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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > メモもしてないのかに関連した英語例文

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メモもしてないのかの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 10764



例文

メモリコア1内の書込み用アドレスデコーダ31により、AI2に従って適切なメモリセルがアクセスされる。例文帳に追加

A proper memory cell is accessed according to the AI2 by an address decoder 31 for writing in the memory core 1. - 特許庁

メモリアクセス制御部3は、各不揮発性メモリ4,5に格納されている各種の情報(インク残量,使用開始年月等)を読み出してメモリアクセス制御部3内のRAMに格納する。例文帳に追加

The memory access control part 3 reads various information (the residual quantity of ink, a use start data, etc.) stored in the respective nonvolatile memories 4, 5 and stores the information in an RAM in the memory access control part 3. - 特許庁

メモリアクセス制御部3は、各不揮発性メモリ4,5に格納されている各種の情報(インク残量,使用開始年月等)を読み出してメモリアクセス制御部3内のRAMに格納する。例文帳に追加

The memory access control section 3 reads a variety of information (quantity of remaining ink, month and year of starting using or the like) stored in nonvolatile memories 4 and 5 and stores in a RAM in the memory access control section 3. - 特許庁

メモリアクセス制御部は、各不揮発性メモリに格納されている各種の情報(インク残量,使用開始年月等)を読出してメモリアクセス制御部内のRAMに格納する。例文帳に追加

The memory access control section reads out various information (such as residual quantity of ink and the date of start of use) stored in each nonvolatile memory and stores it in RAM in the memory access control section. - 特許庁

例文

このメモリ装置は、メモリ・コントローラのスレーブとして動作するため、メモリ・コントローラによって定義される以外の時間に命令を実行することはできない例文帳に追加

As this memory device is operated as a slave of the controller 22, it cannot perform an instruction in a time other than the time controlled by the controller 22. - 特許庁


例文

更新に失敗した場合、現在のメモリを、更新済みのファームウェアが記憶された別の新しいメモリに交換し、USBメモリ装置内に記憶されたユーザ設定値及び個別設定値をTV受像機に転送して復旧する。例文帳に追加

If the update fails, the current memory is replaced by another new memory storing updated firmware, and the user set value and individual set value stored in the USB memory device are transferred to the TV receiver for restoration. - 特許庁

メモリカードに備えられた不揮発性メモリ装置の動作方法は、メモリカードの第1不揮発性マット内の不良ブロックのアドレスを再マッピングし、メモリカード内で第2不揮発性マットの不良ブロックのアドレスを再マッピングすることによって提供することができる。例文帳に追加

The method of operating the nonvolatile memory device included in a memory card can be provided by re-mapping addresses of bad blocks in a first nonvolatile MAT in the memory card and re-mapping addresses of bad blocks in a second nonvolatile MAT in the memory card. - 特許庁

動作不能化されていないフラッシュメモリダイに基づくフラッシュメモリのデータ記憶容量を示すラベルを、複数のフラッシュメモリダイを含むパッケージに付すことができる。例文帳に追加

Packages containing multiple flash memory dies may be labeled to indicate a flash memory data storage capacity based on the flash memory dies that are not disabled. - 特許庁

動作不能化されていないフラッシュメモリダイに基づくフラッシュメモリのデータ記憶容量を示すラベルを、複数のフラッシュメモリダイを含むパッケージに付すことができる。例文帳に追加

Packages containing a plurality of flash memory dies may be labeled to indicate a flash memory data storage capacity based on the flash memory dies that are not disabled. - 特許庁

例文

汎用のメモリチップを用いて必要面積を大きくすることなく、安価に構成すると共に、メモリ容量の変更に柔軟に対応することができる、メモリ内蔵のファンクションチップとしての半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device as a function chip, built in a memory which is constructed at a low cost and can flexibly respond to a change in memory capacity by using a general-purpose memory chip, without enlarging a required area. - 特許庁

例文

また、調停ブロック150内に疑似調停ブロック180を設け、アクセス履歴のトレース実行中の他のメモリアクセスブロックからのメモリ使用要求信号を受け付け、実際に内蔵メモリ160にアクセスすることなくメモリ使用承認信号を返送する。例文帳に追加

