SA Nとは 意味・読み方・使い方

A fluctuation calculation result Sa is obtained by each subcarrier (1,..., n) from the data part 10b of the known signal 10.例文帳に追加

既知信号１０のデータ部分１０ｂでは、サブキャリア（１…ｎ）毎に、変動量計算結果Ｓａを求め得る。 - 特許庁

Also, Transistors QN2 and QN3 constituting a current mirror extract an operation current n accordance with a pass current passing through transistors QP1 and QP5 from the sense nodes SA, /SA.例文帳に追加

また、カレントミラーを構成するトランジスタＱＮ２およびＱＮ３は、トランジスタＱＰ５およびＱＰ１を通過する通過電流に応じた動作電流をセンスノードＳＡ，／ＳＡから抽出する。 - 特許庁

Each of n-output switching sections (131, 132, ..., 13n) corresponds to each of the n-first input signals and each of the n-second input signals, and outputs either the first or the second input signal corresponding to the output switching section as a multiplexed signal (C1, C2, ..., Cn) according to the control pulses (Sa, Sb).例文帳に追加

ｎ個の出力切替部(131,132,…,13n)は、それぞれ、ｎ本の第１の入力信号およびｎ本の第２の入力信号に対応し、制御パルス(Sa,Sb)に応じて自己に対応する第１および第２の入力信号のうちいずれか一方を多重化信号(C1,C2,…,Cn)として出力する。 - 特許庁

The sheet bundle Sa can be folded at a predetermined portion by pushing the predetermined portion of the sheet bundle Sa into a nip part N between a pair of rotating bodies 57a, 57b with a pushing-in means 55.例文帳に追加

押し込み手段５５によってシート束Ｓａの所定の位置を一対の回転体５７ａ，５７ｂのニップ部Ｎに押し込むことにより、シート束Ｓａを所定の位置で折り曲げるようにする。 - 特許庁

With respect to a block LNDB of an N-dimensional (N is an integer of 2 or more) layered structure, address operation for an N-layer data block in a source area or a destination area is executed based on a start address SA, a data length DL, N offsets L(i)-offset and N block numbers L(i)-n.例文帳に追加

Ｎ次元（Ｎは２以上の整数）の階層構造のブロックＬＮＤＢについて、第０階層のＬ０ＤＢから順に、スタートアドレスＳＡと、データ長ＤＬと、Ｎ個のオフセットＬ（ｉ）−ｏｆｆｓｅｔと、Ｎ個のブロック個数Ｌ（ｉ）−ｎとに基づいて、ソース領域またはディスティネーション領域におけるＮ階層データブロックのためのアドレス演算を実行する。 - 特許庁

An anode electrode 12 is formed on the exposed part of an N type semiconductor area 14 to one main surface SA of a semiconductor base 11 and a cathode electrode 13 is formed on the exposed part of an N^+ semiconductor area 16 to one main surface SA of the semiconductor base 11.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域１４の半導体基体１１の一方の主面ＳＡへの露出部分にアノード電極１２を形成し、Ｎ^＋型コンタクト領域１６の半導体基体１１の一方の主面ＳＡへの露出部分にカソード電極１３を形成する。 - 特許庁

A focus data creating part 3 creates focus data relative to the transmission of inside the two-dimensional array 2 and focus data relative to the receiving of the inside of the sub arrays SA(n), and the data are stored in data storage means D(n, i) and supplied to the transmission circuits P(n, i) and the receiving sub beam formers RB(n).例文帳に追加

フォーカスデータ発生部３は、２次元アレイ２の内部の送信に関する相対のフォーカスデータと、サブアレイＳＡ（ｎ）の内部の受信に関する相対のフォーカスデータを発生し、データ記憶手段Ｄ（ｎ、ｉ）に記憶され、送信回路Ｐ（ｎ、ｉ）と受信サブビームフォーマＲＢ（ｎ）に供給される。 - 特許庁

A delay analysis arithmetic circuit 110 uses the fluctuation calculation result Sa by each subcarrier (1,..., n) to analyze a delay wave (step 302).例文帳に追加

遅延分析演算回路１１０では、サブキャリア（１…ｎ）毎における変動量計算結果Ｓａを用いて遅延波解析を行う（ステップ３０２）。 - 特許庁