「げっこうじ」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

原料ターゲットのターゲット核として、原子炉内で^２３５Ｕの核分裂反応で生成された廃棄物^１００Ｍｏを用いることが生成効率をより一層向上させる観点から好ましい。例文帳に追加

A waste ^100Mo generated by a nuclear fission reaction of ^235U in a nuclear reactor is preferably used as the nuclei of the raw material target, from the view point of enhancing the generation efficiency. - 特許庁

スパッタ工程において導電性ターゲットの使用効率を向上できるスパッタリング用ターゲットとこれを含むスパッタチャンバー及びスパッタリング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target capable of improving the using efficiency of a conductive target at a sputtering process, a sputtering chamber including the sputtering target and a sputtering method. - 特許庁

これにより、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺を含むほぼ全面に亘って生じさせるもしくは移動させることが可能となり、ターゲットの利用効率の向上を図ることができる。例文帳に追加

Thus, the high density area of plasma can be generated over or moved to the substantially entire surface including the periphery of the outer edge of the target, and the use efficiency of the target can be enhanced. - 特許庁

半導体基板においてゲッタリングされた不純物金属の再拡散を抑止でき、デバイス活性領域の洗浄度を向上させたゲッタリング方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a gettering method, capable of suppressing the rediffusion of impurity metal gettered in a semiconductor substrate, and improving degree of cleaning a device active region. - 特許庁

シミュレート時の実行時間がターゲット装置の動作に影響を与えることなく、ターゲットプログラムのデバックが行えるシミュレータプログラム及びシミュレータ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a simulator program which can debug a target program without allowing simulation execution time to exert influence on the operation of a target device and to provide a simulator apparatus. - 特許庁

ターゲットの利用効率を向上し、ターゲットとマグネットとを近接に配置しても異常放電の発生を低減可能なスパッタ成膜装置および膜の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a sputtering film deposition apparatus and a method for manufacturing the film, wherein the target utilizing efficiency is improved and occurrence of abnormal discharge is reduced even when a target and a magnet are arranged close to each other. - 特許庁

高周波あるいは高周波と直流が重畳された電源を用いたスパッタリングにおいて成膜レートを低下させることなく、ターゲット外周端部の侵食を促進しターゲット材料利用効率を向上させる。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus which uses a high-frequency power source or a direct-current power source superimposed by the high-frequency power, and has an improved use efficiency for a target material by promoting erosion in the peripheral part of the target without decreasing a film-deposition rate. - 特許庁

ＰＴＦが低く漏れ磁束が小さいターゲットのＰＴＦを高くして、成膜速度を高めるとともに、厚肉のターゲットの使用を可能にし、生産性の向上を図る。例文帳に追加

To provide a sputtering target which increases deposition speed by enhancing PTF of the target having low PTF and reduced leakage magnetic flux, enables the use of a thick target and can improve productivity. - 特許庁

高速移動するターゲットのコヒーレント積分利得を維持し、低速移動するターゲットのコヒーレント積分利得を高め、到来方向推定精度を向上する。例文帳に追加

To provide a radar device that increases a coherent integration gain of a target moving at a low speed while maintaining a coherent integration gain of a target moving at a high speed to improve accuracy of arrival direction estimation. - 特許庁

軟Ｘ線発生管において、ターゲット部分の放熱効率を向上させることにより、ターゲット寿命を延長した軟Ｘ線発生管を提供すること。例文帳に追加

To provide a softer X-ray generation tube in which the life of a target is prolonged by improving the heat radiation efficiency of a target portion in the softer X-ray generation tube. - 特許庁

均一な粒径のＷターゲットが得られ、それによりスパッター時のパーティクルやシート抵抗値が低下し、製品生産性並びに歩留を顕著に向上し得るスパッターリングターゲット材を提供すること。例文帳に追加

To provide a sputtering target material with which a W target having a uniform particle size can be obtained, thereby particles and the reduction of sheet resistance value at the time of sputtering are reduced, and the productivity and yield in products can be remarkably improved. - 特許庁

