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せいかいちょう3ちょうめの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 815



例文

入学以来 2年3か月と11日に 亘って 生徒会長を務め例文帳に追加

I am serving the student council as chairman for 2 years, 3 months and 11 days - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

GaN層2とGaN成長層の格子定数が一致し、GaN成長層はGaN層2の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いGaN成長層が得られる。例文帳に追加

The grid constant of the GaN layer 2 coincides with that of the GaN growth layer 3, and the GaN growth layer 3 is grown while succeeding the high crystallinity of the GaN layer 2 whereby the GaN growth layer 3, high in the crystallinity, is obtained. - 特許庁

第3節 持続可能で均衡のとれた経済成長を目指して例文帳に追加

Section 3 Aiming at the sustainable and balanced economic growth - 経済産業省

六角形のパターン5の間に露出したGaN層の表面からラテラル成長法により再成長GaN層6を結晶成長させる。例文帳に追加

A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown according to lateral growing method from the surface of the GaN layer 3 exposed between the hexagon patterns 5. - 特許庁

例文

六角形のパターン5の間に露出したGaN層の表面からラテラル成長法により再成長GaN層6を成長させる。例文帳に追加

A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown, according to lateral growth method, from the surface of the GaN layer 3 exposed among the hexagonal patterns 5. - 特許庁


例文

それから3番目に、法令違反の悉皆調査及び是正ですね。例文帳に追加

Third, the Bank will thoroughly investigate whether or not there are other violations of laws and regulations and will rectify such violations, if any.  - 金融庁

調査の結果、政庁地区においては3時期の遺構面が存在することが確かめられた。例文帳に追加

As a result of the research, it was confirmed that there are ancient foundations of three different periods in the government district.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

さらに、本発明は、リノレン酸(18:)又はその前駆体からなる植物の成長調整剤に関する。例文帳に追加

The invention also includes a plant growth regulator comprising the linolenic acid (18:3) or its precursor. - 特許庁

RGB階調データを色変換()してCMYK階調データとし、そのCMYK階調データに対し、ガンマ特性改善のための階調補正(5)を行う。例文帳に追加

RGB gradation data are subjected to color conversion 3 to obtain CMYK gradation data, which are subjected to gradation correction 5 for the improvement of gamma characteristics. - 特許庁

例文

この基板を用いて気相成長した場合、マスクが存在するため、凸部11の上方部からしか結晶成長が起こらない。例文帳に追加

When vapor phase growth is performed by using the substrate 1, crystal growth occurs only from the tops of the projecting sections 11 due to presence of the mask 3. - 特許庁

例文

常圧気相成長および減圧気相成長が可能な気相成長装置10の反応容器1内に配置したシリコン単結晶基板の主表面上にシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長する。例文帳に追加

The substrate 3 is arranged in a reaction vessel 1 of vapor growth equipment 10 capable of ordinary pressure vapor growth and low pressure vapor growth. - 特許庁

同戦略は2000年から2010年までの成長戦略であったリスボン戦略を引き継ぐもので、「知的な経済成長(Smart Growth)」、「持続可能な経済成長(Sustainable Growth)」、「包括的な経済成長(Inclusive Growth)」という3つの相互補完的な最重要課題を掲げ、EUの潜在成長率を高めることを目標としている。例文帳に追加

This strategy takes over from the Lisbon Strategy, which was a growth strategy for a period between 2000 and 2010, and sets three mutually-complementary most-important tasks: Smart Growth, Sustainable Growth and Inclusive Growth, and is intended to raise the potential growth rate of the EU. - 経済産業省

鮎は立春後およそ50日を経れば、やや成長し海口から河川の淡水にのぼりはじめ、5月になれば3寸くらいに成長する。例文帳に追加

Ayu grow a little 50 days after the beginning of spring (the first day of spring according to the lunar calendar), and begin to go up to fresh water from the mouth of a river, and grow up to about 9cm long in May.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

成長基板には、成長基板を掴むようにシート状シリコン基板を成長させる第1面、第2面および第面が設けられている。例文帳に追加

The substrate 3 for growth comprises a first surface, a second surface and a third surface which grows the sheet-form silicon substrate by gripping the substrate 3 for growth. - 特許庁

督姫(とくひめ、1565年12月3日(永禄8年11月11日(旧暦))-1615年3月3日(慶長20年2月4日(旧暦)))は、安土桃山時代から江戸時代前期にかけての女性。例文帳に追加

Tokuhime (December 13, 1565 - March 3, 1615) was a women from the Azuchi-Momoyama period to the early Edo period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