A pseudo arbitration block 180 is also provided in an arbitration block 150, receives a memory use request signal from another memory access block in the process of trace execution of the access history and returns a memory use approval signal without actually accessing an internal memory 160. - 特許庁

制御部20は、メモリカードスロット2bに装填されたメモリカード内の更新データを、RAM20Cにコピーする。例文帳に追加

A control unit 20 copies update data in the memory card loaded in a memory card slot 2b to a RAM 20C. - 特許庁

近年、不揮発性メモリ内蔵マイコンに搭載される不揮発性メモリの容量が格段に増加してきたことにより、不揮発性メモリに対する書込み処理の簡便化および高速化が望まれてきている。例文帳に追加

To realize simple and high speed writing process to a nonvolatile memory to cope with needs due to a dramatic increase, in recent years, in a capacity of a nonvolatile memory to be mounted on a microcomputer having a built-in nonvolatile memory. - 特許庁

1実施例では、リモート・メモリ・キャッシュをリモート・ノード内の複数のシステム・メモリに渡って分散することにより、リモート・メモリ・キャッシュへのアクセス帯域幅が増加される。例文帳に追加

In one embodiment, access bandwidth to the remote memory cache is increased by distributing the remote memory cache across multiple system memories in the remote node. - 特許庁

分散メモリ型の情報処理装置において、提示メモリモジュール14−1、14−3が自己のメモリモジュール内でソートされた要素を順位番号とともに、スイッチ30などにより分割されたバス24を介して、判定メモリモジュール14−2、14−4に与える。例文帳に追加

Relating to a distributed memory type information processor, presentation memory modules 14-1 and 14-3 supplies elements sorted inside their own memory modules, together with order numbers via a bus 24 divided by a switch 30 or the like to judgment memory modules 14-2 and 14-4. - 特許庁

メモリトランジスタ内で電荷蓄積手段が平面的に離散化されたNAND型不揮発性メモリのリードディスターブ特性を改善する。例文帳に追加

To improve a read disturb characteristics in an NAND type nonvolatile memory, wherein a charge storage means is discretized in plane within a memory transistor. - 特許庁

バッテリー14によるバックアップ機能付きの低速演算データメモリ13と、バックアップ機能がない高速演算データメモリ12並びにより高速処理が可能な高速内蔵メモリ16を有する。例文帳に追加

The controller is provided with a low speed operation data memory 13 with a backup function by a battery 14, a high speed operation data memory 12 without the backup function and a high-speed built-in memory 16 capable of higher speed processing. - 特許庁

フラッシュメモリのブロック内に確保しておくガーベージコレクション用の予約メモリの記憶容量を増やすことなく、ガーベージコレクションの実行頻度の増加を抑え、フラッシュメモリに対する実質的なアクセス速度の低下を防止することができるメモリ管理装置を実現する。例文帳に追加

To achieve a memory management device that can hold down the increase of execution frequency of garbage collection and can prevent the reduction of substantial speed of access to a flash memory without increasing the memory capacity of a reserved memory, for the garbage collection, allocated in a block in the flash memory. - 特許庁

メモリコントローラとメモリデバイス間でデータのやり取りを行わない状態のときにはメモリバスラインの終端部の電圧供給をオフして消費電力を削減する。例文帳に追加

To reduce the power consumption by making off the supply of voltage to the terminal part of a memory bus line in the state where exchange of data is not carried out between a memory controller and a memory device. - 特許庁

プログラムメモリ(402)とデータメモリ(403)とに並列アクセスがあり、この時のデータがいずれも復元できない時、現ステージでは、プログラムメモリのバス(410,411)のデータのみをトレースし、データメモリのバス(420,421)のデータは記憶装置(407,408)に格納する。例文帳に追加

When there are parallel accesses to a program memory 402 and a data memory 403, and any data cannot be recovered at this time, only the data of buses 410 and 411 in the program memory are traced and the data in buses 420 and 421 in the data memory are stored in storage devices 407 and 408 at the current stage. - 特許庁

メモリシステムは、ホスト機器から電源を供給され、ホスト機器からの要求によってデータの記憶および記憶されたデータの出力を行い、半導体メモリと、メモリへのデータの書き込みおよびメモリからのデータの読み出しを制御するコントローラとを含む。例文帳に追加

