「ſtrained」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, a semiconductor element is formed on the semiconductor wafer 12 on which the silicon-germanium film and a strained silicon film are formed.例文帳に追加

その後、シリコンゲルマニウム膜および歪シリコン膜が形成された半導体ウエハ１２に半導体素子が形成される。 - 特許庁

It is preferable that the fermentation raw material is sesame seeds, roasted sesame, roasted sesame oil, un-roasted sesame salad oil, sesame strained lees, or sesame deodorized scum.例文帳に追加

前記発酵原料は、ゴマ種子、焙煎ゴマ、焙煎ゴマ油、未焙煎ゴマサラダ油、ゴマ搾り粕又はゴマ脱臭スカムであるのが好ましい。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING STRAINED CRYSTALLINE LAYER ON INSULATOR, SEMICONDUCTOR STRUCTURE BY SAME METHOD, AND MANUFACTURED SEMICONDUCTOR STRUCTURE例文帳に追加

絶縁体上に歪み結晶層を製造する方法、前記方法による半導体構造及び製造された半導体構造 - 特許庁

A strained silicon layer 35 is formed only on the drain region of a distorted silicon layer 23 by epitaxial growth method.例文帳に追加

歪シリコン層２３のドレイン領域上だけにエピタキシャル成長法を使用して歪シリコン層３５を形成する。 - 特許庁

To provide an ethylene-propylene-based copolymer rubber composition capable of retaining durability even under a highly strained condition.例文帳に追加

高歪でも耐久性を保持することが可能なエチレン・プロピレン系共重合ゴム組成物を提供すること。 - 特許庁

The required length of the long electric conductor (2) is readied and the conductor (2) is strained by applying a tensile stress.例文帳に追加

細長導体（２）の必要な長さが準備され、導体（２）が引張応力の適用によって緊張される。 - 特許庁

To provide buckwheat jam and buckwheat sweetened and jellied paste each having living feeling on the tongue, flavor and aroma peculiar to buckwheat flour and having sense of strained adzuki bean without leaving undissolved lump of flour.例文帳に追加

蕎麦粉が持つ特有の舌ざわりや風味、香りが生き、またダマが残ることなく、小豆漉し感触の蕎麦餡、蕎麦羊羹を提供する。 - 特許庁

A first multilayered structure 10 of a strained Si layer 14 and tensile strain SiGe alloy layer 16 constitute on a relaxation SiGe alloy layer 12.例文帳に追加

緩和ＳｉＧｅ合金層１２上に歪みＳｉ層１４及び引っ張り歪みＳｉＧｅ合金層１６の第一多層化構造１０を構成する。 - 特許庁

In the present invention, a strained Si layer is formed on a semiconductor material, a second semiconductor layer, or both of them.例文帳に追加

本発明の方法では、半導体材料、第２の半導体層、またはその双方の上に、歪みＳｉ層を形成する。 - 特許庁

Consequently, strained stress caused in the interface between the buried silicon oxide film 12 and the bulk layer 14 can be reduced, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

その結果、埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a relaxed SiGe substrate at reduced cost by shortening the time required for implanting hydrogen ions into a strained SiGe substrate for relaxation.例文帳に追加

水素イオン注入による歪ＳｉＧｅへの緩和の際のイオン注入処理時間を低減してコスト低減する． - 特許庁

A strained silicon layer forming the first channel region has a grating constant different from that of its background layer.例文帳に追加

第１チャネル領域を形成する歪みシリコン層は、その下地層の格子定数とは異なる格子定数を有する。 - 特許庁

Consequently, the penetration dislocation density of the strained Si layer 14 epitaxially grown on the substrate 11 is reduced significantly.例文帳に追加

その結果、シリコン・ゲルマニウム基板１１上にエピタキシャル成長させる歪みＳｉ層１４の貫通転位密度は、大幅に低減される。 - 特許庁

To provide a controlling technology for a video game which can effectively bring about original and unique strained feeling and reality.例文帳に追加

