eccentricity part PA, the position of the end face of the substrate W is changed so that the notch NT deviates from the opposing position.例文帳に追加

このとき、ノッチＮＴが最大偏心部位ＰＡに位置する場合にノッチＮＴが対向位置から外れるように基板Ｗの端面位置が変更される。 - 特許庁

The ashing treatment is performed under a condition of plasma formation wherein high frequency electric power is 300 W, atmospheric pressure is 30 Pa, an oxygen flow rate is 100 sccm, and substrate temperature is 25°C.例文帳に追加

かかるアッシング処理は、高周波電力が３００Ｗ、雰囲気圧力が３０Ｐａ、酸素流量が１００ｓｃｃｍ、基板温度が２５℃のプラズマ形成条件下で実施される。 - 特許庁

The pressure at forming the film is set to 1-40 Pa to form a uniform plasma spreading over the entire discharge surface even with an input power of about 1 W/cm^2.例文帳に追加

また、成膜時の圧力を１Ｐａ〜４０Ｐａとすることにより、入力電力が１Ｗ／ｃｍ^２程度であっても放電面全体に拡がった均一なプラズマを形成することができる。 - 特許庁

A positional relation between the light absorption region 30 and respective prisms 4 of the prism array 40 is determined so that light (light ray 102) made incident at the maximum incident angle θ_imax (=Tan^-1{(pa-w)/h}) arrives at the first prism surface.例文帳に追加

最大の入射角θ_iｍａｘ（＝Ｔａｎ^−１｛（ｐａ−ｗ）／ｈ｝）で入射する光（光線１０２）が第１プリズム面に到達するように、光吸収領域３０とプリズム列４０の各プリズム４の位置関係を決定する。 - 特許庁

The gas atmosphere including 10 to 150 Pa of amino group is converted to the plasma atmosphere with the glow discharge to cause amino group addition reaction on the surfaces of a fluorine resin material W that is placed in the atmosphere including amino groups thereby the surface of the fluorine resin material is made hydrophilic.例文帳に追加

１０〜１５０Ｐａのアミノ基を含むガス雰囲気をグロー放電でプラズマＰ化し、アミノ基を含むガス雰囲気中に載置したフッ素系樹脂材Ｗの表面にアミノ基付加反応を起こさせ、フッ素系樹脂材の表面を親水化する。 - 特許庁

The selective plasma nitriding is carried out by setting treatment pressure to 66.7 to 667 Pa and supplying high-frequency electric power of 0.1 to 1.2 W/cm^2 per area of the workpiece from a high-frequency power source 44 to an electrode 42 of a placing table 2.例文帳に追加

選択的プラズマ窒化処理は、処理圧力を６６．７Ｐａ以上６６７Ｐａ以下の範囲内に設定し、載置台２の電極４２に高周波電源４４から被処理体の面積当り０．１Ｗ／ｃｍ^２以上１．２Ｗ／ｃｍ^２以下の高周波電力を供給して行う。 - 特許庁

A silicon nitride layer is deposited on a base film at a ratio P/Q of less than 10 [W/sccm], with Q being the silane gas flow rate and P being the plasma-generating electric power, a deposition pressure of 20 to 200 Pa, and at a base film temperature of not more than 70°C, under a bias potential of not more than -100V applied to the base film.例文帳に追加

シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０［Ｗ／ｓｃｃｍ］未満、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

A workpiece inspection apparatus synchronizes imaging timing with a tooth part W1 of a workpiece W based on a reference pulse PA, performs image processing for obtaining a difference between a captured k-th image (k is an integer) and a (k+1)-th image, and detects a defect based on the difference data.例文帳に追加

基準パルスＰＡに基づいてワークＷの歯部Ｗ１と撮像タイミングとを同期させ、撮像したｋ（ｋは整数）番目の画像と（ｋ＋１）番目の画像との差分を得る画像処理を行い、差分のデータに基づいて欠陥を検出するようにした。 - 特許庁

