「下地露出」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

また、得られた多機能性ガラス粒１を、基材上に形成した無機質下地層に散布もしくは吹き込むことで、無機質下地層の表面に多機能性ガラス粒１の一部を露出させて頭出しを行い、無機質下地層を硬化させて施工を行う。例文帳に追加

The obtd. multifunctional glass particles 1 are applied by spraying them on or blowing into an inorg. base layer formed on a base body so that the multifunctional glass particles 1 are partly exposed to air on the surface of the inorg. base layer, and then curing the inorg. base layer. - 特許庁

基板の表面に形成した下地金属の露出表面に無電解めっきにより金属膜を選択的に形成するに際し、下地金属と錯体を形成する成分、及び触媒金属イオンを含む処理液により下地金属表面の前処理を行う。例文帳に追加

In the substrate treatment method, at the time of selectively forming a metal film on the exposed surface of a base metal formed on the surface of a substrate by electroless plating, pretreatment to the surface of the base metal is performed with a treatment liquid comprising components forming a complex with the base metal and catalyst metal ions. - 特許庁

下地１の上面に接触するとともに、下地１の一部を露出するように、所定の間隔を隔てて形成された複数のマスク層２と、下地１の上面上およびマスク層２の上に形成された窒化物系半導体層３とを備えている。例文帳に追加

The nitride-based semiconductor device has pluralities of mask layers 2 that are brought into contact with the upper surface of the foundation 1 and at the same time are formed at specific intervals so that one portion of the foundation 1 is exposed, and the nitride-based semiconductor layer 3 that is formed on the upper surface of the foundation 1 and the mask layer 2. - 特許庁

さらに、ＧａＮ第１下地層２をＡｌＧａＮ第２下地層３の開口部から露出させ、第１下地層２の露出表面１６上に電流阻止層の開口部を設けるか、クラッド層やコンタクト層のストライプ状リッジ部分を設ければ、量子井戸活性層にさらに効率よく電流（ホール）を注入することができる。例文帳に追加

In addition, the current (Hall) can be more efficiently injected into the quantum well active layer when the GaN first underlying layer 2 is exposed from the opening of the AlGaN second underlying layer 3 and the opening of a current blocking layer or the stripe-like ridge section of a clad layer or contact layer is provided on the exposed surface 16 of the first underlying layer 2. - 特許庁

この場合、窒化シリコン膜22が完全に除去されると、下地の真性アモルファスシリコン膜21が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜21がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約４００Å／ｍｉｎであった。例文帳に追加

In this case, when the silicon nitride film 22 is completely removed, the genuine amorphous silicon film 21 of the ground is exposed, the dry etching of the exposed genuine amorphous silicon film 21 is performed to some extent, and its etching rate is about 400 Å/min. - 特許庁

この場合、窒化シリコン膜２２が完全に除去されると、下地の真性アモルファスシリコン膜２１が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜２１がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約４００Å／ｍｉｎであった。例文帳に追加

In this case, when the silicon nitride film 22 is completely removed, the genuine amorphous silicon film 21 of the base is exposed, the exposed genuine amorphous silicon film 21 is dry-etched to some extent, and its etching rate is about 400 Å/min. - 特許庁

第１ステップでは、シリコン酸化膜１０２の途中までホール１０５を形成し、第２ステップでは、下地のＳｉＮ膜１０１が露出し始めるか、露出し始める直前までホール１０５を形成し、第３ステップでは、オーバーエッチングを行う。例文帳に追加

In the first step, a hole 105 is formed to the middle of the silicon oxide film 102, and in the second step, the hole 105 is further deepened until an SiN base film 101 starts to be exposed or immediately before the SiN base film 101 starts to be exposed, and in the third step, over-etching is conducted. - 特許庁

振動片上の電極に下地金属層露出部を有する圧電振動子において、振動片上の電極を形成する下地金属層と表面金属層とを密着性良く形成でき、信頼性の高い水晶振動子を提供するものである。例文帳に追加

To provide a reliable crystal oscillator capable of forming a ground metal layer for forming an electrode on a vibration reed, and a surface metal layer with satisfactory adhesiveness in a piezoelectric vibrator having a ground metal layer exposure section in the electrode on the vibration reed. - 特許庁

