「write」に関連した英語例文の一覧と使い方(199ページ目) - Weblio英語例文検索

In the heater controlling method for performing on/off control of the heater included in the head, the heater is turned on during a period corresponding to a continuous read operation period and write operation period, and the heater is turned off during a period corresponding to a read operation period after a write operation period.例文帳に追加

ヘッドに内蔵されたヒータのオン／オフ制御を行うヒータ制御方法は、連続するリード動作期間及びライト動作期間に対応する期間はヒータをオンにすると共に、ライト動作期間の後のリード動作期間に対応する期間はヒータをオフにするように構成される。 - 特許庁

A USB-ATA conversion bridge 10 outputs a command based on the record content of the descriptor file relating to write processing and the command based on the record content of the EEPROM 11 to the liquid crystal display 3 when detecting the write processing of the descriptor file in the virtual disk area 13.例文帳に追加

ＵＳＢ−ＡＴＡ変換ブリッジ１０は、仮想ディスク領域１３に対するディスクリプタファイルの書込処理を検出したときに、書込処理に係るディスクリプタファイルおよびＥＥＰＲＯＭ１１の記録内容に基づいたコマンドを液晶ディスプレイ３に対して出力する。 - 特許庁

A bit line corresponding to a selected memory cell is connected between write current control line of both sides of the corresponding memory block by turning on transistor switches 102, 103 in response to activation of a column selection line CSL shared between memory blocks, and a data write current flows.例文帳に追加

メモリブロック間で共有されるコラム選択線ＣＳＬの活性化に応答してトランジスタスイッチ１０２，１０３がオンすることによって、選択メモリセルに対応するビット線は、対応のメモリブロックの両側の書込電流制御線の間に接続されて、データ書込電流が流される。 - 特許庁

The method for the integrated circuit 200 to execute the read operation and the write operation concurrently with the invention includes the cache memory blocks to separate the read operation and the write operation into the memory blocks and the cache memory blocks and execute them concurrently within one cycle of a clock signal.例文帳に追加

本発明による集積回路２００の読み取り動作と書き込み動作とを同時に実行する方法はキャッシュメモリブロックを具備してクロック信号の１周期内で読み取り動作及び書き込み動作がメモリブロックとキャッシュメモリブロックとに分けられて同時に実行される。 - 特許庁

The command control circuit includes: a read-clock generation circuit 161 that generates a read clock ICLK-R in reading; a write-clock generation circuit 162 that generates a write clock ICLK-W in writing; and a burst chop AL counter 123 that counts an additive latency of a burst chop command.例文帳に追加

リード時においてリードクロックＩＣＬＫ−Ｒを生成するリードクロック生成回路１６１と、ライト時においてライトクロックＩＣＬＫ−Ｗを生成するライトクロック生成回路１６２と、バーストチョップコマンドのアディティブレイテンシをカウントするバーストチョップ用ＡＬカウンタ１２３とを備える。 - 特許庁

A write/erase unit of a nonvolatile semiconductor storage device supplies a first electric pulse during data write or erase, the first electric pulse having an electric energy to an extent that an physical state of a memory element of the selected memory cell does not transit and accumulating charges relative to a rectifying element of the selected memory cell.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の書き込み／消去部は、データの書き込み又は消去の際、選択メモリセルのメモリ素子の物理状態が遷移しない範囲内の電気エネルギーを有し、選択メモリセルの整流素子に対して電荷を蓄積させる第１の電気パルスを供給する。 - 特許庁

A write signal line for connecting a terminal of a connector 31 of the memory module 3 with a write signal input terminal of a storage element 32 is provided with a switch 33a and a projection 35a is provided inside a case 35, so that the switch 33a is turned off while the case 35 is sealed.例文帳に追加

メモリモジュール３のコネクタ３１の端子と記憶素子３２の書込信号入力端を接続する書込信号線にスイッチ３３ａを設けるとともに、ケース３５の内面に突起３５ａを設け、ケース３５で封印している状態でスイッチ３３ａがオフになるように構成した。 - 特許庁

The information storage device can be equipped with a temporary storage means for temporarily storing the information read by the reading means, and further equipped with a write control means which is connected to the temporary storage means and for controlling the current applied to the write means.例文帳に追加

