「げっこうじ」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

炎症状態、自己免疫状態、女性の健康状態(例えば、閉経期障害および月経前障害)ならびに乳児および動物における脂肪酸不均衡の治療において有効であるγ-リノレン酸(GLA)および／またはステアリドン酸(SDA)を含む極性脂質リッチ画分の製造および使用の提供。例文帳に追加

To provide production and use of a polar lipid-rich fraction containing γ-linolenic acid (GLA) and/or stearidonic acid (SDA) effective in treating inflammatory conditions, autoimmune conditions, women's health conditions (e.g. menopausal and premenstrual disorders), and fatty acid imbalances in infants and animals. - 特許庁

高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットである。例文帳に追加

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C. - 特許庁

GUI ビルダーでは動的なレイアウトモデルが使用されているので、GUI ビルダーを使って構築した GUI は、実行時に期待どおりに動作し、変更を行なった場合は、コンポーネント間で定義された関係を変更せずに調整されます。 フォームのサイズを変更するか、ロケールを変更するか、異なる Look Feel を指定すると、ターゲットの Look Feel のインセットとオフセットに合わせて GUI が自動的に調整されます。例文帳に追加

Because it uses a dynamic layout model, GUI's built with the GUI Builder behave as you would expect at runtime, adjusting to accommodateany changes you make without altering the defined relationships between components.Whenever you resize the form, switch locales, or specify a different look and feel, your GUI automatically adjusts to respect the target look and feel's insetsand offsets. - NetBeans

誘電率の低下を抑制し、リーク電流や誘電損失の増加を抑制することによって、キャパシタ絶縁膜の誘電特性を向上させ、半導体メモリ素子又は薄膜コンデンサの高速化、微細化に寄与するＢＳＴ膜、このＢＳＴ膜を用いたキャパシタ絶縁膜、及びこのＢＳＴ膜を作製する際に用いるスパッタリングターゲットの提供。例文帳に追加

To provide a BST film, a capacitor insulating film using the BST film, and a sputtering target used for manufacturing the BST film, which make it possible to improve dielectric characteristics of the capacitor insulating film, and to contribute to improving speed and fineness of a semiconductor memory element or a thin-film capacitor by inhibiting deterioration of permittivity, and inhibiting increase of leakage of current and dielectric loss. - 特許庁

ゲート電極材料としてサリサイドプロセスによるニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）の利点を生かすと同時に、ＮｉＳｉ_２相に相転移させる原因を究明し、これを効果的に抑制できる、特にゲート電極材料として有用な高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high purity nickel or nickel alloy sputtering target in which the advantages of nickel silicide (NiSi) by a salicide process are made the most of, and simultaneously, the cause of its phase transition into an NiSi_2 phase is investigated, and the phase transition can effectively be suppressed, and which is particularly useful as a gate electrode material, and to provide a production method therefor. - 特許庁

熔解法によってインゴットを大型化する際にクラックを発生させず、半導体メモリーのキャパシタ用電極、磁気ヘッドや磁気ディスクなどの製膜時にパーティクルの発生を抑えることができ、膜厚分布を小さくしうる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a high-purity ruthenium sputtering target capable of preventing generation of cracks when increasing the size of an ingot by a melting method, suppressing generation of particles when performing film deposition for an electrode for capacitor of a semi-conductor memory, a magnetic head, a magnetic disk or the like, and reducing the film thickness distribution, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

特別な機能を有するIPルータを必要としないで、PMTU（Path Maximum Transmission Unit）の見積もり値を検出し、送信元のホストから受信先のターゲット端末までの経路上を、伝送データのフラグメンテーションによる転送遅延を生じさせること無く、且つ、該伝送データの伝送効率を向上させることができるIPネットワークにおけるPMTU見積もり値検出方法を提供する。例文帳に追加

To provide a PMTU estimate value detection method on an IP network that can detect an estimate value of a PMTU(Path Maximum Transmission Unit) without the need for an IP router having a specific function and that does not generate a transfer delay due to fragmentation of transmission data on a path from a sender host to a destination target terminal and can enhance a data transmission efficiency. - 特許庁