ターゲットが液体／固体でありながらガス発生量を少くでき、かつターゲットから発生するＸ線の変換効率又は発生効率を向上できる。例文帳に追加

To reduce gas generating amount of a target which is although liquid/ solid, and also, to improve conversion efficiency or generation efficiency of X-ray generating from the target. - 特許庁

ＩＺＯスパッタリングターゲットの製造において、ＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を維持しつつ、工程を削減することにより生産性の向上及び製造コストの低減が可能となる製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an IZO sputtering target which makes it possible to improve the productivity and reduce the cost by curtailing the processes while maintaining the characteristics as an IZO sputtering target. - 特許庁

成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，ＢにＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。例文帳に追加

A DC voltage is applied to a set of targets A, B that are opposingly arranged in a film-forming chamber 124 while at least one of them is made of highly pure zinc for sputtering by plasma generated between both the targets A, B. - 特許庁

成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。例文帳に追加

A DC voltage is applied to a set of targets A, B that are opposingly arranged in a film-forming chamber 124 while at least one of them is made of highly pure zinc for sputtering by plasma generated between both the targets A, B. - 特許庁

ゲッター支持部材の弾性力を低減させることなく、ゲッター支持部材に発生する渦電流を低減することにより、偏向磁界の乱れによる画像歪のない陰極線管を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a cathode-ray tube having no image distortion due to disturbance in a deflecting magnetic field by reducing an eddy current generated in a getter supporting member without reducing an elastic force of the supporting member. - 特許庁

本発明は、ターゲット侵食量、ワーク形状が変わってもターゲット‐基板間距離を調整する必要がなく生産性が向上できるスパッタリング方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a sputtering method capable of improving productivity without the need for adjusting a distance between target substrates even if an amount of erosion of the targets and the shape of a work change. - 特許庁

特に軽元素ターゲットを用いたスパッタリングにおいて、ターゲット材料利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするスパッタリング装置の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus with which efficiency of using a target material is improved and dust and abnormal discharge are suppressed, especially in a sputtering using a light element target. - 特許庁

ターゲットの加工方法を向上させて応力によるクラックの発生等を防止したスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target for preventing generation of cracks or the like caused by the stress by improving a target working method, and a manufacturing method thereof. - 特許庁

これによればターゲット材料以外からなる部材がスパッタされることを防止し、膜中への不純物混入を起こすことなくターゲット材料利用効率を向上させることが可能である。例文帳に追加

In this way, the phenomenon that members other than the target material are sputtered is prevented, and the utilizing efficiency of the target material can be improved without causing the intrusion of impurities into a film. - 特許庁

スパッタリングターゲットと銅のバッキングプレートとを接合材で接合したスパッタリングターゲット接合体において、接合力が向上した接合体を提供する。例文帳に追加

To provide a joined body improved in joining fore in a sputtering target joined body in which a sputtering target and a backing plate of copper are joined by a joining material. - 特許庁

磁気記録媒体の信号雑音比が向上され及び面記録密度が増強された記録層を得る為のスパッタリングターゲット、及び該スパッタリングターゲットから形成された磁気記録媒体の記録材料を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target that improves signal-noise ratio of a magnetic recording medium and obtains a recording layer in which surface recording density is increased, and to provide a recording material of the magnetic recording medium formed from the sputtering target. - 特許庁

イン・ステムビーコン型プローブのターゲット核酸とのハイブリダイゼーション能を確保して、ターゲット核酸の検出感度を向上させることのできるイン・ステム型ビーコン型プローブのハイブリダイゼーション剤を提供する。例文帳に追加

To provide a hybridization agent for an in-stem beacon-type probe securing hybridization potency of the in-stem beacon-type probe with a target nucleic acid, and improving detection sensitivity of the target nucleic acid. - 特許庁

成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。例文帳に追加

A DC voltage is applied to a set of targets A, B which are disposed facing each other in a film formation chamber 124 and at least one of which consists of zinc of high purity, and they are sputtered by plasma generated between both the targets A, B. - 特許庁