斬新で、独特の緊迫感、リアルさを有効に醸し出すことのできるビデオゲームの制御技術を提供する。 - 特許庁

A certain region 108 of a strained material layer 104 is kept free of impurities that can interdiffuse from adjacent portions of a semiconductor.例文帳に追加

ひずみ材料層１０４の特定の領域１０８は、半導体の隣接する部分から相互拡散することができる不純物を無い状態にしておく。 - 特許庁

To effectively utilize industrial wastes by-produced in the production of a liquor, such as strained lees, by-produced in a process for producing wine or beer.例文帳に追加

ワインやビールを製造する過程で発生する絞りかすなどの酒類製造中に生ずる産業廃棄物の有効利用を提供する。 - 特許庁

According to the present invention, the strained Si layer has the same crystal orientation as either of a regrown semiconductor layer or the second semiconductor layer.例文帳に追加

本発明によれば、歪みＳｉ層は、再成長半導体層または第２の半導体層のいずれかと同じ結晶方位を有する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING STRAINED Si LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタ - 特許庁

To provide a manufacturing method for manufacturing a strained silicon substrate wafer having less dislocation and a SiGe layer in which strain is relaxed.例文帳に追加

より転位が少なく、かつ歪み緩和されたＳｉＧｅ層を有する歪みシリコン基板ウエハを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a MOS transistor, having a strained silicon region, can be made high in its performance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

歪みシリコン領域を有するＭＯＳトランジスタの高性能化を図る半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer which is used for formation of a strained layer and has a high resistance against dislocation.例文帳に追加

歪み層形成に供されるウェーハで転位発生に対して耐性が高いエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

Next, a dielectric gate comprising an oxide or a high k material or a combination thereof, for example, can be formed on the surface of the strained Si film.例文帳に追加

次に、例えば酸化物、高ｋ材料、またはこの２つの組合せのような誘電体ゲートを、歪みＳｉ膜の表面に形成することができる。 - 特許庁

To provide an optical head device in which a synthetic resin made optical element mounted on a base is not strained and also the positional deviation of the element does not occur.例文帳に追加

ベース上に搭載された合成樹脂製の光学素子に歪みが発生せず、かつ、位置ずれが発生しない光ヘッド装置を提供すること。 - 特許庁

The silicon layer 42 becomes a strained silicon layer because its lattice constant is different from that of the second SiGe layer 41 as a base layer.例文帳に追加

シリコン層４２は、下地の第２のＳｉＧｅ層４１との格子定数の違いにより歪みシリコン層となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with strained silicon technology exhibiting effects applied even in a microfabricated structure, and its method for manufacturing.例文帳に追加

微細化された構造においても効果を発揮する歪みシリコン技術を適用した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Even when the external electrode 4a, 4b is strained, the leaf springs 11 and 12 deform to copy the surface thereof thus realizing entire surface contact state.例文帳に追加

板バネ１１，１２は、外部電極４ａ，４ｂに歪み等があった場合にも、その表面に倣って変形し、全面接触状態が実現される。 - 特許庁

In this constitution, even if the housing 70 is strained, the strain is absorbed by the spring washer 84.例文帳に追加

かかる構成により，筐体７０に歪みが生じていても，その歪みがバネワッシャー８４により吸収される。 - 特許庁

To suppress relaxation of strain of an active layer even when a strained semiconductor element is formed on a fine active layer.例文帳に追加

微細な活性層上にひずみ半導体素子を形成しても、活性層のひずみの緩和を抑制することを可能にする。 - 特許庁

To provide soybean curd containing a large amount of nutrient and fiber content by effectively using bean curd refuse disposed as strained lees.例文帳に追加

絞りかすとして処理されているおからを有効に活用して、栄養分及び繊維分を多量に含んだ豆腐を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a strained silicon substrate wafer having a layer which is further reduced in dislocation and relieved in strain.例文帳に追加

より転位が少なく、かつ歪み緩和された層を有する歪みシリコン基板ウエハを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

In the heating method using the electromagnetic wave, the metal mask 350 is not held at high temperature, so that the metal mask 350 is prevented from being strained.例文帳に追加