本方法は、基板上に絶縁層及び導電層の交互層を形成し、前記交互層の一部を除去し、交互層の下地を露出させ、１以上の導電層に所定の電位を与え、帯電した粒子を交互層の下地へ導く。例文帳に追加

In this method, after alternating layers of insulation layers and conductive layers are formed on a substrate, a part of the alternating layers is removed to expose the underlayer of the alternating layers, then electric potential is applied to more than one layer of the conductive layers to lead charged particles to the alternating layers. - 特許庁

そして、半導体構成体２の放熱用柱状電極１５（放熱用再配線１３および放熱用下地金属層１２を含む）に接続された放熱層２３（放熱用下地金属層２２を含む）は、オーバーコート膜２５の開口部２８を介して外部に露出されている。例文帳に追加

And a heat dissipation layer 23 (including base metal layer 22 for heat dissipation) connected with the columnar electrode 15 for heat dissipation of the semiconductor construction object 2 (including re-wiring 13 for heat dissipation and base metal layer 12 for heat dissipation) is exposed outside through an opening 28 of the over coat film 25. - 特許庁

第１の材料からなる下地部材の表面に金属層が密着した加工対象物の該金属層の表面に、対物レンズによって集光されたレーザビームを入射させ、金属層に穴を形成し、下地部材の一部を露出させる。例文帳に追加

The laser beam condensed by an objective lens is made incident on the surface of a metallic layer of an object for working formed by firmly sticking a metallic layer on the surface of a substrate member consisting of a first material to form the hole on the metallic layer and to expose a part of the substrate member. - 特許庁

撥液膜６の一部を除去することで露出させた凸部３の表面の一部に、下地膜９を形成するので、下地膜９の上に、無電解めっきにより均一な厚さで滑らかな反射面４を精度良く形成することができる。例文帳に追加

Since an underlying film 9 is formed on part of the surface of a projecting part 3, exposed by removing part of a liquid-repellent layer 6, the smooth reflective surface 4 with a uniform thickness can be formed accurately on the underlying film 9 through electroless deposition. - 特許庁

保持部材３８により保持された素子本体１０における露出している端部を電解メッキ液４０中に浸し、下地層に負の電圧を印加し、電解メッキを行い、メッキ液が接触している下地層の表面にメッキ膜を形成する。例文帳に追加

An exposed end in the element main body 10 held by the holding member 38 is dipped into an electrolytic plating liquid 40, and negative voltage is applied to the underlying layer so as to carry out electrolytic plating so that a plating film may be formed in the surface of the underlying layer with which the plating liquid is brought into contact. - 特許庁

後側ガラス基板２の前側ガラス基板１に対向させる側の表面に、複数の下地層６ａが所定の配列で島状に点在配設され、これら下地層６ａとそれらの間に露出する後側ガラス基板２の表面を被って表面反射膜６ｂが被着されている。例文帳に追加

A plurality of base layers 6a are dotted and disposed in an island-shape in a prescribed array on the surface of a rear side glass substrate 2 on the side opposed to a front side glass substrate 1 and a surface reflection film 6b is deposited covering the base layers 6a and the surface of the rear side glass substrate 2 exposed therebetween. - 特許庁

基板の少なくとも一方の面上に下地層および剥離部が順次設けられた光情報記録媒体であって、下地層は、水溶性ポリマー及び／又は生分解性プラスチックを含む材料により形成され、一部が光情報記録媒体表面に露出するように設けられている。例文帳に追加

In the optical information recording medium having a base layer and a separation part successively provided on at least one surface of a substrate, the base layer is formed by using a material containing a water soluble polymer and/or biodegradable plastics and a part of the base layer is provided so as to be exposed on the surface of the optical information recording medium. - 特許庁

下地層５の表面に形成された第１の導電膜６の端部を緩斜面状に整形する工程と、この緩斜面と下地層５の露出部とに渡って第２の導電膜１０を形成する工程とによって修正を行う。例文帳に追加

