「こうえいちょう１ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、整腸作用を有する細菌の体内活性を維持し、整腸作用を増強させるために、当該細菌と食物繊維を共存させることが公知であるから、整腸作用を有する YY菌 1×106～1×108個を、同じく整腸作用を有する食物繊維 1～30gと組み合わせて 1つの整腸剤とすることは当業者が容易になし得たことである。例文帳に追加

Furthermore it is publicly known to make the bacterium and the dietary fiber co-exist, in order to maintain the activity of the bacterium having the intestine regulating function and to fortify the intestine regulating function, it would have been easily arrived at by a person skilled in the art to formulate medicine for intestinal disorder by combining 1 x 106 to 1 x 108 cells of the YY bacteria having the intestine regulating function with 1 to 30g of the dietary fiber also having the intestine regulating function.  - 特許庁

溶融亜鉛めっき鋼板の調質圧延において、第1調質圧延により、めっき鋼板の平均粗さRaを0.25μm以下とし、次いで第2調質圧延により、平均粗さRaを0.8μm〜2.0μm、うねりWcaを0.70μm以下に調整する。例文帳に追加

In the skinpass rolling of the galvanized steel sheet, the galvanized steel sheet is made to ≤0.25 μm average roughness Ra with the first skinpass rolling and successively, this steel sheet is adjusted to 0.8-2.0 μm average roughness Ra and ≤0.70 μm waveness Wca with the second skinpass rolling. - 特許庁

発光装置１の各ＬＥＤチップ２は、それぞれ結晶成長用基板２４の主表面側に積層構造膜からなる発光層２２をエピタキシャル成長法により成長させてなるＬＥＤ基材を用いて形成される。例文帳に追加

Each LED chip 2 of a light-emitting device 1 is formed using an LED substrate formed by epitaxially growing a light-emitting layer 22 composed of a laminated structure film on the main surface side of a substrate for crystal growth 24. - 特許庁

通帳処理部１１が通帳を受け付けたときに、その磁気情報を読み取ることができなかった場合には、その制御部１２は、通帳処理部１１が通帳の見返し頁を光学的に読み取った紙面情報を解析し、得られた通帳情報をホストコンピュータ１に照会する。例文帳に追加

When magnetic information on a passbook received by a passbook processing part 11 is hard to read, a control section 12 analyzes a piece of information on an end leaf of the passbook optically read by the passbook processing part 11 and refers the obtained information of the passbook to a host computer 1. - 特許庁

複数の種基板１０を、種基板１０の側部１１側にずらして配置する配置工程と、ハイドライド気相成長法により、複数の種基板１０の各々の表面１２上にＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶を成長させる成長工程とを備えている。例文帳に追加

The method is provided with an arranging process for arranging a plurality of seed substrates 10 by shifting the seed substrates 10 to the side part side 11, and a growing process for growing a crystal Al_xIn_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) by hydride vapor phase epitaxy. - 特許庁

この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。例文帳に追加

When vapor growth is performed by using the substrate 1, the rugged surface becomes a basic material surface capable of forming a facet surface by suppressing the growth in the lateral direction and accelerating the growth in the C-axis direction. - 特許庁

親水性長繊維は１０〜６０％の捲縮率を有し、且つ該長繊維のウエブ２が吸収体１の平面方向に高度に配向している。例文帳に追加

The hydrophilic long fiber has a crimp percentage of 10-60%, and the web 2 of the long fiber is highly oriented in the planar direction of the absorber 1. - 特許庁

浴槽Ｗの底面に設置される腰掛体１の腰掛面１ｃの高さを調節可能な高低調節機構２を備えてなる。例文帳に追加

A height adjusting mechanism 2 capable of adjusting the height of a stool surface 1c of a stool body 1 installed at the bottom surface of a bathtub W is provided. - 特許庁

人工真皮1は、容易に移植し得る人工皮膚7を形成するのに人工真皮の表面に播種した角化細胞6の迅速な成長に好都合である。例文帳に追加

This artificial dermis 1 permits rapid growth of the keratinocytes 6 seeded on its surface to build an artificial skin 7 that can be easily transplanted. - 特許庁

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、GaN32を横方向エピタキシャル成長させることで段差の下段（元基板1の凹部）上方を埋めたのち、さらに上方にも成長させる。例文帳に追加

Using the upper surface and the side face at the upper stage of level difference as nuclei, GaN 32 is grown epitaxially in the lateral direction and the upper part of the lower stage of level difference (recess of the original substrate 1) is filled before GaN 32 is also grown epitaxially above. - 特許庁