This memory system is configured to store data and output the stored data in response to a request from host equipment when a power is supplied from the host equipment 2, and provided with a semiconductor memory 11 and a controller 12 for controlling the write of the data in the memory and the read of the data from the memory. - 特許庁

たとえば、不揮発性半導体メモリ3aに書き込みを行う場合、コントローラ4は、不揮発性半導体メモリ3aへの書き込みを行いながら、不揮発性半導体メモリ3bに格納されたアドレス変換テーブルの更新処理を行い、メモリカード1の書き込み処理時間を短縮する。例文帳に追加

For example, when writing is performed to the nonvolatile semiconductor memory 3a, a controller 4 performs update processing of the address conversion table stored in the nonvolatile semiconductor memory 3b while performing writing to the nonvolatile semiconductor memory 3a to shorten the write processing time of the memory card 1. - 特許庁

メモリ素子のリフレッシュ条件を確実に満たしつつ、メモリアクセスとリフレッシュ動作が競合しないようにリフレッシュ間隔を動的に制御するメモリ制御回路を得る。例文帳に追加

To obtain a memory control circuit controlling dynamically the refreshing interval so that a memory access and refreshing do not conflict while satisfying surely the refreshing conditions of a memory element. - 特許庁

誤り検出訂正及びメモリアクセスを高速に行い、メモリの使用効率を向上可能なデータ記憶制御装置を実現する。例文帳に追加

To realize a data storage controller capable of improving utilization efficiency of the memory by fast performing error detection correction and memory access. - 特許庁

ICカード内のメモリにあらかじめ書込まれている初期値を発行前にあらかじめ登録することにより、メモリに対して個人データを書込む際、当該個人データ内にメモリ初期値と同等のデータが存在するか否かを判定し、メモリ初期値と同等のデータが存在する場合は当該データのメモリへの書込みは行なわないように制御する。例文帳に追加

By previously registering an initial value written previously in the memory in an IC card before issuance, on the occasion when personal data is written into the memory, whether data, equivalent to the memory initial value exists in the personal data, is decided, and when data equivalent to the memory initial value exists, control is performed so that the data will not be written to the memory. - 特許庁

プログラムメモリに格納された制御定数をシリアル通信回路を介してデータメモリに送信する電子制御装置において、データメモリ内のデータの信頼性を向上する。例文帳に追加

To improve the reliability of data in a data memory in an electronic controller for transmitting control constants stored in a program memory to the data memory through a serial communication circuit. - 特許庁

メモリバス監視部410は、メモリバス120の混雑度を監視し、帯域予測部425は、フレーム転送部の処理に伴いフレーム転送部が使用するメモリバス帯域を予測して予測帯域を得る。例文帳に追加

A memory bus monitoring part 410 monitors the degree of congestion of the memory bus 120, and a band prediction part 425 predicts a memory bus band that the frame transfer part uses as the processing of the frame transfer part is carried out to obtain a predicted band. - 特許庁

従来の技術による諸問題を解決するため、メモリーブロックの使用状態を記録するために別途にメモリーセルを必要としないメモリーのアクセス方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for accessing memory which does not need memory cell separately to record a use state of a memory block, in order to solve various problems caused by prior art. - 特許庁

メモリ部のユーザ情報をバックアップ可能となっていても、この場合には実行しない例文帳に追加

Even when the user information in the memory section can be backed up, execution is not performed in this case. - 特許庁

したがって、メモリ4内の各メモリセルが“0”から“1”、または“1”から“0”に書換えられる頻度を平均的に少なくでき、データ書込み時におけるメモリ4の消費電力を削減することが可能となる。例文帳に追加

Therefore, it is possible to averagely reduce frequency that each memory cell in the memory 4 is rewritten from '0' to '1' or from '1' to '0', and to reduce the power consumption of the memory 4 at the time of writing the data. - 特許庁

メモリマット10〜60を含むメモリアレイをコの字型に配置し、メモリアレイが配置されていない空き領域にロジック回路92およびアナログ回路91を配置している。例文帳に追加

A memory array including memory mats 10 to 60 is allocated in a U shape, and a logic circuit 92 and analog circuit 91 are arranged in a space area in which the memory array is not allocated. - 特許庁