澱んでいたヒト、モノ、カネを一気に動かし、10年間の平均で名目成長率%程度、実質成長率2%程度を実現。例文帳に追加

Mobilize idle talents, goods, and funds to achieve about a 3% nominal GDP growth rate and a 2% real GDP growth rate on average over the next 10 years.  - 経済産業省

半導体結晶2は所謂ドーム型の断面形状を有するELOマスクがマスキングされた結晶成長基板1の結晶成長面1a上に成長したものであり、転位4はELOマスクの上面略中央から半導体結晶2の結晶成長面2aまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

めっき披膜が成長していくと、絶縁層の上にせり出し、絶縁層開口4が形成される。例文帳に追加

As a plated coating film 3 grows, it is pushed out on the insulated layer to form an insulated layer opening 4. - 特許庁

各分極性電極を、集電体となる基板3, 4 とその片面に成長させたブラシ状カーボンナノチューブ5, 6 とから構成した。例文帳に追加

The polarizable electrodes 1, 2 comprise substrates 3, 4 serving as power collectors and carbon nano-tubes 5, 6 grown into a brush shape on one side of each of the substrates 3, 4. - 特許庁

対物レンズアクチュエータ3は、レンズ駆動信号を姿勢調整時に供給するための調整電流印加部12と、姿勢調整後に供給するための給電部13を備える。例文帳に追加

The objective lens actuator 3 comprises an adjustment current applying section 12 for supplying a lens drive signal upon position adjustment and a power supply section 13 for supplying the lens drive signal after the position adjustment. - 特許庁

1969年、日本俳優協会会長にあった市川左團次(3代目)の逝去を受け、会長代行に就任。例文帳に追加

In 1969, following the death of Sadanji ICHIKAWA III, the chairman of the Japan Actor's Association, he was appointed to be the deputy chairman of the association.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

また、結晶成長方法では、石英坩堝1に、予め溶かした溶融原料を充填する。例文帳に追加

In the method for growing a crystal, the quartz crucible 1 is filled up with the melted precursor 3 which was melted beforehand. - 特許庁

皇統譜及び副本には、簿冊ごとに表紙の裏面に御璽をおし、宮内庁長官が枚数及び調製の年月日を記入し、宮内庁書陵部部長とともに署名する(旧3条1項)。例文帳に追加

The gyoji (imperial seal) is put on the back of front cover for each thin booklet and the Grand Steward of the Imperial Household Agency fills in with the number of pages and the date of production, and he signs with Manager of the Imperial Household Archives (the old Article 3, Paragraph 1).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

付着物の成長度合いに応じて付着物用バーナーに着火し、内壁面1aに付着して成長した付着物を加熱し、成長した付着物を内壁面1aから剥離することができる。例文帳に追加

The burner 3 for the deposit is ignited according to the degree of the growth of the deposit to heat the grown deposit adhering to the inner wall surface 1a, thereby the grown deposit can be separated from the inner all surface 1a. - 特許庁

マスクを用いて成長源領域2の表面のみにニッケルを添加し、電気炉で加熱処理を施して、成長源領域2で発生させた結晶粒をターゲット領域へ結晶成長させる。例文帳に追加

Nickel is added to only the surface of the growth source region 2 using a mask, which is heated in an electric furnace, so that the crystal grain generated in the growth source region 2 crystallizes into the target region 3. - 特許庁

特性調整用端子と接地端子14との間にツェナーダイオード15を設けたことにより、特性調整用端子に高電圧が印加された際には、特性調整用端子に帯電したノイズが、ツェナーダイオード15を伝って接地端子14に導かれるため、特性調整端子における耐ノイズ強度が向上する。例文帳に追加

Since a noise charged to the characteristic regulating terminal 3 is guided to a ground terminal 14 via a Zener diode 15 when a high voltage is applied to the terminal 3 by providing the diode 15 between the terminal 3 and the terminal 14, the noise resistance strength of the terminal 3 is improved. - 特許庁

今回の成長戦略を始めとする三本の矢を実施することなどを通じて、中長期的に、2%以上の労働生産性の向上を実現する活力ある経済を実現し、今後10 年間の平均で名目GDP 成長率%程度、実質GDP 成長率2%程度の成長を実現することを目指す。2010 年代後半には、より高い成長の実現を目指す。例文帳に追加

Through the implementation of the threearrows,” including this Growth Strategy, among other measures, Japan aims to achieve a vibrant economy that will register over 2% labor productivity improvement in the medium- to long-term, and around 3% nominal gross domestic product (GDP) growth and around 2% real GDP growth, on average, over the next ten years. By the late 2010s, the goal will be to achieve even higher growth.  - 経済産業省

先週 その若竹が3日間で1メートル 成長したのを目の当たりにしたところです例文帳に追加

That shoot, we watched it grow a meter in three days just last week - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