厚みが５ｍｍを超える大型の矩形又は円盤状のターゲットにおいても９９％以上の高密度を備え、強度が著しく向上したターゲット等の焼結体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sintered body which contains a high density of 99% or more even in a large-sized rectangular or disc-like target which has a thickness of more than 5 mm to enhance a strength conspicuously, and its manufacturing method. - 特許庁

大型の焼結ターゲット材をＨＩＰ法により製造する方法において、充填むらを発生させることなく、容易に充填密度を向上させるターゲット材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a target material which easily enhances pack density without causing packing irregularity, in a method for manufacturing a large sintered target material with a HIP method. - 特許庁

高純度ＴａＮからなるスパッタターゲットであって、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された (101)面のピーク強度と (110)面のピーク強度の比（(101)/(110))が0.49±30% 以内である。例文帳に追加

In a sputtering target of high-purity TaN, the intensity peak ratio (101) plane:(110) plane is 1: 0.49±30%, where the intensity peaks are measured on the surface of the target through an X-ray diffraction method. - 特許庁

本発明によれば、ターゲット領域と背景領域の効果的な分離が可能となり、ターゲット抽出性能の信頼性を向上させることができる。例文帳に追加

According to the present invention, it is possible to effectively separate the target region and the background region and it is possible to improve reliability in target extracting performance. - 特許庁

3Ｒ（スリーアール）推進月間は、平成3年10月に施行された再生資源利用促進法の中で1Ｒ（リサイクル）の取組促進が講じら れたことにより、リサイクル推進月間として始まりました。例文帳に追加

October is a month for promoting 3Rs  - 経済産業省

本発明は、真空チャンバー内に配置されたオゾンに対して不活性で且つ熱伝導性の良い材料から成るターゲット基板を冷却し、ターゲット基板上に高純度オゾンガスを供給することで高純度オゾンガスをターゲット基板上に固体オゾンとして吸着する工程とにより高濃度オゾン含有ガスの貯蔵する。例文帳に追加

The high concentration ozone-containing gas is stored by a process for adsorbing high purity ozone gas on a target substrate as solid ozone by cooling the target substrate composed of a material arranged in a vacuum chamber, inert to ozone and having good heat conductivity and supplying the high purity ozone gas on the target substrate. - 特許庁

仮想ターゲットの前記有効状態と無効状態との切り替えに伴って、各仮想ターゲットのポートＩＤが変わってしまうことがなく、これにより、ホストコンピュータが仮想ストレージ装置にアクセスする際に、仮想ターゲットを特定するのに支障が生じることのないストレージ仮想化スイッチを提供する。例文帳に追加

To provide a storage visualization switch without causing any obstacle in order to specify a virtual target when a host computer performs access to a virtual storage device by preventing a port ID of each virtual target from being changed according to the switching of the valid state and invalid state of a virtual target. - 特許庁

高純度コバルト強磁性体ターゲットの実効あるスパッタリングが可能であり、またバッキングプレートとの接合時及びハイパワースパッタの過酷な条件下でも、反りや剥れの発生が防止できる高純度コバルトターゲットとバッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a diffusedly joined target assemblage of a high purity cobalt target with a backing plate with which a high purity cobalt ferromagnetic target can effectively be sputtered, and the occurrence of warpage and peeling can be prevented even at the time of being joined with the backing plate and in the severe conditions of high power sputtering, and to provide its production method. - 特許庁

高純度Ｎｉ−Ｖ合金、同Ｎｉ−Ｖ合金からなるターゲット及び同Ｎｉ−Ｖ合金薄膜並びに高純度Ｎｉ−Ｖ合金の製造方法例文帳に追加

HIGH-PURITY NI-V ALLOY, TARGET COMPOSED OF THE NI-V ALLOY, THIN FILM OF THE NI-V ALLOY, AND METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY NI-V ALLOY - 特許庁

バッキングプレートのボンディングタイプに比べてターゲット５の冷却性能が向上し、高速のスパッタリングが可能になり、大幅な生産性向上を実現可能とした。例文帳に追加

Compared to the case of the bonding type of a backing plate, the cooling performance of the target 5 is improved, high speed sputtering is made possible, and the remarkably improvement of the productivity can be realized. - 特許庁