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する際、空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコンリッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ優れた電気特性とゲッタリング能力を有し、デバイス歩留りを確実に向上させることができるシリコン単結晶及びエピタキシャルウエーハを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal which does not belong to any to a vacancy-enriched V-region, an OSF region, and an interstitial silicon- enriched region, or an I-region, when it is manufactured by a Czochralski method, which has excellent electrical characteristics and a gettering capability, and with which the yield of a device can be reliably improved, and to provide an epitaxial wafer. - 特許庁

使用済みのスパッタリングターゲットから回収された高密度ＩＴＯ焼結体や製造工程で不良品となった高密度ＩＴＯ焼結体等を原料として、不純物の混入が無く、安価な方法で、再び、高純度・高密度のＩＴＯ焼結体を作製することが可能なＩＴＯ焼結体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an indium tin oxide (ITO) sintered compact by which a high purity high density ITO sintered compact is made again from a high density ITO sintered compact recovered from a spent sputtering target or a high density ITO sintered compact or the like discharged from a manufacturing process as a defective with the low cost method without incorporating impurities . - 特許庁

撮影手段で建設工事領域を全て撮影するようにし、該撮影して得られた映像を専用ソフトで処理して、建設機械のエリア、及び作業員のエリアを特定し、これらエリア同士が接触したとき或は作業エリアから逸脱した場合には警報を発してターゲット同士の接触を防止するシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a system for photographing the entire construction work area by photographing means, processing video images obtained by the photographing by dedicated software, specifying an area of a construction machine and an area of an operator, issuing an alarm when the areas are brought into contact or deviate from a work area and preventing contact of targets with each other. - 特許庁

高純度銅や低濃度銅合金からなり、結晶粒が微細化されるとともに熱的に安定した微細結晶粒銅材料を低コストで製造することが可能な微細結晶粒銅材料の製造方法、この製造方法によって製造される微細結晶粒銅材料、並びに、この微細結晶粒銅材料からなるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a fine crystal grain copper material which can produce a fine crystal grain copper material made of high purity copper or a low concentration copper alloy at low cost, in which crystal grains are refined, and which is thermally stable, to provide a fine crystal grain copper material produced by the production method, and to provide a sputtering target composed of the fine crystal grain copper material. - 特許庁

高純度ニッケルを熱間鍛造した後、３０％以上の圧延率で冷間圧延し、これをさらに２５０°Ｃ以上の温度で熱処理する工程からなり、前記冷間圧延と熱処理を少なくとも２回以上繰り返すことを特徴とする膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the high-purity nickel target for magnetron sputtering with superior film thickness uniformity comprises steps of hot-forging the high-purity nickel, then cold-rolling it at a rolling reduction of 30% or higher, and further heat-treating it at 250°C or a higher temperature; and repeating the above cold-rolling and heat treatment at least twice. - 特許庁

衝撃変形時に任意の部材のスポット溶接部における破断強度を最大にする幅、板厚、材料強度、スポット溶接部のナゲット径のうち１種以上を算出し、部材の衝撃時の溶接部破断を防ぎ、変形座屈モードの適正化を図り、衝撃エネルギーの吸収を向上させる。例文帳に追加

To prevent the rupture of a spot weld zone during impact of an arbitrary member, to optimize a deformation buckling mode, and to improve the absorption of impact energy by calculating one or more kinds of the width, board thickness, material strength and a nugget diameter of the spot weld zone to maximize the rupture strength in the weld zone of the member during impact deformation. - 特許庁

従って、たとえマルチパスにより受信信号の波形が変化したとしても、振幅及び時間の相関レベルに基づく逆演算によって、反射波の干渉除去ないしは再合成を図り、ＳＳＲモードＳ応答パルス信号を適正に取り出すことができるので、監視すべきターゲット（航空機）の検出率を向上させることができる。例文帳に追加

Therefore, even if the wave form of the receiving signal is changed by the multi paths, the removal of interference of reflection wave or re-composition is attempted by the reverse calculation based on the correlation level of the amplitude and time, an SSR mode S response pulse signal can be properly taken out, consequently detection rate of the target (aeroplane) can be improved. - 特許庁