The conductive film modifying method comprises a first process of forming the end of a first conductive film 6 formed on the surface of an underlying layer 5 into a gentle slope, and a second process of forming a second conductive film 10 spreading over the gentle slope and the exposed part of the underlying layer 5. - 特許庁

この場合、直交する２方向の隣接ドットにおいて、直交する２方向の中心間距離が、ドットの直径の１／√２倍以内となるようにし、複数滴のドットを打ち込んだ際に、下地がすべてドットによって被覆されるようにし、下地が露出しないようにしている。例文帳に追加

In this case, in adjacent dots that are crossed orthogonally in two directions, the distance between the centers of the adjacent dots that are crossed orthogonally in two directions is defined to be within 1/√2 times as long as the diameter of the dot so that bedding can be entirely covered with dots when the plurality of droplets are injected, preventing the bedding from being exposed. - 特許庁

シリコン基板１の上に下地用パターン（アルミ薄膜）３と絶縁膜４が露出した状態で、プラズマ処理による表面改質を行い（Ｆ化し）、下地用パターン３では金属膜の剥離を発生させず絶縁膜部表面での剥離を容易にさせる。例文帳に追加

A base pattern (aluminum film) 3 and an insulation film 4 being exposed on a silicon substrate 1 is treated with plasma to reform the surface (fluorination) to facilitate peeling it on the insulation film surface, without peeling the metal film on the base pattern 3. - 特許庁

コンタクトプラグ７及び層間絶縁膜６上に下地絶縁膜８及び犠牲層間絶縁膜９を形成した後、コンタクトプラグ７が露出するまでストレージノード電極形成領域の犠牲層間絶縁膜９及び下地絶縁膜８を除去して開口部１０を形成する。例文帳に追加

After an underlying insulating film 8 and a sacrificial interlayer dielectric 9 are formed on contact plugs 7 and an interlayer insulating film 6, openings 10 are formed by removing the interlayer dielectric 9 and insulating film 8 in storage node electrode forming areas until the contact plugs 7 are exposed. - 特許庁

そして、半導体構成体２の放熱用柱状電極１５（放熱用再配線１３および放熱用下地金属層１２を含む）に接続された放熱層２３（放熱用下地金属層２２を含む）は、オーバーコート膜２５の開口部２８を介して外部に露出されている。例文帳に追加

A dissipation layer 23(including a dissipation ground metal layer 22), which is connected with the dissipation columnar electrode 15(including a dissipation re-wiring 13 and a dissipation ground metal layer 12) of the semiconductor composition 2, is exposed outside through an opening 28 of the overcoat film 25. - 特許庁

保持部材３８には、保持孔３６から露出している素子本体１０の端部に形成してある下地層に接続される導電経路５０が形成してあり、当該導電経路５０を通して下地層に負の電圧を印加し、電解メッキを行う。例文帳に追加

Since an electric conductive path 50 connected to the underlying layer is formed at the end of the element main body 10 exposed from the holding hole 36 in the holding member 38, negative voltage is applied to the underlying layer through the electric conductive path 50 so as to perform electrolytic plating. - 特許庁

次いで、レジスト層１４ａの表面をアッシングにより全体的に除去してメインパターン領域５で下地シリコン層１３ａを露出し、レジスト層１４ａの全面にイオン注入することにより、下地シリコン層１３ａにおけるメインパターン領域５のみがドーピングされる。例文帳に追加

Next, the surface of the resist layer 14a is entirely removed by ashing to expose a base silicon layer 13a in a main pattern area 5, and ions are implanted into the entire surface of the resist layer 14a to dope only the main pattern area 5 in the base silicon layer 13a. - 特許庁

ドレイン電極を覆う誘電膜をエッチングしてドレイン電極を露出させるとき、絶縁膜のその薄い一部がその下地の誘電膜を保護する。例文帳に追加

When a dielectric film covering the drain electrode is etched to expose the drain electrode, the thin part of the insulation film protects the base dielectric film. - 特許庁

接続配線１０が露出した部分に、高融点金属から成る端子下地層２０を形成し、さらに、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金から成るＣＯＧ端子層２２を形成する。例文帳に追加

A terminal underlayer 20 consisting of a metal having a high melting point is formed at the part where the connection wire 10 is exposed and a COG terminal layer 22 consisting of aluminum or an aluminum alloy is further formed thereon. - 特許庁