ターゲットとして好適な酸素、炭素量が少なく、高純度であって、焼結助剤を用いることなく密度を向上させたホウ化ランタン焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a lanthanum boride sintered compact which contains less amounts of oxygen and carbon suitable as a target, has high purity, and which is improved density without using a sintering agent. - 特許庁

スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive oxide as a target enabling high deposition rate of an oxide semi-conductor film by the sputtering, and high etching rate of the deposited oxide semi-conductor film. - 特許庁

またＯ，Ｎの含有量を合計１ｐｐｍ以上とすることによりＡｌの酸化物、窒化物を微細に分散させてターゲットの硬度を高め、機械加工時の被削性を向上させ、バリの発生を抑制して異常放電を防ぐ。例文帳に追加

Moreover, the contents of O and N as finely dispersed oxides and nitrides of Al are limited to ≥1 ppm in total to increase the hardness of the target, by which machinability is improved and the of burr is suppressed to prevent abnormal discharge. - 特許庁

特殊なターゲット基板を用いることなく、正確な位置決めを可能とし、これにより歩留まりの向上および精度の向上を図った微小構造体の製造方法および製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method and a manufacturing device for a micro structure to improve yield and precision by precisely positioning the micro structure without using a special target substrate. - 特許庁

制御電極の開口軸と制限構造体の開口軸とを高精度に位置決めし、電子を損失することなくターゲットに照射させ、また不要なＸ線の発生を低減する。例文帳に追加

To irradiate a target with no loss of electrons by aligning the axis of the opening of a control electrode and the axis of the opening of a limitation structure with high accuracy, and to reduce generation of unnecessary X-rays. - 特許庁

スパッタ粒子が基板以外の領域に発散し難くでき、これにより成膜速度を向上させることができ、さらにターゲット材の利用効率を向上させることができるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering method and a sputtering system by which sputtering particles are less liable to be diffused to the region other than a substrate, thus a film deposition rate can be improved, and further, the utilization efficiency of a target material can be improved. - 特許庁

ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a high-purity hafnium which is obtained by an efficient, stable production method and in which the zirconium content contained in hafnium is reduced, and also to provide a target and a thin film comprising the hafnium, and a production method of the high-purity hafnium. - 特許庁

スパッタ装置において、真空室内での異常放電の発生を抑制してパーティクルの発生を無くし、半導体ウエハ上に形成される製品の製造歩留りの向上を図り、かつターゲットの消費効率を向上させて装置の稼働率向上を図る。例文帳に追加

To inhibit formation of particles by inhibiting occurrence of abnormal discharge in a vacuum chamber in a sputtering apparatus, to improve a manufacturing yield of a product formed on a semiconductor wafer, and to increase an operating efficiency of an apparatus by improving consumption efficiency of a target. - 特許庁

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法及び同高純度ニッケルターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a high-purity nickel target for magnetron sputtering which gives the film satisfactory thickness uniformity and plasma a satisfactory ignition property, even in a manufacturing process for a 300 mm wafer, and to provide a high-purity nickel target. - 特許庁

ＩＺＯスパッタリングターゲットの製造において、ＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を維持しつつ、工程を削減し、かつ焼結温度を下げることにより生産性の向上及び製造コストの低減が可能となる製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an IZO sputtering target which makes it possible to improve the productivity and reduce the cost by curtailing the processes and lowering the sintering temperature while maintaining the characteristics as an IZO sputtering target. - 特許庁

ターゲットである成膜材料の加熱手段を見直すことで、電子線がターゲットである成膜材料に正確に焦点を合わせることが出来るようにし、それ故成膜材料を効率良く安定して蒸発することが可能で、高純度の半導体膜を形成することを可能とする。例文帳に追加

To correctly focus an electron beam on a film deposition material as a target by improving a heating means for a film deposition material as a target, thus to stably evaporate the film deposition material with high efficiency, and to form a semiconductor film having high purity. - 特許庁