これにより、本来、回路パターンの印刷精度を向上させるために設けられているターゲットマーク３０を画像処理装置２５で検知することにより、基板本体Ａの位置がずれている場合のみならず、平面対角線交点Ｐ０を中心として基板本体Ａが回転して向きが規定の向きからずれている場合も検知できる。例文帳に追加

The target marks 30 are formed primarily to improve precision in printing a circuit pattern, and are detected by an image processor 25 to detect not only a shift in the position of the board body A but also a shift in the direction of the board body A from a specified direction, which results from the rotation of the board body A with respect to the diagonal intersection P0. - 特許庁

改質領域ＰをダイシングストリートＳ以外の箇所であって半導体装置Ｄ内の半導体素子Ｅの近傍であるウェーハＷ内部へ形成することにより、ゲッタリング効果を得ると共に半導体装置Ｄが形成された個々のチップＣの周囲に歪みを与えずチップＣの抗折強度向上が可能となる。例文帳に追加

By forming a modification region P inside a wafer W at a part other than a dicing street S and near the semiconductor element E inside the semiconductor device D, gettering effect is obtained and the traverse rupture strength of the chip C is improved, without imparting distortions to the periphery of the individual chip C, where the semiconductor device D is formed. - 特許庁

これにより、予測分岐先アドレスに対する命令フェッチで分岐命令実行時にキャッシュメモリ１０２から命令データを読み出すことが可能となり、分岐ターゲットバッファ１０４に分岐先アドレスの命令データを保持しない、あるいは保持するデータ量を減らすことが可能であり、回路規模を削減できる。例文帳に追加

This makes it possible to read instruction data from the cache memory 102 while the branch instruction is being executed for the instruction fetch to the predicted branch address and to either leave no instruction data on the branch address held in the branch target buffer 104 or reduce the amount of data held, so as to reduce the circuit scale. - 特許庁

酸化物蛍光材料をターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜が形成し、前記薄膜の形成後、酸素中または大気中で900℃以上1200℃以下の熱処理によって蛍光特性を向上させたことを特徴とする酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜である。例文帳に追加

The oxide phosphor epitaxial film is obtained by forming a film on a substrate at a temperature of 600-800°C by epitaxial growth using an oxide phosphor material as a target material by the pulse laser accumulation method and subjecting the film thus formed to heat treatment in oxygen or in the air at 900-1,200°C to improve fluorescence properties. - 特許庁

シリコンウェーハの表層の酸素濃度を低減し、ウェーハ工程で表層の酸素析出物を消滅させるとともに、デバイス工程で酸素のドナー化を防止でき、また、シリコンウェーハの内部の空孔濃度を増加し、ウェーハ内部のゲッタリング能力を向上でき、更に、研磨時のダメージを除去できる、シリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon wafer by which an oxygen concentration at the surface layer of the silicon wafer is reduced to make an oxygen deposit disappear from the surface layer in a wafer step and to prevent oxygen transformation into donors in a device step, a hole concentration inside the silicon wafer is increased to improve gettering performance inside the wafer, and polishing damage to the wafer is eliminated. - 特許庁

共通のバスにつながる、バスマスターとして前記共通のバス上のデータ伝送を司るイニシエータ基板と、前記バスを支配するバスマスターとなり得るマスター基板と、バスマスターからアクセスされ得るターゲット基板を含んで構成されるプラント制御装置において、プラント制御中に装置を停止させることなく、稼働率を向上させる。例文帳に追加

To improve the rate of operation of a plant controller provided with an initiator substrate for transmitting data on a common bus as a bus master connected to the common bus, a master substrate capable of becoming a bus master for controlling the bus and a target substrate capable of being accessed from the bus master. - 特許庁

所得階層分布や成長度合いが様々であり、日本とも異なる新興国市場への展開には、さらに詳細なターゲットゾーンの絞り込みや、ブランドイメージの育成・認知度向上、進出地域の嗜好を考慮した製品の開発等、多面的な展開が必要となると思われる。例文帳に追加

Under the same survey, questions related to food, daily necessities, etc. also showed the results that the respondents inclined to be price-sensitive and to prefer goods produced in their own countries. Therefore, developing business in emerging markets, which is different from business in Japan and involves income class distribution and various degrees of growth, requires multifaceted approaches, including the further narrowing of target zones, the establishment of a brand image and building brand awareness, and the development of products tailored to the tastes of customers in the targeted regions. - 経済産業省