ボンディングパッド４１へのステッチボンディングの際に、下地層が露出しない３０Ｈｖ〜４８Ｈｖのビッカース硬度を有する合金を配線材料とする。例文帳に追加

In applying stitch bonding to a bonding pad 41, an alloy having Vickers hardness of 30 to 48 Hv by which a ground layer is not exposed is used as a wire material. - 特許庁

第1及び第2主電極から露出した下地の上側表面にはゲート絶縁膜13が形成されておりゲート絶縁膜の上側にはゲート電極31が設けられている。例文帳に追加

A gate insulating film 13 is formed on the upper surface of a base which is exposed from the first and second main electrodes, and a gate electrode 31 is provided above the gate insulating film. - 特許庁

レジストパターン上に堆積した不要なメッキ下地膜をレジストパターンと共に剥離させた後、ウエットエッチングにより給電膜１２のうち少なくともメッキ配線１７から露出している領域を選択的に除去する。例文帳に追加

After the unwanted plating base film deposited on the resist pattern is released together with the resist pattern, the area of the feeding film 12 exposed from the plating wiring 17 at least is selectively removed by wet etching. - 特許庁

金属成型瓦(1)は、露出した屋根下地材(51)の領域と共に、その左側に隣接する瓦材(4d)の右半分とその右側に隣接する瓦材(4e)の左半分とを覆う。例文帳に追加

The metal molded tile 1 covers the region of the exposed roof backing material 51 and also the right half of the tile member 4d adjacent to the left side and the left half of a tile member 4e adjacent to the right side. - 特許庁

しかも、上材料層１６は、粗なパターンで形成されていることから、マット調の下地層がグロッシーな上層から部分的に露出させられた窯変調模様が得られる。例文帳に追加

Moreover, the kiln modulation pattern wherein a mat tone ground layer is partially exposed from the glossy upper layer since the upper material layer 16 is formed by a rough pattern. - 特許庁

電極の下地メッキ膜及び芯線を露出することなく、導電体と電極とを良好に接続することができる半田付け方法を提供する。例文帳に追加

To provide a soldering method which is capable of well connecting a conductor and an electrode without exposing the substrate plating film and core-wire of the electrode. - 特許庁

このような下地層１１を用いると、より弱いレーザー光によって接続配線層７、１０が除去されるため、分離部４に露出している基板５へのレーザー光によるダメージを軽減することか可能となる。例文帳に追加

If the ground layer 11 which has such properties is used, since the connection wiring layers 7 and 10 are removed by a weaker laser beam than otherwise, it is possible to reduce damage by a laser beam to the substrate 5 which is exposed to the separation part 4. - 特許庁

露出面に無電解ニッケルめっき被膜を形成し、その下地に電気ストライクめっき被膜を有する耐蝕被膜で製氷部および蒸発器を被覆することで、耐蝕性を向上させると共に、製氷能力を向上させる。例文帳に追加

To improve corrosion resistance, and to improve ice-making capacity, by forming an electroless nickel-plated covering on an exposed surface and covering an ice-making part and an evaporator with a corrosion-resistant covering having an electric strike-plated covering on the substrate. - 特許庁

ストレージノード１０の形成後、酸化膜８及び２０をウェットエッチングで除去する際、下地酸化膜４がコンタクトホール６の側面に露出していないので、その不測のエッチングを防止することができる。例文帳に追加

After a storage node 10 is formed, when oxide films 8, 20 are eliminated by wet-etching, as the underlayer oxide film 4 does not expose to the side face of a contact hole 6, thereby preventing unexpected etching. - 特許庁

溶媒への浸漬により、下地膜２は主に膜の断面部分が露出している反射面外周部分などから溶解が進行し、最終的には多層反射膜３が剥離する。例文帳に追加

By the immersion in the solvent, the dissolution of the base film 2 advances mainly from the peripheral reflective surface etc. whose cross section is exposed so that the multilayer reflection film 3 may be exfoliated eventually. - 特許庁