The sputtering condition is pref. to be a sputtering pressure of 0.5-2 Pa, rf electric power of 100 W, a substrate temp. of 360-400°C, and the reactive sputtering condition is pref. to be an oxygen gas flow rate ratio of in a range of 1.2-10% in addition to the above described sputtering condition.例文帳に追加

スパッタリング条件はスパッタリング圧力０．５〜２Ｐａ，ｒｆ電力１００Ｗ，基板温度３６０〜４００℃が望ましく、反応性スパッタリングの条件は上記のスパッタリング条件に加えて、酸素ガス流量比は１．２〜１０％の範囲であることが好適である。 - 特許庁

This heat-conductive sheet comprises a heat-conductive filler at least on one side of a sheetlike material having ≥10 W/m.K coefficient of thermal conductivity and the adhesive layer which is bondable at room temperature, has 1.0×104-1.0×107 Pa shear storage elastic modulus and is laminated to the sheetlike material.例文帳に追加

熱伝導率１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のシート状物の少なくとも片面に、熱伝導フィラーを含むとともに、室温で粘着し、剪断貯蔵弾性率が１．０×１０^4〜１．０×１０^7Ｐａの粘着層が積層された構成とした。 - 特許庁

This adhesive composition contains a resin and a filler as essential components, wherein the adhesive composition has the adhesive strength of 3.0×10^4 to 13.0×10^4 Pa 3.0 at 260°C, and a hardened material of the adhesive composition has the thermal conductivity of ≥2 W/mK.例文帳に追加

樹脂及びフィラーを必須成分とする接着剤組成物であって、前記接着剤組成物の２６０℃での接着強度が３．０×１０^４Ｐａ以上１３．０×１０^^４Ｐａ以下であり、前記接着剤組成物の硬化物の熱伝導率が２Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする接着剤組成物。 - 特許庁

A silicon nitride film is formed on a substrate while applying bias potential of ≤-100 V under the conditions where P/Q with a gaseous silane flow rate as Q and plasma production as P is 10 to 30[W/sccm], film formation pressure is 20 to 200 Pa and substrate temperature is ≤70°C.例文帳に追加

シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０〜３０［Ｗ／ｓｃｃｍ］、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜する。 - 特許庁

This phenol resin-foamed article is obtained by foaming/curing a foamable phenol resin molding material containing a phenol resin, a blowing agent, a curing agent and an inorganic filler, and has ≥5 pH, ≤0.022 W/m K heat conductivity and ≤60 ng/(m^2 s Pa) moisture permeability coefficient.例文帳に追加

フェノール樹脂、発泡剤、硬化剤および無機フィラーを含む発泡性フェノール樹脂成形材料を発泡硬化させてなる発泡体であって、発泡体のｐＨが５以上、熱伝導率が０．０２２Ｗ／ｍ・Ｋ以下、且つ透湿係数が６０ｎｇ／（ｍ^２・ｓ・Ｐａ）以下であるフェノール樹脂発泡体である。 - 特許庁

In the method for forming a gate insulating film of silicon oxide by sputtering, power being thrown into a target is set at 4 W/cm^2 or smaller at the forming of the gate insulating film and film deposition pressure is set at 0.5 Pa or higher.例文帳に追加

酸化シリコンからなるゲート絶縁膜をスパッタリング法により形成するゲート絶縁膜の形成方法において、ゲート絶縁膜形成時のターゲットに対する投入電力を４Ｗ／ｃｍ^２以下とし、成膜圧力を０．５Ｐａ以上とすることにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

The cream composition having an electric conductivity of 1-50 kΩ is produced by mixing 100 pts.wt. of flour paste with 15-580 pts.wt. of an O/W-type emulsified oil-and-fat composition having a viscosity of 1,000-20,000 Pa s at 30°C.例文帳に追加

フラワーペースト類１００重量部に、３０℃における粘度が０．１万〜２万Ｐａ・ｓである水中油型乳化油脂組成物１５〜５８０重量部を混合した、電気伝導度１〜５０ｋΩの組成物であることを特徴とするクリーム組成物。 - 特許庁