メモリマット10〜60を含むメモリアレイをコの字型に配置し、メモリアレイが配置されていない空き領域にロジック回路92およびアナログ回路91を配置している。例文帳に追加

In this nonvolatile semiconductor memory, a memory array which includes memory mats 10 to 60 is arranged into a U-shaped form and a logic circuit 92 and an analog circuit 91 are arranged in a space area where the memory array is not arranged. - 特許庁

この方法は、メモリ・アクセス・トランザクションを検出し、メモリ・アクセス・トランザクションの種類に基づいて保持値を求め、メモリ・アクセス・トランザクションに関連するエントリ内に保持値を格納することを含む。例文帳に追加

This method comprises: detection of a memory access transaction; seeking a hold value based on the kind of the memory access transaction; and storing the hold value in an entry related to the memory access transaction. - 特許庁

制限メモリ内のデータを変化させる場合には、該当するブロックを自由メモリにコピーして、自由メモリ上でブロック内のデータ書換え処理を行う。例文帳に追加

For changing the data inside the limited memory, the corresponding block is copied to the free memory, and on the free memory, the data inside the block is rewritten. - 特許庁

複写元とするメモリカードをカードスロット18a〜18dに装着し、複写実行を指示すると、複写元のメモリカードに格納されている画像が読み出され、内部メモリ24に記録される。例文帳に追加

If copy execution is directed when a memory card to be a copy source is installed into the card slots 18a-18d, an image stored in the memory card of the copy source is read and recorded on an internal memory 24. - 特許庁

複写元とするメモリカードをカードスロット18a〜18dに装着し、複写実行を指示すると、複写元のメモリカードに格納されている画像が読み出され、内部メモリ24に記録される。例文帳に追加

When memory cards, as copy source, are mounted on the card slots 18a-18d and copy instructions are made, images stored in the memory cards of copy source are read out and recorded to an internal memory 24. - 特許庁

第2のエクスクルーシブオア回路41は、メモリからのデータ読み出し時に、メモリから読み出した検査ビットとメモリ内での収容アドレスに関連する照合パターンの排他的論理和を生成する。例文帳に追加

A second exclusive OR circuit 41 exclusively ORs the check bit read out of the memory 10 and a collate pattern related to the storage address in the memory at the time of reading data out of the memory 10. - 特許庁

メモリをデータ記憶用、プログラム実行用に任意に割り当て可能な携帯端末において、印刷実行時に印刷バッファとして使用するメモリが足りない場合、自動でプログラム実行用メモリを増やし印刷を実行する。例文帳に追加

When the mobile terminal whose memory can be allocated to data storage or program execution runs out of memory used as a print buffer during printing, the memory for executing the program is automatically increased to execute printing. - 特許庁

電源投入などのリセット時に,メモリ初期化用のリコンフィグレーションデータが自動的に生成され,リコンフィグ回路ユニット内にメモリ初期化用リコンフィグレーションデータに基づいて,被初期化メモリのアドレスと書込値を生成するメモリ初期化回路が構築される。例文帳に追加

In the integrated circuit device, reconfiguration data for memory initialization is automatically created during resetting such as at power-on time, and a memory initialization circuit for creating the address of a memory to be initialized and a write value is constructed within a reconfiguration circuit unit according to the reconfiguration data for memory initialization. - 特許庁

ディジタル複合装置20において、各クライアントPC30毎に、メモリボックス領域8a内の対応するメモリボックスMB(n)を備える。例文帳に追加

A digital composite device 20 is provided with a memory box MB(n), corresponding to inside of memory box areas 8a by each client PC30. - 特許庁

相互に接続することによりメモリカードの容量を容易に増設することができる、フラッシュメモリを内蔵するATAコントローラを提供する。例文帳に追加

To provide an ATA controller with a built-in flash memory, for easily expanding the capacity of a memory card by being connected. - 特許庁

そして、アドレス変換メモリ42では、待機系バッファメモリ32内の領域を指すアドレス情報Bに変換して変換後主メモリアドレスバス142に出力し、アドレス切換器92を経由して待機系バッファメモリ32にこのアドレス情報Bが供給される。例文帳に追加