該読み取り手段によって読み取った情報を臨時に保存するための臨時保存手段を備えることが可能であり、臨時保存手段に連結されたものであり、書き込み手段に印加される電流を制御するための書き込み制御手段をさらに備えることができる。 - 特許庁

This device has the spindle motor for turning a disk, a rotation pulse generation device for generating a rotation pulse that synchronizes with the rotation of the spindle motor and a PLL circuit for generating a write pulse that synchronizes with the rotation pulse and records record data generated on the basis of the write pulse on the magnetic disk.例文帳に追加

ディスクを回転するためのスピンドルモータと、前記スピンドルモータの回転に同期した回転パルスを発生する回転パルス発生装置と、前記回転パルスに同期したライトパルスを発生するＰＬＬ回路を有し、前記ライトパルスに基づいて生成した記録データを磁気ディスクに記録する。 - 特許庁

A sensor supplies an output signal in response to radiation from the synchronization field, the non-data block in the servo sector, and a gap when the disk rotates, controls timing of a write magnetic field applied to a data island, and controls the positioning of the read/write head at a data track.例文帳に追加

センサは、ディスクが回転するときの同期フィールドとサーボセクタ内の非データ用ブロックとギャップからの放射に応答して、出力信号を供給して、データアイランドに印加される書き込み磁場のタイミングを制御し、かつ、データトラックへの読み込み／書き込みヘッドの位置決めを制御する。 - 特許庁

To provide a program operating device, a program write controller, a program write control method and a storage medium to enable realization of simplified and efficient rewriting works by enabling rewrite of control programs of a plurality of CPUs without using an exclusive external device.例文帳に追加

専用の外部装置を使用することなく、複数のＣＰＵの制御プログラムを書き換えることを可能とし、書き換え作業の簡略化、効率化を実現可能としたプログラム動作装置、プログラム書込制御装置、プログラム書込制御方法及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

A CPU (18) of the card reader discriminates the kind of a memory card connected to the connector (S3), write-in speed for an optical disk in accordance with reading speed of the memory card is decided (S5), the decided write-in speed is set to the CD-R/RW drive (S6).例文帳に追加

カードリーダのＣＰＵ（１８）は、コネクタに接続されたメモリ・カードの種類を判別し（Ｓ３）、この判別したメモリ・カードの種類により、当該メモリ・カードの読込み速度に応じた光ディスクへの書込み速度を決定し（Ｓ５）、この決定した書込み速度をＣＤ−Ｒ／ＲＷドライブへ設定する（Ｓ６）。 - 特許庁

In a first embodiment, a switch selected out of pairs of current switch connected between each end of pairs of bit line in which each of bit lines are selected links bit lines being enabled and selected, one bit write-in current performs write-in simultaneously for each bit/cell in both bit lines.例文帳に追加

第１実施例において、各々が選択される対のビット線の各端の間に接続される１対の電流スイッチのうち選択されたスイッチが可能化されて選択されたビット線を連鎖させ、１つのビット書込電流が両方のビット線内の個々のビット・セルに同時に書き込む。 - 特許庁

To provide a compact, inexpensive and low-electric driving power optical scanner which forms a high quality image by performing optical scanning with synchronous detection without being affected by external disturbance such as temperature change without specially machining a scanning lens system, and to provide an optical write-in device with the optical scanner and an image forming apparatus with the optical scanner or the optical write-in device.例文帳に追加

走査レンズ系に特殊な加工をすることもなく温度変動などの外乱に影響されない同期検知で光走査を行って書き込み、高品質の画像を形成する小型、低コスト、低駆動電力な光走査装置、光書込装置、画像形成装置を提供する。 - 特許庁

For example, when the last voltage value of the batch write pulse in data erasing operation of the previous time is VWL=8.00 V, VWELL=VSL=-6.00 V, in this time it is made lower than the above, the batch write pulse start voltage value is set to VWL=7.75 V, VWELL=VSL=-5.75 V.例文帳に追加

例えば、前回のデータ消去動作における一括書き込みパルスの最終電圧値がＶ_WL＝８．００Ｖ、Ｖ_Well＝Ｖ_SL＝−６．００Ｖであった場合は、今回はそれよりも１段階低くして、一括書き込みパルスの開始電圧値を、Ｖ_WL＝７．７５Ｖ、Ｖ_Well＝Ｖ_SL＝−５．７５Ｖに設定する。 - 特許庁