電磁波を用いる加熱方法は、メタルマスク350を高温にしないため、メタルマスク350の歪みを防止できる。 - 特許庁

Further improvement in efficiency is attained by using a strained Si channel for LDMOS at an output stage of high frequency power amplification.例文帳に追加

高周波電力増幅用出力段LDMOSに、歪Siチャネルを用いることで更なる効率向上を実現する。 - 特許庁

Each support wire 12 is wound from the fixed pulley to the running block, and strained between the support body 21 and the work vehicle body 2.例文帳に追加

支持用ワイヤ１２は定滑車から動滑車にかけて巻装し、支持体２１と作業車本体２間に張設してある。 - 特許庁

In another embodiment, a strained (compressed) very thin InGaP, InGaAs or AlInGaP layer is grown on a GaAs substrate.例文帳に追加

別の実施形態では、歪んだ（圧縮された）非常に薄いＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、又はＡｌＩｎＧａＰ層をＧａＡｓ基板上に成長させる。 - 特許庁

The foregoing structure increases hole mobility in a compressively strained SiGe channel, and therefore it is advantageous to PMOS.例文帳に追加

これらの構造は、圧縮歪みＳｉＧｅチャネル内の正孔移動度が増大する故に特にＰＭＯＳに有利である。 - 特許庁

To provide a technology to reduce the on-state resistance of a power MISFET, while suppressing the occurrence of defects in strained silicon layer.例文帳に追加

歪シリコン層における欠陥の発生を抑制しながらパワーＭＩＳＦＥＴのオン抵抗を低減することができる技術を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURES EMPLOYING STRAINED MATERIAL LAYER WITH DEFINED IMPURITY GRADIENT, AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME例文帳に追加

画定された不純物勾配を有するひずみ材料層を使用する半導体構造、およびその構造を製作するための方法。 - 特許庁

A change in the temperature is detected by the quantity of a shift in wavelength produced when the metal piece 14 is extended and strained by a temperature change, and extension and strain are applied to the FBG 10.例文帳に追加

温度変化で金属片14に伸び歪みが発生し、ＦＢＧ10に伸び歪みが加わったときの波長シフト量から温度変化を検出する。 - 特許庁

To measure support points of a wire electrode in a diagonally strained state, by upper and lower guides, without straining the wire electrode but by using measuring members.例文帳に追加

ワイヤ電極の傾斜張架時の上下ガイドによる支持位置を、ワイヤ電極を張架せずに、測定用部材を用いて測定すること。 - 特許庁

The male housing 10 is inserted smoothly into the mounting hole 2 with a given rotating posture while being strained.例文帳に追加

雄ハウジング１０が振れ止めされつつ所定の回動姿勢を取って取付孔２内にスムーズに挿通される。 - 特許庁

To form a pnp bipolar transistor without deteriorating characteristics in the manufacturing process of a CMOSFE having a strained channel MOSFET.例文帳に追加

歪みチャネルＭＯＳＦＥＴを有するＣＭＯＳＦＥの製造工程内で、特性の劣化をきたすことなくＰＮＰバイポーラトランジスタを形成する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a low defect, strained second semiconductor crystalline material over the surface of the first crystalline material.例文帳に追加

半導体デバイスは、第１の結晶材料の表面上に低欠陥の歪んだ第２の半導体結晶材料を含む。 - 特許庁

To prevent a belt part from being strained and becoming unstable during walking in a sandal which belt part can slide forward and backward of the sandal base.例文帳に追加

ベルト部がサンダル台の前後方向にスライド可能なサンダルにおいて、歩行中等にベルト部が歪み不安定になることを防止する。 - 特許庁

To provide a solid fuel suitable for thermal power generation using fruit seeds or their strained lees of a plant inhabiting in natural environment with a large quantity.例文帳に追加

自然界に大量に生息する植物の果実の種子またはその搾りかすを利用して火力発電用に適した固体燃料を提供する。 - 特許庁

To create surface processing data for forming a less-strained, impressive grained pattern on a product surface even when a product shape is not a developable surface.例文帳に追加

可展面でない製品形状であっても、製品表面に歪みの少ない、見栄えの良い絞が形成される表面加工データを作成する。 - 特許庁