Then, the address A is converted into address information B indicating an area in a waiting system buffer memory 32 in the address conversion memory 42, and outputted to a post-conversion main memory address bus 142, and this address information B is supplied through an address switcher 92 to a waiting system buffer memory 32. - 特許庁

各不揮発性メモリデバイスは、メモリロケーションの行によって規定され、ここで、少なくとも2つの半導体デバイスの対応する行が、その内部に2セクタの情報を、不揮発性メモリデバイスのメモリ行の1つに維持された2つのセクタに関連するオーバーヘッド情報と共に維持する。例文帳に追加

Each nonvolatile memory device is defined by a row of memory locations wherein corresponding rows of at least two semiconductor devices maintain two sectors of information therein with the overhead information relating to the two sectors maintained in one of the memory rows of the nonvolatile memory device. - 特許庁

各不揮発性メモリデバイスは、メモリロケーションの行によって規定され、ここで、少なくとも2つの半導体デバイスの対応する行が、その内部に2セクタの情報を、不揮発性メモリデバイスのメモリ行の1つに維持された2つのセクタに関連するオーバーヘッド情報と共に維持する。例文帳に追加

Each non-volatile memory device is defined by a row of memory locations wherein corresponding rows of at least two semiconductor devices maintain of two sectors of information therein together with overhead information relating to the two sectors maintained in one of memory rows of the non-volatile memory device. - 特許庁

再プログラム可能不揮発性メモリに比較して相対的に少ないランダムアクセスメモリ(RAM)を有する構成に対処するため、及び該再プログラム可能不揮発性メモリへのアクセスを改善するためにメモリ制御論理が提供される。例文帳に追加

Memory control logic is provided so as to cope with a structure having less random access memory (RAM) relatively compared with reprogrammable nonvolatile memory and improve access to the reprogrammable nonvolatile memory. - 特許庁

側面にロック用凹部を備えたメモリカードと、側面にロック用凹部を有していないメモリカードとの両方を挿入,抜き取りできるロック機能付きメモリカード用コネクタを提供することにある。例文帳に追加

To provide a connector for memory cards which a lock function, which can insert or extract both the memory card, which has a concave part for a lock in its side face, and the memory card, which does not have the concave part for the lock in its side face. - 特許庁

共有メモリ型並列計算機において、共有メモリアクセス数の削減を目的とし、各プロセッサ要素内に配置される共有メモリのバッファリングを行う場合のバッファリング効率を高めることを目的とする。例文帳に追加

To enhance buffering efficiency when a shared memory to be arranged in respective processor elements is buffered by reducing the number of accesses to the shared memory in shared memory type parallel computers. - 特許庁

また、メモリセルアレイの列方向に沿ってメモリセルアレイの各ワード線を分割する分割回路を設け、前記メモリセルアレイを複数のブロックに分割することにより、前記メモリセルアレイの内部に含まれる故障箇所の範囲をさらに絞り込むことが可能になる。例文帳に追加

A circuit for dividing each word line in the memory cell array along the row direction of the memory cell array 1 is provided and the fault in the memory cell array 1 can be localized furthermore by dividing the memory cell array 1 into a plurality of blocks. - 特許庁

一旦,可変長メモリ領域に確保された固定長メモリブロックの領域を元の可変長領域に変更する際に生じ得る過負荷処理を排除してメモリの割付及び開放処理を高速に行い,且つ,メモリ内に使用することができない未使用領域を生じさせずに使用効率のよいメモリ管理方式を提供すること。例文帳に追加

To provide a memory management method with good use efficiency capable of performing assignment and opening processing of a memory at high speed while causing no unused area which is not usable within the memory by eliminating overload processing which is caused in changing the area of a fixed length memory block ensured in a variable length memory area to the original variable length area. - 特許庁

例文

そのとき、フィルム5に対するスキャン動作に連動して、画像データを順次メモリ21に記憶するので、メモリ21内の各コマの画像の位置に対応して、予め決まったメモリアドレスに画像データを記憶することができる。例文帳に追加

Since image data are sequentially stored in the memory 21, in interlocking with the scanning applied to the film 5 in this case, the image data can be stored to a predetermined memory address in cross-reference with the position of each frame image in the memory 21. - 特許庁

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