In write operation, after a first potential is applied to well regions 52 an 55 in which memory cells are formed, or a substrate 51, the control circuit controls the well regions or the substrate 51 to be in a second potential (the second potential < the first potential), then applies the predetermined voltage to the word line and performs write operation.例文帳に追加

制御回路は、書き込み動作時、メモリセルが形成されたウェル領域５２、５５又は基板５１に第１電位を印加した後、ウェル領域又は基板５１を第２電位（第２電位＜第１電位）とし、この後、ワード線に所定の電圧を印加して書込み動作を行う。 - 特許庁

The memory cell array 1 is provided with a core selecting means selecting cores of arbitrary numbers to perform write-in/erasion of data, data is written in a selected memory cell in a selected core based on a write-in command, and data erasion of a selected block in a selected core is performed based on an erasion command.例文帳に追加

データ書き込み／消去を行うために任意個数のコアを選択するコア選択手段を備え、書込みコマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたメモリセルにデータ書き込みを行い、消去コマンドに基づいて選択されたコア内の選択されたブロックのデータ消去を行う。 - 特許庁

The device is provided with a read-out/write-in circuit 6a for echo signal and a data register 7a for echo signal which are arranged respectively in parallel to the read-out/ write-in circuit 6 and the data register 6 of the normal cell array 1 side and has the same constitution at the memory cell array 1a for echo signal side.例文帳に追加

ノーマルセルアレイ１側の読み出し／書き込み回路６及びデータレジスタ６とそれぞれ併設されて、エコー信号用メモリセルアレイ１ａ側にも同様の構成のエコー信号用読み出し／書き込み回路６ａおよびエコー信号用データレジスタ７ａが設けられる。 - 特許庁

Local buses (HB0-HB3) for write/read of data, corresponding to each of memory blocks (MB0-MB3) each of which has plural nonvolatile memory cells, are equipped, and circuits (SA0-SA3, HSW0-HSW3) to write/read the data corresponding to each of the memory blocks are equipped.例文帳に追加

それぞれが複数の不揮発性メモリセルを有するメモリブロック（ＭＢ０−ＭＢ３）それぞれに対応してデータの書込／読出を行なうためのローカルバス（ＨＢ０−ＨＢ３）を設け、また各メモリブロックに対応してデータの書込／読出を行なうための回路（ＳＡ０−ＳＡ３，ＨＳＷ０−ＨＳＷ３）を設ける。 - 特許庁

This disk device is constructed such that a read amplifier IC including a read amplifier circuit is mounted on the suspension 28 of each HSA 20 of an actuator 13, and a write driver IC 18 including the write driver circuit is mounted on the tip part of the main FPC 17 of which the tip part is fixed on a bearing assembly body 22.例文帳に追加

アクチュエータ１３の各ＨＳＡ２０のサスペンション２８上にリードアンプ回路を含むリードアンプＩＣが搭載され、先端部がアクチュエータ１３の軸受組立体２２に固定されるメインＦＰＣ１７の当該先端部に、ライトドライバ回路を含むライトドライバＩＣ１８が搭載される構成とする。 - 特許庁

On the other hand, RF tag read/write part 13 reading and writing the information of the RF tags T1-T4 with no contact therewith is installed on a movable body 10, and the RF tag read/write part 13 is moved along with the movable body 10 so that the information of the RF tags T1-T4 can be read in order.例文帳に追加

一方、ＲＦタグＴ１〜Ｔ４の情報を非接触で読み書き可能なＲＦタグ読み取り・書き込み部１３を移動体１０上に設置し、ＲＦタグ読み取り・書き込み部１３を移動体１０と共に移動させてＲＦタグＴ１〜Ｔ４の情報を順次読み取るようにした。 - 特許庁

This display has: a write-in mode in which at least two different voltages are applied to different pixel electrodes; and a non-write-in mode in which the voltages applied to these pixel electrodes are controlled so that an image previously written in the electro-optic medium is maintained substantially.例文帳に追加

このディスプレイは、少なくとも２つの異なる電圧が異なる画素電極に印加される書き込みモード、およびこれらの画素電極に印加された電圧が、前に電気光学媒質に書き込まれたイメージが実質的に維持されるよう制御される非書き込みモードを有する。 - 特許庁

The magnetization reversal of the second ferromagnetic layer is executed by making a write current for supplying a spin polarized electron to the second ferromagnetic layer flow between the lower electrode 16 and the upper electrode 18 and using a magnetic field generated by the write current flowing to the lower electrode 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