長官は，(1)に基づく延長の請求が当該の行為を行い又は当該の手続を取るための所定の期限又は期間の満了から1月を超えた後に行われた場合は，(1)に基づく延長を許可してはならない。例文帳に追加

The Controller shall not grant an extension under paragraph (1) if the request therefor is made more than one month after the expiry of the prescribed time or period for doing the act or taking the proceeding in question. - 特許庁

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。例文帳に追加

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face. - 特許庁

オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、 − 多数の凸部（４）および凹部（３）を有する構造化された成長面（２）を備えた成長基板（１）と、 − この成長面（２）にデポジットされるアクティブ層列（５）と有することを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップを構成する。例文帳に追加

The electronics semiconductor chip is formed of a growth substrate (1) equipped with a structured growing surface (2) having a lot of protrudes (4) and recesses (3), and an array of active layers (5) deposited on the growing surface (2). - 特許庁

そして、水平調整用座板２は、ガイドレール載置面２ａと、主梁１の両端部上面とのなす角度を調整可能に構成されている。例文帳に追加

The horizontal adjustment seat plate 2 is constructed so as to be capable of adjusting the angle formed by the guide rail placing surface 2a and the both end upper faces of the main beam 1. - 特許庁

シリコン単結晶基板Ｗにエピタキシャル層を成長させる成長工程Ｇと、エピタキシャル成長工程Ｇの後に、シリコン単結晶基板の周縁の面取り部１を鏡面研磨する鏡面面取り研磨工程Ｄ２と、を有する。例文帳に追加

The method includes: a growth process G of growing an epitaxial layer on a silicon single crystal substrate W; and a mirror chamfering polishing process D2 of mirror polishing a chamfering part 1 on a peripheral edge of the silicon single crystal substrate after the epitaxial growth process G. - 特許庁

善光寺では7年目ごとに「御開帳」を行っているが（開帳の年を1年目と数えるため、実際は6年に一度）、この際も公開されるのは「お前立ち像」である。例文帳に追加

Zenko-ji Temple has the period of 'gokaicho' (opening the gate) once every 7 years (more precisely, every 6 years, as the year of gokaicho is counted as the first year), and even in that period, it is the 'omaedachi-zo' image, not the hibutsu, that is publicly displayed.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

基板１上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてＡｌを用い、前記ＺｎＴｅの成長条件の最適化を行うことによって、１×１０^17ｃｍ^-3以上の高濃度ｎ型ＺｎＴｅ層２の成長を行う。例文帳に追加

An n-type ZnTh layer 2 doped at a high concentration of 1×10^17 cm^-3 or higher is grown on a substrate 1 by using molecular-beam epitaxy for the crystal growth method, wherein Al is used for the dopant, and growth condition for the ZnTh is optimized. - 特許庁

基板１０２の成長面１０２ａに窒化物半導体層がエピタキシャル成長される発光素子１００において、基板１０２は窒化物半導体層と熱膨張係数が異なり、基板１０２の成長面１０２ａは１μｍ以下の周期で形成された複数の凹部１０２ｃを有し、窒化物半導体層は横方向成長を利用して成長される。例文帳に追加

In the light emitting device 100 where the nitride semiconductor layer is grown epitaxially on the growth side 102a of a substrate 102, the substrate 102 has a thermal expansion coefficient different from that of the nitride semiconductor layer, a plurality of recesses 102c are formed in the growth side 102a of a substrate 102 with a period of ≤1 μm, and the nitride semiconductor layer is grown using lateral overgrowth. - 特許庁

本発明では、ＧａＡｓ基板上に、Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ層(０≦x,y≦１)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-_yＮ層に、原子半径がＮよりも大きいＶ族元素を1×１０^17ｃｍ^-3から１×１０^23ｃｍ^-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

The method of growing a compound semiconductor, in which an InxGayAl1-x-yN layer (0≤x, y≤1) is grown on a GaAs substrate includes a process of adding group V elements, having an atomic radius larger than that of N, in a density that ranges from 1×1017 to 1×1023 cm-3, to the InxGayAl1-x-yN layer. - 特許庁

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

しかし徳川秀忠から武功を認められ、慶長15年（1610年）に下野国芳賀郡茂木に1万石を与えられて諸侯に列した。例文帳に追加

However, Hidetada TOKUGAWA recognized his military achievements, and in 1610, he received a territory of 10,000 goku crop yields in Motegi, Haga County, Shimotsuke Province and became a lord.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

次に、該当する通帳がある場合、制御部１２は、ホストコンピュータ１から通知された情報を基に通帳処理部１１が通帳の記帳頁を光学的に読み取った紙面情報を解析し、得られた印字位置情報をホストコンピュータ１に照会する。例文帳に追加