タイル４は下地合板２の上面のうち金属板３によって覆われていない露出面と該金属板３の上面とに対し接着剤５によって接着されている。例文帳に追加

The tile 4 is adhered with an adhesive 5 to an exposure surface uncovered with the metallic plate 3 and an upper surface of the metallic plate 3 among upper surfaces of the backing plywood 2. - 特許庁

また、酸化物強誘電体薄膜のように、表面が露出していない場合は、該薄膜の形成前に、該薄膜を形成する下地層の表面に、同様の活性酸素を照射する。例文帳に追加

When the surface is not exposed like an oxide ferroelectric thin film, the surface of the underlayer for forming the thin film is irradiated with the active oxygen before forming the thin film. - 特許庁

下地鋼板が露出している場合でも、良好な耐食性を有する皮膜を亜鉛系めっき鋼板上に形成することができる表面処理剤と表面処理剤で表面処理された鋼板を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a surface treatment agent allowing formation of a coating having a favorable corrosion resistance regardless of exposure of a base steel sheet and a steel sheet surface-treated with the surface treatment agent. - 特許庁

作用電極素子の貴金属膜下地である密着層が露出し、測定溶液と接触して溶液測定時の電位変動要因となることを防止する構造を提供すること。例文帳に追加

To provide a structure of preventing that the adhesion layer being the noble metal membrane substrate of an acting electrode element is exposed to come into contact with a measuring solution to thereby cause the variation of potential when measuring a solution. - 特許庁

記録された画像上をミシン目が横切るように形成されると、記録媒体の下地を露出させてミシン目が目障りとなり画質を低下させる。例文帳に追加

To solve such a problem that when a perforation is formed so as to cross a recorded image, image quality is degraded because the substrate of a recording medium is exposed and the perforation is unpleasant to the eye. - 特許庁

トレンチ４２に露出する半導体下地層１０の表面８ａの少なくとも一部が、In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≦x≦1，0.00001≦y≦0.01，0＜1-x-y≦1)で示されるAlドープ窒化物である。例文帳に追加

At least a part of a top surface 8a of the semiconductor base layer 10 which is exposed in the trench 42 is an Al-doped nitride represented by In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0.00001≤y≤0.01, and 0<1-x-y≤1). - 特許庁

瓦材(4c)を一枚除去して露出した屋根下地材(51)の領域に固定金具が固定され、それより棟側に位置する瓦材(4b、4f)の軒側の端部(43)の下に金属成型瓦(1)の棟側の端部が挿入される。例文帳に追加

A fixing metal fitting is fixed to a region of a roof backing material 51 exposed by removing one tile member 4c, and the ridge side end of a metal molded tile 1 is inserted under the eaves side ends 43 of tile members 4b, 4f located on the ridge side. - 特許庁

階段基体の踏み面下地に配される板状の階段踏み面仕上げ材１であって、モルタルからなる基板部２と、表面に豆砂利等の種石３を露出して密に散在させた仕上げ層４とからなる。例文帳に追加

A sheetlike stair tread surface finish member to be arranged on a tread backing of a stair base comprises a mortar base plate 2, and a finish layer 4 obtained by densely scattering broken stone chips 3 such as pea gravel, in a manner being exposed on the surface thereof. - 特許庁

最後に、付着を高める輪郭を形成するように、そしてポリマー性コンパウンドへの親近性を高めるように、露出された下地金属を選択的に化学エッチングする。例文帳に追加

Finally, the exposed base metal is preferentially chemically etched so that it is contoured for maximum adhesion and imbued with affinity to polymeric compounds. - 特許庁

ソルダーレジスト層に下地の絶縁基板が露出するような欠損部が少なく、ソルダーレジスト層の電気的な絶縁信頼性に優れる配線基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a wiring board having fewer defective parts wherein insulating foundation substrate is exposed to a solder resist layer and having excellent electrical insulation reliability of the solder resist layer. - 特許庁

そして、第１及び第２絶縁膜には、これら第１及び第２絶縁膜を連続的に貫通して、下地面を露出させるゲート形成用孔部２９が形成されている。例文帳に追加

The first and second insulating films has a hole portion 29 for gate formation formed penetrating the first and second insulating films continuously to expose the ground surface. - 特許庁