今後、日本の観光・集客産業は、ターゲット顧客獲得のための、積極的な取組を進め、地域の高品質なコンテンツの発掘やビジネス化の取組と連携し、こうした海外のラグジュアリー層の取込みなどを図ることにより、さらなるサービス水準の向上や新たな展開が期待される。例文帳に追加

In the future, Japan's tourism sector and a sector which attracts customers shall act in positive manners in order to capture targeted customer with the integration of exploration of regional high quality contents and commitment to commercialization. Expectation toward the improvement of service standard and new development by taking in overseas luxury groups heightens. - 経済産業省

金属、特にコバルト、ニッケル、鉄等に含有されている酸素、燐、硫黄等の不純物を効率良く低減することができ、スパッタリング成膜中の不純物混入を防止し、かつ該不純物を起点とするノジュールの発生やパーティクルの増大を抑制することができ、さらに加工性を改善し歩留まりを向上させることができるコバルト、ニッケル、鉄の高純度化方法得、かつスパッタリング用高純度金属ターゲットを製造する。例文帳に追加

To provide a method for purifying cobalt, nickel, and iron, which efficiently reduces impurities such as oxygen, phosphorus, and sulfur, contained in metals especially cobalt, nickel, and iron, prevents contamination with impurities during film formation by sputtering, prevents nodules from generating and particles from increasing, both of which initiate from the impurities, and improves workability and yield, and to manufacture a sputtering target of high purity metal. - 特許庁

本発明は、スパッタレートが高い消耗領域の厚みが他の領域の厚みよりも大きい厚み変化を有するスパッタリング用ターゲット材の製造方法であって、貴金属塩含有溶液に陰極と陽極とを対向状態で浸漬し、該陰極の前記消耗領域に略対応する位置の電流密度が、前記他の領域に略対応する位置の電流密度よりも高い状態で貴金属塩含有溶液を電解して貴金属又は貴金属合金を析出させるものである。例文帳に追加

To provide a method capable of easily producing a target material of noble metal or a noble metal alloy having a change of thickness capable of corresponding to its partial consumption at the time of sputtering and to produce a noble metal target material for sputtering produced by the method. - 特許庁

ゲノム研究及びポストゲノム研究の進展により、遺伝子、タンパク質及び糖鎖等の高次機能解析などの創薬ターゲットが新たに発見されることが期待される。特に、患者由来のゲノム解析による疾患関連遺伝子、医薬品の作用に関連する薬剤反応性関連遺伝子及びタンパク質の探索と機能解析、病態モデル動物の確立と人の病態との関連性の解明、バイオマーカーの探索による効率的な医薬品の有効性、安全性の評価が加速的に進行すると考えられている。例文帳に追加

Advances in genome and post-genome research are expected to reveal new drug discovery targets through higher-function analysis of genes, proteins and sugar chains etc. In particular, rapid progress is anticipated in the search for and functional analysis of disease-related genes based on analysis of patient-derived genomes and drug response-related genes and proteins linked to pharmaceutical action; in the establishment of animal disease models and elucidation of their link with human diseases; and in efficient drug efficacy and safety evaluations based on biomarker searches. - 厚生労働省

第二十六条の十一　法第四十一条の十二第四項の規定により同項に規定する償還を受ける時に徴収される所得税とみなされたもののうち法人税の額から控除する所得税の額は、当該所得税の額（当該所得税の額が明らかでないときは、その割引債の券面金額から当該割引債に係る発行価額（当該割引債が同条第九項第一号から第八号までに掲げる国債で同項に規定する短期公社債に該当するものその他財務省令で定める国債（以下この項において「短期国債等」という。）でその発行価額が明らかでないもの以外の割引債であるときは当該割引債に係る最終発行日における発行価額とし、当該割引債が当該短期国債等であるときは当該割引債に係る当該発行価額に準ずるものとして財務省令で定める価額とする。第二十六条の十三第一項第一号及び第五項第二号において「最終発行日における発行価額等」という。）を控除した残額に、当該割引債の発行の際に法第四十一条の十二第三項の規定により当該割引債に係る償還差益について徴収された所得税の税率を乗じて計算した金額とし、その割引債が償還期限を繰り上げて償還をされたもの又は当該期限前に買入消却をされたものであるときは、その所得税の額から次条第一項の規定により計算した還付する金額を控除した残額とする。）について、法人税法施行令第百四十条の二の規定により計算した金額とする。この場合において、同条第一項第一号中「の利子」とあるのは「の償還差益」と、同条第二項中「月数のうち」とあるのは「月数（当該利子配当等が短期公社債（租税特別措置法第四十一条の十二第九項に規定する短期公社債をいう。次項において同じ。）に係る償還差益であるときは、日数。以下この項において同じ。）のうち」と、同条第三項中「所得税の額を前項」とあるのは「所得税の額（短期公社債の償還差益に対する所得税の額を除く。）を前項」とする。例文帳に追加