When relevant passbook is found, the control section 12 analyzes the information on an entry page of the passbook optically read by the passbook processing part 11 based on the information noticed from the host computer 1 and refers the information at a print position to the host computer 1. - 特許庁

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。例文帳に追加

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁

多芯線を圧延する工程前において、多芯線の表面粗さＲａは測定長１ｍｍの範囲で０．５μｍ以下となるようにされる。例文帳に追加

Before the step of rolling the multicore wire, surface roughness Ra is set 0.5 μm or lower in a range of a measuring length of 1 mm. - 特許庁

成長用基板１の第一主表面上に化合物半導体層２４をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層２４の第一主表面に仮支持基板１１０を、高分子結合材１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板１を化学エッチング等により除去する。例文帳に追加

After the compound semiconductor layer 24 is epitaxially grown on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 24 through a polymer binding material 111 and, in addition, the substrate 1 for growth is removed by chemical etching etc. - 特許庁

特許出願された発明について既に特許が付与されている場合，庁は，(1)に述べる期間の満了前に特許出願を公告する。例文帳に追加

The Office shall publish an invention application before expiry of the period referred to in Subsection (1) if a patent has already been granted for the invention.  - 特許庁

以降、このＦｅ粒４からＧａとＮとを取込ませ、（１０−１１）面を有するＧａＮナノコラム５を成長させる（図１（ｄ））。例文帳に追加

Thereafter, Ga and N are extracted from the Fe particles 4 to grow a GaN nano-column 5 having a (10-11) face (Fig. 1(d)). - 特許庁

結晶基板１の表面にＬＥＰＳ法を実施し得る凹凸を加工し、該凹部または凸部からＧａＮ系結晶層２を成長させる。例文帳に追加

Irregularities, where the LEPS method can be carried out, are machined on the surface of a crystal substrate 1, and a GaN-based crystal layer 2 is grown from the recess or projection. - 特許庁

会長，O.B.I.長官，副会長，管理評議会委員及び書記官が1会議への出席ごとに受領する報酬は，工業・エネルギー・技術大臣並びに財務大臣の合同決定により定められる。例文帳に追加

The compensation per session of the Chairman, the Director General of O.B.I., the Vice-Chairman, the members and the Secretary of the Administrative Council is to be determined by joint decision of the Minister of Industry, Energy, and Technology and the Minister of Finance.  - 特許庁

本発明の会計帳簿１は、出納帳として使用可能な会計帳簿であって、行方向において左側から順に、借方（入金）記入欄２、科目記入欄３、貸方（出金）記入欄４を備えている。例文帳に追加

The accounting book 1 is an accounting book that can be used as a cash receipt book, and it is provided with a debit (money received) entry column 2, an item entry column 3 and a credit (payment) entry column 4 in order from a left side in a row direction. - 特許庁

好適には、上記小径部の長さＬ_1は１ｍｍ以上、該小径部とテーパ径部の合計長さＬ_3は６ｍｍ未満である。例文帳に追加

Suitably, the length L1 of the small diameter part is 1 mm or above, and the total length L3 of the small diameter part and the tapered diameter part is below 6 mm. - 特許庁

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。例文帳に追加

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁

（ａ）半導体基板１の主表面に、液相エピタキシャル成長用溶液に反応溶解し、かつ、エピタキシャル成長層の一部を構成する金属層１ａを形成する。例文帳に追加

A metal layer 1a, which is molten by reacting to a solution for liquid phase epitaxial growth, comprising one part of the epitaxial growing layer is formed on the principal surface of a semiconductor wafer 1 (a). - 特許庁

物体重畳光W+_1が半透明鏡５５０を透過し、半透明鏡５５０で反射した円偏光の無変調の参照光WW_1が撮像部５の法線Ｚ１の同軸上で重畳され物体参照重畳光W+WW+_1 となり同じ偏光方向の光波同士が干渉する。例文帳に追加

The object light-superposed light W+_1 is transmitted through a semitransparent mirror 550 and becomes object light and reference light-superposed light W+WW+_1 by superposition of non-modulated reference light WW_1 of circularly polarized light reflected by the semitransparent mirror 550, on the normal Z1 axis of an imaging part 5, and optical waves having the same polarization direction interfere with each other. - 特許庁

高い光学的均質性（Δｎ＝１×１０^—６）および低い複屈折（δ＝０．５〜１．０ｎｍ／ｃｍ）を持つフッ化カルシウム単結晶を成長させる。例文帳に追加

To grow a calcium fluoride single crystal having high optical uniformity (▵n=1×10^-6) and low birefringence (δ=0.5 to 1.0 nm/cm). - 特許庁