また、GaN層5は、ピンホールPから露出するGaN膜を成長の核とする横方向の成長により合体し表面が平坦化されるまで成長させる。例文帳に追加

In addition, the GaN layer 5 is formed, by laterally growing the portions of the GaN layer 3 exposed through the pinholes P as nucleus for growth, until the grown portions join to each other and the surfaces of the joints are planarized. - 特許庁

3. 我々の、世界経済の強固で持続可能かつ均衡ある成長のための枠組みは、持続力のある成長と我々の共通目標を達成するに当たっての課題に対処するための協働を継続する上での、重要な仕組みである。例文帳に追加

3. Our Framework for Strong, Sustainable and Balanced Growth for the global economy is a key mechanism through which we will continue to work together to address the challenges associated with achieving a durable recovery and our shared objectives.  - 財務省

そして、微粒子集合体の成長にあわせて、分散媒の蒸発速度を速める装置5を微粒子分散液2の側へ移動させることにより、微粒子集合体の成長端4を微粒子分散液2の側へ移動させ、前記微粒子集合体の成長方向を制御する。例文帳に追加

By moving the device 5 to the dispersion liquid 2 side in conformity to the growth of the particulate assembly 3, a growth end 4 of the assembly 3 is moved to the dispersion liquid 2 side to control the growth direction of the assembly 3. - 特許庁

慶長3年(1598年)、秀吉の命令で豊臣政権下の五奉行の1人に任じられた。例文帳に追加

He was made one of the Gobugyo of the TOYOTOMI Administration by Hideyoshi in 1598.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

このように、財政赤字の更なる拡大は、回復し始めた世界経済の成長を妨げるリスク要因となり得る(コラム3、4参照)。例文帳に追加

In this way the further expansion of fiscal deficits could become a risk factor which could hinder growth of the global economy that has just started to recover (Refer to Column 3 and 4). - 経済産業省

本発明に基づく加熱調理装置1は、調理容器と、調理容器内に投入された流動性調理食材を加熱するための加熱装置5と、流動性調理食材及び流動性調理食材から生じた流動性湧出食材が、調理容器からオーバーフローした際に流入するように設けられたオーバーフロー容器7と、を備えている。例文帳に追加

The cooking apparatus 1 is provided with a cooking container 3, a heating device 5 for heating the fluid cooking food material fed inside the cooking container 3, and an overflow container 7 provided so as to make the fluid cooking food material and the fluid flown out food material generated from the fluid cooking food material flow in at the time of overflowing from the cooking container 3. - 特許庁

この超電導薄膜線材3は、金属基板と、この基板の片面上のみに形成されたRE系超電導薄膜とを有する。例文帳に追加

The superconducting thin-film wire material 3 includes a metal base board and an RE system superconducting thin film formed on only one side of the board. - 特許庁

制御部4は、予め排水調整量を記憶し、排水量測定部2において測定される排水量が、排水調整量を超える場合には排水量調整部の開度を締める。例文帳に追加

The control section 4 stores a drain adjustment volume in advance and, when the drain volume detected by the drain volume measuring section 2 exceeds the drain adjustment volume, fastens the apertures of the drain volume adjustment section 3. - 特許庁

これは、半導体結晶2の成長に伴って半導体結晶2の結晶成長面2aが結晶成長基板1の結晶成長面1a付近から上方に移動する間にも、半導体結晶2はELOマスクの傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

通帳繰越が発生した場合には、イメージスキャナにより旧通帳から読取った個人画像を新通帳の表紙または見返し部に印刷する。例文帳に追加

When carry-over of the bankbook P is generated, the personal image read from the old bankbook by the image scanner 3 is printed on the end leaves of a cover of a new bankbook. - 特許庁

世界経済危機の影響を受けて減速した中国経済は、2009年第1四半期を谷として回復傾向を強め、2010年の実質 GDP 成長率は、前年比10.3%と、2007年以来、3年ぶりとなる2桁成長を達成した。例文帳に追加

From the end of 2008 through early 2009, China’s economy that slowed under the influence of the world economic crisis, strengthened the recovery tendency after the bottom in the first-quarter in 2009, and, as for the real growth rate in 2010, it was 10.3% increase over the previous year. It achieved a double digit growth after 3 years since 2007. - 経済産業省

ガラス板1上の所定領域に形成された成長起点のみから薄膜が成長を開始するように成分を調整した原料ガスを用いた化学蒸着(CVD)法により、薄膜(例えば酸化錫膜等の透明導電膜)を上記所定領域に選択的に成長させる。例文帳に追加