Article 26-11 (1) The amount of income tax to be deducted from corporation tax out of the amount deemed to be income tax to be collected when receiving the redemption prescribed in Article 41-12(4) of the Act pursuant to the provisions of the said paragraph shall be the amount calculated, pursuant to the provisions of Article 140-2 of the Order for Enforcement of the Corporation Tax Act, with regard to the amount of the said income tax (where the amount of the said income tax is not clear, with regard to the amount obtained by deducting the issue price for the discount bonds (where the said discount bonds are national government bonds listed in Article 41-12(9)(i) to (viii) of the Act which are those falling under the category of short-term government or company bonds prescribed in the said paragraph or other national government bonds specified by an Ordinance of the Ministry of Finance (hereinafter referred to as "short-term national government bonds, etc." in this paragraph) and are discount bonds other than those whose issue price is not clear, such issue price shall be the issue price on the final issue date for the said discount bonds, and where the said discount bonds are the said short-term national government bonds, etc., such issue price shall be the price specified by an Ordinance of the Ministry of Finance as equivalent to the said issue price for the said discount bonds; such issue price shall be referred to as the "issue price, etc. on the final issue date" in Article 26-13(1)(i) and (5)(ii)) from the face value of the said discount bonds and then multiplying the remaining amount after deduction by the rate of income tax on profit from redemption for the said discount bonds collected at the time of issue pursuant to the provisions of Article 41-12(3) of the Act, and where the discount bonds have been redeemed by bringing the redemption date forward or retired by purchase prior to the redemption date, with regard to the remaining amount after deducting the amount to be refunded that was calculated pursuant to the provisions of paragraph (1) of the next Article from the amount of the income tax). In this case, the term "interest" in Article 140-2(1)(i) of the Order for Enforcement of the Corporation Tax Act shall be deemed to be replaced with "profit from redemption"; the term "out of the number of months" in paragraph (2) of the said Article shall be deemed to be replaced with "out of the number of months (the number of days, where the said dividend of interest, etc. is profit from redemption for short-term government or company bonds (meaning short-term government or company bonds prescribed in Article 41-12(9) of the Act on Special Measures Concerning Taxation; the same shall apply in the next paragraph); hereinafter the same shall apply in this paragraph);" and the term "the amount of income prescribed in paragraph (1)(i)" in paragraph (3) of the said Article shall be deemed to be replaced with "the amount of income (excluding the amount of income tax on profit from redemption of short-term government or company bonds) prescribed in paragraph (1)(i)."  - 日本法令外国語訳データベースシステム