第２強磁性層の磁化反転は、第２強磁性層にスピン偏極した電子を与える書き込み電流を下部電極16と上部電極18との間に流すと共に、下部電極16及び上部電極18に流れるその書き込み電流により発生する磁界を用いて実行する。 - 特許庁

Prerequisites for the implementation are: firstly, use of the serial interface 110 providing a serial clock signal SCLK; secondly, write access to SPRAM 120 has to occur at the end of serial transmission; thirdly, a write strobe impulse has to be short compared to the original read strobe.例文帳に追加

インプリメンテーションの前提として、第１にシリアルクロック信号ＳＣＬＫを供給するシリアルインタフェース１１０を使用し、第２にＳＰＲＡＭ１２０に対する書き込みアクセスはシリアル伝送の終了時に発生する必要があり、第３に書き込みストローブインパルスは原読み出しストローブに比べて短い。 - 特許庁

Upon the receipt of a transmission cell and a cell head identification signal SOC from an ATM layer device, a write timing control 2 does not write idle bytes of a received cell to a memory 7 when a format of the received cell indicates bytes larger than 53 bytes and reserves deficient bytes in the memory 7 when less than 53 bytes.例文帳に追加

ＡＴＭレイヤデバイスから送信セルとセル先頭識別信号ＳＯＣを入力すると、書き込みタイミング制御２は入力セルフォーマットが５３バイトより大きければ入力したセルの空きバイトはメモリ７に書き込まず、５３バイト未満であればメモリ７上に不足バイトを確保する。 - 特許庁

A game machine 100 performs recording or reading of information to/from an optical disk having a ROM layer which is a recording layer in which write of information cannot be performed and in which game software is previously recorded, and an RE layer in which write of information can be performed.例文帳に追加

本発明に係るゲーム機１００は、情報の書き込みが不可能な記録層であって、ゲームソフトが予め記録されたＲＯＭ層と、情報の書き込みが可能な記録層であるＲＥ層とを有する光ディスクに対して、情報の記録または読み出しを行う。 - 特許庁

Also, a short circuit MOSFET is provided between a drain and a source of the two layer gate structure memory cell, while applying write-in control voltage for a source of a memory cell being not the object of write-in is performed through a memory cell itself after the applying is performed through short circuit MOSFET.例文帳に追加

また、２層ゲート構造型メモリセルのドレイン及びソース間に、短絡ＭＯＳＦＥＴを設けるとともに、書き込み対象とされないメモリセルのソースに対する書き込み制御電圧の印加を、まず短絡ＭＯＳＦＥＴを介して行った後、メモリセル自身を介して行う。 - 特許庁

A state control circuit 102 receives a detected result of the address transition detecting circuit 101, judges operation to be performed from an output enable signal/OE and a write enable signal/WE, and outputs any instruction out of a read-instruction RS, a write- instruction WS, and a refresh-instruction FS.例文帳に追加

状態コントロール回路１０２は、アドレス遷移検出回路１０１の検出結果を受けて、アウトプットイネーブル信号／ＯＥおよびライトイネーブル信号／ＷＥから実行すべき動作を判断し、リード命令ＲＳ、ライト命令ＷＳ、リフレッシュ命令ＦＳの何れかの命令を出力する。 - 特許庁

To provide an IC card 1 and an IC card processing system for easily detecting a region in a non-written state, and for efficiently resuming write-in processing even when an error such as a communication error is occurred in the middle of the write processing of data whose size is large.例文帳に追加

サイズの大きいデータの書込み処理の途中で通信エラーなどのエラーが発生した場合であっても、未書込み状態の領域を容易に検出でき、効率的に書込み処理を再開することができるＩＣカード１およびＩＣカード処理システムを提供できる。 - 特許庁

To provide an image reader that can write data to a flash memory through DMA transfer with an issued automatic write command not through a CPU, select an SDRAM or the flash memory in the case of using shading correction data actually and prevent the performance from being deteriorated.例文帳に追加

ＣＰＵを介さず自動書込みコマンド発行付きのＤＭＡ転送によりフラッシュメモリに書込みが行え、また実際にシェーディング補正データを使用する時にもＳＲＡＭ／フラッシュメモリの切替ができ、パフォーマンスも低下することを防ぐことができる画像読取装置を提供すること。 - 特許庁