By a chemical vapor deposition (CVD) process using a gaseous starting material in which components are regulated in such a manner that thin films start to grow only from growth starting points 3 formed at prescribed regions on a glass plate 1, thin films (e.g., transparent electrically conductive films such as tin oxide films) are selectively grown on the above prescribed regions. - 特許庁

GaN基板1とエピタキシャル成長層5との界面における1cm^3当りのシリコン(Si)原子の個数は1×10^20以下である。例文帳に追加

The number of silicon (Si) atoms per one cm^3 in the interface of the GaN substrate 1 and the epitaxial growth layer 5 is 1×10^20 or smaller. - 特許庁

また、日本APECにおいても成長戦略(「本節3.(4)③APEC地域の成長戦略の策定」で後述)の一つとして、知的財産インフラの整備、IT利活用、高度人材交流促進といった、イノベーションと知識経済化に基づく成長を目指すこととしており、知識経済の拠点化が重要である。例文帳に追加

The aim is growth based on innovation and the knowledge economy. This means the maintenance of intellectual property infrastructure, IT use, and promotion of advanced human sources as one of growth strategy (see the following description, Section 3, (4) (c) Decision of growth strategy in APEC region) in Japan APEC. - 経済産業省

「宮内省官制」(明治40年皇室令第3号)制定当時は、「典式」として宮内庁式部職の所掌とされた。例文帳に追加

When the 'Kunai-sho Kansei' (Imperial Household Ministry Organization) (Article 3 of Koshitsu-rei; the Imperial Families' Act, in 1907) was established, it was under the control of Shikibu-shoku of Imperial Household Agency as 'tenshiki.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

表面に酸化膜が形成されたシリコン基板などの基板4上に触媒CVD法により窒化シリコン層10を成長させる場合に、少なくとも成長初期に成長雰囲気の全圧を1.×10^-3Pa以上4Pa以下に設定し、あるいは、少なくとも成長初期に成長雰囲気における酸素および水分の分圧を6.65×10^-10 Pa以上2×10^-6Pa以下に設定する。例文帳に追加

When a silicon nitride layer 10 is formed on a substrate 4 like a silicon substrate with an oxide film on its surface in a catalytic CVD method, the total pressure of growth atmosphere is set from 1.33×10^-3 Pa to 4 Pa in at least an early stage. - 特許庁

半導体基板1上に半導体層2を介して、磁性混晶半導体をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子/半導体複合材料4を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁

パルス供給AlN層5は、NH_パルス供給を用い第2の成長モードであるグレインサイズを拡張し、転位を低減する低速成長モードで形成され、転位を低減するとともに、核成長層を埋め込むことができる。例文帳に追加

The pulse supply AlN layer 5 is formed in a low-speed growth mode wherein a grain size is expanded to reduce dislocation as a second growth mode by using NH_3 pulse supply, and while dislocation is reduced, the nucleation layer 3 can be buried. - 特許庁

多結晶シリコン膜の成長前処理において,シリコン基板1上の自然酸化膜を除去するために、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜はエピタキシャル成長され、ヒ素ドープ単結晶シリコン膜5となる。例文帳に追加

In the pre-treatment of growth of the film 3, in order to eliminate a natural oxide film on the silicon substrate 1, the polycrystal silicon film 3 is epitaxially grown and turned into an arsenic-doped single crystal silicon film 5. - 特許庁

3. 昨年、APECエコノミーの首脳は、金融・経済危機後の地域の成長を形づくるために、2010年にAPEC成長戦略を策定することに合意した。例文帳に追加

3. Last year, the APEC Economic Leaders agreed to formulate an APEC Growth Strategy in 2010 to shape the region’s growth following the financial and economic crisis.  - 経済産業省

オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、 − 多数の凸部(4)および凹部()を有する構造化された成長面(2)を備えた成長基板(1)と、 − この成長面(2)にデポジットされるアクティブ層列(5)と有することを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップを構成する。例文帳に追加

The electronics semiconductor chip is formed of a growth substrate (1) equipped with a structured growing surface (2) having a lot of protrudes (4) and recesses (3), and an array of active layers (5) deposited on the growing surface (2). - 特許庁

例文

熱可塑性樹脂と強化繊維を含み、均一に分散した強化繊維の重量平均繊維長と数平均繊維長の比が1.1からであり、重量平均繊維長が2mmから15mmであることを特徴とする繊維強化熱可塑性樹脂構造物。例文帳に追加

This fiber-reinforced thermoplastic resin structure comprising a thermoplastic resin and reinforcing fibers, characterized in that the ratio of the weight-average fiber length of the homogeneously dispersed reinforcing fibers to their number-average fiber length is 1.1 to 3 and in that the weight- average fiber length is 2 to 15 mm. - 特許庁

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