第二十六条の十一　法第四十一条の十二第四項の規定により同項に規定する償還を受ける時に徴収される所得税とみなされたもののうち法人税の額から控除する所得税の額は、当該所得税の額（当該所得税の額が明らかでないときは、その割引債の券面金額から当該割引債に係る発行価額（当該割引債が同条第九項第一号から第八号までに掲げる国債で同項に規定する短期公社債に該当するものその他財務省令で定める国債（以下この項において「短期国債等」という。）でその発行価額が明らかでないもの以外の割引債であるときは当該割引債に係る最終発行日における発行価額とし、当該割引債が当該短期国債等であるときは当該割引債に係る当該発行価額に準ずるものとして財務省令で定める価額とする。第二十六条の十三第一項第一号及び第五項第二号において「最終発行日における発行価額等」という。）を控除した残額（当該割引債が外国法人が国外において発行したものであるときは、法第四十一条の十二第三項に規定する政令で定める金額）に、当該割引債の発行の際に同条第三項の規定により当該割引債に係る償還差益について徴収された所得税の税率を乗じて計算した金額とし、その割引債が償還期限を繰り上げて償還をされたもの又は当該期限前に買入消却をされたものであるときは、その所得税の額から次条第一項の規定により計算した還付する金額を控除した残額とする。）について、法人税法施行令第百四十条の二の規定により計算した金額とする。この場合において、同条第一項第一号中「の利子」とあるのは「の償還差益（租税特別措置法第四十一条の十二第七項（償還差益等に係る分離課税等）に規定する償還差益をいう。次項及び第三項において同じ。）」と、同条第二項中「月数のうち」とあるのは「月数（当該利子配当等が短期公社債（租税特別措置法第四十一条の十二第九項に規定する短期公社債をいう。次項において同じ。）に係る償還差益であるときは、日数。以下この項において同じ。）のうち」と、同条第三項中「所得税の額を前項」とあるのは「所得税の額（短期公社債の償還差益に対する所得税の額を除く。）を前項」とする。例文帳に追加

Article 26-11 (1) The amount of income tax to be credited against corporation tax out of the amount deemed to be income tax to be collected when receiving the redemption prescribed in Article 41-12, paragraph (4) of the Act pursuant to the provisions of said paragraph shall be the amount calculated, pursuant to the provisions of Article 140-2 of the Order for Enforcement of the Corporation Tax Act, with regard to the amount of said income tax (where the amount of said income tax is not clear, with regard to the amount obtained by deducting the issue price for the discount bonds (where said discount bonds are national bonds listed in Article 41-12, paragraph (9), items (i) to (viii) of the Act which are those falling under the category of short-term government or company bonds prescribed in said paragraph or other national bonds specified by Ordinance of the Ministry of Finance (hereinafter referred to as "short-term national bonds, etc." in this paragraph) and are discount bonds other than those whose issue price is not clear, such issue price shall be the issue price on the final issue date for said discount bonds, and where said discount bonds are said short-term national bonds, etc., such issue price shall be the price specified by Ordinance of the Ministry of Finance as equivalent to said issue price for said discount bonds; such issue price shall be referred to as the "issue price, etc. on the final issue date" in Article 26-13, paragraph (1), item (i) and paragraph (5), item (ii)) from the face value of said discount bonds and then multiplying the remaining amount after deduction (where said discount bonds are issued outside Japan by a foreign corporation, the amount specified by Cabinet Order, prescribed in Article 41-12, paragraph (3) of the Act) by the rate of income tax on profit from redemption for said discount bonds collected at the time of issuance pursuant to the provisions of paragraph (3) of said Article, and where the discount bonds have been redeemed by bringing the redemption date forward or retired by purchase prior to the redemption date, with regard to the remaining amount after deducting the amount to be refunded that was calculated pursuant to the provisions of paragraph (1) of the following Article from the amount of the income tax). In this case, the term "interest" in Article 140-2, paragraph (1), item (i) of the Order for Enforcement of the Corporation Tax Act shall be deemed to be replaced with "profit from redemption (meaning profit from redemption as prescribed in Article 41-12, paragraph (7) (Separate Taxation, etc. on Profit from Redemption, etc.) of the Act on Special Measures Concerning Taxation; the same shall apply in the following paragraph and paragraph (3))"; the term "out of the number of months" in paragraph (2) of said Article shall be deemed to be replaced with "out of the number of months (the number of days, where said dividend of interest, etc. is profit from redemption for short-term government or company bonds (meaning short-term government or company bonds prescribed in Article 41-12, paragraph (9) of the Act on Special Measures Concerning Taxation; the same shall apply in the following paragraph); hereinafter the same shall apply in this paragraph);" and the term "the amount of income prescribed in paragraph (1), item (i)" in paragraph (3) of said Article shall be deemed to be replaced with "the amount of income (excluding the amount of income tax on profit from redemption of short-term government or company bonds) prescribed in paragraph (1), item (i)."  - 日本法令外国語訳データベースシステム