A normal data/verification data selector 6 selects verification data instead of memory write data in a verification mode, and also, a normal check bit/verification check bit selector 7 selects a verification check bit to the verification data instead of a check bit to the memory write data in the verification mode.例文帳に追加

通常データ／検証データ・セレクタ６は、検証モード時には、メモリ書き込みデータに代わって検証データを選択し、また、通常チェックビット／検証チェックビット・セレクタ７は、検証モード時には、メモリ書き込みデータに対するチェックビットに代わって検証データに対す検証チェックビットを選択する。 - 特許庁

The user data write control section 6 writes user data stored in a user data storage section 4 conforming to a previously set user type in an address except the bad block of the memory 1 to be tested conforming to a write format stored in a format storage section 8 through the control section 3 successively from the head address.例文帳に追加

ユーザデータ書込制御部６は予め設定されたユーザータイプに従ってユーザデータ記憶部４に記憶したユーザーデータを、フォーマット記憶部８に記憶された書込みフォーマットに従い被検メモリ１のバッドブロック以外のアドレスに先頭アドレスから順次メモリ制御部３を介して書き込む。 - 特許庁

The voltage of a charged body layer 2b is regulated at a part of the charged body layer 2, contacted by a write electrode by a surface potential regulation member 8 arranged to be brought into contact with the charged body layer 2b of the image carrier 2 in between the write electrode 3b and a transfer roller 6a.例文帳に追加

書込電極３ｂと転写ローラ６ａとの間で像担持体２の帯電体層２ｂに接触して配設された表面電位調整部材８により、書込電極３ｂが接触する帯電体層２ｂの部位での帯電体層２ｂの電圧が調整される。 - 特許庁

A circuit 30 for forcibly changing an operation state changes an internal circuit operation into a read-out operation state when the change of an address signal is detected by an address transition detecting circuit 10, a write-in signal (WE bar) is in a L state and write-in access is externally specified.例文帳に追加

動作状態強制変更回路３０は、アドレス遷移検出回路１０でアドレス信号の変化が検出され、かつ、書込み信号（ＷＥバー）がＬ状態で外部から書込みアクセスの指定がある場合、内部回路動作を強制的に読出し動作状態にする。 - 特許庁

The digital sound recording device of this invention includes an input unit, a storage unit, a data communication unit, and a processor, then further a write protection unit is included between the storage device and the data communication unit, thereby, it is prevented that write control is performed on the storage unit by the external unit.例文帳に追加

本発明のデジタル録音装置は、入力装置、記憶装置、データ通信装置、およびプロセッサを含み、記憶装置とデータ通信装置との間に書き込み防止装置をさらに含むことにより、外部装置から前記記憶装置に書き込み制御を行うことを防止することを特徴とする。 - 特許庁

A dispatcher 1221 sets, when it is instructed that a task to be executed next is a task to be debugged, a specific write address to be write-accessed by the task to be debugged, a specific read address to be read-accessed thereby, or a specific instruction address of a breakpoint to be executed thereby in a debugging register 111.例文帳に追加

ディスパッチャ１２１１は、次に実行すべきタスクがデバッグ対象のタスクであることを指示されると、デバッグ対象のタスクがライトアクセスする特定のライトアドレス、リードアクセスする特定のリードアドレス、または、実行するブレークポイントの特定の命令アドレスをデバックレジスタ１１１に設定する。 - 特許庁

When it is judged that the bicycle is approaching the intersection based on the ID data of the RFID tag 300 supplied from the RFID read/write part B220 and the RFID read/write part A210, the display unit 100 warns by displaying notification information constituted of predetermined characters or graphics.例文帳に追加

表示器１００は、ＲＦＩＤリードライト部Ｂ２２０およびＲＦＩＤリードライト部Ａ２１０からそれぞれ供給されるＲＦＩＤタグ３００のＩＤデータに基づいて自転車が交差点に接近していると判断した場合、所定の文字や図形からなる通知情報を表示して警告する。 - 特許庁

Further, the device is provided with a switching control signal PCS input terminal 16, a write pulse control signal WPC input terminal 18, and a sense amplifier pulse control signal SAPC input terminal 20, and the write pulse signal WP and the sense amplifier pulse signal SAP can be externally controlled.例文帳に追加