パピルスは、成長段階における二酸化炭素吸収量が木材の３乃至５倍であるため、車両等からの二酸化炭素排出量を効率よく低減することができ、成長期間も１年と短く、成長期の管理が容易であるため、バイオエタノールの量産化が可能になる。例文帳に追加

Since papyrus has a carbon dioxide absorption of 3-5 times the absorption of wood in the growing stage, the carbon dioxide emission of vehicles, and the like, can be reduced in high efficiency, and the bioethanol can be produced in mass, because the growing period of papyrus is as short as 1 year and the management of the plant in the growing stage is easy. - 特許庁

第二十四条の二　中央労働委員会は、会長が指名する公益委員五人をもつて構成する合議体で、審査等を行う。例文帳に追加

Article 24-2 (1) The Central Labor Relations Commission shall conduct its examinations, etc., through its panel, consisting of five public members designated by the Chairperson.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

濃度特性取得部１で得られた濃度特性に基づいて，誤差拡散パラメータ設定部２により入力画像データについて白画素若しくは黒画素と見做せる階調範囲を除く有効階調範囲を決定し，その有効階調範囲の上限値と下限値とをパラメータとして設定する。例文帳に追加

An error spread parameter setting section 2 decides a valid gradation range of received image data except a gradation range that is regarded as white or black level pixels and sets the upper limit and the lower limit of the valid gradation range as parameters on the basis of a gray level characteristic obtained by a gray level characteristic acquisition section 1. - 特許庁

半導体基板１の表面の一部をマスクし、選択エピタキシャル成長により櫛形の断面形状を有する凹凸構造を形成する。例文帳に追加

A part of the surface of a semiconductor substrate 1 is masked, and an uneven structure which has a comb-shaped cross section is made by selective epitaxial growth. - 特許庁

各ろ過部２０ａ〜２０ｄは、キャビティユニット１の長辺方向に沿って長い長円形等の平面視輪郭形状に形成する。例文帳に追加

The filtering portions 20a to 20d are formed to have an oval or the like outline which is oblong along the longer side of the cavity unit 1 when viewed from the surface. - 特許庁

加熱機７２の加熱範囲長さＬ１を０．１〜１ｍとし、長手方向における延伸倍率を１．５〜３．５とする。例文帳に追加

The length L1 of a heating range of the heater 72 is made to be 0.1 to 1 m and the magnification of drawing in the longitudinal direction is made to be 1.5 to 3.5. - 特許庁

遷移金属原子によるナノ粒子又はナノドットを成長触媒３として基板１に形成し、減圧下で加熱された基板面に、気相−液相−固相（ＶＬＳ）成長法によって、ＶＯ_2ナノワイヤを［１１０］方向に沿って細長く成長させる。例文帳に追加

Nanoparticles or nanodots by a transition metal atom are formed on a substrate 1 as a growth catalyst 3, and VO_2 nanowire is grown up slender and long along the [110] direction on the surface of the substrate heated under reduced pressure by a gas phase-liquid phase-solid phase (VLS) growth method. - 特許庁

日本側は、朝廷の徴税能力が衰え、使節供応と回賜のための経費が重荷となった後は、使節来朝を12年に1度にするなどの制限を加えたが、その交流は渤海滅亡まで継続した。例文帳に追加

After tax collection capability by the Imperial Court diminished and the expenses for entertaining the envoy and kaishi became burden, Japan side added the limitations to have the envoy's visit once in 12 years, but the exchange had continued until the fall of Bo Hai.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

世界経済危機の影響を受けて減速した中国経済は、2009年第1四半期を谷として回復傾向を強め、2010年の実質 GDP 成長率は、前年比10.3％と、2007年以来、3年ぶりとなる2桁成長を達成した。例文帳に追加

From the end of 2008 through early 2009, China’s economy that slowed under the influence of the world economic crisis, strengthened the recovery tendency after the bottom in the first-quarter in 2009, and, as for the real growth rate in 2010, it was 10.3% increase over the previous year. It achieved a double digit growth after 3 years since 2007. - 経済産業省

私の兄貴分、山崎拓さんが政調会長で、私とか木村義雄さんとか、当時、武部（勤）は私の1期下でしたが、自民党の財政金融、金問調（金融問題調査委員会）というのがありまして、そこにいて1時間ぐらい結構大きい声で暴れて、期日までに法律をきちんとまとめた経験がございました。例文帳に追加

Mr. Taku Yamasaki, a senior colleague of mine, was chairman of the council, and Mr. Yoshio Kimura and Tsutomu Takebe, who is one term my junior, and I were members of the LDP's investigation commission on financial issues. After one hour of heated discussion, we wrapped up a bill by the deadline.  - 金融庁