切り換え制御信号（ＰＣＳ）入力端子１６と、書込みパルス制御信号（ＷＰＣ）入力端子１８、センスアンプパルス制御信号（ＳＡＰＣ）入力端子２０を設けて、書込みパルス信号ＷＰ及びセンスアンプパルス信号ＳＡＰの外部からの制御を可能とした。 - 特許庁

To prevent potential drop due to drop of positive voltage when raising negative voltage even in a batch write operation in a nonvolatile semiconductor memory device using positive voltage and negative voltage in write/erase-operation for nonvolatile memory cells.例文帳に追加

不揮発性メモリセルに対する書込み動作／消去動作時に、正電圧および負電圧を使用する方式の不揮発性半導体記憶装置において、一括書込み動作を行う場合でも、負電圧の立ち上げ時に正電圧の電位が引き下げられて電位が下降する現象を防止する。 - 特許庁

When the switch 13 is switched to select the write mode position, the control circuit part 10 transmits a command for switching the communication circuit part 20 to the write mode of the subscriber inherent information to the communication circuit part 20 through a harness 23.例文帳に追加

これに対し、スイッチ１３が切り換えられて書込モード位置が選択されると、制御回路部１０から通信回路部２０に対して、その通信回路部２０を加入者固有情報の書込モードに切り換えるためのコマンドが、ハーネス２３を通じて送信されるようにする。 - 特許庁

When each GPP performs access to the DPRAM 26 in timing which is asynchronous with the clock signal, the FPGA 240 raises write completion interruption to each GPP according as one GPP writes data in an asynchronous area in order to transmit write completion notification to the other GPP.例文帳に追加

各ＧＰＰがクロック信号に対し非同期のタイミングでＤＰＲＡＭ２６にアクセスする場合、ＦＰＧＡ２４０は、一方のＧＰＰの非同期エリアへのデータ書き込みに応じて、もう一方のＧＰＰに対して書込み完了通知を発信するために、書込み完了割込みをあげる。 - 特許庁

The pit level LVP is obtained after the variation part of the write RF signal WRF is smoothed by the LPF 203, so the pit level LVP can stably be obtained without being affected by the multi-pulse train and the write power can stably be controlled.例文帳に追加

書き込みＲＦ信号ＷＲＦの変動部分をＬＰＦ２０３で平滑化した後にピットレベルＬＶＰを得る構成としたことで、ピットレベルＬＶＰをマルチパルス列の影響を受けることなく安定して得ることができ、ライトパワーの制御を安定して行うことが可能となる。 - 特許庁

In the SDRAM refresh control device for interrupting burst read or burst write processing by a command and executing refresh processing a predetermined number of times in all predetermined refresh periods, the refresh processing is executed during an idle period in which the burst read or burst write processing is not executed.例文帳に追加

コマンドによるバーストリードまたはバーストライト処理に対して割り込んで、所定の全リフレッシュ期間内に所定回数のリフレッシュ処理を実行するＳＤＲＡＭリフレッシュ制御装置において、 前記バーストリードまたはバーストライト処理が実行されていないアイドル期間に、前記リフレッシュ処理を実行する。 - 特許庁

To provide an oily ink composition for a ballpoint pen, showing little blurring upon starting to write, so as to solve such problems that when a ballpoint pen is left to stand without a cap, the ink is dried at an ink discharge aperture to produce a resin film due to volatilization of a solvent even in a minute amount, and this induces blurring upon starting to write.例文帳に追加

キャップをしないで放置しておくと、僅かでも溶剤が揮発することによって、インキの吐出開口部でインキが乾燥して樹脂の皮膜が発生してしまい、書き出し時に、カスレてしまうため、書き出し時のかすれが少ないボールペン用油性インキ組成物を提供する。 - 特許庁

This semiconductor memory has a data transmission line pre-charge circuit to make a pre-charge potential of a data transmission line a first potential in a first write mode in which data is not masked, and to make this pre-charge potential of the data transmission line a potential different from the first potential in the second write mode masking the data.例文帳に追加

データマスクを行わない第１のライトモードのときにデータ伝送線のプリチャージ電位を第１の電位とし、データマスクを行う第２のライトモードのときに前記データ伝送線のプリチャージ電位を前記第１の電位とは異なる電位とする制御を行うデータ伝送線プリチャージ回路を備える。 - 特許庁